超图
线图的缺陷
线图中限定每条边的关联结点为两个，限制了线图的表达能力。现实世界中，广泛地存在着各种各样的多元联系，难以用线图直观地表达。
超图
一个超图H是一个有序二元组H=
超图表示
?结点用标号表示
?超边用环绕它的全部关联结点的封闭曲线表示
?例
通路
?设H=
边的序列E
1, E2, …, E k(k≥1)，该序列满
足下列条件：
（1）A∈E
1
, B∈E k；
（2）对于所有1≤i≤k，E
i
?E i+1≠?。
?边序列E1, E2, …, E k为从E1到E k的通路。
连通
?在超图H中，如果两个结点（或边）之间存在一条通路，则称它们是连通的。
?如果一个边的集合中每一对边都是连通的，则称该边集是连通的。
连通支
一个超图H中的任一极大连通边集以及它们的关联结点一起称作H的一个连通支。
子图
设H=
化简超图
?设H=
不存在任何一条边是另一条边的真子集，则称H是一个化简超图。
?对于任意一个超图H，通过从图中删去那些为别的边所真包含的超边而得到一个
化简超图，称这个化简超图为H的化简图，记为RED(H)。
投影图
设H= V ’>)为H 到V ’的投影, 记作H V ’，其中E V ’={e ?E V ’: e ∈E}-{?}，E V 中的每一条边通常也称作H 的一条子边。 ?一个超图的投影不一定是它的子图，因为该投影中可能包含某些不属于原超图的边。 ?例 课程的历史沿革 (1961-2003) 历史沿革表明，本课程历史悠久，梯队、年龄结构合理，代代相传，环环相扣。 1961年初，全增嘏先生以“现代外国资产阶级哲学批判”的名义率先在国内独立开设“现代西方哲学”课程。1961年下半年—1965年，刘放桐接替全增嘏先生承担整个课程的教学，并编写出了较为系统的教学大纲和相当一部分流派的讲义。1966年—1977年由于十年动乱教研工作停顿。1977年起，西方哲学史和现代西方哲学课程得到恢复。全增嘏在尹大贻、陈京璇、黄颂杰等辅助下酝酿主编《西方哲学史》（含现代西方哲学），刘放桐重新着手编写现代西方哲学的教学大纲和教材。 1979年，为了加强现代西方哲学的教学和研究，刘放桐、黄颂杰、张庆熊等从西方哲学史教研室分离出来成立了现代西方哲学研究室，吸收了原在马哲的陈学明参加（他于2002年才重返马哲教研室）。本课程的教学和研究由此得以更有组织、有计划地进行。1980受教育部委托分别开设了“全国现代西方哲学教师进修班”（义务性），为一些兄弟院校培养本课程第一批师资。1986年再次开办。 1981年，人民出版社出版了由刘放桐主编的我国第一部《现代西方哲学》教材。它最早为我国本课程的开设提供了一份虽并不完善、但较完整的教学框架和较系统的材料，它在80年代一直是国内本学科使用最广的教材。同年全增嘏获准设立国内第一批西方哲学史博士点。1983和1985年，上海人民出版社分别出版了由全增嘏主编的《西方哲学史》上下册（大部分统稿工作由黄颂杰担任），其中下册有一半以上的篇幅属“现代西方哲学”。 1985年起，文革后研究生毕业留校的俞吾金、张汝伦、王新生、汪堂家、莫伟民、佘碧平等继刘放桐和黄颂杰、张庆熊、陈学明等人之后先后开始参与现代西方哲学课程的教学（由辅导到主讲）。他们逐渐成了本学科教学和研究的主力，使本学科始终能生气勃勃。 临床肿瘤学概论（七年制） （ The Generality of Clinical Oncology） 周学时 3 教学目的和要求： 课程性质：临床医学必修课程。 教学目的：通过本课程的教学，使学生进入临床各科学习前对肿瘤学有一个整体的概念。了解肿瘤的流行病学、病因、发病机理、诊断、外科治疗、放射治疗、化学药物治疗、中医中药治疗、生物治疗和综合治疗及预防的基本原则。对肿瘤的诊断和治疗有一个整体概念。为肿瘤各论的学习打下基础，并能逐步认识肿瘤学的发展方向。 基本要求：学生应按大纲基本要求，了解肿瘤的发生或癌的起因，肿瘤细胞与正常细胞的差异。并明确较可靠肿瘤诊断是病理诊断，除病理诊断外，肿瘤诊断还包括影像学诊断、超声诊断、放射性核素诊断等，内腔镜的应用也十分普遍；生化、免疫诊断、基因诊断也为肿瘤诊断提供了新方法。 同时使学生掌握肿瘤的治疗方法主要有外科治疗、放射治疗、化学治疗、中医治疗、免疫治疗及基因治疗等，以及以上各种治疗方法的结合和多学科综合治疗的概念。 教学用书：朱雄增，蒋国梁等主编《临床肿瘤学概论》 参考书：现代肿瘤学汤钊猷主编 教学内容、要求和课时安排： 第一章绪论 教学内容 1. 肿瘤的基本概念：肿瘤的定义、肿瘤的良、恶性和肿瘤的基本术语等 2. 肿瘤学发展的历史和现状 3. 临床肿瘤学及其课程设置：临床肿瘤学和相关学科、临床肿瘤学的课程设置 教学要求 1. 掌握肿瘤的基本概念及相关术语 教学时数：1学时 第二章肿瘤的生物学行为 教学内容 1.肿瘤生长生物学：肿瘤细胞生长动力学、肿瘤血管、淋巴管生成、肿瘤异质性 2.癌基因和抑癌基因：癌基因、抑癌基因及其协同致癌作用 3.肿瘤的播散：肿瘤的侵袭、肿瘤的局部浸润、肿瘤的转移 4.肿瘤与宿主：肿瘤对宿主的影响，宿主对肿瘤的反应 教学要求： 1.掌握肿瘤的生长和播散的特征 2.熟悉机体对肿瘤的反应及肿瘤对机体的影响 3.掌握癌基因和抑癌基因的概念 教学时数：3小时 第三章肿瘤的病因学 教学内容 1.肿瘤病因学概述 2.肿瘤的环境因素：化学因素、物理因素、生物因素、医源性因素 3.