《晶圆处理制程介绍》 基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管 （Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面 形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层 将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在 晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。 根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。 2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就> 称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所 以叫做「蚀刻区」。 3）扩散本区的制造过程都在高温中进行，又称为「高温区」，利用高温给予物质能量而产生运动，因为本区的机台大都为一根根的炉管，所以也有人称为「炉管区」，每一根炉管都有不同的作用。 4）真空
制程控制程序
1.目的：为生产过程加以控制，并利用统计技术监控制造能力，以确保生产过程
5.管理程序 5.1生产计划依【生产计划控制程序】执行 5.2制造过程控制相关文件 521 非QS9000产品 a. QC工程图。 b. 作业指导书、标准、操作说明书、产品图纸等。 522 QS9000 产品 a. 控制计划。 b. 作业指导书、标准、操作说明书、产品图纸等。 5.2.3 上述文件应确保是经过批准的最新版本，并在生产现场易于取到。 5.3对QS9000产品，工序中若有制造参照样本及检验参照样本及检验参照样本或PPAP 规定要保留的样本及相关资料应保留，并记录留样一览表及定期更新。 5.4制造过程中相关法规及环境要求 5.4.1各制造部应针对有毒有害品危险品影响环境的重大因素以及劳动安全卫生等方面
按有关法律法规制定的相应管理规定参照【法规鉴别程序】。5.4.2各制造部根据制品过程特点规定相应环境要求，并在必要时加以整修现场环境设 置，符合清洁及及适切要求，对于工作环境之维护参见“相关人员工作职责”执行。 5.5应变计划：若有偶发事件如：停电、停水、劳力短缺、关键设备故障等应变措施如下。 NO 意外情况处置措施权责单位 5.6生产设备管理与预防性保养计划参见【设备管理程序】 5.7生产人员 a. 各部门制定“各产品生产人员配置表”。
b. 工序间检查人员和其它有特殊技能要求的人员资格参见【培训程序】。 c. 各部门应培训多能工作业人员，以防止替补人员造成对品质的影响。 5.8QS9000产品量产前的确认及每次作业前的准备验证。 5.8.1 试生产0K后，量产以前由工程部对生产方法（控制计划/QC工程图/作 业指导书）生产设备、生产材料、生产人员、生产环境要求以及标准样 本等方面进行确认各项目Ok后方可投入生产，参见QS9000产品量产前确认 5.8.2 在作业准备验证过程中应采用适当的统计方法进行验证,参见【统计技 术实施程序】? 5.8.3 每次作业前应采用首件比较的方法. 等）应在控制图上记录参见【质量记录控制程序】 5.9 QS9000产品生产过程能力控制，须参照《SPC手册》及［生产计划控制程序］5.9.1 首次量产时PPK3 1.67
e 1999年对公司来说，可定义为OEM品质年，此话怎讲?因为从去年HP的PIGLET开始生产后，陆陆续续接到OEM客户的订单，诸如NEC、PANASONIC、广宇、以及最近的通用、INTEL 等等；我们可以从过去的经验与事实，去观察与分析OEM客户非常重视产品的品质管制，认为供货商是产品生产系统的源头或重要的一部份，足以影响产品是否能及时推上市，获得好评的重要关键之一。 因此对于品质管制手法的使用，一直是OEM客户注意的焦点。尤其是制程能力分析(Analysis for Process Capability) 的应用，大家都视为是一新开发产品导入量产阶段的指针， 所以本文的主题将针对制程能力分析来进行研讨。 接下来将透过下列几个问题，来切入正题: 一、制程能力是个什么东西？ 二、制程能力分析在什么时候实施是正确的？ 三、执行制程能力分析前有那些步骤？ 四、制程能力分析的数据要如何评价？ 五、制程能力分析的数据要如何应用？ 六、究竟要量测多少个样品才能计算Cpk？ 七、Cpk 是否能监测连续生产之制程？ 一、制程能力是个什么东西? 所谓『制程能力』就是一个制程在固定的生产因素(条件)
及稳定管制下所展现的品质能力。 那些是「固定的生产因素(条件)」；如设计的品质、模治具、机器设备、作业方法与作业者的训练、作业照明与环境、检验设备、检验方法与检验者的训练….等等皆属之。 什么是「稳定管制」；就是以上因素加以标准化设定后，并彻底实施后，且该制程之测定值，都是在稳定的管制状态之下，此时的品质能力才可说是该制程的制程能力。 制程能力如何表示： 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 2.制程精确度Cp (Capability of precision ) 3.综合评价(不良率p ) 4.制程能力指数Cpk 以上最常用的是Cpk、Cp、Ca，而p比较少有人使用。 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 与
