《电力电子技术》机械工业出版社命题人王翠平
第一章功率二极管和晶闸管
知识点：
●功率二极管的符号，特性，参数
●晶闸管的符号、特性、参数、工作原理
●双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理
●可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理
一、填空题
1、自从_1956__ __ 年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极。
4、晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的阴极和门极间也加正向电压，两者缺一不可。
5、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。
7、双向晶闸管的四种触发方式：I+ 触发方式 I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间。
10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。
11、对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL___>_____IH 。
12、晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压UBO 数值大小上应为，UDSM__<______UBO
13、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K 极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压100V。
17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
18、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
二、判断题
1、第一只晶闸管是1960年诞生的。（错）
2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。（错）
3、功率二极管加正向电压导通，加反向电压截止。（对）
4、平板型元件的散热器一般不应自行拆装。（对）
5、晶闸管一旦导通，门极没有失去控制作用。（错）
6、双向晶闸管的四种触发方式中灵敏度最低的是第三象限的负触发。（错）
7、GTO的缓冲电路具有保护作用。（对）
8、在额定结温条件，取元件反向伏安特性不重复峰值电压值的80%称为反向重复峰值电压。（对）
9、阳极尖峰电压过高可能导致GTO失效。（对）
10、GTO在整个关断过程分为两个时间段：存储时间和下降时间。（错）
11、普通晶闸管内部有两个PN结。（错）
12、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（错）
13、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。（）
14、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（错）
15、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（错）
16、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（对）
17、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（错）
18、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（错）
19、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（错）
20、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（错）
三、选择题
1、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )
A. 干扰信号
B. 触发电压信号
C. 触发电流信号
D. 干扰信号和触发信号
2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B)
A. 导通状态
B. 关断状态
C. 饱和状态
D. 不定
3、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B)
A. 大功率三极管
B. 逆阻型晶闸管
C. 双向晶闸管
D. 可关断晶闸管
4、晶闸管的伏安特性是指(C )
A. 阳极电压与门极电流的关系
B. 门极电压与门极电流的关系
C. 阳极电压与阳极电流的关系
D. 门极电压与阳极电流的关系
5、晶闸管电流的波形系数定义为(B )
A、Kf =I TA V /I T
B、Kf = I T /I TAV
C、Kf = I TAV ·I T
D、 Kf = I TAV - I T
6、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D )
A. 转折电压
B. 反向击穿电压
C. 阈值电压
D. 额定电压
7. 具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )
A. 全控型器件
B. 半控型器件
C. 不控型器件
D. 触发型器件
8、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通（C）
A. 并联一电容
B. 串联一电感
C. 加正向触发电压
D. 加反向触发电压
9. 晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（A）
A. 阳极电流
B. 门极电流
C. 阳极电流与门极电流之差
D. 阳极电流与门极电流之和
10、在IVEAR 定义条件下的波形系数kfe 为( C )
A. π
B. 2/π
C. π/2
D.2 π
11. 晶闸管的额定电压是这样规定的，即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并经如下处理( D )
A. 乘以1.5 倍
B. 乘以2 倍
C. 加100
D. 规化为标准电压等级
12. 晶闸管不具有自关断能力，常称为( B )
A. 全控型器件
B. 半控型器件
C. 触发型器件
D. 自然型器件
13、晶闸管内部有（C）PN结。
A 一个，
B 二个，
C 三个，
D 四个
14、单结晶体管内部有（A）个PN结。
A 一个，
B 二个，
C 三个，
D 四个
三、简答题
1、晶闸管的导通条件是什么？
晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极之间加正向电压，同时在它的门极和阴极之
