半导体物理学考研大纲

《半导体物理学》(科目代码843)考试大纲

特别提醒：本考试大纲仅适合2010年微电子学与固体电子学专业的《半导

体物理》考试科目。

1．考研建议参考书目

刘恩科等著《半导体物理学》，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社ISBN 7-5605-1010-8/TN.54。

2．基本要求

（1）掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的能带结构。（2）掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的杂质能级和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级。

（3）掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。

（4）掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。

（5）掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。

（6）掌握p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容和p-n结击穿与隧道效应的基础知识。

（7）掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。

（8）掌握半导体表面和表面电场效应；MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质。

（9）掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。

物理学相关 半导体物理与器件实验教学大纲

《半导体物理与器件》课程实验教学大纲 Semiconductor Physics and devices 课程编号：（03320070） 课程教学总学时：45 实验总学时：3 总学分：3 先修课程：普通物理、量子力学、半导体物理 适用专业：光电信系科学与工程 一、目的与任务 本课程实验是光信息科学与技术专业及光电信息工程专业的主要基础课程实验之一。 本系列实验的目的和任务是通过对本实验课程的教学，培养学生对半导体拉曼光谱的测量的专业实验知识和技能，充分发挥学生的主动性和培养独立实验能力，使学生系统地掌握拉曼散射的基本原理，提高学生实验技能，学习使用拉曼光谱仪测量物质的谱线，知道简单的谱线分析方法。 二、实验教学的基本要求 （1）掌握实验的基本原理； （2）了解所涉及的常用装置、仪器的正确使用方法； （3）测试有关数据； （4）数据处理，将理论计算结果与实验测试结果进行比较，得出拉曼光谱线，并对其进行分析。 通过实验，使学生能正确进行相应的仪器操作和使用、准确判断实验现象和结果的合理性，同时具有处理测量数据的能力。 三、本课程开设的实验项目： 注：1、类型---指设计性、综合性、验证性；2、要求---指必修、选修；3、该表格不够可拓展。 四、实验成绩的考核与评定办法： 实验成绩的考核，以实验报告和实验过程为考核依据，实验报告要求对基本原理、测量方法、实验数据记录和处理等过程描述详细准确。考试课成绩按百分制记分，实验课成绩在本门课程总成绩中由任课老师在10％～15%内确定。五、大纲说明

学生在实验前应认真阅读实验指导书，了解实验目的和实验原理, 明确本次实验中所需测量结果, 所采用的实验方法, 使用什么仪器, 控制什么条件，需要注意什么问题，并设计好记录数据表格（包含原始数据、中间计算数据及实验结果）等。在检查完实验器材完整后，根据预习内容进行实验，认真分析实验现象，整理实验结果，填写在实验报告相应位置处。老师检查实验结果并认可后，学生须切断电源、清理实验仪器、整洁实验台面，经老师同意后学生方可离开实验室。 制定人：祝远锋审定人：批准人： 时间: 2013/4/25