过程能力评估程序 SANY标准化小组 #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
通过对过程能力之评定,确保产品品质特性所需之工序能力,并能针对能力的差距,及时加以改善,使制程处于合理管制状况。 2范围 凡本公司关键过程能力之控制。 3权责 由品质部收集数据,整理制作直方图,并计算制程能力 由相关部门主管,分析过程能力,作出汇报。 管理代表综合资料报告,呈交总经理。 4定义 Cp或Cpk：制程能力指数,用于衡量设备达到关键特性之能力大小。 5作业内容 过程能力评定流程图。(见附件一) 确定制程管理参数。 依据工程部《工艺设计管理程序》之输出文件﹐确定产品关键参数及其 公差,中心值。 确定初始制程能力 由品管部协同生产部门,在生产过程中连续取样100个相同产品﹐测量关 键尺寸,数据记录在《直方图绘制数据表》中。 依据所测量数据,来制作直方图,分析判定过程是否处于稳定状态。 若直方图处于稳定状态,则可以计算出相应制程能力指数Cp或Cpk若直方图处于不稳定状态,则应消除原因,重新进行。 制程能力核定：每一设备之制程能力应登录于《设备制程能力表》,呈 交工程部审查,副总审定后,作为制程能力之基准。 由品管部,每月依据的要求进行过程能力测量,与核定的《设备制程能力表》进行比较,来判定过程能力是否符合要求。 当制程能力不符合要求时,由品管部门填写《品质异常单》依照《纠正与预防措施管理程序》进行改善,改善后仍应依重新进行测算。 当符合要求时,由品管部保存过程能力指数评定的相关资料,以提交管理审查会议。 当制程能力连续3个月,所计算出的过程能力指数超出或不满足公司要求时,由品管部重新制作《设备制程能力表》报工程部审查,副总核准后颁布执 行。 《设备制程能力表》核定后,应交ISO文控中心依照《文件与资料管理程 序》分发品管部、生产部、工程部,《直方图绘制数据表》依《质量记录 管理程序》由品管部予以保存。 6相关文件： 工艺设计管理程序 纠正与预防措施管理程序 文件与资料管理程序 质量记录管理程序 7使用表单 设备制程能力表 直方图绘制数据表
确定和解决能力差距控制程序 1.目的： 根据现有工作考评能力，找出与岗位职责书要求的能力之间的差距，从而确定培训的需求。 2.适用范围 适用于培训管理体系覆盖的培训之前对能力的确定、识别解决办法弥补能力差距和为培训确定需求说明的过程。 3.职责 各部门负责人根据评价的本部门人员的现有能力与岗位要求能力之间的差距，提出培训需求，形成《能力差距及培训需求说明》。 4.工作程序 4.1各部门负责人结合每日对本部门人员进行的日清考评以及月度综合考评，找出与岗位职责书要求的能力之间差距较大的人员或问题，提出培训需求。4.2对于可自行组织培训的，部门负责人可以通过日清会的形式或单独对其进行培训、帮促，对于本部不宜解决的培训，可填写《能力差距及培训需求说明》，提报本单位培训主管，由其提炼组织。 4.3对各岗位人员进行的岗位资格认定结果，也可作为培训需求的输入，以能力差距及培训需求说明》形式提报培训主管。 4.4培训主管根据《能力差距及培训需求说明》中所集中体现的差距共性问题，确定进行哪些内容的培训，并选择一种最适宜的培训，作为消除能力差距的办法。 4.5培训按《培训实施决定书》和培训支持要求实施。
德信诚精品培训课程(部分) 内审员系列培训课程查看详情 TS16949五大工具与QC/QA/QE品质管理类查看详情 JIT >>>德信诚深圳培训中心https://www.doczj.com/doc/018341790.html, E-mail：55top@https://www.doczj.com/doc/018341790.html, 报名表下载>>> 公开课计划表
5.相关文件 5.1《日清表》 5.2《OEC考核台帐》 6.培训记录 6.1《能力差距及培训需求说明》
C P K为什么要定1，1.33，1.67，这几个值？ CPK：ComplexProcessCapabilityindex的缩写，是现代企业用于表示的指标。现今下产品的质量要求越来越高，产品的质量也不是仅仅能保证在公差范围内就能满足要求，因此对产品的质量关注从原来的被动检查产品尺寸转换到对产品加工过程的控制，那么如何来评价某个过程对产品加工质量的控制能力，利用统计学的原理按照一定的时间规律、对加工生产出的产品进行数据统计，通过计算其产品数据的离散度、标准差等数据来表达这个过程中产品的质量波动情况，CPK就在这种情况应运而生。 CPK用数值来表示，该值反映的是制造加工过程控制能力的大小，数值越大表示该过程的控制能力越好，产品的一致性越好，产品的尺寸变化波动越小越靠近中间值；而数值越大表示该过程的控制能力越差，产品的一致性越差，产品的尺寸变化波动越大离散度越大，甚至容易超出两边极限公差。 CPK的计算数据由至少125组数据组成，抽取的数据也有一定的要求（每5件为一组连续数据，每组之间按一定的时间间隔进行），抽取数据时制程必须是无任何异常状态下进行，所以CPK值反应的是某个制程在正常工作状态下的过程控制能力。 