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电路期末考试试卷(2009)B卷

卷号：（B ）（2009年12月）机密

一、选择题（本题共_10_小题,每小题 2 分，共 20 分) (在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的

括号中。)

1、图1-1所示电路，已知电阻R ＞0，ui P =，则下列正确的关系是（）。

A ．P ＞0

B ．P = 0

C ．P ≤0

D ．P ≥0

2、图1-2所示电路中，已知I S = 3A, R 0 = 20Ω，欲使电流I = 2A ，则必须R =（）。

A ．40Ω

B ．30Ω

C ．20Ω

D ．10Ω

3、当流过理想直流电压源的电流增加时，其端电压将（）。

A ．增加

B ．减少

C ．不变

D ．不确定

4． KCL 、KVL 不适用于（）。

A ．时变电路

B ．非线性电路

C ．分布参数电路

D ．集中参数电路

5、电路如图1-5所示，已知I S = 2A ，U S = 6V ，R = 6，由叠加定理可求电流I =（）。

A ．-0.5A

B ．-2/3A

C ．4/3A

D ．1.5A

6、图1-6所示电路中，已知电源电压u S = 30V ，R 1 = 10，R 2 = 20。开关S 闭合之前电路稳

定，t = 0时开关接通，则=+)0(C i （）。

题1-1图

题1-2图

题1-6图

题1-5图

A ． 0 A

B ．1 A

C ．2 A

D ．3 A

7、三相负载对称是指（）。

A ．321Z Z Z ==

B ．

C L X X R ==

C ．321Z Z Z ==

D ．321Z Z Z ==

8、图1-8所示电路，要求21u u =，变比n 应为( )。

A ．0.5

B ．1

C ．2

D ．2.5

9、在ＲＬ串联的正弦电路中，如果电阻上电压为30伏，电感上电压为40伏，那么总电

压为（）。

A. 70V

B. 50V

C. 10V

D. 60A

10、如图1-10电路中，a 点的节点电压a u 的方程为（）。

A ．3

321)111(R u i u R R R s s a +=++ B ．3

21)11(R u i u R R s s a +=+ C ．3

32)11(R u i u R R s s a +=+ D ．3321)(R u i u R R R s s a +

=++ 二、填空题（本题共 10 空，每空 2 分，共 20 分）（请将正确答案填入空格内）

1、若电流的计算值为负，则说明其真实方向与__ _相反。

2、若线性电阻R 的电压U 与电流I 的参考方向取非关联，则电压与电流关系是。

3、图2-3 所示电路，开关S 闭合前电路已达稳态，在t = 0 时刻将开关S 闭合，求电路

的时间常数τ= 。

4．在RLC 并联的正弦交流电路中，当C L X X >时，电路

题1-10图题1-8图

呈现的性质为__________。

5、含源线性电阻端口网络（等效电阻为eq R ）向可变电阻负载R L 传输最大功率的条件

是，此时负载电阻R L 获得的最大功率为。

6、瞬时功率在一个周期内的平均值叫做功率。

7、设?R 为对称?形电路中的一个电阻，则与其等效的Y 形电路中的每个电阻等于。

8、一个非线性电阻（在关联参考方向下）的u -i 关系为2u i =，u 和i 的单位是V 和A 。

当工作电压为0.4V 时，其静态电阻是__________Ω，动态电阻是________________Ω。

三、判断题（本题共_10_小题,每小题 1.5 分，共 15 分）

（请在你认为正确的题后括号内打“√”，错误的打“×”）

1、KCL 和KVL 定律对于非线性时变元件构成的电路并不成立。

（） 2、电压源不允许短路，否则将产生很大电流而损坏电源。（）

3、零输入响应的实质是储能元件的放电过程。（）

4、应用叠加原理时，将不作用的电压源开路，不作用的电流源短路。（）

5、正弦交流电的最大值是有效值2倍。（）

6、电感性电路即是电路中只含电阻和电感的电路。（）

7、在同一电路中，选择参考点不同时，电路中各点的电位不同，这就是电位的相对性。

（）

8、电容元件与电感元件均是储能元件，分别储存电场能量和磁场能量，都是无源元件。

（）

9、叠加定理只适用于线性系统。（）

10、三相电路中，电源中性点和负载中性点电位总是相等的。（）

四、计算题（本题共_5小题,每小题 10 分，共 50 分）

（要求写出主要计算步骤及结果）