2019浙江农林大学考研专业课《测树学》-考试大纲

浙江农林大学硕士研究生入学考试复试 《测树学》考试大纲 一、考试性质 浙江农林大学硕士研究生入学《测树学》考试是为招收森林经理学专业的硕士研究生而设置的具有选拔功能的水平考试。它的主要目的是测试考生对测树学内容的掌握程度和应用相关知识解决问题的能力。 二、考试的基本要求 要求考生全面系统地掌握测树学的基本概念、理论和方法，熟悉测树学在自己专业领域中的应用，了解测树学的主要发展趋势和前沿领域，具有应用测树学知识分析、认识和解决问题的能力。 三、考试方法和考试时间 本试卷采用闭卷笔试形式，试卷满分为100分，考试时间为120分钟。 四、考试内容和考试要求 （一）考试内容 1．单株树木材积测定 2．林分调查 3．林分结构 4．立地质量及林分密度 5．林分蓄积量测定 6．树木生长量测定 7．林分生长量测定 8．角规测树 9．林分生物量测定 （二）考试要求 1.掌握基本测树因子概念，测定工具原理和使用方法。掌握伐倒木和立木材积测定原理与方 法。 2.掌握林分调查因子的基本概念和测算方法。掌握标准地调查工作的内容、方法、步骤。 3.掌握同龄纯林林分直径结构和树高结构规律、特征。 4.掌握立地质量的概念及立地质量的评价方法。掌握林分密度指标的概念和测算方法及林分 密度对林分生长的影响。 5.掌握标准木法、材积表法、标准表法和实验形数法测定林分蓄积量的工作内容、方法、步 骤。 6.掌握树木年龄的概念及测定方法；树木生长量的种类和计算方法；平均生长量和连年生长 量的关系；树木生长率和生长量的测定方法；树干解析的外业调查和内业计算方法。 7.掌握林分生长量的概念及种类。掌握几种常用的一次调查法确定林分蓄积生长量。 8.掌握角规测定林分单位面积断面积的关键技术。掌握角规测定林分单位面积株数和蓄积量 的原理、步骤和计算方法。 9.掌握林木生物量和林分生物量的相关概念及其测定方法。 五、主要参考书目 1．孟宪宇主编.2006.测树学（第3版）.北京:中国林业出版社 编制单位：浙江农林大学研究生院 编制日期：2014年9月9日

半导体物理考研总结

1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）

9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k)

半导体材料课程教学大纲

半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：半导体材料 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业限选 学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 （三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》； 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 （四）教材：杨树人《半导体材料》 主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯

第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长（VPE） 第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD） 第三节分子束外延生长（MBE） 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料

建筑学硕士考研专业基础课考试大纲

建筑学硕士考研专业基础课考试大纲 课程名称: [488]中外建筑史 一．考试要求 1. 外国建筑史部分 要求考生全面系统地了解和掌握外国古代建筑的基本理论和基本知识，19世纪至20世纪中叶欧美建筑发展的历史背景，各时期主要建筑师的理论，主要作品和建筑美学的基本观点和当代西方主要建筑流派的基本理论和代表人物的主要作品的艺术特色。考生还应具备能灵活运用所学知识综合分析和解决问题的能力。 2. 中国建筑史部分 要求考生全面系统地了解和掌握中国古代建筑的基本理论和基本知识，认识中国建筑体系的独特传统和历史局限，了解中国建筑的自然地理背景和社会文化背景；认识传统建筑的组群布局、平面构成、构架体系、造型特征、构件做法和细部装饰的基本形态和具体形制，掌握中国建筑的主要术语；了解中国原始建筑、奴隶社会建筑、封建社会建筑和中国近代建筑的发展历程和演变脉络；认识中国封建社会宫殿、坛庙、陵墓和宗教建筑的类型特点、构成形制及其典型实例；认识各地区、各民族乡土建筑的类别、特点及其比较分析，了解传统园林建筑的主要类别、构成要素、造园思想和设计手法；概略了解近代中国建筑的发展概况、基本特点，了解近代中国建筑的基本类型和风格面貌，了解中国近代建筑师的活动概况和创作思想；考生还应具备能灵活运用所学知识综合分析和解决问题的能力, 并能够徒手绘制与中国建筑史有关的图形。 二. 考试内容 1. 外国建筑史部分 古代建筑部分 ①奴隶制社会建筑的基本概念与基本特征 ②中世纪拜占庭建筑与哥特建筑的结构与空间特色 ③意大利文艺复兴建筑的主要代表建筑的艺术特色，主要建筑师的美学主张 ④意大利巴洛克建筑的艺术特色 ⑤法国古典主义建筑形成的基本链条和主要代表建筑的艺术特色 近现代建筑部分 ①三座铁建筑的建筑意义 ②新建筑运动诸流派代表建筑的艺术特色 ③现代主义建筑思潮的主要建筑理论 ④格罗皮乌斯建筑理论与代表建筑的艺术特色 ⑤勒o柯布西埃建筑理论与代表建筑的艺术特色 ⑥密斯o凡o德o罗建筑理论与代表建筑的艺术特色 ⑦赖特建筑理论与代表建筑的艺术特色 ⑧二战后西方诸多建筑思潮概述 当代西方建筑思潮 ①后现代主义建筑产生的背景，主要理论，美学倾向，代表人物与作品分析 ②解构主义建筑的哲学背景，主要理论，代表人物与作品分析 2. 中国建筑史部分 古代建筑史部分 第一章：平面布局