下面分别用4态图、柱状图辅助理解这样更直观一些（两侧的竖直线表示产品的尺寸极限，中间的竖直线表示产品的中间值）： 上图的CPK值为0.656，接近0.67，从柱状表示可以看出，虽然产品的尺寸都在极限范围以内，但大部分的产品数据分列在靠近极限值的两端，产品的离散度大；如果某过程的CPK计算数值在0.67左右，意味作该过程的控制能力并不稳定，具有超出产品极限的风险，如果数值小于0.67，加工过程中可能已经有超差极限值得产品存在。 上图的CPK值为1.078，与CPK值为0.656的图形对比可以看出，产品的尺寸的波动范围比前一副图约小一点，更趋近中间值。因此当CPK值增大时，该图反应出的过程控制能力就比CPK值为0.656的过程控制能力要好，那么产品超差两端极限的情况也就更小。 下面分别为CPK值为1.33和1.67左右的图形 从上列4张图片的对比不难看出，当CPK值越大时，过程控制能力越强，加工出的产品越靠近中间值且波动范围越小，产品互换性好质量越高。
产品风险分析控制程序 （ISO13485-2016） 1.0目的： 为了在产品设计及正式生产时能有效防止任何不良发生，使产品能符合各项质量之要求。在产品设计与制造确定之前先探讨可能发生的失效原因, 并评估其对产品、后制程及客户端的影响, 并提供有效的解决及预防措施, 以预防或降低制程异常的再发生, 降低质量成本及产品不良率, 并提升客户满意度。 2.0范围： 凡本公司产品自设计至生产出货各阶段之新产品、新制程或将修订产品、制程皆可用本分析来预防不良之发生。并可监控制程中可能潜在之问题。 3.0权责： 研发部：负责DFMEA，跨功能小组协办。 IE部：负责PFMEA，跨功能小组协办。 QA工程师:负责DFMEA/PFEMA之编制. 跨功能小组由研发及IE单位主管负责督导, 品质及制造单位主管协辨并于必要时提出召开跨功能小组执行增修FMEA作业。研发部/生产部/品质部等工程师级(含)以上之主管组成一核心小组共同完成，此核心小组为所有影响制程的各部门代表。 4.0名词定义： 4.1 失效 (Failure)：是指产品丧失规定的功能，包括在现定条件下不能完成其规定的功能，或参数不能保持在规定范围内，或操作者失误，造成产品功能
失效，及因应环境力变化导至功能丧失。 4.2 制程失效模式与效应分析：DFMEA为英文"Design Failure Mode and Effects Analysis" 之缩写, ，是质量规划构想阶段(第一阶段)中将客户期望转换成可靠度，再从产品设计与开发验证阶段(第二阶段)导入。本项分析，是以新产品为对象做系统化检讨及分析；用意在于事先预测、解决或监查制程中之潜在问题。 PFMEA为英文"Process Failure Mode and Effects Analysis" 之缩写, 其功能为事前鉴别出制程中可能发生之失效模式, 并且加以文件化及数量化之评估, 主要采用归纳法。 4.3 客户(Customer)：后制程、销售对象、或使用者均属之。 4.4 制程功能/要求：所分析制程功能。 4.5 潜在失效模式：制程不能满足设计或规格需求时之现象。 4.6 失效的潜在效果：失效模式对客户之影响。 4.7 严重度(Severity)：失效模式发生时, 对客户之影响的严重度之评估指标。 4.8 失效的潜在要因：失效如何发生之原因。 4.9 发生率(Occurrence)：为失效原因发生频率之评估指针。 4.10 现行制程管制：为目前已经使用之措施, 以预防失效发生或当失效发生时能被检出。 4.11 探测度(Detection)：为在半成品流向后制程前，检出失效原因或失效模式之能力评估指针。 4.12 风险优先数(RPN)：原文为〞Risk Priority Number" ： 由严重度、发生率、探测度三指数相乘所得，为是否实施对策改善之总评估指
Bubbler Wet Thermal Oxidation Techniques
Film Deposition Deposition is the process of depositing films onto a substrate. There are three categories of these films: * POLY * CONDUCTORS * INSULATORS (DIELECTRICS) Poly refers to polycrystalline silicon which is used as a gate material, resistor material, and for capacitor plates. Conductors are usually made of Aluminum although sometimes other metals such as gold are used. Silicides also fall under this category. Insulators refers to materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and P-glass (Phosphorous-doped silicon dioxide) which serve as insulation between conducting layers, for diffusion and implantation masks,and for passivation to protect devices from the environment.