间也加正向电压，两者缺一不可。
2、晶闸管的关断条件是什么？
晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。
3、说明晶闸管型号规格KP200-8E代表的意思？
K：表示晶闸管
P：表示普通
200：表示晶闸管的额定电流是200A
8：表示晶闸管的额定电压的级别
E：表示晶闸管正向通态平均电压的组别
4、双向晶闸管的触发方式有哪些？
四种触发方式：I+ 触发方式
I-触发方式
Ⅲ+触发方式
Ⅲ-触发方式
5、对晶闸管的触发电路有哪些要求？
答：为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率；门极正向偏压愈小愈好；触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求；要能满足主电路移相范围的要求；触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
四、绘图
1、画出晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管的符号？
五、计算题
1、一晶闸管接在220V 交流回路中，通过器件的电流有效值为100A ，问应选择什么型号的
晶闸管？
解：晶闸管的额定电压：
Utn=(2~3)Utn=（2~3）2*220=622~933V 按晶闸管参数系列取800V ，即8级
晶闸管的额定电流
I T(A V)=(1.5~2)*57
.1IT =(1.5~2)*100/1.57=95~128A 按晶闸管参数系列取100A ，所以选取晶闸管型号KP100-8E 。
2、型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图1-1所示电路中是否合理，为
什么？（不考虑电流的裕量）
不合理 不合理
合理
3、如图所示，试画出负载R d上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。
答案：解：由上述电路图和U2，Ug的波形图可知，因T是一个半控型器件——晶闸管，当Ug是高电平时晶闸管T导通，一直到U2变为负电平时晶闸管截止，与二极管类似，Rd电压波形图如下：
第二章电力晶体管
知识点：
●电力晶体管的符号、特性曲线、主要参数
●电力晶体管的工作原理
一、填空题：
1、目前常用的电力晶体管有: 单管GTR 、达林顿管、 GTR模块。
2、电力晶体管的三个极分别为：发射极、集电极、基极。
3、放大区的特点是发射结正偏，集电结反偏。
4、截止区的特点是发射结反偏，集电结反偏。
5、可关断晶闸管（ GTO ）的电流关断增益β off 的定义式为βoff =_I TAO/|IgM_|_________
6、晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的 _80%__________
7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
8、动态特性描述GTR的开关过程的瞬态性能，又称开关特性。
9、GTR能够安全运行的范围称为安全工作区。
10、I CBO随温度升高而增大，对于硅管，为当温度生升高8℃时，I CBO增加一倍左右
二、判断题
1、I CBO随温度升高而减小，对于硅管，为当温度生升高8℃时，I CBO减小一倍左右。（错）
2、一次击穿具有可逆性，一般不会引起晶体管的特性变坏。（对）
3、集电极电压上升率是动态过程中的一个重要参数。（对）
4、电力晶体管是具有自关断能力的全控型器件。（对）
三、简答题
1、达林顿GTR管和单管GTR的主要区别是什么？
单管GTR的电流增益低；达林顿GTR管是有两个或多个晶体管复合而成，电流增益高
2、电力晶体管有几个区？各有什么特点？
放大区：放大区的特点是发射结正偏，集电结反偏。
截止区：截止区的特点是发射结，集电结反偏。
饱和区：饱和区的特点是发射结，集电结正偏
3、GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
答：GTO能够自动关断，而普通晶闸管不能自动关断的原因是：GTO的导通过程与普通的晶闸管是一样的，有同样的正反馈过程，只不过导通时饱和程度不深。其中不同的是，
在关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，则晶体管V2的济济电流Ib2减小，使Ik 和IC2减小，IC2减小又使IA和IC1减小，又进一步减小V2的基极电流，如此形成强烈的正反馈。当两个晶体管发射极电流IA和IK的减小使a1+a2<1时，器件退出饱和而关断。第三章功率场效应晶体管
知识点：
●功率场效应晶体管的符号
●功率场效应晶体管的主要参数
●功率场效应晶体管的应用电路
一、填空题
1、功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路
2、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______型二极管，以便与功
3、率晶体管的开关时间相配合。
4、功率场效应晶体管的三个极分别为栅极、源极、漏极
5、功率场效应晶体管的导电沟道分为N沟道和P沟道。
6、转移特性是指功率场效应管的输入栅极电压与输出漏极电流之间的关系。
7、应用SSOA的条件是：结温小于150℃，器件的开通和关断时间均小于1US
8、功率MOSFET的保护分为静电保护和工作保护
9、功率MOSFET的安全工作区分为三种情况：正向偏置安全工作区、开关安全工作区
换向安全工作区。
10、、功率MOSFET参数主要有：电压额定值、漏极连续电流、漏极峰值电流等
11、功率MOSFET的保护：静电保护、工作保护。
二、判断题
1、功率场效应晶体管的三个极分别为C极、E极、B极.(错)
2、功率场效应晶体管具有驱动功率小，控制线路简单、工作频率高的特点。（对）
3、功率MOSFET无反向阻断能力。（对）
4、、换向安全工作区是功率MOSFET寄生二极管或集成二极管反向恢复性能所决定的极限工作范围。（对）
5、功率MOSFET的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。（错）
6、为防止功率MOSFET误导通，截止时最好对其提供负的栅偏压。（对）
7、安装时，工作台和电烙铁不需要接地。（错）
8、测试时，测量仪器和工作台要良好接地，器件的三个极必修都接入测试仪器或电路，才能施加电压。改换测试时，电压和电流要恢复到零。（对）
三、简答题
1、什么是转移特性？
转移特性是指功率场效应管的输入栅极电压与输出漏极电流之间的关系。
2、功率场效应晶体管的主要参数？
漏极击穿电压
漏极连续电流和漏极峰值电流
栅极击穿电压
开启电压
极间电容
3、简述N沟道增强型功率MOSFET的工作原理？
当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅极之间电压为零或为负时，漏极之间无电流流过。当UGS为正且大于开启电压时，出现漏极电流。
