NAND Flash 存储器
和
使用ELNEC编程器烧录NAND Flash
技术应用文档
Summer 翻译整理
深圳市浦洛电子科技有限公司
August 2006
目录
一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
简介
NAND Flash 结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。如今, NAND Flash和NOR Flash已经占据了Flash市场的支配地位。 NAND Flash是一种高密度, 低功耗, 低成本, 而且可升级的器件, 它是多媒体产品导入市场的理想选择。先进的在系统内设计也使得为降低成本, 在传统的设计应用上采用NAND Flash来替代NOR Flash成为可能。
NAND Flash与NOR Flash的区别
下表是NAND 与 NOR的主要对比表。它指出了为什么NAND存储器是高容量数据存储的完美解决方案, 尽管NOR存储器也可被用来做数据存储和执行。
从物理结构上来说, 因为它不一定要下拉整个bit-line, 所以NAND Flash 结构可以使用更小的晶体管。一条NAND bit line就是一些连续的晶体管, 每一个晶体管只能流过少于总量的电流。下图介绍了NAND 和 NOR 结构内晶体管是怎样被连接在一起的, 以及他们的单元大小有什么不同。
得益于NAND Flash这种更有效率的结构, 使得它每一单元的大小几乎是NOR单元的一半。这也使得NAND Flash结构在给定的硬模内提供了更高的密度, 更高的容量, 同样也使得它的生产制程更为简单。高容量存储应用中, NAND结构相对于NOR结构来说更为节省成本。正如上面说介绍的, NAND Flash存储器是大容量数据存储的完美解决方案。(典型应用: MP3播放器, 数码相机)
上面所描叙的工艺是众所周知的单极单元(SLC)工艺, 通过电压的“H”或“L”，一个存储器单元保存1bit的信息。有时候多极单元(SLC)工艺也会被用到。在这样的应用中, 每一个存储单元能保存2bit或更多bit的信息，通过存储更多位。相对于基于SLC结构的存储器， MLC存储器传输的速度大大降低了，同时它也产生了更高的功耗。但是,其实这两种工艺都采用相同的I/O接口和指令。
在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元 — 他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分，这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。
从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。 NOR Flash 拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。
NAND Flash存储器结构描叙
NAND Flash存储器由block (块) 构成, block的基本单元是page (页)。通常来说, 每一个block由16, 32或64个page组成。大多数的NAND Flash器件每一个page (页)内包含512个字节(或称为256个字)的Data area（数据存储区域）。每一个page内包含有一个扩展的16字节的 Spare area（备用区域）。所以每一个page的大小为512+16=528字节。我们称这样的page为small page。
那些大容量的(1Gbig或更多)的NAND Flash, 它每page的容量就更大, 每page内Data
area（数据存储区域）的大小为2048字节, Spare area（备用区域）大小为64字节。
NAND Flash的读取和烧录以页为基础, 而NOR却是以字节或字为基础 — 数据I/O寄存器匹配页的大小。 NAND Flash的擦除操作是基于block (块)的。在NAND Flash上有三种基本的操作:读取一个页, 烧录一个页和擦除一个块。
在一个页的读取操作中, 该页内528字节的数据首先被传输到数据寄存器中, 然后再输出。在一个页的烧录中, 该页内528字节的数据首先被写进数据寄存器, 然后再存储到存储阵列中。在一个块的擦除操作中, 一组连续的页在单独操作下被擦除。
通常来说, 器件还提供有更多的扩张功能, 它们是:
z厂商ID读取
z器件操作状态读取
z复位命令
z不考虑CE
z高速缓冲寄存器操作
z OTP区域
z自动读取第0页
z块加锁/解锁
备用单元结构描叙
NAND Flash厂商在生产制程中使用Spare area（备用区域）来标识bad block, 所以这些器件被运送到客户手中时已经被标识。从功能上来说, Spare area（备用区域）内所有的字节都可以像Data area（数据存储区域）内的字节一样被用户用来存储数据。关于备用字节的使用, 我们推荐使用三星的标准。
Bad block (Invalid block)的管理
自从NAND结构被设计用来作为低成本的多媒体存储器, 它的标准规范中是允许存在bad block 的。只要bad block 的容量小于总容量的2% 那就是允许的。一个block中如果有坏的存储区域, 那它就会被标识成bad block 。 bad block 列表可以存储在一个芯片中的一个好的block上, 也可以存储在同一系统的另外一颗芯片上。bad block 列表是被要求的, 这是由于NAND Flash只能执行有限的读和擦除次数。由于所有的Flash存储器最终都会被磨损而且不能再使用, 这个列表需要被用来跟踪记录那些在使用中发现的bad block 。允许bad block 的存在有利于提高芯片的产量，同时也降低了成本。因为每个block是独立的, 而且是被bit lines隔离的, 所以bad block 的存在并不会影响那些其他block的正常工作。