半导体物理刘恩科考研复习总结

半导体物理刘恩科考研 复习总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差） 自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k)

波矢为k的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取 向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 杂质电离：电子脱离杂质原子的的束缚成为导电电子的过程。脱离束缚所需要的能力成为杂质电离能。 杂质能级：1）替位式杂质（3、5族元素，5族元素释放电子，正电中心，称施 主杂质；3族元素接收电子，负电中心，受主杂 质。） 2）间隙式杂质（杂质原子小） 杂质能带是虚线，分离的。 浅能级杂质电离能： 施主杂质电离能

半导体集成电路课程教学大纲(精)

《半导体集成电路》课程教学大纲 （包括《集成电路制造基础》和《集成电路原理及设计》两门课程） 集成电路制造基础课程教学大纲 课程名称：集成电路制造基础 英文名称：The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication 课程类别：专业必修课 总学时：32 学分：2 适应对象：电子科学与技术本科学生 一、课程性质、目的与任务： 本课程为高等学校电子科学与技术专业本科生必修的一门工程技术专业课。半导体科学是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科，是计算机、雷达、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础，而半导体工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备，是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础，与现代信息科学有着密切的联系。本课程的目的和任务：通过半导体工艺的学习，使学生掌握半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法和技能，对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念，了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺，使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。并为后续相关课程奠定必要的理论基础，为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。 二、教学基本要求： 1、掌握硅的晶体结构特点，了解缺陷和非掺杂杂质的概念及对衬底材料的影响；了解晶体生长技术（直拉法、区熔法），在芯片加工环节中，对环境、水、气体、试剂等方面的要求；掌握硅圆片制备及规格，晶体缺陷，晶体定向、晶体研磨、抛光的概念、原理和方法及控制技术。 2、掌握SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算；了解SiO2薄膜厚度的测量方法。 3、掌握杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布；了解常用扩散工艺及系统设备。 4、掌握离子注入原理、特点及应用；了解离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火。 5、掌握溅射、蒸发原理，了解系统组成，形貌及台阶覆盖问题的解决。 6、掌握硅化学汽相淀积（CVD）基本化学过程及动力学原理，了解各种不同材料、不同模式CVD方法系统原理及构造。 7、掌握外延生长的基本原理；理解外延缺陷的生成与控制方法；了解硅外延发展现状及外延参数控制技术。 8、掌握光刻工艺的原理、方法和流程，掩膜版的制造以及刻蚀技术（干法、湿法）的原理、特点，光刻技术分类；了解光刻缺陷控制和检测以及光刻工艺技术的最新动态。 9、掌握金属化原理及工艺技术方法；理解ULSI的多层布线技术对金属性能的基本要求，用Cu布线代替A1的优点、必要性；了解铝、铜、低k材料的应用。 10、掌握双极、CMOS工艺步骤；了解集成电路的隔离工艺，集成电路制造过程中质量管理基础知识、统计技术应用和生产的过程控制技术。 三、课程内容： 1、介绍超大规模集成电路制造技术的历史、发展现状、发展趋势；硅的晶体结构特点；微电子加工环境要求、单晶硅的生长技术（直拉法、区熔法）和衬底制备（硅圆片制备及规格，

