模拟电子技术题库-答案分解

模拟电子技术

试题汇编

成都理工大学工程技术学院

电子技术基础教研室

2010-9

第一章 半导体器件

一、填空题

1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。

2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。

3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。

6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m

g ______。

13、PN 结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。

18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是

________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。

26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。

27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。

28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。

29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。

I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO

________，导通电压会变小_________ 。

31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。 33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。若它的工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超过___30____V 。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－，C V =－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，B 为_____基________极，C 为______发射_______极。 35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题

1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。

A ．0

B ．死区电压

C ．反向击穿电压

D ．正向压降 2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。

A ．少子

B ．多子

C ．杂质离子

D ．空穴

3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。

A ．截止

B ．放大

C ．饱和

D ．损毁 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 A ．前者反偏、后者也反偏 B ．前者正偏、后者反偏 C ．前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者也正偏

5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。

A ．多子

B ．少子

C ．自由电子 D.空穴

6、当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为C U （A ）B U （A ）E U 。

A ． >

B ． <

C ． =

D ． ≤ 7、对二极管正向电阻Z r 和反向电阻F r 的要求是（ C ） A ．Z r 、F r 都大 B ．Z r 、F r 都小 C ．Z r 很小，F r 很大 D ．Z r 大，F r 小

8、稳压二极管动态电阻Z r （ B ），稳压性能愈好。 A ．愈大 B ． 愈小 C ．为任意值

9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。 A ． 放大 B ． 截止 C ． 饱和 D ． 无法确定 10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A 、D ） A ．自给偏压电路 B ．外加偏压电路 C ．无须偏置电路

D ．栅极分压与源极自偏结合

11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。

A ．温度

B ．掺杂工艺

C ．杂质浓度

D ．晶体管缺陷

12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h 参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。

A ．电荷

B ．电压

C ．电流

13、当PN 节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。 A ．大于 B ．小于 C ．等于 D ．变宽 E ．变窄 F ．不变 14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。 A ．左移，下移 B ．右移，上移 C ．左移，上移 D ．右移，下移 15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。

A ．变窄

B ．基本不变

C ．变宽 D.先变窄，后变宽

16、 在25oC 时，某二极管的死区电压Uth ≈，反向饱和电流Is ≈，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。 A Uth ≈，Is ≈ B Uth ≈，Is ≈ C Uth ≈，Is ≈ D Uth ≈，Is ≈

17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN 或PNP ）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。 A ．测试各极间电阻 B ．测试各极间、对地电压 C ．测试各极电流

三、判断题

1、 三极管在工作频率大于最高工作频率M f 时会损坏。 （ ╳ ）

2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （

╳

）

3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ √ ）

4、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ╳ ）

5、有人测得晶体管在BE U =时，B I =5A μ，因此认为在此工作点上的be r 大约为

26 5.2B

mv

K I =Ω。 （ √ ） 6、通常结型场效应管JFET 在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ √ ）

7、通常的双极型晶体管BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ╳ ）

8、在N 型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P 型半导体。（√ ） 9、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ╳ ） 10、PN 结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ╳ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ）

12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时，就有电流流过。（ ╳ ）

13、PN 结方程可以描述PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。（ ╳ ）

14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）

15、有人测试晶体管的be r ，方法是通过测得晶体管的7.0=BE U ，mA I B 20=，推算出Ω===K mA V I U r B BE be 3520/7.0/ 。 （ ╳ ）

四、综合题

1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）

2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）

3、如下图，试确定二极管D 是正偏还是反偏设二极管正偏时的正向压降为,试计算U X 和U Y 的值（共9分）

U Y

U X

U Y

U X

（a ） （b ）

答案：（a ） D 正偏导通 I=R

37.010-

=x U 2RI=3

7

.010-=

V Uy 9.67.02.6=+=

（b ）

D 仅偏截止 I=0

X U =0 y

U =10V

4、如下图，设硅稳压管1DZ V 、2DZ V 的稳压值分别为6V 和9V ， 求Uo 为多少（共3分）

1K

..