4、功率MOSFET的保护有几种？
两种：静电保护工作保护
5、功率MOSFET并联使用时应注意什么问题？
（1）在每个栅极上串联一个小电阻、
（2）在每一个栅极导线上套一个小磁环
（3）必要时在漏极和源极之间接入数百皮法的小电容
（4）尽可能降低驱动信号源的内阻。
四、画图
1、绘制功率MOSFET晶体管的符号？
第四章绝缘栅双极晶体管
知识点：
●绝缘栅双极晶体管的工作原理
●绝缘栅双极晶体管的主要参数
●绝缘栅双极晶体管的安全工作区
一、填空题
1、绝缘栅双极晶体管称为IGBT 。
2、IGBT的静态传输特性描述集电极电流和栅射电压之间的互相关系。
3、IGBT的输出特性描述以栅射电压为控制变量时，集电极电流与射极间电压之间的互相关系。
4、IGBT的输出特性分为正向阻断区、有源区、饱和区。
5、关断时间包括关断延时和电流下降时间两部分。
6、安全工作区可分为正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区。
7、射极电压在10~15V之间工作时，集电极电流可在5~10US以内超过额定电流的4~10倍。
8、过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。
9、IGBT缓冲电路，也称为吸收电路。
10、缓冲电容的计算公式C S=LI2 /(U CEP-U CC) 缓冲电路电阻R S的选择公式R S<=1/2*3C S f 。
11、IGBT的最高允许结温为150℃
二、判断题
1、过电压保护措施主要是利用驱动电路抑制过电压的产生。（错）
2、IGBT的安全工作区较小。（错）
3、IGBT的驱动电路小。（对）
4、过电流保护措施措施主要通过检出过电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现。（对）
5、IGBT的通态压降UCES基本稳定，不随温度而变。（对）
6、驱动电路与整个控制电路在电位上应严格隔离，具有对IGBT的自保护功能，并有较高的抗干扰能力。（对）
7、IGBT的关断过程是从正向导通状态转换到反向阻断状态的过程。（错）
8、当IGBT集电极通态电流的连续值超过临界值ICM时产生的擎住效应称为静态擎住效应（对）
三、简答题
1、什么是擎住效应？
当IGBT集电极通态电流的连续值超过临界值ICM时产生的擎住效应称为静态擎住效应2、什么是过电流保护？
过电流保护措施措施主要通过检出过电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现
3、什么是过电压保护？
过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。
四、绘图题
1、绘制绝缘栅双极晶体管的符号。
第五章其他新型电力电子器件
●MOS控制晶闸管的符号，特性
●SIT的主要参数
●静电感应晶闸管的符号、特性
●静电感应晶体管的符号、特性
一、填空题
1、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。
2、MCT的三个极分别为：阳极、阴极、门极
3、一般使MCT导通的负脉冲电压为-5V~-15V，使MCT关断的正脉冲电压为+10~20V。
4、MCT驱动电路的特点是当温度超过150℃时，会自动降低输出。
5、伏安特性是指SIT的漏极电压与漏极电流之间的关系。
6、静电感应晶体管SIT也是采用垂直导电型式的多胞集成结构
7、SIT器件不仅可以工作在开关状态，而且还可以工作在放大状态。
8、PIC按结构型式可分为两类：一类：智能功率集成电路，另一类是高压集成电路
9、当测试条件为阳极电压1250V，阳极电流1000A，结温为25℃时，开通时间为2微秒，关断时间为3.1微秒。
10、电压监视电路使IC和电动机在UCC大于18V时不工作，推荐的正常使用电压在17.4V 一下。
二、判断题
1、SIT器件不仅可以工作在开关状态，而且还可以工作在放大状态。（对）
2、伏安特性是指SIT的漏极电压与漏极电流之间的关系。(对)
3、功率MOSFET的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。（错）
4、在SIT的驱动电路中，负栅偏电压的大小决定了漏源阻断电压的高低。(对)
5、高压集成电路是由纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路以及传感器、保护电路等集成。（错）
6、智能功率集成电路是由横向高压器件与逻辑或模拟控制电路所集成。（错）
7、电压监视电路使IC和电动机在UCC大于18V时工作。（错）
8、MOS控制晶闸管是一种双极型器件。（错）
9、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。（对）
10、MCT的门极是由MOSFET管引出，属于电压控制器件。(对)
三、问答题
1、MCT管有什么特点？
1）、阻断电压高，峰值电流大。
2）、通态压降小。
3）、工作温度高。
4）、开关速度快，开关损耗小，工作频率高。5）、门极驱动电路简单。
6）、即使关断失败，MCT也不会损坏。
2、SIT有哪些参数？
1）、栅源击穿电压
2）、栅漏击穿电压
3）、最大漏极电流
4）、允许功耗
四、绘图
1、绘制MOS控制晶闸管的符号？
2、绘制静电感应晶体管的符号？
3、静电感应晶闸管的符号？
第六章可控整流电路
知识点：
●整流的定义
●单相半波可控整流电路的工作原理
●单相桥式全控整流电路的工作原理
●.三相半波可控整流电路的工作原理
●.三相桥式全控整流电路的工作原理
●输出电压
●晶闸管的电流
一、填空题
1、可控整流电路是应用广泛的电能变换电路，它的作用是将交流电变换成大小可以调节的
直流电。
2、电阻负载的特点是负载两端电压波形和流过的电流波形相似，电流、电压均允许突变。在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是 0~ π。
3、在单相半波可控整流电阻性负载电路中，移相角α的控制范围为0~ π，对应的导
通角θ的可变范围是π~0，两者关系为α+θ=π。
4、在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大
移相范围是_180_度_ ___ ，其承受的最大正反向电压均为_2U2__ __，续流二
极管承受的最大反向电压为U2_（设U2为相电压有效值）。
5、单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为___180度___ ____，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_2 /2U2___ __和
_____U2_ __；带阻感负载时，α角移相范围为____90_度 ____，单个晶闸管所承
受的最大正向电压和反向电压分别为U2__ _和__2U2_ ____。
6、可从各角度对整流电路进行分类，主要分类方法有：按组成的器件可分为：不可控、
半控、全控；按电路结构可分为桥式和零式电路；按交流输入相数分为单相电路和多相