4-1.列出题4-1 图所示电路的网孔电流方程

(只列方程，不用求解)。

4-2．电路如图4-2所示，已知Ω=1.101R ，Ω=10002R ，F C μ10=，电路发生谐振时的角频率s rad /103

0=ω，求电感L 。

4-3、计算出图4-3电路中端点a 、b 处的开路电压Uab 和等效电阻Rab ，并画出戴维宁等效电路。题4-2图

题4-3图

4-4、图4-4所示电路中，已知：L = 0.3H ，电路原已达到稳定，在t =0 时，将开关S 闭合，求在电路换路后，电感上的电压u L (t) 和电流i L (t) 。

题4-4

图

4-5、若有一线圈，功率因数为0.6，将该线圈接在220V 的正弦电源上，电源频

率为50Hz 。线圈消耗的功率为120W ，线圈的等效电路如图4-5所示。若要将电路功率

因数提高到0.9，应在线圈两端并联多大电容？（已知：33.153tan 0=，48.08.25tan 0=）

题4-5图

电路分析基础期末试卷及参考答案

桂林电子科技大学试卷 2018-2019 学年第一学期课号 BT122003_01 课程名称电路分析基础（A 、B 卷; 开、闭卷）适用班级（或年级、专业）17电子信息类一．选择题：本大题共10个小题，每小题3分，共30分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题意要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。 1、图1所示电路中，已知电流A I 3=，则a 、b 两端的电压U =( ) A ）－10V B ） 10V C ） 50V D ）－20V 2、图2所示电路中，已知元件A 放出功率10W ，则电流I =( ) A ） 1A B ） 2A C ）－1A D ） 5A 3、电路如图3所示，10Ω电阻吸收的功率为( ) A ） 1W B ） 0. 9W C ） 10W D ） 3W 4、图4所示电路原来处于稳态，A t i s 2cos 2=。0=t 时开关闭合，则换路瞬间的电感电流)0(+L i 为( ) A ） 1A B ） 0.5A C ） t 2cos A D ）t 2cos 2A 装订线内请勿答题图4 i L

5、如图5所示单口网络的等效电阻等于（） A ）2Ω B ）4Ω C ）6Ω D ）-2Ω 图5 6、如图6所示单口网络相量模型的等效阻抗等于（） A ）(3+j4) Ω B ）(0.33-j0.25) Ω C ）(1.92+j1.44) Ω D ）(0.12+j0.16) Ω 图6 7、某电路的阻抗为Ω+=510j Z ，则该电路的导纳Y 的实部为( ) A ） 0.2S B ） 0.08S C ） 0.04S D ）0.1S 8、如图7所示电路中负载获得的最大平均功率等于（） A ）2.5W B ）5W C ）10W D ）20W 图7 9、如图8所示谐振电路的品质因数为（） A ）0.01 B ）1 C ）10 D ）100 图8 10、如图9所示二端网络的功率因数为 ( ) A ） 0 B ） 1 C ）－0.707 D ） 0.707 Ω 4a b s u V t t u s )3cos(10)(=F 1_ Ω 4j

电路期末考试试卷

得分阅卷人 2009-2010学年第一学期《电路》期末考试试卷 1、填空题（每空1分，共20分） 1．一阶电路的三要素法中的三个要素是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 2．理想变压器可以改变：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 3．基尔霍夫电流定律时域形式和相量形式分别为：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 4．通过改变＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿可以使RLC 串联电路发生谐振。 5．对于一个具有n个节点，b条支路的电路，可写出＿＿＿＿＿个独立的KCL方程，＿＿＿＿＿个独立的KVL方程。 6．在分析具有理想运放的电路时，有两个很重要的规则，分别是＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 7．试指出图1所示元件中电流的真实方向：，电压的真实方向，功率。 8．图2所示电路中a 点的电压（位）为 V 。图1 图2 9．含源电阻二端网络N 及其伏安特性如图3所示，其戴维南等效电路中U s ＝＿＿＿＿＿V，R s ＝＿＿＿＿＿＿Ω。