重庆大学机械设计考研大纲

重庆大学机械设计考试大纲 考核内容与考核要求 第一章机械设计概论 一、考核知识点 1、机械的功能组成，机械零件的失效形式，机械零件的工作能力计算准则。 2、机械设计中的强度问题：载荷及应力、静应力作用下的强度问题、变应力作用下的疲劳强度问题及接触应力。 二、考核要求 识记与领会：机械的功能组成，机器的特征，零件、部件概念，机械零件的失效形式，机械零件的工作能力计算准则，载荷及应力分类，安全系数。 第二章摩擦、磨损及润滑概述 一、考核知识点 无 二、考核要求 无 第三章螺纹联接 一、考核知识点 1、螺纹及螺纹联接的基本知识。 2、螺纹联接的拧紧与防松。 3、螺纹联接的失效形式和计算准则。 4、螺栓组联接的受力分析，单个螺栓联接的强度计算（松螺栓联接，只受预紧力的紧螺栓联接）。 5、提高螺栓联接强度的措施。

二、考核要求 1、识记与领会：螺纹的基本参数，常用螺纹的种类及其应用，常用螺纹联接的种类及其应用，螺纹联接预紧与防松，螺纹联接的失效形式和计算准则，螺栓组联接设计的基本方法，提高螺栓联接强度的措施。 2、简单运用：松螺栓联接的强度计算。 3、综合运用：只受预紧力的紧螺栓联接强度计算。 第四章轴毂联接 一、考核知识点 1、轴毂联接的功用、分类。 2、平键联接失效形式及强度计算。 3、花键联接的类型、工作特点和应用。 二、考核要求 1、识记与领会：轴毂联接的功用、分类，平键联接的类型，平键联接失效形式，花键联接的类型、工作特点。 2、简单运用：平键联接的强度计算。 第五章铆接、焊接和胶接 一、考核知识点 无 二、考核要求 无 第六章摩擦轮传动 一、考核知识点 无 二、考核要求 无

2018年硕士研究生入学考试专业基础课考试大纲及题型分布

2018年硕士研究生入学考试专业基础课程考试大纲及题型分布题型分布 一、选择题：（40道题，每题2分，共80分） 操作系统：16道题 数据结构：12道题 组成原理：12道题 二、综合问答题：（7道题，平均10分，共70分） 操作系统：3道题（共28分） 数据结构：2道题（共21分） 组成原理：2道题（共21分） 考试大纲 操作系统 【考查目标】 1. 掌握操作系统的基本概念、基本原理和基本功能，理解操作系统的整体运行。 2. 掌握操作系统进程、内存、文件和I/O管理的策略、算法、机制以及互相关系。 3. 能够运用所学的操作系统原理、方法与技术分析问题和解决问题，并能利用C或C++等高级语言描述相关算法。 一、操作系统概述 （一）操作系统的概念、特征、功能和提供的服务 （二）操作系统的发展与分类 （三）操作系统的运行环境 1. 内核态与用户态 2. 中断、异常 3. 系统调用 （四）操作系统的结构 二、进程管理 （一）进程与线程 1. 进程概念 2. 进程的状态与转换 3. 进程控制和组织

进程控制块；调度队列和调度器；进程的创建和终止。 4.线程概念与多线程模型 （二）CPU调度 1. 调度的基本概念 2. 调度时机、切换与过程 3. 调度的基本准则 4. 调度方式 5. 典型调度算法 先来先服务调度算法；短作业（短进程、短线程）优先调度算法；时间片轮转调度算法；优先级调度算法；多级反馈队列调度算法。 （三）同步与互斥 1. 进程同步和临界区的基本概念 2. 信号量 3. 使用信号量描述和解决经典同步问题 （四）死锁 1. 死锁的概念 2. 死锁处理策略 3. 死锁预防 4. 死锁避免 系统安全状态；银行家算法。 5. 死锁检测和解除 三、内存管理 （一）内存管理基础 1. 内存管理概念 程序装入与链接；逻辑地址与物理地址空间；内存保护。 2. 连续分配管理方式 3. 非连续分配管理方式 分页管理方式；分段管理方式；段页式管理方式。 （二）虚拟内存管理 1. 虚拟内存基本概念 2. 请求分页管理方式 3. 页面置换算法 最佳置换算法（OPT）；先进先出置换算法（FIFO）；最近最少使用置换算法（LRU）。 4. 页面分配策略 5. 工作集 6. 抖动 四、文件管理 （一）文件系统基础 1. 文件概念 2. 文件的逻辑结构 顺序文件；索引文件；索引顺序文件。