电路；按变压器一次测电流的方向是单向或双向，又分为单拍电路和双拍电路。
7、.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120度___ __，当它带阻感负载时，α的移相范围为_90度 ____。
8、电阻性负载的三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于_
U2 __，晶闸管控制角α的最大移相范围是_150度________，使负载电流连续
的条件为_ α<=30度___ _ _(U2为相电压有效值)。
9、三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现__
断续_____。晶闸管所承受的最大反向电压为__2U2_____。
10、三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通
角θ=__120度_____。此电路的移相范围为_150度__ ___。
11、晶闸管的保护有：过电压保护、过电流保护。
12、三相全控桥电路的等效内阻和晶闸管导通时的管压降均是三相半波电路的两倍
13、三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为_6f _____三相半波可控整流，
其输出电压的脉动频率为_3f __ _____。
二、判断题
1、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。(错)
2、三相半波可控整流电路，不需要用大于60o小于120o的宽脉冲触发，也不需要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。
3、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。对
4、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150H Z 错。
5、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则α的移相范围只有120o。错
6、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。（错）
7、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（错）
8、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有
负面积。错
9、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现
象。（对）
10、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆
变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（错）
11、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（错）
12、逆变角太大会造成逆变失败。（错）
13、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（对
14、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（错
15、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（错）
16、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（错）
三、选择题
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、可实现有源逆变的电路为 A。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
4、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A、0o-90°
B、0o-120°
C、0o-150°
D、0o-180°
5、α= C 度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形
处于连续和断续的临界状态。
A、0度；
B、60度；
C、30度；
D、120度；
6、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，
则该晶闸管的额定电压应为（A）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A、0o-90°
B、0o-120°
C、0o-150°
D、0o-180°
8、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。
A 、180度；B、60度；C、360度；D、120度；
9、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关B。
A、α、I d、 X L、U2φ；
B、α、I d；
C、α、U2；
D、α、U2、 X L；
10、单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～( D )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
11、单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角α≤３０°，每个周期内输出电压的平均值为( B)
A、U d=0.45U2cosα
B、U d=0.9Ｕ2cosα
C、U d=1.17Ｕ2cosα
D、U d=2.34Ｕ2cosα
12、三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～( B )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
13、三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～( A )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
14、三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点( )
A、超前30°
B、滞后30°
C、超前60°
D、滞后60°
15、.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角α>30°，负载电流连续，整流输出电流的平均值为I d，流过每只晶闸管的平均值电流为( )
A、I d/2
B、I d/3
C、2I d/3
D、I d