Bad block 的一般分为两种: 生产过程中产生的; 使用过程中产生的。当block被发现是bad block , 一般是在该块的前两个page (页)的第517字节处用非FF来标识。一个通用的bad block map building 算法流程如下所示:
使用过程中产生的bad block 是没有被工厂标识的, 这些块是在客户处产生的。因为NAND Flash有一个使用寿命而且它最终会磨损。每一个块是独立的单元, 每一个块都能被擦除和烧录并且不受其它块寿命的影响。一个好的块一般能被烧录100000到1000000次。如果一个块在擦除一个块或烧录一个页时操作失败, 那么此块将被标识成bad block 并且以后不再访问。
如果你对bad block 进行擦除, 那么非“FFh”字节也会被擦除。如果发生了这样的事情, 在没有对块进行测试的特定条件下, 对那些bad block 进行重新标识是非常困难。所以如果存储bad block 列表的bad block table丢失, 重新发现并标识那些bad block 是相当困难的。因此, 在擦除bad block 之前推荐先收集正确的bad block 信息, 在器件擦除后, 那
些信息又会被重新标识上去。
在嵌入式系统中对bad block 进行管理必须要求有特殊的软件层。因此对NAND Flash进行烧录, 必须采用正确的方式进行bad block 的管理, 该方法取决于嵌入式系统中程序的管理方式。对bad block 的管理有很多种方式, 没有那一种方式被定义成标准方式。
例如: 一种通用的方式是跳过bad block , 把数据写入那些已知的好块中 — 这种方法被称为“Skip Block”。另外一种通用的方式叫做“Reserved Block Area”, 这种方法用已知好的block (块)来替代bad block, 这些已知好的block (块)是预先保留设置的。
除此之外, 其他应用需求对每个页内的数据进行ECC计算。当bad block 产生时, ECC校验被用来侦测bad block 的出现并且做数据的修补。ECC数据也会被写入备用区域。这种目的的算法通常被称作 Error Correction/Error Detection(EC/ED) algorithms。
Skip Block method（跳过坏块方式）
这种方法通俗易懂。这个算法开始之前先读取存储器内的所有备用区域。那些被标识成bad block 的地址都被收集起来。接下来, 数据被连续的写入目标FLASH器件。当目标地址与先前收集的bad block 地址一致时, 跳过坏块, 数据被写到下一个好的块中。然后继续保留bad block 中备用区域的标识信息。所以在程序导入执行之前, 使用者的系统通过读取Spare area（备用区域）的信息能建立一个bad block 的地址列表。
Reserved Block Area method（保留块区域方式）
三星的“Reserved Block Area method”基于这样的法则, bad block 在使用者的系统中能够被好block (块)所替代。这种烧录算法工作时首先决定将那些block (块)用来做UBA(User Block Area), 这些block (块)将会被RBA map table记录, 并且对这些block (块)进行保留操作。接下来, 算法读取Spare area（备用区域）的信息然后建立一个map列表到RBA。在RBA中唯一只有第一和第二个块被用来存储列表和对它进行备份。这RBA 中的map包含一些有了信息, 如用来那些RBA中的保留块来代替bad block。数据域在map
表中表示如下:
Transition Field总是FDFEh。 Cout Field 是每一个page (页)内map表的累加。
Error Checking and Correction（错误检测和纠正）
使用ECC纠错机制是为了让存储的数据完整无误。软件上出错的几率大概是10的-10次方。推荐使用的是采用SECDED (单一的错误纠正/双倍的错误探测) ECC算法来充分的利用潜在的NAND Flash存储器。
了解更多的信息，请您查询: http://www.elnec.appontes.php或者https://www.doczj.com/doc/0c12925448.html,/Products/Semiconductor/Memory/appnote.htm
文件系统
许多嵌入式系统产品使用NAND Flash来存储“ files (文件)”和boot code(启动代码), OS代码或简单的数据文件。因此附加的软件要求像管理文件系统一样管理NAND Flash。功能包括格式化, 碎片收集, 磁盘整理等等。大多数的NAND Flash制造商提供软件来管理这些高级的应用, 他们也很乐意将这些软件许可给最终的用户。在双方之间也存在多样性, 私有的软件驱动可以从第三方获得, 免费的软件驱动可以从开放的源代码那里获得。见下表:
使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash
ELNEC, 顶尖的万用型编程器制造商, 其产品遍布全球。它对您在NAND Flash烧
录的需求不可能视而不见。因此, 一个产品功能的延伸, 对NAND Flash的支持被加到了他们产品中。当前, BeeProg、JetProg万用型编程器, 还有BeeHive4 量产烧录系统都已经支持对NAND Flash的烧录。下面的篇幅将为您介绍怎样使用ELNEC编程器来烧录NAND Flash。