制程能力分析 緒言 在產品生產周期內統計技朮可用來協助制造前之開發活動、制程變異性之數量化、制程變性相對于產品規格之分析及協助降低制 程內之變異性。這些工作一般稱為制程能力分析(process capability analysis)。制程能力是指制程之一致性，制程之變異性可用來衡量制程輸出之一致性。 我們一般是將產品品質特性之6個標准差范圍當做是制程能力之量測。此范圍稱為自然允差界限(natural tolerance limits)或稱為制程能力界限(process capability limits)。圖9-1顯示品質特性符合常態分配且平均值為μ，標准差為σ之制程。制程之上、下自然允差界限為 UNTL=μ+3σ上自然允差界限 LNTL=μ-3σ下自然允差界限 對于一常態分配，自然允差界限將包含99.73%之品質數據，或者可說是0.27%之制程輸出將落在自然允差界限外。如果制程數據之分配不為常態，則落在μ±3σ外之機率將不為0.27%。
(例) 產品外徑之規格為5±0.015cm，由樣本資料得知X=4.99cm，σ=0.004cm，試計算制程之自然允差界限。 (解): UNTL=4.99+3(0.004)=5.002 LNTL=4.99-3(0.004)=4.978 制程能力分析可定議為估計制程能力之工程研究。制程能力分析通常是量測產品之功能參數而非制程本身。當分析者可直接觀察制程及控制制程數據之收集時，此種分析可視為一種真的制程能力分析。因為經由數據收集之控制及了解數據之時間次序性，可推論制程之穩定性。若當只有品質數據而無法直接觀測制程時，這種研究稱為產品特性分析(product characterization)。產品特性分析只可估計產品品質特性之分布，或者是制程之輸出(不合格率)，對于制程之動態行為或者是制程是否在管制內則無法估計。這種性形通常是發生在分析供應商提供之品質數據或者是進貨檢驗之品質資料。
一、半導體製程氣體介紹: A.Bulk gas: ---GN2 General Nitrogen : 只經過Filter -80℃ ---PN2 Purifier Nitrogen ---PH2 Purifier Hydrgen (以紅色標示) ---PO2 Purifier Oxygen ---He Helium ---Ar Argon ※“P”表示與製程有關 ※台灣三大氣體供應商: 三福化工(與美國Air Products) 亞東氣體(與法國Liquid合作) 聯華氣體(BOC) 中普Praxair B.Process gas : Corrosive gas (腐蝕性氣體) Inert gas (鈍化性氣體) Flammable gas (燃燒性氣體) Toxic gas (毒性氣體) C.General gas : CDA : Compressor DryAir (與製程無關，只有Partical問題)。 ICA : Instrument Compressor Air (儀表用壓縮空氣)。 BCA: Breathinc Compressor Air (呼吸系統用壓縮空氣)。 二、氣體之物理特性: A.氣體分類: 1.不活性氣體: N2、Ar、He、SF6、CO2、CF4 , ….. (惰性氣體) 2.助燃性氣體: O2、Cl2、NF3、N2O ,….. 3.可燃性氣體: H2、PH3、B2H6、SiH2Cl2、NH3、CH4 ,….. 4.自燃性氣體: SiH4、SC2H6 ,….. 5.毒性氣體: PH3、Cl2、AsH3、B2H6、HCl、SiH4、Si2H6、NH3 ,…..