得分阅卷人图3 10.图4所示电路中，电压源、受控源、2Ω电阻所吸收的功率依次为：＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。图4 2、选择题（3×7＝21分） 1．图5所示电路在t = 0时，开关打开，电路的时间常数为（）。 A．2s B． 3s C．　1/2s D． 1/3s 图5 图6 图7 2．图6所示电路中，，当（）时获得最大功率。 A． B． C． D． 3．图7所示电路中的U为（） A. 14V B. 10V C. 20V D. 12V 4．已知一个Ω的阻抗上流过电流，则其电压为（）V。 A． B． C． D． 5．受控源k中，k为（） A．电压转移比 B．电流转移比C．转移电导 D．转移电阻 6．关联参考方向时，线性电感的韦安特性曲线为（）。 A．过一、四象限的直线 B．过二、三象限的直线 C．过一、三象限的直线 D．过一、二象限的直线 7．恒定电流2A流过初始储能为零的1F电容，历时5s，则在这段时间内电容获得能量为（）。

华南理工大学网络教育学院期末考试《电路原理》模拟试题(含答案)

华南理工大学网络教育学院期末考试《电路原理》模拟试题注意事项： 1.本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟，闭卷； 2.考前请将密封线内各项信息填写清楚； 3.所有答案请直接做在试卷上，做在草稿纸上无效； 4.考试结束，试卷、草稿纸一并交回。一、单项选择题（每小题2分，共70分） 1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1- 2、图1-3所示，其中表达式正确的是（ b ）。（a ）图1-1 （b ）图1-2 （c ）图1-3 图 1图 2 图 3图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中，已知U ＝4V ，电流I =－2A ，则电阻值R 为（ b ）。（a ）-2Ω （b ）2Ω （c ）-8Ω 3、在图1-5所示电路中，U S ，I S 均为正值，其工作状态是（ b ）。（a ）电压源发出功率（b ）电流源发出功率（c ）电压源和电流源都不发出功率 4、图1-6所示电路中的等效电阻R AB 为（ b ）。（a ）4Ω （b ）5Ω （c ）6Ω R U I S 图1-4 图1-5 图1-6 5、在计算非线性电阻电路的电压和电流时，叠加定理（ a ）。（a ）不可以用（b ）可以用（c ）有条件地使用 6、理想运放工作于线性区时，以下描述正确的是（ c ）。（a ）只具有虚短路性质（b ）只具有虚断路性质（c ）同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法，求图1-7中A 、B 端的等效电阻R AB 为（ b ）。（a ）6Ω （b ）7Ω （c ）9Ω 8、图1-8所示电路中，每个电阻R 均为8Ω，则等效电阻R AB 为（ a ）。（a ）3Ω （b ）4Ω （c ）6Ω

集成电路设计基础_期末考试题

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um （大小），指的是右图中的W （字母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱三种。在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤；其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻

⑤外延三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类：（2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。

电路分析基础-期末考试试题与答案

试卷编号命题人：审批人：试卷分类（ A 卷或 B 卷） A 大学试卷学期：2006 至2007 学年度第 1 学期课程：电路分析基础I 专业：信息学院05 级班级：姓名：学号：（本小题 5分）求图示电路中 a、b 端的等效电阻R ab。（本小题 6分）图示电路原已处于稳态，在t 0时开关打开，求则i 0 。 t0 4A 5 1F 0.5H 3 得分题号一二三四五六七八九十十十总分得分、得分 R ab =R2 得分

i(0+)=20/13=1.54A

（本小题 5 分）已知某二阶电路的微分方程为则该电路的固有频率（特征根）为d 2 u dt 2 du 8 12u 10 dt 和___-6 ___ 。该电路处于阻尼得分（本大题6分）求图示二端网络的戴维南等效电路。u ab=10v, R0=3Ω 得分（本小题 5分）图示电路中 , 电流I =0，求 U S。 Us=6v 得分 b

U=4.8V 得分（本小题 5分）电路如图示 , 求a 、b 点对地的电压 U a 、U b 及电流 I 。 3V U a =U b =2v, I=0A. 得分（本大题10分）试用网孔分析法求解图示电路的电流 I 1 、 I 2 、 I 3 。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A 得分（本小题 10 分）用节点分析法求电压 U 。 2 2V 1 I 1

（本大题12分）试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 34 6+ 4A 4A 单独作用时， u'=8/3V; 3V 单独作用时， u'='-2V; 共同作用时， u=u'+u'='2/3V 得分（本大题 12 分）试求图示电路中R L为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率 Uoc=4v,R0=2.4Ω; R L= R0=2.4Ω时，获得最大功率 Pmax，Pmax＝ 5/3W; P s=40/3W，η＝ Pmax/ P s=12.5%。 100%为多