肿瘤的遗传性因素：家族性癌与癌家族、遗传性综合征与肿瘤、肿瘤的家族聚集现象 4.肿瘤与基因：癌基因、抑癌基因、错配修复基因 首页->人才培养->本科生培养 一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学。共有2003级本科生92人，2004级本科生66人，2005级本科生67人。2007年微纳电子系开设了21门本科生课程，其中专业核心课8门，专业限选课5门，平台课2门，专业任选课4门，新生研讨课2门。 二、课程设置 ?课程编号：30260093 课程名称：固体物理学 课程属性：专业核心课 任课教师：王燕 内容简介：固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性，晶体中缺陷的形成及特征，晶格动力学，能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 ?课程编号：40260103 课程名称：数字集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：吴行军 内容简介：本课程从半导体器件的模型开始，然后逐渐向上进行，涉及到反相器，复杂逻辑门（NAND，NOR，XOR），功能模块（加法器，乘法器，移位器，寄存器）和系统模块（数据通路，控制器，存储器）的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层，都确定了其最主要的设计参数，建立简化模型并除去了不重要的细节。 ?课程编号：40260173 课程名称：数字集成电路分析与设计（英） 课程属性：专业核心课 任课教师：刘雷波 内容简介：数字集成电路的分析与设计，包括：CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 ?课程编号：30260072 课程名称：微电子工艺技术 课程属性：专业核心课 任课教师：岳瑞峰 内容简介：本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术，以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理（包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等），并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验，可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 ?课程编号：40260033 课程名称：模拟集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：王自强 内容简介：本课程介绍模拟集成电路的分析与设计方法，帮助学生学习基础电路理论，实现简单的模拟集成电路。课程分成3个部分：电路理论知识、电路仿真和版图介绍。课程以讲述电路理论为主，通过电路仿真对电路理论加以验证，最后介绍版图、流片方面的内容，使学生对全定制集成电路的设计流程有初步了解。 ?课程编号：40260054 复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二: 复旦微电子考研综合贴（一） - 看到不少讨论复旦微电子设计的，在此做个贴，不全或年代久远望见谅 这些是转来的，在此先谢过各位好心的前辈。 复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL 的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 弗雷格的逻辑和数学思想的哲学基础 张庆熊复旦大学现代哲学研究所 【提要】弗雷格在《算术基础》中阐述了三条基本原理，这三条原理一方面说明他为什么要构造他的人工语言系统，另一方面说明算术何以能够建立在逻辑的基础之上，这是从哲学的高度出发论证他的逻辑和数学思想的基础。 弗雷格（Gottlob Friedrich Ludwig Frege，1848－1925）于1897年发表《概念文字：一种模仿算术语言构造的纯思维的形式语言》（Begriffsschrift，eine der arithmetischen nachgebildete Formelsprache des reinen Denkens）。这本薄薄的书可谓现代逻辑的开山之作。它奠定了数理逻辑中的命题逻辑和一阶谓词逻辑的基础。然而，对于这本逻辑史上划时代的专著，在当时却少有人问津。弗雷格反思其原因，认为除人们对那陌生的符号系统望而生畏外，还不理解他为什么要构造这一系统的理由。他在1884年发表了专著《算术基础》（Grundlagen der Arithmetik）。在这本书中，他没有使用数理逻辑的符号，而是哲学理论上论证他所构造的人工语言系统的基本原理，指出严格区分心理的东西和逻辑的东西、主观的东西和客观的东西的必要性；强调决不要忘记概念和客体之间的区别；对当时所流行的逻辑学和数学中的心理主义展开批判。他认为逻辑是数学的基础，数的概念可以被定义为逻辑的类的概念，而类则被看成概念的外延。可以说，《算术基础》一书是弗雷格在哲学的方面为他的数学基础研究中的逻辑主义的方案奠定基础。 