西安电子科技大学2018考研大纲：半导体物理与器件物理.doc

西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理

论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构

历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料

历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读： part 1 学院专业考试概况： ①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况； ②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况； ③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。 part 2 历年题型分析及对应解题技巧： 根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。 part 3 2018真题分析：

最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。 part 4 2019考试展望： 根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。 part 5 华东师范大学考试大纲： ①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。 ②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。 ③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。 part 6 专业课高分备考策略： ①考研前期的准备；

②复习备考期间的准备与注意事项； ③考场注意事项。 part 7 章节考点分布表： 罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。 二、华东师范大学历年考研真题与答案： 汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。本部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。 2018年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2016年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2015年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2014年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解

半导体物理-兰州大学物理学院

《半导体物理实验》课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称、所属专业、课程性质、学分； 课程名称：半导体物理实验 所属专业：电子材料与器件工程专业本科生 课程性质：专业必修课 学分: 4 （二）课程简介、目标与任务； 本课程是为物理科学与技术学院电子材料与器件工程专业大四本科生所开设的实验课，是一门专业性和实践性都很强的实践教学课程。开设本课程的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发设计与研制坚定基础。 （三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接； 由于是实验课，所以需要学生首先掌握《半导体物理》和《半导体器件》的基本知识，再通过本课程培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践能力。其具体要求包括：1、了解半导体材料与器件的基本研究方法；2、理解半导体材料与器件相关制备与基本测试设备的原理、功能及使用方法，并能够独立操作；3、通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的能力，提高理论学习的主动性。开设本课程的目的是培养学生实事求是、严谨的科学作风，培养学生的实际动手能力，提高实验技能。 （四）教材与主要参考书。 教材：《半导体物理实验讲义》,自编教材 参考书：1. 半导体器件物理与工艺(第三版)，施敏，苏州大学出版社， 2. [美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社，1976 二、课程内容与安排 实验一绪论

1、介绍半导体物理实验的主要内容 2、学生上课要求，分组情况等 实验二四探针法测量电阻率 一、实验目的或实验原理 1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理； 2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法； 3、能对给定的薄膜和块体材料进行电阻率测量，并对实验结果进行分析、处理。 二、实验内容 1、测量单晶硅样品的电阻率； 2、测量FTO导电层的方块电阻； 3、对测量结果进行必要的修正。 三、实验仪器与材料 四探针测试仪、P型或N型硅片、FTO导电玻璃。 实验三椭圆偏振法测量薄膜的厚度和折射率 一、实验目的或实验原理 1、了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理； 2、掌握椭圆偏振仪的使用方法，并对薄膜厚度和折射率进行测量。 二、实验内容 1、测量硅衬底上二氧化硅膜的折射率和厚度； 三、实验主要仪器设备及材料 椭圆偏振仪、硅衬底二氧化硅薄膜。 实验四激光测定硅单晶的晶向 一、实验目的或实验原理 1、理解激光测量Si单晶晶面取向的原理；

2020年硕士研究生复试专业课考试大纲【模板】

2020年硕士研究生复试专业课考试大纲 考试科目名称：材料物理考试时间：120分钟，满分：100分 一、考试要求： 本课程要求掌握材料结构-功能-性质的相互关系，掌握材料物理的基本知识、基本概念和基本方法，了解材料物理的固体结构基础理论、基本检测方法及其原理、材料的导电理论、半导体材料的几大物理特性及其应用，以及材料各性能之间的相互制约与变化规律。 二、考试内容： 1．固体结构基础 （1）掌握凝聚态材料基本结构与物理性质。如七大晶系、晶面间距、致密度、面密度等基本晶体结构参数。 （2）掌握金属键、离子键、共价键和极化键的特点，及相关晶体材料的特性，会灵活分析。 （3）掌握晶体、非晶体、准晶体、液晶的结构特征和对称性、力学性质，他们之间的异同点。 （4）掌握从衍射法和图像法分析材料结构特点的方法及原理。 2．材料的导电物理 （1）掌握导电物理涉及到的三种基本理论的演变以及特点和作用。 （2）掌握一些基本导电物理的参数意义，包括载流子的概念、能带理论的概念，会用能带理论来分析典型金属材料的导电行为。 （3）掌握材料物理的一些导电特性的原理及其应用，如P-N结、余辉效应、LED、激光半导体、光伏特性等。 （4）掌握材料之间的接触理论，理解TiO2光分解水的基本原理，以及 N\P型半导体与金属的接触。