CPK (Process Capability Index )的定义：制程能力指数； CPK的意义：制程水平的量化反映;（用一个数值来表达制程的水平）制程能力指数：是一种表示制程水平高低的方便方法，其实质作用是反映制程合格率的高低。 与CPK相关的几个重要概念： USL (Upper Specification Limit): 即规格上限; LSL (Lower Specification Limit): 即规格下限; C (Center Line）：规格中心; =(X1+X2+……+Xn)/n 平均值；(n为样本数) T=USL-LSL：即规格公差； δ（sigma）为数据的标准差。标准差是一组数据平均值分散程度的一种度量。一个较大的标准差，代表大部分数值和其平均值之间差异较大；一个较小的标准差，代表这些数值较接近平均值。 例如，A、B两组各有6位学生参加同一次语文测验，A组的分数为95、85、75、65、55、45，B 组的分数为73、72、71、69、68、67。这两组的平均数都是70，但A组的标准差约为17.08分，B组的标准差约为2.16分，说明A组学生之间的差距要比B组学生之间的差距大得多。 (Excel中的“STDEV”函数自动计算所取样数据的标准差(σ) ) 样本: 从总体中随机抽取的若干个个体的总和称为样本。组成样本的每个个体称为样品。 样本标准偏差S: 因为标准偏差是用数据整体计算，所以当数据量大太时，就不便以操作,而且不符合现场需要。所以一般情况下, 会用样本标准偏差S来代替σ。 S ≈σ Ca (Capability of Accuracy)：制程准确度，Ca 衡量的是“实际平均值“与“规格中心值”的一致性; 1.对于单边规格，不存在规格中心，因此也就不存在Ca;
TFT Array製程技術 ~The Technology of TFT Array Processing 中小事業部產品設計總處 面板設計處AR設計部isplaying your vision!
isplaying your vision!E/B and E/S TFT Structure Data Line & Source Passivation SiNx Gate Line Cs Line & Cst Gate Insulator Glass Substrate Gate Line & Cst Glass Sub. Passivation SiNx Gate Insulator Data Line & Source E/B Type TFT & Cs on Common TFT Array Structure E/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array Structure
Pixel Elements isplaying your vision!
isplaying your vision! 5-Photo Exposure Process Insulator Passivation (1)Gate Patterning (Mask 1) (2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition (3)a-Si Pattering (Mask 2) (4)S/D Metal Patterning (Mask 3) (5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage (7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)
制程质量控制程序 1.目的 规范生产制程中的品质控制，确保生产过程中半成品及成品均能符合质量要求； 提高制程品质控制能力，预防不良品的产生，避免不良品流入下工序或入库，确保制程品的质量。 2.范围 适用于从配料到成品入库各工序的制程检测与控制。 3.职责 3.1质量技术中心：制程检验员（IPQC）依据检验规范及技术要求对投料的品质和加工的首件产品进行确认，制程中产品的巡检和完工转序/入库产品的抽检，并完成相应的检验记录；负责制程品质异常反馈与跟进和专项质量改进的跟进和验证，负责制程质量的统计分析；在发生重大质量异常时，有要求停产的权力；组织制程不合格品的评审和处臵。 负责制程检验规范及工艺规范/作业指导书和记录等相关技术文件的制定；对制程品质异常进行原因分析，提出有效的纠正和预防措施。 3.2 生产中心：负责制程产品的自检、互检和制程巡检，协同质检部做好首件检验工作；负责转序/入库半成品/成品的整理报检；负责制程异常反馈，在质检部及技术部的指导下完成质量异常的纠正和预防工作及其它专项质量改