电路分析期末考试试卷

电路分析期末考试试卷及参考答案考试科目：电路分析试卷类别：A 卷考试时间： 120分钟 ________________系级班姓名学号毛一．选择题：本大题共10个小题，每小题2分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题意要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。 1、图1所示电路中，已知电流A I 3=，则a 、b 两端的电压U =___________。 A ）－10V B ） 10V C ） 50V D ）－20V 2、图2所示电路中，已知元件A 放出功率10W ，则电流I =___________。 A ） 1A B ） 2A C ）－1A D ） 5A 3、电路如图3所示，10Ω电阻吸收的功率为___________。 A ） 1W B ） 0. 9W C ） 10W D ） 3W 4、图4所示电路原来处于稳态，A t i s 2cos 2=。0=t 时开关闭合，则换路瞬间的电感电流)0(+L i 为__________。 A ） 1A B ） 0.5A C ） t 2cos A D ）t 2cos 2A 装订线内请勿答题

5、一个2A 的电流源对初始储能为0的0.1F 电容充电5秒钟后，则该电容获得的能量为__________。 A ） 50J B ） 500J C ） 100J D ） 0J 6、某电路的阻抗为Ω+=510j Z ，则该电路的导纳Y 的实部为__________。 A ） 0.2S B ） 0.08S C ） 0.04S D ）0.1S 7、若RLC 串联电路的谐振频率为Hz f 10000=，则当频率为900Hz 的正弦电压源激励时，该电路呈__________。 A ）阻性 B ）感性 C ）容性 D ）不能确定 8、图8所示二端网络的功率因数为__________。 A ） 0 B ） 1 C ）－0.707 D ） 0.707 9、图9所示电路已处于稳态，0=t 时开关打开，则电感电压的初始值)0(+L u 为_________。 A ）－25V B ）25V C ） 0V D ） V 7 10 10、图10所示二端网络的戴维南等效支路的参数为__________。 A ） 8V 、2Ω B ）8V 、4Ω C ）16V 、4Ω D ）16V 、1Ω 图4 i L 图9 装

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS

电路分析基础_期末考试试题与答案

命题人：审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 大学试卷学期： 2006 至 2007 学年度第 1 学期课程：电路分析基础I 专业：信息学院05级班级：姓名：学号： (本小题5分) 求图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 。 1 R R ab =R 2 (本小题6分) 图示电路原已处于稳态，在t =0时开关打开，求则()i 0+。 Ω

i(0+)=20/13=1.54A ( 本大题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分) 图示电路中, 电流I =0，求U S 。 Us=6v

(本小题5分) 已知某二阶电路的微分方程为 d d d d 22 81210u t u t u ++= 则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻尼工作状态。 (本小题5分) 电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本大题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流I 1、I 2、I 3。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分) 用节点分析法求电压U 。

U U=4.8V ( 本大题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时，u ’=8/3V; 3V 单独作用时，u ’’=-2V; 共同作用时，u=u ’+u ’’=2/3V 。十、 ( 本大题12分 ) 试求图示电路中L R 为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

电工电子技术基础期末考试试卷答案

《电工电子技术》期末测验试卷班级：姓名：得分：一、填空题：（每题3分，共12题，合计 36 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为电路图，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行分析和计算。 2、在实际应用中，按电路结构的不同分为简单电路和复杂电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用殴姆定律求解的电路为简单电路；否则，就是复杂电路。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称节点电流定律，它的数学表达式为。假若注入节点A 的电流为5A 和－6A ，则流出节点的电流 I 出 = -1 A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是电压、电流、电位、电动势。它们的代表符号分别是 I 、 U 、 V 和 E ； 5、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是串联、并联、混联。 6、描述磁场的四个主要物理量是：磁通、磁感应强度、磁导率和磁场强度；它们的代表符号分别是 Φ 、Ｂ、Ｕ和 Η ； 7、电磁力F 的大小与导体中电流I 的大小成正比，与导体在磁场中的有效长度L 及导体所在位置的磁感应强度B 成正比，即表达式为： F = BIL ,其单位为：牛顿。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、有效值（或最大值）、频率（或周期、角频率）和初相位是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u =2202sin(314t+45°)V ，该电压最大值为 220，角频率为 314 rad/s,初相位为 45° 、频率是 50 Hz 周期是 s 。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 220 V 。其有效值为 220 V,最大值为 V ，工作频率f ＝__50 __Hz ，周期为T ＝，其角速度ω＝__314___rad/s ，在1秒钟内电流的方向变化是__50___次。 12、在正弦电路中，用小写字母如i 、 u 等表示瞬时值，用大写字母如I 、U 等表示有效值二、选择题：（每小题2分，共 24 分） 1、有一根阻值为1的电阻丝，将它均匀拉长为原来的3倍，拉长后的电阻丝的阻值为（D ） A 、1 B 、3 C 、6 D 、9 2、试计算长度为100m ，横截面积为的铝导线在常温20℃时(备注：20℃时，铝的电电阻率ρ=×10-8 Ω.m)的电阻值是多少（ B ）。 ∑∑=出入I I