（5）掌握超导体的基本历史、概念和特征，如完全导电性、完全抗磁性、三大性能指标等。 3. 电介质物理 （1）掌握电介质物理的基本概念与性质。包括介质的极化、介质的损耗、介电强度等参数的物理概念及其与物质微观结构之间的关系。 （2）掌握介质损耗和频率、温度的关系；掌握介质在电场中的破坏和介电强度的概念，了解击穿的类型（包括热击穿、电击穿、局部放电击穿插）及其理论基础. 三、参考书目 《材料物理》第一、二、五、六章，王国梅等编著，武汉：XX大学出版社，2004。

半导体物理笔记总结 对考研考刘恩科的半导体物理很有用 对考研考刘恩科的半导体物理很有用

半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强

陕西科技大学 考研专业课考试大纲

陕西科技大学考研专业课考试大纲 考试大纲作为考研学子备考复习的方向指南，每年都备受关注，尤其是当年最新考试大纲。建议各位考生朋友，在借助往年考试大纲进行复习时，及时关注最新考试大纲，以便积极应对其中的变化与调整。帮大家整理各高校考研专业课考试大纲，帮助大家更好的复习! 陕西科技大学2016年硕士入学考试考试大纲公布，具体请到陕西科技大学研究生院查看。以下为考试大纲科目，请参考。 轻工与能源学院：《工程热力学》、《化工原理》、《机械设计》、《控制工程基础》、《印刷工程》、《有机化学》、《植物纤维化学》 材料科学与工程学院：《材料科学与工程基础》、《有机与高分子材料》、《金属材料》、《无机非金属材料》、《复合材料》 资源与环境学院：《轻工技术基础理论》、《皮革分析与检测》、《制革工艺学》、《轻工技术基础理论》、《染整化学及工艺学》、《环境化学》、《环境生态学》、《环境工程学》、《环境规划与管理》、《环境监测》、《环境生物学》、《生物化学》、《高等数学》、《纺织材料学》、《纤维化学与物理》、《高分子化学与物理》、《服装材料学》、《美学原理》、《服装服饰产品设计与工艺》、《服装与服饰产品分析检验》、《服装及服饰产品造型设计》、《无机与分析化学》、《无机与分析化学高分子化学》、《化学反应工程》、《物理化学》、《有机化学》(工)、 食品科学与工程学院：811微生物学、812食品工艺学、854食品化学、861生物工艺原理、863食品分析、901药理学、856药物化学、908药剂学、910药物分析学、803生物化学、613天然药物化学 机电工程学院：873《过程设备设计》、337《工业设计工程》、815《机械设计》、820《材料力学》、841《机械制造技术基础》、848《材料成型基础》、864《工程材料》、865《控制工程基础》、866《数控加工与编程技术》、872《工程热力学基础》、877《工业设计基础》、883《产品设计》、893《设施规划与物流分析》、896《仓储管理与库存控制》、960《工业设计综合》、951《化工原理B》 电气与信息工程学院： 化学与化工学院：参考书目：610有机化学(理)、801有机化学(工)、802化工原理、804物理化学、805无机与分析化学、806高分子化学、862化学反应工程 管理学院：《826西方经济学》、《827企业管理》、《830财务管理学》、《832管理学》、《906财务会计学》、《912旅游经济学》、《913技术经济学》、《431金融学综合》、《936 货币银行学》 设计与艺术学院： 思想政治理论课教学科研部： 理学院：801《有机化学(工)》、814《离散数学》、819《电子技术》、821《信号与系统》、826《西方经济学》、902《数据结构》、938《半导体物理》、939《光学》、941《数值计算方法》、942《常微分方程》、943《运筹学》、944《密码学》、945《C++程序设计》、946《普通物理》、947《固体物理学》、948《太阳能技术与储能》、949《材料科学基础》