16、单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角β为( )
A 、１°～３°
B 、１０°～１５°
C 、２０°～２５°
D 、３０°～３５°
18、三相全控桥整流装置中一共用了（B ）晶闸管。
A 三只，
B 六只，
C 九只。
19、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C ）电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
20、若可控整流电路的功率大于4kW ，宜采用（C ）整流电路。
A 单相半波可控
B 单相全波可控
C 三相可控
21、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B ）。
A 三相的大，
B 单相的大，
C 一样大。
四、计算题
1、 单相半波可控整流电路，电阻性负载。要求输出的直流平均电压为
50～92V 之间连续可调，最大输出直流电流为30A ，由交流220V 供电，求①
晶闸管控制角应有的调整范围为多少？②选择晶闸管的型号规格（安全余量取
2倍，d
T I I =1.66）。 解：① 单向半波可控整流电路的 UL=0.45U22
1αCOS + 当UL=50V 时
COS α=20452U U L —1=220
045502??—1≈0 则α=90°
当UL=92V 时
COS α=20452U U L —1=220
045922??—1=0.87 则α=30°
∴控制角α的调整范围应为0～90° ②由d
T I I =1.66知 I=1.66Id=1.66×30=50A 为最大值
∴ IT(AV)=2×57.1TM I =2×57
.150=64A 取100A 又 Uyn=2UTM=2×2×220=624V 取700V
晶闸管的型号为：KP100-7。
2、 单相半波可控整流电路中，已知变压器次级U 2=220V ，晶闸管控制角α=45°，负
载R L =10Ω。计算负载两端的直流电压平均值、负载中电流平均值和每只晶闸管流过的电流
平均值。(P91)
解： UL=0.45U22
1αCOS + IL=UL/RL
ITV=IT
3、 单相全控桥式整流电路带大电感负载时，若已知U2=220V 。负载电阻Rd=10Ω，求
α=60°时，电源供给的有功功率、视在功率以及功率因数为多少？
（P=980.1W,S=2.178VA,cos φ=0.45） （P97）
解：
第七章 晶闸管的触发电路
知识点：
● 晶闸管的触发电路的结构电路图
● 晶闸管的触发电路的工作原理
一、填空题
1、、晶体管触发电路的同步电压一般有 正弦波 同步电压和 锯齿波 电
压。
2、、晶闸管整流装置的功率因数定义为 、交流 侧 有功功率 与视在功率
之比。
3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 正弦波同步电压 与一
个或几个控制电压 的叠加，利用改变 、控制电压 的大小，来实现移
相控制。
4、晶闸管装置的容量越大，则高次谐波 越大 ，对电网的影响 越大 。
5、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法
是在负载侧 并联电容 。
6、整流是把 交流 电变换为 直流 电的过程；逆变是把 直流 电
变换为 交流 电的过程。
二、判断题
1、 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。 （错）
2、 晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（对）
3、 加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V 。 （错
4、 单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（错）
5、 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 （错）
6、 增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（错）
7、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。 （对）
8、 为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（错）
9、 雷击过电压可以用RC 吸收回路来抑制。 （错）
10、 硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。 （错）
11、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（对）
三、选择题
1、晶闸管变流装置的功率因数比较（B）。
A 高，
B 低，
C 好。
2、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较
小时，变流器输出电流是（B）的。
A 连续，
B 断续，
C 不变。
3、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
4、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
5、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。
A 愈大，
B 愈小，
C 不变
6、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
7、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
第八章、交流电力控制电路
一、填空题
1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有定频调宽式，定
宽调频式和调宽调频式三种工作方式。
2、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待
整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。
二、判断题
1、把交流电变成直流电的过程称为逆变。（错）
2、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变。
采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。（对）
3、、正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。（错）
4、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（对）
5、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（对）