电路期末考试试卷(A)

得分阅卷人得分阅卷人2009-2010学年第一学期《电路》期末考试试卷（A） 1、填空题（每题3分，共30分） 1．一阶电路的三要素法中的三个要素是：、、。 2．在分析具有理想运放的电路时，有两个很重要的规则，分别是和。3．图1所示电路中, Ω。4．图2所示电路中，电压源的功率为 W。图1 图25．图3所示电路中， A。图36．戴维南定理求解电路的三个步骤是：、、。7．图4所示电路，已知的功率为2W，则＝ Ω，＝ Ω、＝ Ω。图4 图58．图5所示为对称三相电路，若V，,则 A。 9．图6所示电路中，当t = 0时开关k 断开，求开关断开后（t>0时）的响应 V 。图6 图7 10. 图7所示电路中，，则获得最大功率时的，最大功率为 W 。 2、选择题（3×10＝30分）

1．图8所示电路在t = 0时开关打开，电路的时间常数为（） A．2s B．3s C．1/2s D．1/3s 图8 图9 图10 2．在下列规格电灯泡中，电阻最大的是（） A．100W，220V B．100W，110V C．40W，220V D．40W，110V 3．关联参考方向时，线性电阻的伏安特性为（） A．过一、四象限的直线　B．过二、三象限的直线C．过一、三象限的直线 D．过一、二象限的直线 4．已知一个20Ω的电阻上流过电流，则其电压为（） A． B．C． D． 5．有关戴维南定理的叙述中，正确的是（） A．端口可用电流源串电阻等效B．端口可用电流源并电导等效 C．端口可用电压源与电阻串联组合等效D．端口可用电压源与电阻并联组合等效 6．图9所示电路中的U为（） A. 14V B. 10V C. 20V D. 12V 7．图10所示电路中，已知，则时，为（） A. 3A B. 4A C. 7A D. 8A 8．一个具有n个节点，b条支路的电路，其独立的KVL方程个数为（） A. n-b个 B. n-1个 C. b-n个

电路分析基础_期末考试试题与答案

试卷编号命题人：审批人：试卷分类（A卷或B卷）A 大学试卷学期：2006至2007学年度第1学期课程：电路分析基础 I专业：信息学院05级班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九十十十总分一二得分一、得分 (本小题 5 分 )求图示电路中a、 b 端的等效电阻R ab。 R2 R1a b R ab=R2 二、得分 (本小题 6 分 )图示电路原已处于稳态，在t 0 时开关打开，求则i 0。 5i t 0 4A51F05.H3 i(0+)=20/13=1.54A

三、得分 (本大题6分)求图示二端网络的戴维南等效电路。 a +1 15V2 -1 1A2 2 b u ab=10v, R0=3Ω 四、得分 (本小题 5 分)图示电路中,电流I=0，求U S。 I 3 2A3 U S Us=6v 五、得分 (本小题 5 分)已知某二阶电路的微分方程为 d 2 u8 d u12 u 10 d t 2 d t 则该电路的固有频率(特征根 )为 ____-2________ 和___-6______ 。该电路处于 ___过 _____阻尼工作状态。

六、得分 (本小题 5 分 )电路如图示 ,求 a、 b 点对地的电压U a、U b及电流 I 。 1 1a1 I b 3V212V U a=U b=2v, I=0A. 七、得分 (本大题10分 )试用网孔分析法求解图示电路的电流I1、 I2、 I3。 4I1I 25 I 3 12V234V I1=4A, I 2=6A,I3=I1-I2=-2A 八、得分 (本小题 10 分 )用节点分析法求电压 U。 4 4U 14 U 1U 224 V U=4.8V

