仿真一串并联谐振回路谐振
一、谐振网络中心频率f0=465K,固有品质因数Q0=100，R L=2K。运用Multisim仿真分析如下特性。
1）串、并联谐振回路的电压输出特性；
分析如下：谐振网络中心频率为f0=465K，品质因数Q0=100 ∴L=68.45mH, C=3.4225pF
①串联电路
其中R1是L的损耗，因此电路中的L和C是理想无损耗的，串联谐振必须是电压源激励。
分析如下：
RLC串联电路具有选频特性，当外加电压源信号的频率等于电路固有频率时产生谐振时，回路总阻抗的虚部为零、回路电流的幅度最大，当外加电压源信号的频率偏离电路固有频率时，回路电流的幅度将减小。
②并联电路
并联电路图：
示波器：
分析如下：由上图将结果所显示两者基本上为同相位关系，若稍微改变电压源的频率电压和电流便不再是同相位关系。发生谐振时，LC并联电路对电源而言相当于一个很大的电阻。2）分别取R L=0.5K，R L=2K，R L=5K时，运用Multisim中参数扫描各功能研究负载对串并联谐振回路选频特性的影响
对并联：
R L=0.5K
R L=2K
R L=5K
放在同一坐标系中比较：
对串联：
R L=0.5K
R L=2K
R L=5K
对品质因数的影响：由波形可以看出，R1越大，选频曲线越尖Q0=(WL)/R1,Q0值越大，选频效果越好.
二、运用Multisim设计中心频率为465KHz的带通滤波器和带阻滤波器，并对影响其通带及阻带特性的参数进行研究。
提示：ａ）串壁上的串联谐振回路和并壁上的并联谐振回路构成选频电路中的带通滤波器。串壁上的并联谐振回路与并壁上的串联谐振回路构成选频回路中的陷波器（带阻滤波器）。
ｂ）理想的并联谐振等效为开路。理想的串联谐振等效为短路。
带通滤波器：
波特测试仪测试结果如下：
带阻滤波器：
波特测试仪图如下：
实验心得：通过本次仿真实验，亲手将谐振相关理论知识用图像直观验证出来，还设计了带通、带阻两种滤波器，并对它们做了幅度与相位的特性分析。串并联谐振的幅值特性、相位特性、阻抗特性，以及某些因素对选频回路的影响等等问题，在理论上记在脑里是某种形式，自己用仿真做出来又是另外一种形式。实验一中待完成的步骤比较多，对于一个MULTISIM 新手来说，虽然在从生疏到逐渐与它建立起默契的过程中伤透了脑筋，但如果用实物电路把它们全部搭建并且记录好的话是一个很漫长的过程，仿真的适用性和方便性就明显体现出来了。
仿真二放大器的设计与分析（一）
一．搭建电路图
在上述电路图中，在直流静态偏置确定的基极电压不变的前提下，通过调整静态工作点
ce U 的值，达到调整静态工作点位置的目的。即：改变R3的阻值，它的增大对应着ce U 的
减小，从而造成静态工作点左移，而产生饱和失真，反之，当静态工作点处于较右的位置时，虽然避免了饱和失真，但同时将输出电压钳位在电源电压，这样也是不合适的。
三、静态工作点偏左时的输出波形
由图可见，输出波形产生失真。
此时由于静态工作点选取的合适，因此生成的输出波形较为完整。
心得体会：VCC为12V,则1/2VCC为6V,,则Ib可由Ib=Ic/β推出,关健是β的取值了,β一般理论取值100,但实际上,小功率管的β值远不止100,在150到400之间,或者更高,所以如果单纯按照计算来做,电路是有可能处于饱和状态的,所以有时我们不明白,计算没错,但实际不能用,这是因为还少了一点实际的指导,指出理论与实际的差别。这种电路受β值的影响大,每个人计算一样时,但做出来的结果不一定相同。也就是说,这种电路的稳定性差,实际应用较少。但如果改为分压式偏置电路,电路的分析计算和实际电路测量较为接近。
放大器的性能分析在模电课里已经学过了，本来以为已经很熟很熟，但实际操作起来脑里只能大概浮现出每一种操作期待出现的结果，执行操作后也能出现预料中的现象，但脑回路里就是没办法把公式和现象联系起来，必须再翻书找资料看看相关知识才能理性地确定自己做出来的结果是应该出现的结果。说明对知识的掌握不够清晰扎实，把学过的东西运用到实践的能力也不足够。
仿真三放大器的设计与分析（二）
本次实验主要针对实验二中未进行量化分析的部分作近一步的探讨。电路图搭建如下其中，信号源采用(f=1 kHz，V=10 mV)正弦波、直流电源(+12 V)。
1.1静态特性分析