半导体集成电路课程教学大纲

《太阳能电池及其应用》课程教学大纲 （春季） 课程英文名称：Solar cells and their applications 一、先修课程：半导体物理，微电子器件与IC设计，微电子工艺学 二、适用专业：集成电路工程领域工程硕士 三、课程性质：选修 四、教学目的及要求 本课程讲授太阳能电池的理论基础和设计技术，介绍太阳能电池的制备技术，太阳能电池光伏应用技术，为太阳能电池的设计与开发提供理论指导，为今后从事光伏技术工作打下良好基础。 要求掌握各种太阳能电池的工作原理，太阳能电池光伏应用基础，太阳能电池的设计方法和太阳能电池的关键制备技术，光伏发电系统与设计。主要内容有：太阳能电池概论；硅太阳能电池；薄膜太阳能电池；纳米技术在太阳能电池中的应用；柔性太阳能电池；太阳能电池发展方向；太阳能电池关键技术；透明导电薄膜技术；太阳能电池新技术；太阳能电池设计；太阳能光伏发电系统；太阳能电池应用。 五、教学内容 第一章绪论 §1-1 能源概论 §1-2 太阳能资源分布 §1-3 太阳辐射 §1-4 太阳能利用 第二章太阳能电池概论 §2-1 光电转换 §2-2 太阳能电池性能参数与测试 §2-3 电池效率极限 第三章各种太阳能电池 §3-1 晶体硅电池

§3-2 砷化镓电池 §3-3 CIGS系列太阳能电池 §3-4 有机与燃料敏化电池 §3-5 CdTe电池 §3-6 薄膜技术与薄膜电池 §3-7 其他新型电池 第四章太阳能电池制备技术 §4-1 单晶硅电池制备技术 §4-2 多晶硅电池制备技术 §4-3 其他电池制备技术 第五章太阳能电池应用技术 §5-1 应用概论 §5-2 光伏系统 §5-3 蓄电池 §5-4 逆变器 §5-5 充放电控制 §5-6 发电系统的设计 六、学时分配 七、主要参考书 [1] Practical Handbook of Photovoltaics: Fundamentals and Applications ,Edited by: Tom Markvart and Luis Castaner.

《半导体物理与器件》教学大纲

《半导体物理与器件》教学大纲 课程名称：半导体物理与器件 英文名称：Physics and devices of semiconductor 课程编号：专业任选课30 教科书：《半导体物理》（刘恩科主编国防工业出版社） 面对专业：材料专业四年制本科 主笔人：刘翔 一、学时及学分 总学时：32学时总学分：2学分 二、教学目的及基本要求 了解和掌握半导体材料的一些基本物理性质，重点掌握半导体材料的掺杂行为、导电性、p-n结理论；对于一些常见半导体材料（如Si、Ge、GaAs）的制备及器件制作，可作初步的认识和实践。 三、教学内容及各章节学时分配 第一章半导体中的电子状态4学时 §1.1 半导体的晶格结构和结合性质 §1.2 半导体中的电子状态和能带 §1.3 半导体中电子的运动有效质量 §1.4 本征半导体的导电机构空穴 §1.6 硅和锗的能带结构 §1.7 III-V族化合物半导体的能带结构 第二章半导体中杂质和缺陷能级4学时 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 §2.2 III-V族化合物中的杂质能级 §2.3 缺陷、位错能级 第三章半导体中载流子的统计分布6学时 §3.1 状态密度 §3.2 费米能级和载流子的统计分布 §3.3 本征半导体的载流子浓度 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 §3.6 简并半导体 第四章半导体的导电性6学时 §4.1 载流子的漂移运动迁移率 §4.2 载流子的散射 §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 §4.5 玻耳兹曼方程电导率的统计理论 第五章非平衡载流子6学时 §5.1 非平衡载流子的注入与复合