集成电路设计练习题

集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？简述CMOS工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？ 5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx 其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？ 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。 9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow，并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么？ 15、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？ 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？ 18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 19、画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。

2019年电子电路基础课程期末测试卷(内含答案)

电子电路基础课程期末测试卷（ A 卷）学校：姓名：学院：班别：一、单项选择题 1.关于交流电路的阻抗，以下说法正确的是（ B ）。 A．是相量，可以用相量图表示 B.是复数，称为复阻抗 C.不可能是纯实数 D.是总电压与总电流之比 2.由电源和若干个电阻组成的电路中，关于功率的说法正确的是（ D ）。 A．功率不存在负值 B.电源不会消耗功率，只能提供功率 C. 交流电正负交变，不消耗功率 D.电路的功率之和为0 3.已知纯电容电路 X C 8 ，电流为 10A，则电路的视在功率为（ B ）。 A． 800sin45 B.800VA ( 伏安 )C.800WD.800Var ( 无功 ) 4. 关于等效电源的说法正确的是（ D ）。 A．理想电流源可以等效为理想电压源 B.电源的等效变换只适用于直流电路 C.电源之间不能进行等效变换 D.可以将含有内阻的电压源等效为电流源 5. 为了实现稳压，稳压二极管在电路中的正确使用是（ B ）。（尖头算正极） ++++ — ——— A. B. C. D. 6.已知V,= 90 I 42 A,无功功率为（ A ）。 P=UI72-42=30度 sin30*p U 10072 VA 是视在功率单位 A. 4.5KVar var(无功功率单位 ) B. 7.94Kvar C. 9KVA D. 4.5KW 7.万用表测量交流电压，其读值是交流电的（ D ）。交流电压 =电压×根号 2 A．平均值 B.最大值 C.瞬时值 D.有效值 8.关于电路分析中电流的参考方向说法错误的是（D）。 A．参考方向的设置不会影响计算结果 B.计算结果为负，说明实际方向与参考方向相反 C. 参考方向可以根据需要指定 D.参考方向要与实际方向一致

电路基本分析电路基础期末考试试卷及答案

电路基本分析电路基础期末考试试卷1 A 卷一、判断题(每题2分) 1. 在换路瞬间，如果电感电流不跃变，则电感电压将为零。（） 2. 当电感元件在某时刻 t 的电流 i (t ) = 0时，电感元件两端的电压 u (t )不一定为零；同样，当 u (t ) = 0时，i (t )不一定为零。 3. 实际电源的两种模型，当其相互等效时，意味着两种模型中理想电压源和理想电流源对外提供的功率相同。（） 4. 某三层楼房的用电由三相对称电源供电，接成三相四线制系统，每层一相。当某层发生开路故障时，另二层电器一般不能正常工作。（） 5. 如图所示，当 i 1 按图示方向流动且不断增大时，i 2 的实际方向如图所示。（）分享于上学吧资料分享课后答案二、填空题(每题1分) 1. 正弦量的三要素是指（）、（）、（） 2. 线性无源二端网络的阻抗与网络的结构、元件参数及（）有关。 3. 复功率 ~S 的定义为 ~ S =（），它的实部表示（）功率，它的虚部表示（）功率，它的模表示（），它的辐角表示（）。 4. 对称三相电路中，电源线电压为220V ，负载作三角形联结，每相阻抗Z = 22，则线电流为（）；三相总有功功率为（）。 5. 由q u 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件；由 i 平面中一条曲线所确定的元件称为（）元件。 6. 只具有单一节点对的电路的节点电压方程U =（），它称为（）定理。 7. n 个节点、b 条支路的连通图，其树支数为( )，连支数为( )。 8. 已知某无源网络的导纳Y = (2 + j2)S ，则该网络的阻抗为（），网络为（）性。 9. 选择u 、i 为关联参考方向时，50 电阻元件的 u 、i 关系为（），100F 电容元件的u 、i 关系为（）,10mH 电感元件的u 、i 关系为（）。 10. RLC 串联电路中，R = 50 ，L = 50 mH ，C = 10F ；电源电压U S =100V ，则谐振时电流I = ( )；品质因数Q = ( )。 11. 试为(a)、(b)两个图各选两种树，分别画在括号内。（）,（） 12. 图示电路中，N 0为不含独立源的线性网络。当U S = 3V 、I S = 0时，U = 1V ；当U S = 1V ，I S = 1A 时，U = 0.5V 。则当U S = 0，I S = 2A 时，U 为（）V 。（） 13. 图示为RLC 串联电路的频率特性曲线，其中感抗X L 的曲线为____________；容抗X C 的曲线为____________；电抗X 的曲线为___________；阻抗Z 的曲线为___________。 14. 含源二端电阻网络N S 如图所示，若测得开路电压U ab 为10V ，短路电流I ab 为5A ，则该网络的电压电流关系为U =（）。 15. 当一线圈（含R 、L ）与直流电压12V 接通时，其电流为2A ，与正弦电压 V 100cos 212t u π=接通时,电流为1.2A ，则线圈的电阻R = ( )，电感L = ( )。