进工作。 3.3设备部:负责制程设备、工装的调校和维修保养，确保制程设备、工装满足要求。负责在质量改进活动中的设备性能及操作方法的改进。 4.流程 4.1 生产准备 4.1.1生产状态整备。当首次量产、异常停机后再次生产或产品转换时，应对生产计划、材料状况、技术文件、设备特性、工装情况、计量器具等进行检查，确保各项均符合要求后才可开始作业。 4.1.2前臵检验（互检）。被加工件属转序或领用自制件，作业员在执行本工序作业前，应对被加工件进行抽检，确认流入本工序的工件是合格品。发现不合格品，应报告IPQC，对该批工件进行抽检或全检，填写《制程异常处理报告》和《不合格品处臵单》，按相关程序处理。将检验结果记录在《首件检验记录单》“前臵检验”栏内。 4.2 首件检验 4.2.1依据《三检制规定》进行首件检验,每班次开始或生产过程因换人、换料、换型号以及换工装、设备调整等改变工序作业条件后生产的首件产品，要进行“首检”。即员工自检：按照生产计划单上的产品名称和型号，核对相应的图纸、工艺文件或样板对首件产品进行结构、性能、外观、
? 5 ? ELECTRONICS WORLD?探索与观察 Array制程光刻胶残留不良改善方法研究福州京东方光电科技有限公司 柴国庆 余舒娴 翁 超 周维忠 刘 超 崔泰城 【摘要】光刻胶剥离制程为TFT-LCD制造Array基板的重要制程，剥离与洗净效果决定TFT产品质量。光刻胶残留是其主要不良。本文分析光刻胶残留的现象和成因，通过剥离设备的结构调整与保养、工艺参数的优化来改善光刻胶残留。研究表明，通过优化技术人员作业手法，增大剥离区间流量，严格管控剥离液药液浓度和水洗区间清洁与改造等的联合运用，可以有效避免光刻胶的大面积残留，提高产品质量，减少重剥而降低产能Loss，同时最大限度降低对真空设备的影响。 【关键词】TFT-LCD；Array；光刻胶剥离；光刻胶残留；工艺参数Research on the Improvement Methods of Photoresist Remain in Array Process CHAI Guoqing，YU Shuxian，WENG Chao，ZHOU Weizhong，LIU Chao，CUI Taicheng （Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co.，Ltd） Abstract：in TFT-LCD industry Array manufacturing，large photoresist remain（PR Remain）defect after left-off has great in?uence on the quality，yield and directly relates to the effectiveness of manufacturing enterprises.In this article，we analyzed the morphology and the causes of PR Remain and introduces the better prevent of PR Remain through equipment cleaning and maintenance，optimizing the process conditions，Such as stripper and water ?ow，and modifying the construc-tion of equipment.The research shows that the combined utilization of optimize operation technique and Stripper maintenance，can effectively decrease PR remain occurrence，and reduce to the re-strip ratio of array mass production(MP).Meanwhile，the quality and ef?ciency of production was improved and the in?uence on V acuum equipment was reduced. Key Word：TFT-LCD；Array；Photoresist Stripper；Photoresist Remain；Technologi-cal Parameter 1 引言 随着国内大力投资发展显示面板行业，TFT-LCD面板越来越大，所能做出显示器件也越来越大，同时也增大了各工艺的难度。其中，Array基板为TFT-LCD屏重要组成部分，它主要是在玻璃基板上制造所需要的电路，根据扫描信号选择像素和根据显示信号控制液晶偏转量[1]。Array基板的制造是由成膜(Sput-ter),涂布（Coater），曝光（Photo），显影（Developer），刻蚀（Etch），剥离（Stripper）。目前主要应用在a-Si TFT-LCD和Oxide相关工艺方向的有4Mask 和5mask工艺。较为前沿的研究也进行了3mask的探索[2]图1所示是典型的0+4 Mask产品Array基板在显微镜下的画面。 无论是选择何种生产工艺，光刻胶（Photoresist，PR）均会应用在形成所需要的图案的各制程中，又因为各膜层材质的不同，光刻胶涂覆工艺和粘附性也有较大差异，与之相对应的是在光刻胶剥离（Stripper）工序中的剥离（Lift-off）程度的难易。湿法剥离是重复次数最多的工序之一，其制程质量控制要点是：光刻胶的去除能力，Mura的控制，金属线的腐蚀，Particle的控制[5] 。 