6、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（错）
三、选择题
1、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，
B 交流侧操作过电压，
C 交流侧浪涌。
2、、晶闸管变流装置的功率因数比较（B）。
A 高，
B 低，
C 好。
3、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢
电流较小时，变流器输出电流是（B）的。
A 连续，
B 断续，
C 不变。
4、、脉冲变压器传递的是（C）电压。
A 直流，
B 正弦波，
C 脉冲波。
5、下列不可以实现逆变的电路是（A）式晶闸管电路。
A 单相全波，
B 三相半控桥，C三相全控桥
第九章逆变电路和直流斩波技术
知识点：
●逆变的概念
●有源逆变
●无源逆变
●有源逆变的工作的原理
一、填空题
1、整流是把电变换为电的过程；逆变是把电变换为电的过程。
1、交流、直流；直流、交流。
2、逆变电路分为逆变电路和逆变电路两种。
2、有源、无源。
3、逆变角β与控制角α之间的关系为。
3、α=π－β
4、逆变角β的起算点为对应相邻相的交点往度量。
4、负半周、左。
5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
5、顺极性串、逆变失败、逆变颠覆。
6、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。
6、30°～35°
7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是状态、状态、状态和状态。
7、待整流、整流、待逆变、逆变。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。
8、斩波。
9、反并联可逆电路常用的工作方式为，以及三种。在工业上得到广泛应用的是方式。
9、逻辑无环流、有环流、错位无环流、逻辑无环流。
10、采用接触器的可逆电路适用于对要求不高、不大的场合。
10、快速性，容量。
11、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 —7，其中KN表示该器件的名称为100表示，50表示，7表示。
11、逆导晶闸管，晶闸管额定电流为100A，二极管额定电流为50A，额定电压100V。
12、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。
12、交流—交流，交流—直流—交流。
13、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有式，式和式三种工作方式。
13、定频调宽，定宽调频。调宽调频。
三、判断题
1、把交流电变成直流电的过程称为逆变。（错）
2、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变。（错）
3、晶闸管变流可逆装置中出现的“环流”是一种有害的不经过电动机的电流，必须想办法减少或将它去掉。（对）
4、晶闸管变流装置会对电网电压波形产生畸变。（√）
5、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（√）
6、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）
7、电源总是向外输出功率的。（错）
8、晶闸管可控整流电路就是变流电路。（错）
9、只要控制角α＞90°，变流器就可以实现逆变。（错）
10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高的场合。（对）
11、逻辑控制无环流可逆电路的动态性能较差。（对）
12、逻辑控制无环流可逆电路在运行过程中存在有死区。（对）
13、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（错）
14、采用晶体管的变流器，其成本比晶闸管变流器高。（对）
三、选择题
1、下列不可以实现逆变的电路是（a）式晶闸管电路。
A 单相全波，
B 三相半控桥，C三相全控桥
2、变流器必须工作在α（c）区域，才能进行逆变。
A ＞90°，
B ＞0°，
C ＜90°，
D ＝0°。
3、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（b）。
A 5°，
B 15°，
C 20°，
D 30°。
4、串联谐振式逆变器属于（a ）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
5、并联谐振式逆变器属于（ b）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
四，简答题
1、什么叫整流？什么叫逆变？什么叫有源逆变？什么叫无源逆变？
答：把交流电变为直流电的过程叫整流；把直流电变为交流电的过程叫逆变；将直流电变为和电网同频率的交流电并反送到交流电网去的过程称为有源逆变；将直流电变为交流电直接供给负载使用的过程叫无源逆变。
2、、串联谐振式逆变器有哪些特点？适用于哪些场合？
答：串联谐振式逆变器的启动和关断较容易，但对负载的适应性较差，当负载参数变动较大配合不当时，会影响功率输出或引起电容电压过高。因此，串联谐振式逆变器适用于负载性质变化不大，需要频繁启动和工作频率较高的场合，如热锻、弯管、淬火等。
3、实现有源逆变的条件有哪些？
答：直流侧必须外接与直流电流Id同方向的直流电源E。其数值要稍大于Ud，才能提供逆变能量；变流器必须工作在β＜90°（α＞90°）区域，使Ud＜0，才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
4、简要说明下列概念：
1）、无源逆变和有源逆变；
2）、直流斩波技术；
答：1、将直流电变为和电网同频率的交流电并反送到交流电网去的过程称为有源逆变；将直流电变为交流电直接供给负载使用的过程叫无源逆变。
2、将一个固定的直流电压变换成可变直流电压的技术
五、绘图
1、画一个有整流变压器的单结晶体管触发电路，并指出改变哪些元件的参数，就可以改变输出触发脉冲的相位角，通常是采用改变什么元件的参数来实现改变相位角的？
2、画一个有整流变压器的单结晶体管触发电路，并分别画出①变压器二次绕组电
压U2波形；②稳压管V1两端的波形；③电容C两端的波形；④该电路输出的电压波形（R1两端）。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
一、填空（每空1分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；图形符号为； 可关断晶闸管GTO；图形符号为； 功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为； 绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分 为有源逆变器与无源逆变器两大类。 16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电 流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 5.1( ；晶闸管 )2 220 2