2018—2019《电路基础》期末补考试卷

本试卷共2页第1页得分评分人得分评分人得分评分人成都工贸职业技术学院 2018-2019学年第二学期《电路基础》补考试卷一、填空题：（每空2分，共20分） 1、一个完整的电路都必须有电源、和中间环节三个基本部分组成。 2、流过元件的电流实际方向与参考方向时电流为负值。 3、电路中两点间的电压就是两点间的之差。 4、某元件上电压和电流的参考方向不一致时，称为方向。 5、如果P <0, 表明该元件功率。 6、实际电流源的电路模型是理想电流源与电阻的_________组合。 7、支路电流法是以_________为未知变量，直接应用基尔霍夫定律列出所需要的方程组。 8、对称三相交流电动势的特征是：各相电动势的最大值相同；频率相等；彼此间的相位互差。 9、三相电动势达到最大值的先后次序称为。 10、戴维南定理中，除去电源的方法是。二、选择题（每题2分，共16分） 1、已知两个正弦量为i 1=10sin(314t-90°)A,i 2=10sin(314t-30°)A,则（） A 、i 1 比i 2超前60° B 、i 1 比i 2滞后60° C 、i 1 比i 2超前90° D 、不能判断相位差 2、用支路电流法求解一个具有n 条支路，m 个节点（n>m ）的复杂电路时，可以列出的节点电流方程为（） A.n 个 B.m 个 C.(n-1) 个 D.(m-1) 个 3、理想电流源的内阻为（）。 A 、0 B 、∞ C 、有限值 D 、由外电路来确定 4、在三相四线制电路中，通常所说的220伏和380伏指的是电压的（）值。 A 、平均 B 、最大 C 、有效 D 、瞬时 5、已知电流ｉ＝4ｓｉｎ（314ｔ－45°）Ａ，当t=0.01时，电流的瞬时值是（）A 。 A 、2√2 B 、4 C 、2 D 、-2√2 6、纯电容电路中，下列各式中正确的是（） A 、i=u/Xc B 、i=u/ C ω C 、I=ωCU D 、I=U/ωC 7、将三相负载接入三相电源电路中，是采用Ｙ形还是△形接法，主要依据是（） A 、电源线电压的大小 B 、电源相电压的大小 C 、负载的额定电压大小 D 、电源的线电压和负载和额定电压大小 8、三相对称负载在同一三相对称电源中分别接成三角形和星形，则负载作三角形连接时的功率是作星形连接时的功率（）倍。 A 、１ B 、 C 、3 D 、2 三、判断题（每题2分，共24分） I 1、 + U - 由左图可知电压与电流的参考方向为非关联。（） 2、电阻串联时，各个电阻的电压与其阻值成反比。（） 3、电阻并联时，通过各个电阻的电流与其阻值成反比。（） 4、角频率w 是指正弦量单位时间内所经历的相位角。（） 5、任意回路都是网孔。 ( ) 6、一个电路只有两个端钮与外部相连时，叫做二端网络。（） 7、相位差就是两个同频率的正弦交流的初相之差。（） 8、理想电流源输出的电流是一个定值或一定的时间函数，与它两端的电压无关。（） 9、T 、f 和w 都能反映正弦量变化的快慢，w 越大，即f 越大(T 越小)，正弦量变化越快。（） 10、我国日常生活中使用的工频交流电的频率60HZ 。（）题号一二三四五总分得分教学系专业班级：__________________ 姓名：______________ 学号：____________ ——————―――密――――――――――――――――――――封―――――――――――――――――――――――――――线――――――