弗雷格在《算术基础》中所提出的原理一共只有三条，下面我们就结合考察这三条原理来评述弗雷格的逻辑和数学思想的哲学基础。 一、逻辑规律的客观性 在弗雷格所处的时代，逻辑研究中的心理主义占支配地位。按照这种心理主义的观点，逻辑推理是一种思维的活动，思维的活动是一种心理的活动，所以逻辑的规律可以还原为心理的规律，逻辑的真理是一种主观的真理。弗雷格认为，这种心理的观点就如压在逻辑和数学成长之树上的巨石一样，为使逻辑和数学研究得以顺利展开，必须搬开这块巨石。为此，他在《算术哲学》导言中所列出的第一条原理就是： “严格区分心理的东西和逻辑的东西、主观的东西和客观的东西。”1 弗雷格认为，这种心理主义的观点混淆了逻辑本身和从事逻辑推理的心理活动。一个人在从事逻辑推理的时候，确实发生心理的活动。这种心理的活动是主 1G. Frege，Die Grundlage der Arithmetik. Eine Logisch-mathematische Untersuchung über den Begriff der 一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。 二、课程设置 课程编号:30260093 课程名称:固体物理学 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:王燕 内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:吴行军 内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。 课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:刘雷波 内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:岳瑞峰 内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:许军 内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。主要内容包括:半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运(非平衡载流子,产生和复合,载流子的漂移、扩散,电流连续性方程, PN 结二极管和双极型晶体管,场效应晶体管,半导体光电器件,纳电子器件基础。 课程编号:40260033 课程名称:模拟集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:王自强 半导体物理50本书 1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.7 2、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.5 3、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.7 4、半导体超晶格物理214/X26夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社1995 5、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.5 6、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社1999 7、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.12 8、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.6 9、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社1997 10半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明，王建农著科学出版社1999.5 11、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.6 12、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.9 13、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚，<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.6 14、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤，杨树人编著国防工业出版社1995.12 15、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.6 16、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.7 17、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.2 