的额定电流可选为A 57 .115)35.1(倍 是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。 18、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180o 变化。 20、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗 X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等到参数有关。 21、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 大于60o小于120o的宽脉冲 触发；二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲 触发。 27、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 √2U2 。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 √6 U2 。（电源电压为U2） 28、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角，用 α 表示。 29、正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o、 度，实际移相范围只有 150o 。 30、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是 阻容保护 而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和 硒堆 。
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
1．一型号为KP10-7的晶闸管，U TN= 700V I T(A V)= 10A 。1 2．中间直流侧接有大电容滤波的逆变器是电压型逆变器，交流侧输出电压波形为矩形波。 3．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__均压______措施。4．在SPWM的调制中，载波比是载波频率和调制波频率的比值。5．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为换相重叠角。 6．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。7．三相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是150°。8．三相全控桥电路有 6 只晶闸管，应采用宽脉冲或双窄脉冲才能保证电路工作正常。电压连续时每个管导通120 度，每间隔60 度有一只晶闸管换流。接在同一桥臂上两个晶闸管触发脉冲之间的相位差为180°。 9．型号为KP100-8的晶闸管其额定参数为：额定电压800v，额定电流100 A 。10．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为换相重叠角 11．抑制过电压的方法之一是用_电容__吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。而为抑制器件的du/dt和di/dt，减小器件的开关损耗，可采用接入缓冲电路的办法。 12．在交-直-交变频电路中，中间直流环节用大电容滤波，则称之为电压型逆变器，若用大电感滤波，则为电流型逆变器。 13．锯齿波触发电路由脉冲形成环节、锯齿波的形成和脉冲移相环节、同步环节、双窄脉冲形成环节构成。 14．若输入相电压为U2，单相桥式电路的脉冲间隔= 180 ，晶闸管最大导θ180 ，晶闸管承受的最大电压U dm= 0.9U2 , 整流电压脉动通= m a x 次数m= ; 三相半波电路的脉冲间隔= 120 , 晶闸管最大导通 θ150 ，晶闸管承受的最大电压U dm= 1.17U2 ,整流电压脉动次数= max m= ; 15．GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示：可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 16．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角大于30°时，输 出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。 17．三相电压型逆变电路基本电路的工作方式是180°导电方式，设输入电压为U d，输出的交流电压波形为矩形，线电压宽度为180°其幅值为U d；相电压宽度为120°，幅值为2/3 U d。 二、判断题 1．各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。(× ) 2．对于门极关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极
作业1 一、判断题(C第1-10题每题4分) 1. 逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。 (A) A (B) B 2. 双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是?用电流有 效值来表示的。 (A) A (B) B 3. 在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。 (A) A (B) B 4. 为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法 (A) A (B) B 5. 电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。 (A) A (B) B
6. 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。 (A) A (B) B 7. 在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。 (A) A (B) B 8. PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。 (A) A (B) B 9. 对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工 作。 (A) A (B) B 10. 无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。 (A) A (B) B