首先, 运行烧录软件, 接着选择您要烧录的NAND Flash器件型号，然后点击“Access Method”连接, 这时间您将看到一个对话窗口。在那对话窗口有两个主要的选项需要你来定义— Invalid block management (管理bad block ) 和Spare area usage(使用备用区域)。下面的文章将为您解释。
Invalid Block Management drop-down menu
bad block 管理下拉菜单提供基本的设置
Do not Use
不采用任何管理方法。所有的存储块都将向好的一样对待。换句话说, 所有的块都有可能被烧录或有可能被擦除。
这种方式将导致bad block 信息丢失，使用这个选项要非常小心。
Skip IB (Invalid Blocks)
选此项, skip bad block 方法将会被采用(请见上文)。首先, 基于备用区域的有效信息将会产生IB map, Bad block将不会再被访问。在操作其间，如果碰到bad block, 它将跳
过然后从下一个好的block开始继续操作。
Skip IB with Map in 0-th Block
这个原理和上面的操作一样。在烧录器件, 基于IB在备用区域的信息将会产生一个IB map。当烧录操作完成, 这个map将会被写入第0个块内。这是为解决兼容性的问题, 如果更新老的硬件系统。空白检测和擦除操作将会基于IB map来使用Spare area（备用区域）。在读取/校验操作其间, IB map将会被建立到第0个块内。如果您有不同需求, 不要犹豫, 请直接联系ELNEC。
RBA (Reserved Block Area)
保留的块区域方式将会被采用。请在下面关于User Area和RBA Area设置的段落中浏览更多的信息。
下面的设置与之前描叙的选项非常的接近。
User Area Settings
用户区域是存储区域的一部分, 在那里数据将会被写入。
允许操作两个编辑区域, 起始块和块的数量。以上图为例, 用户区域将会开始于第0个块, 总计需写入2008个块。也就是说将会从0块写到2007块。如果那里有bad block 而且使用skip bad block的处理方式, 实际上由于存在bad block, 它将写入更多的块。
“User Area”的设置会与Read, Verify, Program有关，但是与“Invalid Block Management”的设置无关。Erase和Blank check操作总是针对整个芯片而言的，并不受“User Area”设置的影响。
为了使用更加方便，您可以在“User Area”使用两种格式，十进制和十六进制。在使用十六进制的时候请在“User Area”中输入的数字前加“$”符号。可以参考下图。
注意：
您的NAND Flash器件可能包含bad block 。这些bad block 的存在降低了芯片的容量。
如果那里有太多的bad block ，会出现这样的可能，您设置的“User Area”并不会适合这颗IC的真实容量。
Solid Area Settings
Solid Area 是User Area的一部分, 它不包含有bad block 。这种连续存储空间的存在有各种各样的理由。(譬如：boot code)
您可以输入一个起始块和块的数量, 就像User Area的设置。这个设置只有当“Guard Solid Area”选项被钩选才会生效。
Quick Program Check-box
NAND Flash存储器是一个非常现代化的芯片，它有着非常完善的内部控制。正如前面文章我们所提到的，NAND Flash有数据寄存器，在系统与存储器之间，它能扮演I/O寄存器的功能。输入编程命令后，内部寄存器将执行所有被要求的指令 — 把寄存器中的数据写入合适的存储单元内。当进程完成后，它将执行内部的确认。如果进程失败，它将重复尝试写入几次。如果超时，它将报告操作失败。也就是说，这个block变成了bad block 。
但是还有一个，NAND Flash存储器有一个反作用的功能—部分页的写入。您可以只写入几个字节/字到页内，而且不会影响其他的字节/字或擦除页。假设，那些字节/字至今不能被烧录。那么在这样的情况下，数据寄存器只包含了几个部分页的数据，所以不能执行完整的确认。
由于这样的原因，存在了一种妥协的方式 — 只有当那些bit被烧录成“0”在内部才有效。所以内部的校验进程能发现，是否是“0”或不是“0”，但是不能察觉，是“1”或不是“1”。
如果选择“Quick Program”选项，将会执行上面的所说的烧录动作。如果不选择，软件将执行完整的烧录进程。当然，这样会耗费更多的时间。
注意：
在擦除之后进行空白检测和在烧录之后进行校验并不是必要的工作。
Reserved Block Area Options
通过“Reserved Block Area”选项您可以为RBA方式选定区域，这里有三个区域：
z User Block Area —为用户数据，详细的使用说明，请看下图
z Reserved Block Area—为RBA表。
z Block Reservoir—内在的定义在User Area之后和Reserved Block Area之前。
像User Area一样，您可以输入开始块和块的数量。只有在Invalid Block Management下拉菜单中选择RBA（Reserved Block Area），这个设置才会生效。
RBA Area—开始块：它必须设置在User Area之后。那里必须有一些空白的块为block reservoir(块池)，至少一个块。如果您不那么做的话，您将获得错误信息。