18、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社2002 19、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.7 20、半导体器件物理612/Y75余秉才，姚杰编著中山大学出版社1989.6 21、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.6 22、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.2 23、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.6 24、半导体激光器及其应用633/H827黄德修，刘雪峰编著国防 临床肿瘤学概论---复旦大学精品课程 临床肿瘤学概论（七年制） （ The Generality of Clinical Oncology） 周学时 3 教学目的和要求： 课程性质：临床医学必修课程。 教学目的：通过本课程的教学，使学生进入临床各科学习前对肿瘤学有一个整体的概念。了解肿瘤的流行病学、病因、发病机理、诊断、外科治疗、放射治疗、化学药物治疗、中医中药治疗、生物治疗和综合治疗及预防的基本原则。对肿瘤的诊断和治疗有一个整体概念。为肿瘤各论的学习打下基础，并能逐步认识肿瘤学的发展方向。 基本要求：学生应按大纲基本要求，了解肿瘤的发生或癌的起因，肿瘤细胞与正常细胞的差异。并明确较可靠肿瘤诊断是病理诊断，除病理诊断外，肿瘤诊断还包括影像学诊断、超声诊断、放射性核素诊断等，内腔镜的应用也十分普遍；生化、免疫诊断、基因诊断也为肿瘤诊断提供了新方法。 同时使学生掌握肿瘤的治疗方法主要有外科治疗、放射治疗、化学治疗、中医治疗、免疫治疗及基因治疗等，以及以上各种治疗方法的结合和多学科综合治疗的概念。 教学用书：朱雄增，蒋国梁等主编《临床肿瘤学概论》 参考书：现代肿瘤学汤钊猷主编 教学内容、要求和课时安排： 第一章绪论 教学内容 1. 肿瘤的基本概念：肿瘤的定义、肿瘤的良、恶性和肿瘤的基本术语等 2. 肿瘤学发展的历史和现状 3. 临床肿瘤学及其课程设置：临床肿瘤学和相关学科、临床肿瘤学的课程设置 教学要求 1. 掌握肿瘤的基本概念及相关术语 教学时数：1学时 第二章肿瘤的生物学行为 教学内容 1.肿瘤生长生物学：肿瘤细胞生长动力学、肿瘤血管、淋巴管生成、肿瘤异质性 2.癌基因和抑癌基因：癌基因、抑癌基因及其协同致癌作用 3.肿瘤的播散：肿瘤的侵袭、肿瘤的局部浸润、肿瘤的转移 4.肿瘤与宿主：肿瘤对宿主的影响，宿主对肿瘤的反应 教学要求： 1.掌握肿瘤的生长和播散的特征 2.熟悉机体对肿瘤的反应及肿瘤对机体的影响 3.掌握癌基因和抑癌基因的概念 教学时数：3小时 第三章肿瘤的病因学 教学内容 1.肿瘤病因学概述 2.肿瘤的环境因素：化学因素、物理因素、生物因素、医源性因素 3.肿瘤的遗传性因素：家族性癌与癌家族、遗传性综合征与肿瘤、肿瘤的家族聚集现象 4.肿瘤与基因：癌基因、抑癌基因、错配修复基因 清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题 经验参考书 清华大学832半导体器件与电子电路考试科目，2020年初试考试时间为12月22日下午14:00-17:00进行笔试，清华大学自主命题，考试时间3小时。 一、适用院系及专业 清华大学026微电子与纳电子学系085400电子信息专业学位 二、考研参考书目 清华大学832半导体器件与电子电路2019年没有官方指定的考研参考书目，盛世清北根据专业老师指导及历年考生学员用书，推荐使用如下参考书目： 《电子线路基础》高教出版社，1997 高文焕，刘润生 《数字电子技术基础》高等教育出版社，第4版阎石 《半导体物理与器件》（第三版）电子工业出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译 盛世清北建议： 参考书的阅读方法 目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。 体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。 问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。 三、考研历年真题 2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版） 今年的题整体来看与往年风格略不同 半器四道题 证明费米能级 给半导体掺杂浓度算内建电场，画载流子分布 画n+n结的能带图计算接触电势 老生常谈的mos管电流计算 数电4道题 给真值表化简并画电路图 3-8译码＋数据选择器的真值表 求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图 最要吐槽的就是这个！流水线给延时求周期 模电也与往年风格略不同 3道题 分别是电流镜、集成运放以及波特图。 