根据已经学过的知识，在半导体三极管放大器中，为了获得最大不失真的输出电压，静态工作点应选择输出特性曲线上交流负载线的中点。若工作点选得过高，易引起饱和失真，而选得过低，又易引起截止失真。在测试中如果VCEQ<0．4 V，三极管进入饱和；如果VCEQ ≈12 V，此时三极管进入截止状态。调节RP可改变三投管的工作状态，调节RP使VCEQ=6.07 V，可见三极管工作在放大状态，利用软件对电路进行直流工作点分析(包括三极管各电极电压和电流)，得到如图2所示的仿真结果。
1.2交流分析
1.2.1在设定的工作点情况下，输入(f=1 kHz，V=10 mV)正弦波，通过虚拟示波器观测输入输出波形如图3所示。图中可看出输出信号已得到放大，通过输入输出交流电压表得Vi=10
mV、Vo=296．627 mV，电压增益为：Av=Vo／Vi≈-29．66。经计算可得电压增益为-30．45，与仿真结果基本接近（公式编辑太过繁杂，省略）
1.2.2在不同状态下的波形图：
1.2.3旁路电容、耦合电容对上下限频率的影响，可以通过仿真的手段验证其影响程度。将C1由10μF减小到1μF，其他参数不变，可测得下限频率为63．3 Hz，上限频率为18．43MHz；同理将C2由10μF减小到1μF，其他参数不变，可测得下限频率为52．35 Hz、上限频率为17．56 MHz；将旁路电容C3由47μF减小到1μF，其他参数不变，可测得下限频率为2．12 kHz，上限频率为18．43 MHz。以上结果显示，低频特性主要受到旁路电容的影响，这跟教材中的结论是一致的。
1.2.4实验总结
利用Multisim 10仿真软件完成共射极放大器的设计及仿真，整个过程简单、灵活、直观、近一步理解电路的原理以及提高了工程设计和分析的能力。对比测试结果得知，理论计算值与测量值基本吻合。采用Multisim仿真软件分析和设计电子电路，提供了一个全新的解析方法和手段。
实验心得：本次实验中对静态工作点的取值能够对输出产生的影响、以及旁路电容的影响做了量化分析。结果可能不是很完善，因为操作生疏，尝试了很久也没办法成功运用扫描仪器去观察某一变量究竟怎样影响结果。除上述分析以外，还可以对负载电压特性作进一步研究。
仿真四晶体管静态特性曲线分析
一．仿真目的
以三极管2N2222为例，运用Multisim对三极管的输入输出特性进行分析。
1）参照图一构建用于分析晶体管特性特性曲线的仿真电路。
2）参照图二，以Uce为参变量，通过仿真分析画出输入特性曲线Ube—I b.。
3）参照图三，以ib为参变量，通过仿真分析画出输出特性曲线Uce—Ic
提醒：
三、设计出用于分析NPN型晶体管输入输出特性的电路；
四、按要求选择合适的软件工具画出输入输出特性曲线，并对仿真进行总结分析，即：
运用Multisim完成性能仿真,再选用自己熟悉的画图工具完成曲线绘制。
二．仿真电路图
三．三极管输入输出特性曲线仿真过程
1.输入特性曲线：
集电极与射级之间电压可通过R1和滑动变阻器调整，当变阻器阻值为0Ω时Uce=0V，之后通过增加滑动变阻器阻值可改变Uce，将Uce取0、1、5V，测试输入特性曲线，过程如下：
Uce=0V时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
Uce=1V时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
Uce=1V时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
2.输入特性曲线：
分析如下：
从曲线可知：Uce=0V时，晶体三极管的输入特性曲线与二级管的正向伏安特性相同，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏。。Uce>1时，集电结进入反偏状态，特性曲线将向右稍微移动一点，故Ic/Ib增大，但Uce再增加时，曲线右移很不明显。在一般情况下，硅管发射结电压Ube=0.7V，锗管发射结电压BUbe=0.3V.。
若想调整Ib则需不断调整基级初滑动变阻器，且将左边电路中定值电阻调制500KΩ，使其将为0A，后不断调动滑动变阻器使Ib取0、20uA、40Ua、60uA，测试输出特性曲线，过程如下：
Ib=0时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
Ib=20uA时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
Ib=20uA时：
测出10个Ib随Ube改变的值如下图：
Ib=20uA时：