RBA Area—块的数量：使用两个可用的块，一个用来存储RBA表，另外一个块用来存储RBA表的备份。所以您必须设置至少3个块。如果不这样做，软件会出现错误信息。
Using Figure 14 as example（用插图14举例）:
User Area spreads in blocks: 0 — 2007
RBA Area spreads in blocks: 2033 — 2048
Block Reservoir spreads in blocks: 2008 — 2032 (automatically placed)
注意：
我们强烈建议在使用RBA方式的同时使用ECC译码。它将为您的系统提供最大的性能，软件的执行非常简单。
Spare Area Usage drop-down menu
Spare Area Usage 下拉菜单的基本设置：
Do not Use
如果选中这个选项, 将不使用Spare area (备用区域)。只将数据烧录到备用的字节/字，这些将被用来做有效性校验。三星建议用非“0”值来标识，而我们的烧录器使用“00”来标识。如果您有不同的需求请登陆http://www,https://www.doczj.com/doc/0c12925448.html,/algor.php
User Data
从程序员的观点来看，data area 和 spare area没有什么区别。数据将被连续的从buffer 烧录到两个分开的片段（data area和spare area）。
User Data with IB Info Forced
这个非常类似与之前的悬想。为了避免块有效性信息的丢失带来的麻烦，在IB信息继续保留，其他区域写入用户程序。
注意：
User data(loaded into buffer) 在块的有效信息位置都会被忽略, 这是大家所期盼的。
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公司档案室年终工作总结 自xx年9月2日档案室交接三个月以来，在公司领导的支持和帮助下，我在加强理论学习，提高自身素质和工作业务水平的同时，主要做了以下几个方面的工作： 档案门类数量起止时间备注文书档案2085卷1970-xx 设备档案114卷1994-xx 基建档案48卷1971-xx 科技档案106卷1994-xx 认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971-1990 其它资料53盒停用印章96枚通过认真仔细，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 在档案局专业人员的指导下，多年积压的基建档案，并按要求完成鉴定、立卷、归档工作。 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理
随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化工作。 在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。 模板,内容仅供参考
档案室人员年度工作总结 这篇关于《档案室人员年度工作总结范文》的文章，是特地为大家整理的，希望对大家有所帮助！ 一年来，在企业的正确领导下，档案室始终坚持以邓小平理论和“三个代表”重要思想为指导，贯彻执行党和国家有关档案工作的法律、法规，坚持依法治档，加强基础建设，提高管理水平，优化服务质量，立足扎实，围绕企业中心，服务大局，取得了一定成绩。下面就是本人的工作总结： 一、认真学习，贯彻执行《档案法》、《广东省档案条例》和《罗定供电分公司档案管理条例》，强化依法治档。 1、加强宣传力度。充分利用企业局域网络优势，将有关档案工作的法律、法规、规章及时上网，方便广大干部职工知法、学法、守法，提高了企业领导、干部及职工的档案意识。 2、加强对企业各单位形成的文档材料的收案工作，确保这些档案、资料的齐全完整，及时做好归档整理工作。 二、积极开发档案信息资源，建立科学实用的档案检索体系。 1、做好宝藏档案目录微机录入工作。目前，完成永久长期保管案卷级目录共计 1236 条。 2、为方便企业广大干部职工查询，在局档案室利用局域网络资源共享，将微机录入案卷级目录全部上网，利用现
代化的网络优势为企业经营管理服务。 三、做好利用服务工作 档案要为企业改革与发展服务，为企业的中心工作服务，为职工服务是我局工作的宗旨。服务意识和理念，具体体现在日常的工作及管理之中，档案管理人员对每一位利用者都能做到热情接待，百拿不厌，百问不烦，想方设法为他们排忧解难，让每一位利用者希望而来，满意而去，一年来，档案室共接待利用者400多人次，提供档案资料650多卷(件)，复印档案资料1000多页，出具证明200多份。 虽然在档案管理工作中，合理开发利用档案，取得了一定的成绩，但也还存在一些问题。 1、宣传力度需进一步加大，全员档案意识不够强。由于宣传力度不够，工作还欠积极主动，持是对档案法规宣传力度不够，因此造成全员意识缺乏。 2、档案现代化管理工作需加强。随着时代的发展，社会信息化程度越来越高，当前我局档案管理现代化还处于起步阶段。如何充分发挥局档案室的信息功能，为企业改革和发展服务，我们档案工作人员还须做出艰苦的努力。一方面企业需加大投入，另一方面，必须做好基础工作，加强管理，充分调动档案工作人员积极性。只有提高了档案管理的现代化水平，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