图1 0+4Mask显微镜下画面 光刻胶(PR胶)，在曝光区域发生光化学反应，造成曝光和非曝光区在碱液显影液（Developer）中溶解性产生明显的差异，经适当的溶剂处理后，溶去可溶性部分，得到所需图像。根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。Array基板制造过程中使用的是正性胶，主要成分和作用是：（1）线性酚醛树脂为成膜树脂，经涂布工艺在沉积有金属膜层的玻璃基材表面形成树脂涂层，利用光刻工艺，在涂层上“复制”电路。（2）感光剂（photo-active compo und，简称PAC）采用邻重氮萘醌（简称为DNQ）磺酸酯，利用PAC在感光和非感光部分反应的不同，得到所需的图案。（3）溶剂和添加剂，溶剂作用是获得均匀的稀释液体，使其具有良好的流动性，有利于形成均一平整的图层；添加剂含量很小，目地是增强附着性，增加光感度，改善表面成膜性等，正性胶有良好的分辨率，成本也相对较高[3]。湿法剥离（Wet Stripper）原理与过程如图2 所示。 图2 Wet Stripper剥离光刻胶原理 由于该工序存在于TFT制造的每个制程的最后一道工序，其质量直接影响下一制程品质。在生产制造过程中，我们将各制程经过剥离工序后仍有PR胶存在于膜层之上
半导体全制程介绍 《晶圆处理制程介绍》 基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗 （Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的 环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形 成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到 2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。 根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。
确定和分析能力控制程序 1.目的： 通过确定和分析能力过程的完成，确保在培训前对影响产品（服务）质量的培训对象的能力得到完整的确认。 2.适用范围 适用于本集团所有从事影响产品和服务质量人员能力分析确定。 3.职责 3.1各单位人力资源处负责确定本单位各岗位的岗位职责及能力需求，形成《岗位职责书》。 3.2各岗位的《岗位职责书》由其岗位所属的上一级领导审核，并由本单位的人力资源部门确认。 4.工作程序 4.1组织对从未实施过的大型培训活动，实施前应对（此前已经实施过的同种类培训的可以不进行）下列影响确定和分析能力要求的因素进行识别： 4.1.1组织的工作和生产过程； 4.1.2组织提供的产品的性质； 4.1.3识别过去或当前的培训过程中记录的相关种类的培训能力的记录资料； 4.1.4准备接受培训的组织人员、过去或当前完成规定任务后对其能力的评估； 4.1.5人员的正常、临时调整或季节性波动造成的对人员能力的影响记录； 4.1.6完成具体的任务所需要的内部或外部认证时对人员能力的要求；
德信诚精品培训课程(部分) 内审员系列培训课程查看详情 TS16949五大工具与QC/QA/QE品质管理类查看详情 JIT >>>德信诚深圳培训中心https://www.doczj.com/doc/018341790.html, E-mail：55top@https://www.doczj.com/doc/018341790.html, 报名表下载>>> 公开课计划表
4.1.7确定为寻求对组织目标有贡献的员工个人发展机会时的能力要求； 4.1.8为实施或处理顾客抱怨或不合格报告对过程评审和纠正措施的结果对人员能力的要求； 4.1.9分析并确定影响组织及组织的活动和资源的法规、规章、标准和准则对人员能力的要求； 4.1.10进行市场调查时识别或预测的新顾客要求而对人员能力提升的要求； 4.2各单位人力资源处应在综合考虑上述因素后，形成各岗位的《岗位职责书》。各单位的岗位职责书可以结合本单位实际情况制定，格式不限，后附参考格式表。 4.3《岗位职责书》由该岗位的上一级领导根据岗位能力要求进行审核确认。 5.相关文件 5.1与本组织相关的法律、法规、规章或标准； 6.培训记录 6.1《岗位职责书》（参考格式表）
SPC 概述Statistical Process Control
SPC Introduction 统计性统计管理(SPC = Statistical Process Control)? ? Statistical ... ?统计性方法是用Sampling的Data Monitoring 、分析Process 变动时使用。 Process ... ?反复性的事情或者阶段 (SIPOC : Supplier → Input → Process → Output → Customer) Control ... ? Process正在变化的事实早期警报。 警报是指最终Output出来之前纠正问题，能够具有充分的时间 (管理图 : 随着时间工程散布的变化) SPC –对某个 Process掌握品质规格和工程能力状态, 利用统计性资料和分析技法, 在所愿的状态下一直能管理下去的技法。 2