20V

答：0U =9-6=3V

5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。

D 导通，V U 30-=

6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）

（9分）都不能放大电压信号

（a ） （b ） （c ） 输入交流短路 无直流基极偏压 输入交流短路 7、如下图，设硅稳压管1DZ V 、2DZ V 的稳压值分别为6V 和9V ，稳压管的正向压降为，试写出输出电压Uo 为多少（共8分）

R

1K V DZ1V DZ2

25V

R 1K V DZ1

V DZ2

25V

（a ）

V

U 150= V U 7.00=（b ）

1K V DZ1V DZ2

25V

R 1K V DZ1

V DZ2

25V

（c ）V U 7.60= （d ）

V

U 60=

8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止并求出U O =

V O

+

-

VO

15V

+

-

（a ）D 导通V U 60-= （b ）D 截止 V U 120-=

O

+

-

V O

+

-

（c ）1D 导通2D 截止 （d ）2D 先导通1D 截止 0U =0V 0U =-3V

第二章放大电路原理

一、填空题

1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__共集___________组态向信号源索取的电流小。

2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。

3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。

4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。

5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。

6、放大电路最常用的基本分析方法，就是__图解法________和_微变等效电路法___________。

7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。

8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___变压器耦合_________。

9、放大电路的三种基本组态中，__共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基

___________组态只具有电压放大能力。

10、放大的本质首先是实现_能量_____的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_____。

11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。

12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为__零点漂移_______。

二、选择题

1、关于BJT 放大电路中的静态工作点（简称Q 点），下列说法中不正确的是（ D ）。

A ．Q 点过高会产生饱和失真

B ．Q 点过低会产生截止失真

C ．导致Q 点不稳定的主要原因是温度变化

D ．Q 点可采用微变等效电路法求得

2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B ________电路。 A ． 共发射极 B ． 共集电极 C ．共基极 D ．不能确定

3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ D ） 。 A.共射电路 B.共集电路 C.共源电路 D.共基电路

4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（ B ）。

A ．输入电阻大

B ．输入电阻小

C ．输出电阻大

D ．输出电阻小 5、多极放大电路的增益u A 是（ B ）、输入电阻i R 是（ A ）、输出电阻o R 是（ C ）。

A ．由第一级确定 B.由各级共同确定 C.由末级电路确定 6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K 的负载电阻的输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（C ） A ．10K

B ．2K

C 1K D

7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。 A ．环境温度变化引起参数变化 B ．放大倍数太大 C ．晶体管的噪声太大 D ．外界存在干扰源

8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选） （1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C ）。 （2）要求能放大直流信号，可选用（B ）。

（3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B ）。 （4）要求电路的温漂小，可选用（A,C ）。

（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C ）。 A ．阻容耦合 B ．直接耦合 C ．变压器耦合 9、用微变等效电路法分析放大电路（ B ）

A ．只能分析静态工作点 B.只能分析动态参数 C ．既可分析静态，也能分析动态

10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（ B ）； 既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。

A ． 共基放大电路

B ．共集放大电路

C ．共射放大电路

11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格

-

+

-

（1）b R 减小时，输入电阻i R _B____。 （2）Rc 增大时，输出电阻O R ____A _。

（3）信号源内阻Rs 增大时，输入电阻i R ___C___。

（4）信号源远内阻Rs 减小时，电压放大倍数

Us o

A u U =

__A____。

（5）负载电阻L R 增大时，电压放大倍数

Ui o

A u U =

__A___；

（6）负载电阻L R 减小时，输出电阻Ro ____C__;

(7) 若Rb 减小，则静态的B I 将__A____，

CEQ

U 将__B__电压放大倍数

Ui o

A u U =

将__A____。

(8)若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将___C__。 (9) b R 增大时， CEQ U 将_A_____。 (10) Rc 增大时，CEQ U 将__B____。 (11) Rs 增大时，CEQ U 将__C____。 (12) L R 增大时，CEQ U 将__C____。

A.增大

B.减小

C.不变 12、由NPN 晶体管组成的基本放大电路，如图：

-

+

-

输出电压波形出现了顶部削平的失真，则： （1）这种失真是___B______

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真。 （2）为了消除这种失真，应___D_____

A ．减小集电极电阻Rc B.改换β小的管子 C.增大基极偏置电阻Rb D ．减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压CC V 。 13、由PNP 晶体管组成的基本放大电路，如图：

-

+

-

电压波形出现了顶部削平的失真:则 (1) 这种失真是___A______

A.饱和失真

B.截止失真 C 交越失真 D 频率失真。 （2）为了消除这种失真，应___A ，B ，C______

A ．减小集电极电阻Rc B.改换 小的管子 C 增大基极偏置电阻Rb D.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压CC V 。 14、如下图，选择正确答案填空