2019年深圳大学机械设计基础一学考研大纲

一、考试基本要求 本考试大纲适用于报考深圳大学机械工程专业的学术型硕士研究生入学考试。《机械设计基础一》是为招收机械工程专业的学术型硕士生而设置的具有选拔功能的水平考试。它的主要目的是测试考生对《机械原理》、《机械设计》课程各项内容的掌握程度。要求考生熟悉各种常用机构及通用零件的基本概念和基本理论，掌握常用机构及通用零件设计的基本思想和设计方法,具有一定的机械机构分析与综合的能力及机械零部件设计的能力。 二、考试内容和考试要求 （一）、平面机构自由度和速度分析 平面机构的组成原理、结构分类及结构分析；平面机构的运动简图；平面机构自由度的计算；平面机构的速度瞬心及用瞬心法作机构的运动分析。 1、熟练掌握平面机构自由度的计算方法及机构运动简图的画法； 2、掌握平面机构的组成原理、平面机构的结构分类、结构分析及高副低代的方法； 3、熟练掌握平面机构中速度瞬心位置的确定及利用瞬心法对平面机构进行

运动分析。 （二）、平面连杆机构 平面连杆机构的类型、特点及应用；平面连杆机构的基本知识、平面连杆机构的设计。 1、了解各种类型的平面连杆机构的名称及其演化； 2、熟练掌握四杆机构曲柄存在条件、极位夹角、行程速比系数、压力角、传动角、最小传动角、死点等概念； 3、熟练掌握几种特殊的平面连杆机构的设计方法。 （三）、凸轮机构 凸轮机构的类型、特点及应用；从动杆的运动规律；凸轮机构的压力角；图解法设计凸轮的轮廓曲线。 1、了解各种常用的凸轮机构的名称； 2、掌握常用从动杆的运动规律及特点、凸轮机构的基圆、推程、回程、压

力角等基本概念； 3、熟练掌握图解法设计凸轮的轮廓曲线。 （四）、齿轮机构 齿轮机构类型、特点及应用；渐开线齿廓曲线及其啮合特点；渐开线齿轮的基本参数和尺寸；渐开线齿轮的啮合传动。 1、了解齿轮机构的各种类型和特点及渐开线齿廓啮合传动的特点； 2、熟练掌握渐开线标准直齿圆柱齿轮各部分的名称、代号、标准值（α、ha*、c*）及尺寸计算等； 3、熟练掌握一对渐开线齿轮的正确啮合条件、标准齿轮、标准中心距、啮合角、啮合线、重合度等概念。 （五）、轮系 轮系的分类；定轴轮系、周转轮系、混和轮系传动比的计算。 1、熟练掌握轮系类型化分的方法；

哈工大半导体物理考研

第一章半导体中电子的状态 名词解释： 直接带隙半导体 间接带隙半导体 格波 有效质量 空穴 布里渊区 重空穴、轻空穴 k空间等能面 解答题： 用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 名词解释： 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 杂质电离能 解答题： 简述杂质在半导体中的作用。 分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 名词解释： 非简并半导体 简并半导体 本征半导体 状态密度 解答题： 有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性 名词解释： 载流子散射 解答题： 简述半导体中载流子的主要散射机构。 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。 耿氏振荡的机理。 第五章非平衡载流子 名词解释： 准费米能级 少子寿命 小注入条件 高度补偿半导体 直接复合与间接复合 复合中心 陷阱中心 解答题： 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。 连续性方程。 第六章p-n结 名词解释： p-n结 解答题： 画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。 画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。 第七章金属和半导体的接触 名词解释： 半导体功函数 欧姆接触 表面势 解答题： 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基