2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版） 选择天空全是半导体与电子器件的概念 大题： 1、算二极管参数 2、算MOS阈值电压 3、MOS放大2级算静态工作电流电压增益米勒电容去零点电阻 4、负反馈 5、集成预防搭电路 6、二进制数反补原+ 运算 7、卡诺图 8、2个电阻2个非门组合问工作原理电压传输曲线正负阈值电压 9、D触发器时序图 10、画COMS 异或门 盛世清北建议： 认真分析历年试题，做好总结，对于考生明确复习方向，确定复习范围和重点，做好应试准备都具有十分重要的作用。分析试题主要应当了解以下几个方面：命题的风格（如难易程度，是注重基础知识、应用能力还是发挥能力，是否存在偏、难、怪现象等）、题型、题量、考试范围、分值分布、考试重点、考查的侧重点等。考生可以根据这些特点，有针对性地复习和准备，并进行一些有针对性的练习，这样既可以检查自己的复习效果，发现自己的不足之处，以待改进；又可以巩固所学的知识，使之条理化、系统化。 四、全年复习规划 复旦大学材料工程领域介绍 复旦大学“材料工程”领域工程硕士专业面向以微电子与集成电路制造、平板显示制造、新材料生产与研发为主要发展方向的高新技术产业、科研机构等实际应用部门，为其培养具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。学生通过2.5-5年的专业学习，毕业后具有承担高新技术研发，高科技管理等部门相关工作的能力；并具有自身发展的潜力。 经国务院学位委员会办公室批准（（2002）39号文件），复旦大学自2002年起招收“材料工程”领域工程硕士专业学位研究生。 集成电路制造与微分析 本专业方向着重培养学生微电子器件工艺与集成、新型电子封装材料和失效分析等方面的创造能力。集成电路技术已进入深亚微米的制造领域，本专业培养适应信息产业集成电路制造和电子封装技术中需要的高技术人才。集成电路制造包括研究超大规模集成电路等微电子器件的新工艺；新型固体器件结构的研究、分析和模拟；集成电路的可靠性物理；IC制造业的质量管理；集成电路和微器件的设计制造、分析以及电子材料微结构分析。 主要专业课程：深亚微米IC工艺集成、半导体物理和器件物理、集成电路分析和设计、电子材料分析、半导体材料、微电子器件可靠性物理、电子封装材料与工艺、电子电路设计与分析等。 新材料与技术 本专业方向主要涉及新材料的设计与制备、成型与加工、结构与性能、表征与分析以及服役性能的模拟与评价等。下设五个研究方向：复合材料、先进涂料技术、材料失效分析、发光材料及能源材料。强调新材料与现代化学的结合、新材料与工程应用的相互渗透，培养学生具有宽广的知识面和解决工程实际问题的能力，并具备独立研发新材料的综合技能。 主要专业课程：材料化学（II）、聚合物物理（II）、聚合物材料合成与应用、涂料技术基础课、科技创新与战略管理、材料失效分析、腐蚀与防腐等。 薄膜与显示材料 本专业方向主要涉及薄膜与显示材料的制备、加工、结构性能表征以及模拟与评价等。包括以下几个研究方向：透明导电薄膜；纳米光电功能薄膜；信息功能薄膜；染料敏化太阳能电池；有机电致发光材料；电子发光显示和液晶显示材料。着重培养学生在薄膜与显示材料领域的专业理论知识和研究技能，为学生薄膜材料与器件、发光材料与器件方面打下扎实的基础，从而成为薄膜和显示材料技术领域具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。 1 第二章半导体中的电子状态 要求：掌握能带、有效质量和空穴的概念、 常见半导体的能带结构、杂质能级。 纲要 ?半导体中的电子状态和能带的概念?半导体中电子在外力下的运动，有效质量?材料导电性的差别（半导体如何导电）?空穴的概念 ?常见半导体的能带结构（结论性知识）?杂质和缺陷能级 2 其中 布洛赫波为一个被周期函数u k (r )所调制的平面波。电子的空间分布几率|Ψ*Ψ|=|u *u |是晶格的周期函数。 u k (r )反映电子在原胞内的运动。e ik·r 反映电子在整个晶体中的共有化运动（如何理解？）。 §2.1 半导体中的电子状态和能带（复习） 布洛赫波 采用单电子近似，在晶体的周期场中，电子的波函数为布洛赫波函数： （a n 为任意晶格矢） r k i k k e r u r v v v v v v ?=)()(ψ)()(n k k a r u r u v v v v v += 3 半导体能带的两种处理方法（半导体中的电子介于自由和强束缚之间） 1、近自由电子近似：从自由出发，加束缚条件 2、紧束缚近似：从束缚出发，减弱束缚 ?电子在原胞中不同位置上出现的几率不同(归一化)。 ?电子在不同原胞的对应位置出现的几率相同（几率能否叠加？），真正反映电子的共有化运动。?如何理解电子的宏观运动？ 电子的波函数几率和统计力学得到电子空间分布的变化，电子空间分布变化表现为宏观的电子运动。 4 例：Si(金刚石结构）能带的形成(SP 3杂化和电子占据能态情况) 1、能级数目； 2、能级间隔； 3、电子不再是局域的。 5 轨道杂化和电子占据情况：价带完全填满；导带没有电子。 微电子与纳电子学系 00260011 晶体管的发明和信息时代的诞生 1学分 16学时 The Invention of Transistors and the Birth of Information Age 晶体管的发明，是二十世纪最重要的科技进步。