第1章常用半导体器件
1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电
B.带正电
C.不带电
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄
B.变宽
C.不变
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大
B.不变
C.减小
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV 时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0V
B.最大值为40V，最小值为+10V
C.最大值为10V，最小值为－40V
D.最大值为10V，最小值为0V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：D
问题解析：
6.
稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比
B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值
C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极
B.PNP管的发射极
C.NPN管的发射极
D.NPN管的基极
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，
VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
第2章基本放大电路
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流
( )。
A.反向
B.近似等于零
C.不变
D.增大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏、集电结反偏
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
3.晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.
C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为( )。
A.0V
B.＋2V
C.－2V
D.－1V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为( )。
A.1mA./V
B.0.5mA./V
C.-1mA./V
D.-0.5mA./V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
9.如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。
A.RL
B.RB
C.C1
D.C2
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
10.放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是( )。
A.适当增加RB2，减小RB1
B.保持RB1不变，适当增加RB2
C.适当增加RB1，减小RB2
D.保持RB2不变，适当减小RB1
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
11.图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取( )。
A.480kW
B.120kW
C.240kW
D.360kW
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
12.电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC 应等于( )。
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'需使( )。
A.偏置电阻RB增大
B.集电极电阻RC减小
C.偏置电阻RB减小
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的
( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
15.对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。
A.确定静态工作点Q
B.确定集电结和发射结的偏置电压
C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
16.某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是( )。
A.管子的值太小
B.电路电源电压太高
C.偏置电阻太小
D.偏置电阻太大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
17.如图所示的放大电路( )。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
18.与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( )。
A.输入电阻高，输出电阻低
B.输入电阻低，输出电阻高
C.输入，输出电阻都很高
D.输入，输出电阻都很低
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
19. 27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数( )。
A.小于但近似等于1
B.约几十倍
C.为
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50
倍,则该电路总电压放大倍数为( )。
A.5000倍
B.2500倍
C.150倍
D. 1000倍
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
21.两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( )。
A.输入电阻
B.信号源内阻
C.负载电阻
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
22.两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则( )。
A.第二级的基极电流随之而改变
B.第二级的静态值(，，)均不改变
C.第二级的静态电流不改变，但要改变
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
23.直流放大器中的级间耦合通常采用（）
A.阻容耦合（b）变压器耦合
（c）直接耦合（d）电感抽头耦合
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
第3章多级放大电路
1.差分放大电路的作用是（）
A.放大差模信号，抑制共模信号
B.放大共模信号，抑制差模信号
C.放大差模信号和共模信号
D.差模信号和共模信号都不放大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
2.集成运放输入级一般采用的电路是（）。
A.差分放大电路（b）射极输出电路
（c）共基极电路（d）电流串联负反馈电路
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（）。
A.闭环放大倍数越大（b）开环放大倍数越大
（c）抑制漂移的能力越强（d）对放大倍数没有影响
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM，则在情况下，集成运放的输出电压为－UOM。
A.同相输入信号电压高于反相输入信号
B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈
C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈
D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：D
问题解析：
5.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。第一空选择为（）
A.反相比例
B.同相比例
C.基本积分
D.基本微分
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
6.第一空电路的输入阻抗大，第二空电路的输入阻抗小。第二空选择为（）
A.反相比例
B.同相比例
C.基本积分
D.基本微分
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
7.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。第一空选择为（）
A.反相比
B.同相比例
C.基本积分
D.基本微分
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
8.在第一空电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在第二空电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。第二空选择为（）
A.反相比
B.同相比例
C.基本积分
D.基本微分
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：D
问题解析：
9.某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为，当输入对地电压
＞时的输出电压为( )。
A.－2U
B.－U
C.+2U
D.+U
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：D
问题解析：
10.理想运算放大器的共模抑制比为( )。
A.零
B.约120dB
C.无穷大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
11.理想运算放大器的开环电压放大倍数是( )。
A.无穷大
B.零
C.约120dB
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。
A.无穷大
B.零
C.约几百千欧
D.约几十欧姆
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
第4章集成运算放大电路
1.电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为( )。
A.串联电压负反馈
B.正反馈
C.并联电压负反馈
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
2.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
A.工作在线性区，降低稳定性
B.工作在非线性区，提高稳定性
C.工作在线性区，提高稳定性
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
3.放大电路如下图所示，当RF增加时，该电路的通频带( )。
A.变宽
B.变窄
C.不变
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
4.比例运算电路如下图所示，同相端平衡电阻R应等于( )。
A.R1
B.R1+RF
C.R1与RF并联
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
第5章放大电路的频率相应
1.比例运算电路如下图所示，该电路的输入电阻为( )。
A.零
B.R1
C.无穷大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
2.同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为( )。
A.零
B.R
C.无穷大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
第6章放大电路中的反馈
1.场效应管放大电路如下图所示，该电路的输入电阻应等于( )。
A.无穷大
B.