资料员工作总结范文【三篇】 【导语】对一段时间的工作进行总结是为了肯定成绩，找出问题，归纳出经验教训，提高认识，明确方向，以便进一步做好工作。以下是为大家精心整理的资料员工作总结范文【三篇】，欢迎大家阅读。 资料员工作总结范文一 通过半年来的学习与工作，工作模式上有了新的突破，工作方式有了较大的改变，现将半年来的工作情况总结如下： 一、加强自身的学习 我深知自己的学识、能力、阅历，工作经验有限，所以就充分利用业余时间，积极学习，不断的拓宽知识，工作总结《资料员半年工作总结》。遇到不懂不会的问题，虚心的向同事请教。在同事、领导的耐心教导、帮助鼓励下，进一步提高自身工作水平。 二、积极工作，圆满完成各项任务 上半年完成工作： 1、合同的归档工作：各项合同的分类整理、统一编号、文件保
存。 2、完善了文件的接受、发放、借阅等工作流程。 3、随着各工程的即将竣工，完成了与经营方各项合同的交底工作。 4、参加每月“逢五、逢六、逢十”的建筑会议，并认真做好会议纪要。 5、经过不断学习、不断积累，已具备了一定的办公室工作经验，能够协助办公室主任、公司领导完成日常工作中出现的各类问题。 三、工作中存在的不足 工作中虽然取得了一定成绩，但仍然存在着一些问题和不足。 例如：做事太孩子气，轻率、考虑事情不够全面，对待工作不积极主动。 今后，我要克服这些不足，让自己变的更踏实、稳重，争取工作的主动性、以正确的态度对待各项工作，认真仔细的完成领导交给的
任务。并一如既往的继续向各位领导、同事们学习，丰富自己知识、提高工作效率和工作质量。 资料员工作总结范文二 新年伊始，总结即将过去的xx年，从刚开始整理工程养护部和档案室的资料时的不娴熟，到如今的得心应手，这与部门领导的正确引导和同事的热情帮助是分不开的。 记得刚来公司，还曾为不知如何与同事领导相处、如何开展工作而苦恼，然经过近半年时间的工作和学习，我发现起初所担忧的都是多余的。公司宽松融洽的工作氛围、团结向上的企业文化和同事之间互帮互助的热情，让我很快融入了江珠这个大家庭，也给了我更高的工作热忱。 在工程部的近半年时间里，我尽心尽力地做好本职工作。本年度我的主要工作及总结如下： 一、收集整理工程部本部门所产生的资料 1、负责收集本部门文件和资料的发放、回收、借阅、传阅工作。每天收到的文件性资料都做到在当天内处理完善，其他资料在没有特殊的情况下都在一到两天内处理完善，需扫描的资料都及时送往相关
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
档案室年终工作总结 自XX年9月2日档案室交接三个月以来，在公司领导的支持和帮助下，我在加强理论学习，提高自身素质和工作业务水平的同时，主要做了以下几个方面的工作： 一、对档案室内各类档案进行了统计和登记 档案门类数量起止时间备注文书档案2085卷1970-XX 设备档案114卷1994-xx 基建档案48卷1971-XX 科技档案106卷1994-XX 认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971-1990 其它资料53盒停用印章96枚 通过认真仔细整理，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 二、整理积压基建档案33卷 在档案局专业人员的指导下，整理多年积压的基建档案，并按要求完成鉴定、立卷、归档工作。 三、完成已存荣誉档案的整理 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 四、严格执行档案借阅制度，提供利用服务40余次 对查借阅档案者一律履行借阅、登记手续。 五、围绕档案管理规范，加强安全防范意识
加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理 随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化整理工作。 在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、整理、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
档案室年终工作总结 档案室年终工作总结 一、对档案室内各类档案进行了统计和登记 档案门类数量起止时间备注文书档案20xx卷1970—20xx设备档案114卷1994—XX基建档案48卷1971—20xx科技档案106卷1994—20xx认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971—1990其它资料53盒停用印章96枚 通过认真仔细整理，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 二、整理积压基建档案33卷 三、完成已存荣誉档案的整理 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 四、严格执行档案借阅制度，提供利用服务40余次 对查借阅档案者一律履行借阅、登记手续。 加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理 随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化整理工作。
