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万用表测量 三极管 MOS管 管脚的方法

万用表测量 三极管 MOS管 管脚的方法
万用表测量 三极管 MOS管 管脚的方法

万用表测量三极管/MOS管

管脚的方法

实际项目中,不同型号的三极管(SOT-23封装),经常遇到PIN2、pin3互换(发射极(e)集电极(c)对调了)的现象,导致设计原理图和Layout出错。

在第一次使用新型号的三极管/MOS管时,清晰分辨手上物料的管脚定义非常重要。

以下是个人实践中总结的方法。

基本知识点:

三极管没有反向寄生二极管,只有MOS管存在反向寄生二极管

万用表的二极管测试档,可以使二极管正向导通,并且显示二极管压降。

万用表测量三极管

第一步:判断基极(b)

NPN型三极管有这个特点:基极(b)到发射极(e)方向、基极(b)到集电极(c)方向,均是1个二极管。

利用这个特点我们可以确认三极管的基极(b)

万用表调到二极管档位,各种测试,直到测试到如下图所示,一般二极管压降是0.75V。

PNP型三极管有这个特点:发射极(e)到基极(b)方向、集电极(c)到基极(b)方向,均是1个二极管。

利用这个特点我们可以确认三极管的基极(b)

万用表调到二极管档位,各种测试,直到测试到如下图所示,一般二极管压降是0.75V。

第二步:测试导通特效,并确定发射极(e)、集电极(c)

需要同时使用2个万用表,1个万用表利用二极管档使三极管导通,另1个万用表利用直通测试档测试发射极(e)到集电极(c)的导通状态

如下图,假设线1连接的是已经确定的基极(b)

万用表测量MOS管

第一步:判断栅极(G)

我们利用Mos管存在寄生反向二极管的特效,确定栅极(G)

利用万用表二极管档,2个表笔各种接法测试,只有1种接法可以测试到二极管压降,压降一般是0.5V,此时MOS管未接万用表笔的那个脚就是栅极(G)

第二步:测试导通特效,并确定N-MOS还是P-MOS(从而确定,源极(S)、漏极(D))需要同时使用2个万用表,1个万用表利用二极管档使MOS管导通,另1个万用表利用直通测试档测试源极(S)到漏极(D)的导通状态

如下图,假设线1连接的是已经确定的栅极(G)

三极管MOS管原理(很详细)

双极型晶体管
双极型晶体管又称三极管。电路表示符号: B J T 。根据功率的不同具有不同的外形结构。
(a )小功率管 (b )小功率管 (c )中功率管 (d )大功率管
1
双极型晶体管的几种常见外形

一. 基本结构
由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成, 根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个 PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。
C NPN型 B
基极
集电极
集电极
C P N P E
2
N P N E 发射极
PNP型
B
基极 发射极

C B IB E
IC B IE IB
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
3

集电区: 面积较大
C N P N E
集电极
基区:较薄, 掺杂浓度低
基极
B
发射区:掺 杂浓度较高
4
发射极

C N P N E
集电极
集电结
B J T 是非线性元 件,其工作特性与其 工作模式有关: 当E B 结加正偏,C B 结 加反偏时, B J T 处于放 大模式;
基极
B
发射结 发射极
当E B 结和C B 结均加正偏时, B J T 处于饱和模式; 当E B 结加零偏或反偏、C B 结加反偏时, B J T 处于截止 模式。 B J T 主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大, 饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。
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场效应管和mos管的区别

功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET),本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构,如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET 采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。 2.3功率MOSFET的基本特性

MOS管基本原理(经典图文动画).