（1） 要使静态工作电流C I 减小，则2b R 应_A_____ 。

（2）2b R 在适当范围内增大，则|u A | _B_____，i R _A_____，o R _C_____。 （3) e R 在适当范围内增大，则|u A | _C_____，i R __C____，o R _C_____。 (4) 从输出端开路，到接上L R ，静态工作点将_C_____，o U _B_____，（设静态工作点偏低）

(5) CC V 减小时，直流负载线斜率__C____。

(6)C R 减小时，直流负载线斜率__A____。 A.增大 B.减小 C.不变

(7) 若CC V =10V,1b R =4ΩK ，2b R =6ΩK ，e R =ΩK ，C R =2ΩK ，1C 、2C 足够大，设V U BE 7.0=则:

① Vi=0，管压降CE U 大约是__B____

（A ． 4V B ． C 7V D 5V)

② 50改为100，则u A |是 __A__________

（A.约为原来的2倍 B.约为原来的21

C.基本不变 D 约为原来的4倍）

③保持β=50不变，将e R 由ΩK 改为ΩK ，则|u A | _C_____ 。

（A 约为原来的2倍 B 约为原来的21

C 基本不变

D 约为原来的4倍

E 约为原来的41

）

15、两级放大电路1u A =-40，2u A =-50，若输入电压mV u i 5=,则输出电压o u 为

_C_____

A ．-200mV

三、判断题

1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的√，不能正常放大的画×）。

√ × ×

2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管 晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。

+5V

0V

+0.7V

.

(a)

.

.

.

+12V

+3V +2V

(b)

+10.3V

+10V

+10.75V

.

(d)

.

.

.

.0V

-6V

-5.3V

.

(c)

.

.

.

.

放大 截止 饱和 放大 3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6分）

5V

0V

0.7V

.

(a)..

(a) 放大 (b) 截止

4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）

+Vcc (a)

+Vcc (c)

(a)×(b)×(c) ×

(d)

(e)

(f)

（d）×(e)×(f)√

5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（6分）

(a)

(b)(c)

(a) √(b) ×(c) ×

6、如下图，判断是否正确：

u A ?

β

C 00

U Ω

e

um .

.o

i

U U β'bb r ΩCEO I CES U om

U V R R R I V U mA R U U I I V V R R R U CQ CC CEQ BEQ BQ EQ CQ CC BQ 7.5)3.3101(120)(13.37.04,4208020205435212=++?-=++-==-=-=≈=?+=?+=1501

)

10//10(30)//(1011

26)301(19426)1(////4040'31-=-=-==

Ω

==Ω=++=++=≈=?

?

be L u EQ bb be be i r R R u U A K R R K I r r r R R R ββ

V

U U CEQ om 7.5==R R I U L CQ om 1)//(4?==∴

V U om 5='

bb r b1

E C

R R R b2i -

+C 1R u

R R I V U m I I R U U I I R R V R U C CQ CC CEQ CQ BQ E

BEQ

BQ EQ CQ b b CC b BQ (04.050

2151115212+-====-=

≈+?=+?=β)//(2326)1(////0'21-

==Ω===++=≈=??be

L c i o u c EQ

bb be be be b i r R R U U A K R R I r r r R R R R ββU

K R R R U V I u L

L b BEQ BB BQ i ,3,0Ω=∞=-==这时做直流负

据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共15分）

（1）图解法静态工作点Q （CQ I 、CEQ U ）。（设BQ I =40uA,β=50）（6分） （2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数u A 、i R 、o R （设

r

bb '

=340Ω，

β=60） （9分）

解:

作直流负载线)1(???====-=mA i U V

U i R i V U C CE CE C C C CC CE 8.4,012,0

uA I BQ 40=→相交Q 点，得V U mA I ceq CQ 12,4.2== (2)Ω=≈=K r r R I be be b i 1//

Rc 5K

R 590K +Vcc

u o

R 5K

u i b

+24V

L 0

5

10

15

20

25

1.2

2.4

3.6

4.8

80uA

60uA

40uA

20uA

24

i c /mA

u CE /V

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。

A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等 效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相 反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输 入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 （）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（） 型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

(精选)模拟电子技术综合复习题(有答案)

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础试题及答案

自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。