在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、整理、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档 案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要 及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充 分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。 时光匆匆，转眼我已经在XXXX公司渡过四个多月的.时光。这是我人生中第一份正式的工作，对我来说意义特别。在这四个多月的 学习中，在上级领导的带动下，在全体成员的帮助下，我紧紧围绕 档案室的中心工作，充分发挥岗位职能，不断改进工作方法，提高 工作效率，较好地完成各项工作任务，现作以简要汇报。 一、2**2年度主要工作 （一）按照档案管理要求，定期整理打扫档案室，做好档案室环境工作和档案信息的保护工作 （二）与各部门沟通协调资料归档相关工作； （三）做好电子数据的收集、整理，维护和利用好文书档案管理系统，努力做到收一份文，及时存录一份文件； （四）按照档案管理制度，对单位档案室进行常态化管理，专人管理，按照标准对已入库档案进行保存，做好档案的收藏和保密工作。 （五）严格按照档案借阅制度，完善借阅程序，一般只限于在“档案阅览室”使用，并进行登记。严格履行借阅手续，借阅者要 认真填写《档案借阅登记表》，不得转借、涂改、圈划、批注、增删、抽页、裁剪、拆卷、摘抄、拍照等，不得擅自公布档案内容， 确保档案的保密、完整与安全。 （六）耐心细致，搞好档案工作。档案服务工作的内容比较繁琐，面对大量的日常性档案保管工作和领导临时交办的事项，我都能抓 紧时间，高效、圆满、妥善地办理好，为档案室工作的正常开展提 供有效保证。二、2**2年度主要问题及原因分析
本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册
下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/
资料员年终总结及工作计划 新年伊始，总结即将过去的08年，从刚开始整理工程养护部和档案室的资料时的不娴熟，到如今的得心应手，这与部门领导的正确引导和同事的热情帮助是分不开的。 记得刚来公司，还曾为不知如何与同事领导相处、如何开展工作而苦恼，然经过近半年时间的工作和学习，我发现起初所担忧的都是多余的。公司宽松融洽的工作氛围、团结向上的企业文化和同事之间互帮互助的热情，让我很快融入了江珠这个大家庭，也给了我更高的工作热忱。 在工程部的近半年时间里，我尽心尽力地做好本职工作。本年度我的主要工作及总结如下： 一、收集整理工程部本部门所产生的资料 1、负责收集本部门文件和资料的发放、回收、借阅、传阅工作。每天收到的文件性资料都做到在当天内处理完善，其他资料在没有特殊的情况下都在一到两天内处理完善，需扫描的资料都及时送往相关人员处进行扫描上传，无资料积压情况。无论是对公司内部部门之间还是对施工单位之间的资料都建立了详细的登记台帐。 2、负责养护资料的接收与跟踪返还。在养护资料整理方面，建立了详细的接收与返还台帐（手写与电子版两种）。养护资料的整理归档工作比较滞后，由于工程养护申请表需要走网上审批程序，较缓慢，有的工程养护申请表上报已有好几个月了（编号为yh2008-0061的工程养护申请表上报的时间为2008.07.10），到目前为止网上审批流程还未走完，影响了工程养护的验收以及资料的归档（详见附表）。
3、由本部门所产生的资料按收文、发文、工程养护申请表、工程养护验收表、工程养护通知单、工程养护废料交接表、都设立了专门的档案盒，有明确的电子卷内目录，每个盒子都贴有明确的案卷脊背，方便查找。 二、档案室资料的整理 对于档案室资料的整理，首先对档案室的资料按珠海段、江门段各标段类型进行分类，每一个标段又分收文、发文、变更、计量、图纸等进行详细的分类、装盒，分柜陈列。 一）江门段资料的整理情况 1、各标段的收发文存在的现象 江门段各标段的收文都存在文件丢失、收文是复印件等现象，尤其是与政府部门的收文大多数是复印件，也有一些文件缺附件资料，还有文件的附件资料是没有签字确认的，很多文件都没有公司文件审阅的处理表，有文件审批表的格式也不统一，各式各样的都有，文件都不齐全，不具备竣工资料验收的条件。江门段公司的发文从文号排序上来看也存在丢失文件的现象，而且发文的文号排序有些混乱，有重复文号的现象，有个别的发文缺附件资料。 2、变更设计通知单存在的现象 设计院下发的变更设计通知单分桥变、地变、线变三种，其中桥梁变更的设计通知单丢失很严重，现有的资料里有一些原件已丢失，只有复印件。线变只有线变201
NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo
档案室年终工作总结800字 ★工作总结为大家整理的档案室年终工作总结800字，供大家阅读参考。更多阅读请查看本站工作总结。 一年来，在企业的正确领导下，档案室始终坚持以*理论和“三个代表”重要思想为指导，贯彻执行党和国家有关档案工作的法律、法规，坚持依法治档，加强基础建设，提高管理水平，优化服务质量，立足扎实，围绕企业中心，服务大局，取得了一定成绩。 一．认真学习，贯彻执行《档案法》、《广东省档案条例》和《梅州供电分公司档案管理条例》，强化依法治档。1、加强宣传力度。充分利用企业局域网络优势，将有关档案工作的法律、法规、规章及时上网，方便广大干部职工知法、学法、守法，提高了企业领导、干部及职工的档案意识。 2、加强对企业各单位形成的文档材料的收案工作，确保这些档案、资料的齐全完整，及时做好归档整理工作。二．积极开发档案信息资源，建立科学实用的档案检索体系。 1、做好宝藏档案目录微机录入工作。目前，完成永久长期保管案卷级目录共计1236 条。 2、为方便企业广大干部职工查询，在局档案室利用局域网络资源共享，将微机录入案卷级目录全部上网，利用现代化的网络优势为企业经营管理服务。 三．做好利用服务工作 档案要为企业改革与发展服务，为企业的中心工作服务，为职工服务是我局工作的宗旨。