MOS场效应管 一、二极管三极管MOS器件基本原理 P-N结及其电流电压特性 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流:。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0 。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流IC 。在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE 很小,所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω= 0.1mA 。如果晶体管的共发射极电流放大系数β= IC / IB =100, 集电极电流IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。

贴片三极管引脚-三极管的识别分类及测量

贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量 符号:“Q、VT” 三极管有三个电极,即b、c、e,其中c为集电极(输入极)、b为基极(控制极)、e为发射极(输 出极) 三极管实物图: 贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管 二、三级管的分类: 按极性划分为两种:一种是NPN型三极管,是目前最常用的一种,另一种是PNP型三极管。按材料分为两种:一种是硅三极管,目前是最常用的一种,另一种是锗三极管,以前这种三极管用的多。三极按工作频率划分为两种:一种是低频三极管,主要用于工作频率比较低的地方;另一种是高频三极管,主要用于工作频率比较高的地方。按功率分为三种:一种是小功率三极管,它的输出功率小些;一种是中功率三极管,它的输出功率大些;另一种是大功率三极管,它的输出功率可以很大,主要用于大功率输出场合。 按用途分为:放大管和开关管。 三、三极管的组成: 三极管由三块半导体构成,对于NPN型三极管由两块N型和一块P型半导体构成,如图A所示,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧,各半导体所引出的电极见图中所示。在P型和N型半导体的交界面形成两个PN结,在基极与集电极之间的PN结称为集电结,在基极与发射极之间的PN结称为发射结。图B是PNP型三极管结构示意图,它用两块P型半导体和一块N型半导体构成。 AB 四、三极管在电路中的工作状态:

三极管有三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时,它的工作状 态是不同的。 1、截止状态:当三极管的工作电流为零或很小时,即IB=0时,IC和IE也为零或很小,三极管处于 截止状态。 2、放大状态:在放大状态下,IC=βIB,其中β(放大倍数)的大小是基本不变的(放大区的特征)。 有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。 3、饮和状态:在饮和状态下,当基极电流增大时,集电极电流不再增大许多,当基极电流进一步增 大时,集电极电流几乎不再增大。 工作状态 定义 电流特征 解流 截止状态 集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小,IC或IE为零或很 小因为IC=βIB 利用电流为零或很小特征,可以判断三极管已处于截止状态 放大状态 集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制,基极电流大,其内阻小IC=βIB IE=(1+β)IB 有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流,基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电 流 饱和状态

三极管与MOS管区别

1.场效应管和三极管输入电阻的差异? 答:1.场效应管是单极、三极管是双极区别. 2.解决问题方面: 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 3.三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点: 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射

极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm 比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到 4.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件 5.记住四种mos管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势.而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势.dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 6.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,

三极管管脚地判别

三极管管脚的判别 2009-12-03 11:45:19 阅读240 评论0 字号:大中小订阅 [url=0672f50a 用万用表判断三极管的极性和质量 a.判断基极b 把万用表的欧姆档旋到X 100或X 1K, 将黑表笔接到自认为的基极上,然后用红表笔去接碰其余的管脚,如果两次测量的电阻都很大或都很小,则黑表笔接的是基极,两次测量电阻都很大时此管为PNP型的,电阻都很小为NPN型的。 b.判断集电极 c和发射极e 判断集电极 c和发射极e的原理:把三极管接成单管放大电路(图1-2),以测量管脚在不同接法时的电流放大系数的大小来比较,当管脚接法正确时的电流放大系数较接法错误时的电流放大系数大,由此可判断出c和e。 三颠倒,找基极

大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表 欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电 池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的 第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电 表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和 2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测 量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必 然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参 看图1、图2不难理解它的道理)。 二、 PN结,定管型 找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子 的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极, 若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被 测管即为PNP型。 三、顺箭头,偏转大 找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透 电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的 黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度 都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b 极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时 黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极 →c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一 定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。 1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的 特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补, 所谓OTL amplifier(无输出功率放大器)电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 常用的PNP型三极管有:A92、9015等型号;NPN型三极管有:A42、9014、9018、 9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比 较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路

三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把 红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以 当测得都是低阻值时,b是N型材料, 两端是P型材料,就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料, 两端是N型材料,就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce;之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致,所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e,红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节 Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。 5.