晶体管及以晶体管核心的集成电路是现代信息社会的基础，对社会的进步起着无以伦比的作用。晶体管的发明，源于19世纪末20世纪初物理学、电子学以及相关技术科学的迅速成熟。晶体管的发明造就了一大批物理学家、工程师。晶体管的发明，也随之产生了许多著名的研究机构与重要的公司，如贝尔实验室、仙童公司、Intel等都与晶体管的发明密切相关。“以铜为鉴，可正衣寇；以古为鉴，可知兴替；以人为鉴，可明得失”。晶体管发明作为现代科技史上的重大事件发生过鲜为人知的重要经验和教训，涉及科研管理、人才和科学方法等诸多方面，可以从成功和失败两个方面为后人提供十分重要的借鉴与启示。本课程试图从晶体管的发明到信息社会的诞生，探讨技术革命和创新的方向，为大学低年级学生将来从事科学研究建立正确的思想观。所讨论的课题包括，科学预见和准确选题的重要性、科学研究的方法、放手研究的政策、知人善任和合理配备专业人才等。 00260051 固体量子计算器件简介 1学分 16学时 Introduction to solid-state quantum computing devices 作为量子力学和信息学的交叉，量子信息学是最近二十多年迅速发展起来的新兴学科，量子信息处理技术能够完成许多经典信息技术无法实现的任务。比如，一旦基于量子信息学的量子计算机得以实现，其在几分钟内就可解决数字计算机几千年才能解决的问题，那么用它就可及时地破解基于某些数学问题复杂性假定之上的传统保密通信的密钥，从而对建立于经典保密系统行业的信息安全构成根本性的威胁。这种新兴技术的实现可以直接地应用于国防，政治，经济和日常生活。本课程在此大的学术背景下展开，主要介绍最有希望成为量子比特的固体量子相干器件的基本原理和目前的研究状况，以及如何用这些器件实现量子计算。 00260061 量子信息处理的超导实现 1学分 16学时 Quantum information process and its implemention with superconducting devices 基于半导体集成电路的经典信息处理技术已渗透到我们生活的各个方面，信息处理器件，例如个人电脑和手机，为我们生活质量的提高提供了强有力的技术支持。但是经典信息处理技术的继续发展面临着技术上的瓶颈，其性能很难在现有技术路线上继续提高。一种新型的完全基于量子力学原理的量子信息处理技术，有望提高信息处理的效率并解决一些经典信息处理技术无法解决的问题。量子信息处理技术的成功实施，将为我们提供绝对保密的量子通信技术和高效的量子计算机。本课程将学习量子信息处理的基本原理；超导材料的基本特性以及利用超导器件实现量子信息处理的原理与方法。通过文献调研和小组讨论等方式了解利用超导器件实现量子信息处理的最新进展和面临的挑战，探讨可能的解决方案。 00260071 智能传感在社会生活中的应用 1学分 16学时 Smart Sensing in Social Activities 智能传感已经深入到社会生活的每个领域，深刻地影响着我们的社会组织方式和行为方式。本课程采用视频、图片等多媒体方式，以活泼生动地方式，向具有不同专业背景的学生深入浅出地讲述智能传感器及其在社会和生活中的应用。例如，在文化与智能传感器章节中，结合大家熟知的电影形象《指环王》中的“咕噜”，介绍智能运动传感器在电影制作中的应用；结合《机械战警》中的形象，介绍脑机接口传感器在脑神经科学研究及帕金森症等疾病治疗中的应用。在传感器与智能交通章节中，介绍汽车中种类繁多的传感器对未来无人驾驶汽车的作用。在传感器与智能家居章节中，介绍iphone手机中集成的多种传感器，及其功能扩展。在传感器与现代国防章节中，结合南斯拉夫亚炸馆事件，介绍控制炸弹穿透多层建筑后再爆炸的 这群复旦电工人，毕业后就这么浪了三十年！ 三十年前三十年后▼82级电工校友30年后再聚首 忆往昔峥嵘岁月2016年9月23日，时隔三十年，作为复旦的第一届电子工程系学生，1982级电子工程系的校友们重回母校。在重聚的座谈会上，常务副校长包信和、信息学院书记汪源源、微电子学院常务副院长张卫及副院长闵昊等校领导和院领导，以及信息学院的任课老师同82级的校友们共同追忆复旦青葱的岁月，一齐分享30年事业的苦与乐。文刘畅、李智展叶甜春（右） 叶甜春：复旦微电子应该是一支国家队中国科学院微电子研究所所长 叶甜春一直很关心复旦微电子的发展，作为中科院微电子所的所长，他多次强调中科院微电子所要做“不辱使命的国家队”，而谈及复旦微电子的定位，他认为，“复旦微电子也应该是一支国家队，要在国家层面发挥引领作用。”叶甜春列举了复旦微电子所占据的天时地利人和： 首先，复旦微电子历史悠久。1956年中央倡导发展半导体技术，由谢希德先生和黄昆先生（并称“北黄南谢”）牵头，五校联办我国第一届半导体器件短期培训班，我国半导体学科由此发端。同年，由谢希德创立半导体物理专业，复旦微电子由此肇始，同根同源。 其次，复旦微电子人才聚集。很多优秀的人才进入到这个专业，行业内也有很多复旦系的领军人物、专家、企业家发挥巨大的作用。 最后，从地域上讲，上海是国家集成电路产业的重心，从制造到设计，上海都是最大的一块，而复旦在该区域的中心，有得天独厚的优势。“就像斯坦福大学在硅谷的地位，复旦也应该树立这样的地位。应该站在顶端，站在第二层次都不对。”叶甜春说。 虽然有国家需求和产业需求，但叶甜春认为，复旦微电子不能只瞄准产业运作。