服务意识和理念，具体体现在日常的工作及管理之中，档案管理人员对每一位利用者都能做到热情接待，百拿不厌，百问不烦，想方设法为他们排忧解难，让每一位利用者希望而来，满意而去，一年来，档案室共接待利用者400多人次，提供档案资料650多卷（件），复印档案资料1000多页，出具证明200多份。 虽然在档案管理工作中，合理开发利用档案，取得了一定的成绩，但也还存在一些问题。 1、宣传力度需进一步加大，全员档案意识不够强。由于宣传力度不够，工作还欠积极主动，持是对档案法规宣传力度不够，因此造成全员意识缺乏。 2、档案现代化管理工作需加强。随着时代的发展，社会信息化程度越来越高，当前我局档案管理现代化还处于起步阶段。如何充分发挥局档案室的信息功能，为企业改革和发展服务，我们档案工作人员还须做出艰苦的努力。一方面企业需加大投入，另一方面，必须做好基础工作，加强管理，充分调动档案工作人员积极性。只有提高了档案管理的现代化水平，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。 在新的一年里，我们要认真总结经验，发扬成绩，克服困难，求真务实，努力开创企业档案工作新局面。
6 NAND FLASH CONTORLLER OVERVIEW In recent times, NOR flash memory gets high in price while an SDRAM and a NAND flash memory is comparatively economical , motivating some users to execute the boot code on a NAND flash and execute the main code on an SDRAM. S3C2440A boot code can be executed on an external NAND flash memory. In order to support NAND flash boot loader, the S3C2440A is equipped with an internal SRAM buffer called ‘Steppingstone’. When booting, the first 4K Bytes of the NAND flash memory will be loaded into Steppingstone and the boot code loaded into Steppingstone will be executed. Generally, the boot code will copy NAND flash content to SDRAM. Using hardware ECC, the NAND flash data validity will be checked. Upon the completion of the copy, the main program will be executed on the SDRAM. comparatively 比较地、相当地 motivating v. 激励；刺激；调动…的积极性（motivate的ing形式） execute vt. 实行；执行；处死 internal n. 内脏；本质adj. 内部的；里面的；体内的；（机构）内部的 Steppingstone n. 踏脚石；进身之阶；达到目的的手段 validity n. [计] 有效性；正确；正确性 content n. 内容，目录；满足；容量adj. 满意的；vt. 使满足 FEATURES 1. Auto boot: The boot code is transferred into 4-kbytes Steppingstone during reset. After the transfer, the boot code will be executed on the Steppingstone. 2. NAND Flash memory I/F: Support 256Words, 512Bytes, 1KWords and 2KBytes Page. 3. Software mode: User can directly access NAND flash memory, for example this feature can be used in read/erase/program NAND flash memory. 4. Interface: 8 / 16-bit NAND flash memory interface bus. 5. Hardware ECC generation, detection and indication (Software correction). 6. SFR I/F: Support Little Endian Mode, Byte/half word/word access to Data and ECC Data register, and Word access to other registers 7. SteppingStone I/F: Support Little/Big Endian, Byte/half word/word access. 8. The Steppingstone 4-KB internal SRAM buffer can be used for another purpose after NAND flash booting. 特性 1。自动引导:在复位时，引导代码写入4-k字节的中转区，在转移后启动 代码将在中转区上执行。 2。NAND闪存接口:支持256字，512字节，1k字和2KB字节页。 3。软件模式:用户可以直接访问NAND闪存，例如这个特性可以用于 读/写/擦除NAND闪存。