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质: 1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大。 4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 ?(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

MOS管三极管

由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路, 由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路, 由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路, 由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。 D漏极(c集电极) S源极(e发射极) G栅极(b基极) PMOS管单数低有效 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通, 适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

NMOS管双数高有效 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通, 适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

场效应管与三极管的性能比较 1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于 三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。 2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。 3.场效应管栅极几乎不取电流;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4.场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。 5.场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b值将减小很多。 6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

三极管和MOS管的区别

工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大。 4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos 晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。

如何检测三极管的三个极

如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e(发射极)、b(基极)、c(集电极)三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法,结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管; 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位,红表笔正,黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的

三极管管脚判别

三极管管脚判别,电容测量 9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法 s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极b基极c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示: 三极管引脚图 e b c 当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册https://www.doczj.com/doc/228351976.html,首页可以查询电子资料与单片机资料,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法: (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP 型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K 挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。) 三极管的管脚识别和判别 下面详细介绍用万用表如何识别管脚的方法: 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握

MOS管与三极管做开关用法比较

Kevin pen 1/1 MOS 管(MOSFET )的压降 是指MOSFET 饱和导通的时候,VDS=I*RDS(on)的电压。VDS 表示场效应管的漏极和源极的电压,G 表示栅极,I 表示流过DS 的电流,RDS(on)表示导通电阻,一般为几百毫欧。 MOSFET 的管压降,一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。 三极管管压降 三极管的管压降Uce 就是指集电极与发射极的电压。一般情况下,CE 极电压在0.3或者0.3V 以下时,三极管进入饱和区的工作状态,集电极电流不随着基集电流增加而增加了,也叫饱和电压。 正常三极管管压降为0.1-0.7V 。 由于管压降Uce 与集电极电流ic 具有非线性的函数关系,Uce 的大小随着Ice 的增大,在一定的范围内增大。 通过Ic 与Uce (饱和压降)的曲线图,就可以清晰的知道Uce 的大小了。 对比应用 通过初步计算,在流过相同的电流(小于100MA )的情况下,场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。一般小于0.1V 。随着电流增大,三极管管压降最大达到0.7V 左右。 下图为三极管的管压降示例图,一般在DATASHEET 中都有给出。 对于场效应管(MOSFET ),VDS 取决于电流和导通电阻RDS(on)。导通电阻一般变化不大,但是与VGS 有关,VGS 大导通程度也大,导通电阻就小。 如果RDS(on)=250M Ω,流过电流为100MA ,管压降VDS=0.025V 。图一为0.05V ,图二为0.03V 。 因此,可以看出,在实际开关应用中,如果要使被控的电压的压降尽量小,MOSFET 比三极管有略微的优势。

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极(B极)。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。对于PNP管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。从图4,图5可以得知,手头上的BC337为NPN管,中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。读数,再把它的另二脚反转,再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母,这时就对着字母去认BC337的C,E 极。学会了,其它的三极管也就一样这样做了,方便快速。 图5万用表上的hFE档

三极管的管型及管脚的判别

三极管的管型及管脚的判别 为了帮助读者迅速掌握测判方法,我们总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。 一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。 二、PN结,定管型 找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。 三、顺箭头,偏转大 找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方 法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极 e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接 的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。 四、测不出,动嘴巴 若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中

三极管MOS管复习题

习题3 客观检测题 一、填空题 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。 5. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 100 。 8. 双极型三极管是指它部的 参与导电载流子 有两种。 9. 三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。 11. 为了使高阻信号源与低电阻负载能很好的配合,可以在信号源与低电阻负载间接入 共 集电极 组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出: (1)电源电压CC V = 6V ; (2)静态集电极电流CQ I = 1mA ;集电极电压CEQ U = 3V ; (3)集电极电阻C R = 3k Ω ;负载电阻L R = 3k Ω ; (4)晶体管的电流放大系数β= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数v A = -50 ;('bb r 取200Ω); (5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ; (6)要使放大电路不失真,基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。 13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极-基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A 的输入电阻 小 。 15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。 16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ,输出电阻很 小 。 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。 题图3.0.1

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法

s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极b基极c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示: 三极管引脚图 e b c 当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法: (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP 型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K 挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。) 9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 详情如下:

分享一个比较经典的MOS管驱动电路

问题提出: 现在的MOS驱动,有几个特别的需求, 1,低压应用 当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有左右的压降,导致实际最终加在gate上的电压只有。这时候,我们选用标称gate电压的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2,宽电压应用 输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。 同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。 3,双电压应用

在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者数字电压,而功率部分使用12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。 这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。 在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下: ? 图1 用于NMOS的驱动电路 图2 用于PMOS的驱动电路 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析: Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

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