“因为毕竟是大学，大学要突出创新。”叶甜春强调了他的“未知赛道”理论：微电子产业是未知赛道的赛跑，不同于“赛车”“马拉松”这种已知赛道的竞争，“你跟在人家后面你会发现，前面的路他看不清楚，你也看不清楚，这个时候需要创新，大学很有必要做探索性、试错性的研究。”2013年，复旦大学微电子学院成立，叶甜春认为，微电子学科有必要作为一个独立学院，但更要“开放的办”。“微电子是一个基础性学科，和所有学科发展都有关系，需要和材料、物理结合，也要和计算机科学、软件科学结合。要面向新能源、电动车、移动通讯等产业，甚至瞄向物联网。” 老龄化社会到来以后，社会的服务和管理需要更高的技术手段，全面的信息化时代的核心就是从数字化到智能化。叶甜春说，“最核心就是两个东西：硬件，载体是芯片；软件，也 说明 （本页无需打印） 一、自选课题完成信息调研综合报告 二、具体要求 1. 学期最后一次课上提交纸质版综合报告。 2. 检索年限取近三年中的任一年。各检索工具尽可能选用 同一年，以便相互比较。（如果课题相关文献较少，年限可设多年） 3. 检索语句包括：检索方式、检索字段、检索运算符、检 索词、检索年限等。 如：CNKI期刊全文数据库：高级检索： (篇名=双向电泳或者篇名=二维电泳 ) (模糊匹配) 并且 (主题=蛋白质组并且主题=应用) (模糊匹配) 并且年between(2010,2012) 全部专辑 4．每一种检索工具检出的文献，如果超出了3条记录，则填写3篇题录在空栏中。题录包括以下事项：著者、文献标题、文献出处（刊名、年、卷期、起止页码），格式请按中华人民共和国文后参考文献著录标准GB/T7714-2005编排。 5．严禁抄袭，一旦发现按零分处理。 复旦大学上海医学院 201 ～201 学年第学期期末考试试卷 课程名称：_ _医学文献检索与利用B___ 课程代码：__ _MED130087.01____ 开课院系：____图书馆文献检索教研室___ 考试形式：调研报告 姓名：学号：专业： 复旦大学 信息检索与利用 综合实习报告 （医学本科生选修版） 检索题目（中英文） 考生姓名学号 学科专业报告完成日期 一．核心检索系统检索 根据你的信息调研课题，搜集与课题相关的文献。核心检索系统检索可以帮助你全面、高效地查找相关文献。 1．Pubmed 检索语句： 检出结果：检出记录数篇，并填写3条相关文献题录： 二、全文数据库 根据你的课题，如果需要尽快获取全文详细内容，可以选择全文数据库进行直接检索。请在中国知网期刊全文数据库、维普中文科技期刊数据库、万方数据资源数字化期刊群中任选一种检索。 数据库名称： 检索语句： 检出结果：检出记录数篇，填写3条相关题录： 中国半导体产业发展历史大事记之二 ◎分立器件发展阶段（１９５６--１９６５） １９５６年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。参加短训班的约１００多人。 当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。１９５７年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（北京大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。 中国半导体材料从锗（Ｇｅ）开始。通过提炼煤灰制备了锗材料。１９５７年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。１９５７可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。为了加强半导体的研究，中国科学院于１９６０年在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。当时北方以北京电子管厂为代表，生产了ＩＩ－６低频合金管和ＩＩ４０１高频合金扩散管；南方以上海元件五厂为代表。 在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）单晶。１９６２年又接制了砷化镓（ＧａＡｓ）单晶，后来也研究开发了其他种化合物半导体。 硅器件开始搞的是合金管。１９６２年研究成外延工艺，并开始研究采用照相制版、光刻工艺，河北半导体研究所在１９６３年搞出了硅平面型晶体管，１９６４年搞出了硅外延平面型晶体管。在平面管之前不久，也搞过错和硅的台面扩散管，但一旦平面管研制出来后，绝大部分器件采用平面结构，因为它更适合于批量生产。 复旦大学环境科学与工程系 2012～2013学年第一学期期末考试试卷 □A 卷 ■B 卷 课程名称： 环境工程基础 课程代码：ENVI130010.01 开课院系：_环境科学与工程系_ 考试形式：闭卷 姓 名： 学 号： 专 业： 第一题：填空（每空1分，共20分 ） 1、（1）当Re 时，必定出现层流，称为层流区。 （2）当Re 时，称为过渡区。 （3）当Re 时，一般都出现湍流，称为湍流区。 2、流体在钢管内作湍流流动时，摩擦系数λ与____和____有关；若其作完全湍流（阻力平方区），则λ仅与____有关。 3、明渠恒定流可根据其流线是否为相互平行的直线分为 和 。 4、热传递的基本方式包括_____、_____和_____三种。