资料员个人年终工作总结5篇 在这三个月的时间里，在领导和同事们的悉心关怀和指导下，通过自身的不懈努力，我很快适应了周围的生活与工作环境，对工作也逐渐进入了状态。在这段工作与学习过程中，我体会到了自己的职责与不足，现对自身负责的工作总结如下： 1、对工程前期资料的收集及分类存档工作。 2、及时的与现场施工方沟通联系，认真的处理好各施工单位的相关工程联系单的收发、回复、存档及项目各类图纸的规范发放管理工作，尽可能的配合各施工单位的工作，在施工期间能够较好的协助公司项目管理人员及工程相关人员，为他们提供所需的资料并做好类似工作。 3、收集并保存好公司及相关部门下发的文件及会议文件工作，并把原来没有具体的文件按照类别好放入档案盒内，为查阅文件提供方便。 4、做好工程部各类文件、图纸下发、传阅及传递工作并将文件原件存档。根据工程部规定，对文件相关部门（包括对内和对外）的下发、传阅、传递，接收部门必须在文件收发登记表上进行签字确认，并将文件原件进行分类并存档。
5、负责工程类合同的、存档工作，每签署完毕一份合同，都按照公司规定去总经办借取原件进行复印，然后工程部进行存档管理，以便于领导及工程师查阅合同内容，也为现场更好的进行施工管理、进度管理及质量管理提供有力的依据。 6、负责现场施工发生的各种合同之外需要办理签证的各项工程的影响资料的拍摄及所发生时间的记录工作。 7、负责工程部范围内的各施工单位工程款支付流程的手续工作，按照上级领导的指示，根据现场的轻重缓急情况，确保流程的及时完成，对施工单位按时拨付工程款，从而保证现场施工能够正常进行；因成本部前期人员紧缺，不能及时到位，我同时也负责公司各项合同的签署流程工作，以保证合同的尽快签署完毕并及时下发到各部门、各施工单位手中。 8、负责工地各临时配电室中每月电表的抄数及各施工单位电费的、分配及缴纳等相关的工作。因之前没有亲手接触过此类工作，刚开始看不懂配电室内的各项设备，不知道怎么读取电表度数，又因工程部暂无安装工程师，所以我就去请教施工单位的电工，知道我们的电表度数=电表读数电流互感器电流比的倍数，虽然之间遇到了小困
目录 1．概述 (2) 2．功能框图 (3) 3．管脚 (3) 4．寻址 (4) 5．总线操作 (5) 6．命令表 (6) 7．PAGE READ，0x00-0x30 (7) 8．RANDOM DATA READ，0x05-0xE0 (7) 9．PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F (8) 10．READ ID，0x90 (8) 11．READ STATUS，0x70 (9) 12．编程操作 (9) 13．内部数据搬移 (11) 14．块擦除操作，0x60-0xD0 (12) 15．复位操作，0xFF (13) 16．写保护操作 (13) 17．错误管理 (14)
以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。 1．概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。 MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。 每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。 NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。 为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。 内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。
档案室年度工作总结 一、认真学习国家和省档案局有关文件,领会上级精神,不断提高本校档案管理水平. 学校档案工作是学校工作的组成部分,由于档案工作涉及面广、保密性强、工作量大,为使学校档案工作能与学校的各项工作协调发展.档案室的同志十分注重自身的政治理论水平的提高,认真学习关于科学发展观的政策理论和《档案法》及有关档案工作的政策法规,以提高自己的政治理论水平和业务能力.为此,我校与高州市档案馆进行了多方位的学习与交流,通过与上级单位的交流合作,我校工作人员取人所长,补己所短,并在短时间内迅速搭建了具有高师附一小特色的档案工作平台,积极高效地开展了各项工作. 二、加强宣传,增强档案意识,做好档案工作基础业务工作. 按时完成学校年度各门类档案的移交、整理立卷、目录录入和提供利用工作.2007年共完成立卷1674卷,增录案卷级目录3007条,卷内级目录11020条,提供利用620人次2100卷,复印资料约4580页.为提高归档率和归档材料质量,分别向有关部门发出催交档案通知,包括向宣传部发出关于照片档案归档通知,向现代教育技术中心发出网页文件归档通知,向校内各班级发出毕业生合影照片归档通知和向教务处发出教材档案归档通知等内部通知.在编研方面续编了组织机构、科研机构、各类委员会、各类领导小组、正高技术人员情况简表等共14.21万字. 三、以档案信息化建设为核心,主动提供利用服务 档案信息化建设,是指在档案管理的活动中全面应用现代信息技术,对档案信息资源进行数字化管理和提供利用.保管档案的目的是为了利用,为了更好地开发档案信息资源,我校引进计算机专业管理人才,拟将各类信息资源上网,进行数字化管理、网络化查询,更好地提供利用服务,把重心由“存”转向“用”.这一块也是我校今后工作的重点和难点,我校本年度接收行政、教学、科研、基建、外事、