C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
2.共源场效应管放大电路中，若将源极旁路电容去掉，则该电路的电压放大倍数将( )。
A.增大
B.减小
C.不变
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
3.场效应管放大电路如下图所示，耦合电容约几十微法，则的取值通常( )。
A.大于
B.等于
C.比小得多，约0.01~0.047
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
4.场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数等于
( )。
A. B. C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
第7章信号的运算和处理
1.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( 第一空 )，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是( 第二空 )。第一空选择为：（）
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管级间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
2.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( 第一空 )，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是( 第二空 )。第二空选择为：（）
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管级间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
3.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是( )。
A. 输入电压幅值不变，改变频率
B. 输入电压频率不变，改变幅值
C. 输入电压的幅值与频率同时变化
D. 输入电压频率随机改变
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
4.交流负反馈是指( )。
A. 阻容耦合放大电路中所引入得负反馈
B. 只有放大交流信号时才有的负反馈
C. 在交流通路中的负反馈
D. 在直流通路中的负反馈
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
第8章波形的发生和信号的转换
1.振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的( )。
A.选频环节
B.正反馈环节
C.基本放大电路环节
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
2.自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为( )。
A.有外加输入信号
B.满足了自激振荡条件
C.先施加输入信号激励振荡起来，然后去掉输入信号
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
3.一个振荡器要能够产生正弦波振荡，电路的组成必须包含（)。
A.放大电路，负反馈电路
B.负反馈电路、选频电路
C.放大电路、正反馈电路、选频电路
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
4.振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在( )。
A.O点
B.A.点
C.B点
D.C点
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
5.一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为，反馈系数为，该振荡器要能自行建立振荡，其幅值条件必须满足( )。
A. B. C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：D
问题解析：
6.一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为，反馈系数为F，能够稳定振荡的幅值条件是( )。
A. B. C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
7.反馈放大器的方框图如图所示，要使放大器产生自激振荡，其相位条件是( )。
A.反馈电压与电压之间的相位差为
B.反馈电压与电压之间的相位差为
C.反馈电压与电压之间的相位差为零
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
8.一个正弦波振荡器的反馈系数，若该振荡器能够维持稳定振荡，则开环电压放大倍数必须等于( )。
A. B. C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
9.电路如图所示，参数选择合理，若
要满足振荡的相应条件，其正确的接法
是( )。
A.1与3相接，2与4相接
B.1与4相接，2与3相接
C.1与3相接，2与5相接
答题： A. B. C. D.
（已提交）
参考答案：A
第9章功率放大电路
1.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。
A.尽可能高的电压放大倍数
B.尽可能大的功率输出
C.尽可能小的零点漂移
D.尽可能提高电源的输出功率
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
2.在多级放大电路中，功率放大级常位于( )。
A.第一级
B.中间级
C.末级或末前级
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
3.功率放大电路通常工作在( )。
A.大信号状态
B.小信号状态
C.脉冲信号状态
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
4.欲提高功率放大器的效率，常需要( ).
A.增加电源供给的功率，减小动态输出功率
B.增加动态输出功率，减小电源供给的功率
C.设置静态工作点在接近饱和区处，增加静态电流IC
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
5.设功率放大电路的输出功率为，电源供给该电路的功率为，功率晶体管消耗的功率为，则该放大电路的效率等于( )。
A. B. C. D.
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
6.甲类功率放大电路，在理想情况下的最高效率只能达到( )。
A.0.25
B.0.5
C.0.785
D.0.67
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
7.某人自装了一台小型扩音机，功率放大级工作在甲类状态推动喇叭，试判断下列哪种说法正确( )。
A.声音越小越省电
B.声音越大越省电
C.耗电与声音大小无关
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
8.某功率放大电路的工作状态如下图所示，静态工作点Q靠近截止区，这种情况称为( )。
A.甲类工作状态
B.乙类工作状态
C.甲乙类工作状态
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
9.某功率放大电路的工作状态如下图所示，静态工作点Q大致在交流负载线的中点，这种情况称为( )。
A.甲类工作状态
B.乙类工作状态
C.甲乙类工作状态
答题： A. B. C. D. （已提交）