电路原理期末考试

电路原理期末考试復習（一） 13-1 说明题图13-1所示各非正弦周期波形包含哪些分量(正弦分量、余弦分量、奇次分量、偶次分量、直流分量)。解：（a ）)()(t f t f --=，)2()(T t f t f +-=，因此波形包含正弦奇次分量；（b ）)()(t f t f -=，)2()(T t f t f +-=，因此波形包含余弦奇次分量；（c ）)2()(T t f t f +-=，因此波形包含正弦奇次、余弦奇次分量；（d ）)()(t f t f -=，且一个周期内的平均值不为0，因此波形包含直流分量和余弦分量；（e ）周期为T /2，)()(t f t f -=，且一个周期内的平均值不为0，因此波形包含直流分量和余弦分量；（f ）将时间轴向上平移至消去直流分量后，得到的函数为奇函数，因此原波形包含直流分量和正弦分量。 13-17 题图13-17中，虚线框内为一滤波电路，输入电压t U t U u ωω3sin sin m3m1+=。若 L 1=0.12H ，ω=314rad ?s -1。要使输出电压t U u ωsin m12=(即输出电压中没有三次谐波，而基波全部通过)，则C 1与C 2的值应取多少？ (a) (b) (c) (d) (e) (f) 题图13-1 - u 2

解：)rad/s 314(V 3sin sin 311=+=ωωωt U t U u m m 若u 2中不含三次谐波，需L 1、C 1对三次谐波电压产生并联谐振，即 μF 39.991131 2 11 1== = L C C L ωω 若使u 1中基波全部加到R 2上，需L 1//C 1与C 2对基波电压发生串联谐振，即 μF 1.751 1111 1 1 1 21 1 112 =-=-??? ? ??= C L L C C L C C L C ωωωωωωωω 6-5题图6-5所示电路在t =0时开关动作。画出0+ 等效电路图，并求出图中所标电压、电流0+ 时的值。解：（a ）0+ 等效电路为：（b ）0+ 等效电路为： S C C C S C C I r r r r u r u i r I u u 121212 )0()0()0()0()0(+-=???? ??+-===+++ -+V 80)0()3010()0(V 20)0(10)0(A 230 20205)0()0(=+-==-=-=+?- ==++++-+L L L R L L i u i u i i u C (0+) C L (0+) (c) (d) 2 u C C (a) i L (b) 题图6-5

《集成电路设计原理》试卷及答案课件

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题 1.（1分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 ．（ 2 分）摩尔定律是指。 3. 集成电路按工作原理来分可分为、、。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和去胶。 5.（4分）MOSFET 可以分为增强型NMOS ，耗尽型NMOS ，增强型PMOS ，耗尽型PMOS___四种基本类型。 6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有：、以及。 7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的栅极，和漏极； VDD ，作为PMOS 的源极和体端，，GND 作为NMOS 的源极和体端。 8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为和。 9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= 4 V ，Y 2= 3 V ，Y 3= 3 V 。 DD 1 3 2 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题：（共12分）

1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图，要求使用的MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 3.简述静态CMOS电路的优点。

电路分析基础期末考试试题与答案

命题人：审批人：试卷分类（A卷或B卷） A 大学试卷学期： 2006 至 2007学年度第 1 学期课程：电路分析基础I 专业：信息学院05级班级：姓名：学号： (本小题5分) 求图示电路中a、b 1 R 2 (本小题6分) Ωi(0+)=20/13=1.54A

( 本大题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分)图示电路中, 电流I =0，求U S 。 Us=6v (本小题5分)已知某二阶电路的微分方程为d d d d 22 81210u t u t u ++=则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻尼工作状态。

六、 (本小题5分)电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本大题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流、、。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分)用节点分析法求电压U 。 U U=4.8V

( 本大题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时，u ’=8/3V; 3V 单独作用时，u ’’=-2V; 共同作用时，u=u ’+u ’’=2/3V 。十、 ( 本大题12分 ) 为多少。 Uoc=4v,R 0=2.4Ω; R L = R 0=2.4Ω时，获得最大功率Pmax ，Pmax ＝5/3W;

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