对于热传导，各种物质的热导率通常由实验测得，对金属、非金属固体、液体、气体的热导率进行比较排序可知： 。 5、流体在圆形直管内作层流流动时，摩擦系数λ与Re 的关系是 。 6、根据双膜理论，当被吸收组分在液相中溶解度很小时，以液相浓度表示的总传质系数 液相传质分系数。（填>,<,=或者≈） 7、亨利定律的表达式p* = Ex ，若某一气体在水中的亨利系数E 值很大，说明该气体为_____ 气体。 8、总传质系数间的关系可表示为L G G Hk k K 111+=，其中G k 1表示 ，当 项可以忽略时，表示该吸收过程为气膜控制。 9、两流体在一套管换热器中换热，热流体温度由90 ℃降至60 ℃，冷流体温度由20 ℃升至50 ℃，若逆流操作，m t ?＝ 。 10、在利用吸收塔进行多组分吸收的过程中，易溶组分的吸收主要在 进行，难溶组分的吸收则主要在 进行。 （ 装 订 线 内 不 要 答 题 ） 半导体PN结的物理特性 实验目的与要求 1、学会用运算放大器组成电流-电压变换器的方法测量弱电流。 2、研究PN结的正向电流与电压之间的关系。 3、学习通过实验数据处理求得经验公式的方法。 实验原理 PN 结的物理特性测量 由半导体物理学中有关PN 结的研究，可以得出PN 结的正向电流一电压关系满足 （1） 式中I是通过PN 结的正向电流，I0是不随电压变化的常数，T 是热力学温度，e 是电子的电荷量，U 为PN 结正向压降. 由于在常温(300 K)下，KT/e =0,026 V，而PN 结正向压降约为十分之几伏，则e eU/kT>>l，(1)式括号内-1 项完全可以忽略，于是有 (2) 即PN 结正向电流随正向电压按指数规律变化. 若测得PN 结I-U关系值，则利用(2)式可以求出e/kT. 在测得温度T 后，就可以得到e/k 常数，然后将电子电量作为已知值代入，即可求得玻尔兹曼常数k。 在实际测量中，为了提高测量玻尔兹曼常数的正确性，利用集成运算放大器组成的电流-电压变换器输人阻抗极小的特点，常用半导体三极管的集电极c与基极b短接(共基极)来代替PN结进行测量. 具体线路如图下 实验仪器 PN结实验仪、TIP31型三极管、恒温装置 1 、直流电源和数字电压表，包括—15 V——0——+ 15V直流电源、1.5 V直流电源、0—— 2 V三位半数字电压表、四位半数字电压表. 2、LF356 集成运算放大器，它的各引线脚如2脚、3 脚、4 脚、6 脚、7 脚由学生用棒针 引线连接;待测样品TIP31型三极管的e、b、c 三电极可以从机壳右面接线柱接入 3、不诱钢保温杯組合，它包括保温杯、内盛少量油的玻璃试管、搅拌器水银温度计等. (实验时，开始保温杯内为适量室温水，然后根据实验需要加一些热水，以改变槽内水的温度; 测量时应搅拌水，待槽内水温恒定时，进行测量） 实验内容 一、必做部分： 1、在室温（保温杯加入适量的自来水，为什么？）下，测量PN结正向电流与电压的关系。·粗略测量PN结正向电压U1及正向电流所对应的电压U2之间的关系。（U2何时出现饱合？为什么会出现饱合？） ·由粗测结果确定仔细测量的范围（U2大致的变化范围是多少？）；约测12-16组数据。·用最小二乘法对实验数据分别作线性、指数、乘幂等函数的拟合，由求得的回归系数和标准偏差来判断各函数的优劣。 ·计算玻尔兹曼常数k。 2、保持PN结正向电压不变，测量PN结正向电流与温度的关系。 ·温差不小于30℃，不少于7组数据。（如何保持PN结的正向电流不变？） ·以此推算反向饱和电流与温度的关系，并计算0K时PN结材料（硅）的禁带宽度。 3、保持PN结正向电流不变，测量PN结正向电压与温度的关系。 ·温差不小于30℃，不少于7组数据。 ·以此推算正向电压与温度的关系，并计算0K时PN结材料（硅）的禁带宽度。 实验数据记录 1、粗测： 粗测时分为三个阶段，第一阶段是V2<0，此时V1<274.66mV，当V2=0时，V1=274.66mV 接下来是第二阶段，V2>0，V1和V2都发生变化，但V2变化幅度逐渐变小，直至几乎不变，当V2=13.503V时，不论V1如何变化，V2都几乎不再发生变化，刚到达此值时，V1=0.4745V 再后来是第三阶段，V1继续变化，但V2几乎不变。 则所取细测范围为274.66mV~0.4745V之间。 细测：(小数点后5位的原测量时单位为mV) 组数V1/V V2/V T/°C 1 0.27320 0.00004 23.7 2 0.28617 0.00420 23.8 3 0.29920 0.01117 23.8 4 0.31217 0.0224 5 23.8 5 0.3252 0.04145 23.8 6 0.3382 0.07314 23.8 7 0.3512 0.12625 23.9 8 0.3642 0.21435 23.9 9 0.3772 0.3617 23.9 10 0.3902 0.6053 23.9 11 0.4032 1.0102 23.9 12 0.4162 1.6975 24.0 13 0.4292 2.8294 24.0 14 0.4422 4.7240 24.1 15 0.4552 7.8870 24.1 16 0.4682 13.108 24.1课程的历史沿革-复旦大学精品课程
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