[参考答案：B] 分值：4 二、单选题(第1-15题每题4分) 1. 在晶闸管触发电路中，改变（）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目 的 (A) 同步电压 (B) 控制电压 (C) 脉冲变压器变比 (D) 整流变压器变比 2. 直流斩波电路是一种______变换电路 (A) AC/AC (B) DC/AC (C) DC/DC (D) AC/DC 3. 功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电 极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和______ (A) 基极最大允许直流功率线
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
交通大学电力电子复习 一、 选择题 1、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（ABD ） A 、GOT B 、GTR C 、power MOSFET D 、IGBT 2、单相桥式全控整流电路，阻感性负载R L ?? ω 。设变压器二次侧电压为U 2，则晶体管承受的最高正、反向电压分别为（D ） A 、2222 ,22U U B 、 222,2 2U U C 、 222 2 , 2U U D 、222,2U U 3、单相半控桥式整流电路带大电感负载，为了避免出现一只晶体管一直导通，另两只整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（D ） A 、电容 B 、电感 C 、电阻 D 、二极管 4、逆变电路的功能是将直流电能转换为（B ） A 、直流电能 B 、交流电能 C 、磁场储能 D 、电场储能 5、三相桥式变流电路工作在有源逆变状态，其输出侧平均电压U d 与外接直流电动势 E 间的关系为（C ） A 、E U d = B 、E U d > C 、E U d < D 、U d =-E 6、三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流中有（C ） A 、12±k B 、13±k C 、16±k D 、112±k (k 为整数) 7、交—直—交电流型逆变器中间直流环节的储能元件是（B ）
A、大电容 B、大电感 C、蓄电池 D、电动机 8、无源逆变电路不能采用的换流方式是（A） A、电网换流 B、负载换流 C、强迫换流 D、器件换流 9、、电压型逆变电路的输出电压波形为（A） A、矩形波 B、三角波 C、正弦波 D、与负载性质有关 10、支路控制三角形连接三相交流调压电路的典型应用是（B） A、TSC B、TCR C、SVC D、SVG 二、填空题 1、晶闸管是一种由四层半导体材料构成的三端器件，它有3个PN节，阳极用字母A表示，阴极用字母K表示，门极用字母G 表示。 2、在规定条件下，晶闸管取正、反向重复峰值电压中较小的作为其额定电压。 3、晶闸管的维持电流I H是指晶闸管维持导通所需的最小电流。 4、如图：
一、填空（每空1分）, 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：评計亡円斤* 电力晶体管GTR ;图形符号为___________ ；' " ' 可关断晶闸管GTO ;图形符号为___________ ； 功率场效应晶体管.MOSFET；图形符号为__________ ； 绝缘栅双极型晶体管_IGBT 图形符号为__________ ；IGBT是一MOSFET 和—GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿 要陡幅值要高 _和_触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为一正弦波「输出电流波形为—方波_。 5、型号为KS100-8的元件表示—双向晶闸管—晶闸管、它的额定电压 为_800V_伏、额定有效电流为_ 100A_。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂的上、 下二个元件之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是 在一不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会一增加_、正反向漏电流会—下降一；当温度升高时，晶闸管的触发电流会一下降「正反向漏电流会一增加?。 & 在有环流逆变系统中，环流指的是只流经_逆变电源_、_逆变桥而 不流经一负载一的电流。环流可在电路中加_电抗器_来限制。为了减小环流一般采控用控制角a _大于B的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器—、串进线电抗器、接入直流 快速开关_、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 门极G接负—电压，T2接_正_电压。 川+触发：第一阳极T1接_负电压，第二阳极T2接正_ 电压；门极G接正电 压，T2接_负_电压。 川-触发：第一阳极T1接—负电压，第二阳极T2接—正电压；门极G接—负电压，T2接—正_电压。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有_ 负载—换流和 _______ 强迫（脉冲） 换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分 为 ___ 有源—逆变器与—无源—逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200— 9,请说明KJ快速晶闸管 _; 200表示表示 _ 200A_, 9表示_________________ 900V_。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲：主要用于驱动小功 率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为—强触发脉冲—脉冲；可 以触发—大—功率的晶闸管。 16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V,流过晶闸管的大 电流有效值为15A ,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（1.5-2倍）2220V :晶闸管的额定电流可选为（1.5-3倍） 1.57
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可