SPC 的发展历史 SPC 的特征：控制过程，防患于未然。 重点在于预防
?電視機彩色密度 投机?美國：無不合規格產品出廠，注意力在符合規格?日本： 0.3% 超出產品規格，致力於命中目標
製程- 產品-顧客 產品 (Output) Measurement 製程(過程)(Process) 展開 特性 特徵 顧客 滿意 Man Machine Material Method Environmental 4M1E
製程，程序 影響工作結果之所有原因的集合,亦即為達成工作 結果之製造過程中所有活動的集合 管制，控制 確保達到要求標準,必要時採取矯正行動 何謂製程管制 (程序控制) 工作 結果 原材料 方法 環境 機器 人員 原因 手段 特性 目的
1 目的通过正确使用统计技术，评估客户相关信息，产品要求的符合性，过程和产品的特性及趋 势，以提早对制程异常纠正。 2 适用围适用于质量活动的各个阶段，及客户指定的产品特性。 3 定义3-1 SPC：Statistical Process Control，统计过程管制。 3-2 机遇原因(Chance cause)：不可避免的机器、非人为、共同、偶然状况发生。 3-3 非机遇原因(Assignable cause)：可避免的机器、材料、人为、操作疏忽等原因。 3-4 UCL：管制上限。 3-5 LCL：管制下限 3-6 CPK：制程能力(长期)，量产阶段的制程能力。 3-7 PPK：制程能力(短期)，试产阶段的制程能力。 3-8 甘特图：又叫进度表，用以表示日程计划与其它进度的图形。 3-9 过程能力：(Capability Process)一个稳定过程的固有变差的总围。 3-10 过度调整：把每一个偏离目标的值当做过程中特殊原因处理的做法。 3-11 概率：A事件在N次试验中出现了M次，M/N就称为A事件的概率。 3-12 变差：过程的单个输出之间不可避免的差别。 4 职责4-1 品质部：统计技术运用、分析、改进措施的跟进，效果确认。 4-2 生产部：统计技术运用,管制图绘制，过程能力计算、记录。 4-3 相关部门：基础统计概念培训，了解及使用。 5 程序容5-1 统计技术常用的以下方面： 5-1-1 品质部：进料检验、制程检验、成品检验的抽样计划、问题与原因分析，公司部 及供应商质量记录之统计分析，测量系统分析。 5-1-2 生产部门：生产质量记录统计与分析、过程能力问题控制、原因分析、产品特性的测量、不合格品分析及产品的设计开发等。
过程能力分析 过程能力也称工序能力，是指过程加工方面满足加工质量的能力，它是衡量过程加工内在一致性的，最稳态下的最小波动。当过程处于稳态时，产品的质量特性值有99.73%散布在区间[μ-3σ，μ+3σ]，(其中μ为产品特性值的总体均值，σ为产品特性值总体标准差)也即几乎全部产品特性值都落在6σ的范围内﹔因此，通常用6σ表示过程能力，它的值越小越好。 为什么要进行过程能力分析 进行过程能力分析，实质上就是通过系统地分析和研究来评定过程能力与指定需求的一致性。之所以要进行过程能力分析，有两个主要原因。首先，我们需要知道过程度量所能够提供的基线在数量上的受控性;其次，由于我们的度量计划还相当"不成熟"，因此需要对过程度量基线进行评估，来决定是否对其进行改动以反映过程能力的改进情况。根据过程能力的数量指标，我们可以相应地放宽或缩小基线的控制条件。 工序过程能力分析 工序过程能力指该工序过程在5M1E正常的状态下，能稳定地生产合格品的实际加工能力。过程能力取决于机器设备、材料、工艺、工艺装备的精度、工人的工作质量以及其他技术条件。过程能力指数用Cp 、Cpk表示。 非正态数据的过程能力分析方法 当需要进行过程能力分析的计量数据呈非正态分布时，直接按普通的计数数据过程能力分析的方法处理会有很大的风险。一般解决方案的原则有两大类:一类是设法将非正态数据转换成正态数据，然后就可按正态数据的计算方法进行分析;另一类是根据以非参数统计方法为基础，推导出一套新的计算方法进行分析。遵循这两大类原则，在实际工作中成熟的实现方法主要有三种，现在简要介绍每种方法的操作步骤。 非正态数据的过程能力分析方法1:Box-Cox变换法 非正态数据的过程能力分析方法2:Johnson变换法 非正态数据的过程能力分析方法3:非参数计算法
(基本觀念) IC製程說明介紹 半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array (圖一) 不同外形半導體元件(圖二)EPROM內部晶片 (圖三)EPROM晶片接腳放大圖(圖四)LED 燈
(圖五)LED內部晶片放大圖(圖六)LED通電時因晶片發亮而發光 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種: 一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA 一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序: 前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造 後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段 的製造程序。