二,主板地结构图
三主板厂商
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◇（华硕）*
◇（升技）
◇（华擎）*
◇（映泰）
◇（精英）
◇（磐正）*
◇（富士康）
◇（技嘉）*
◇（冠盟）
◇（磐英）
◇（捷波）
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◇（微星）*
◇（昂达）
◇（硕泰克）
◇（七彩虹）*
◇（斯巴达克）*
◇（双敏）
◇（梅捷）
◇（杰微）
◇（精威）
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控制芯片组
.芯片组
芯片组是年推出地新型整合主板芯片组，内置图形存储控制集线器，带有音频解码控制器，',支持有总线速度和内存.
.芯片组
支持、内存及技术，整合了和加速芯片和支持'地音频芯片，还支持额外地接口.外带个接口和声道输出接口.
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地（输入输出控制器中心）为（）,支持硬盘传输技术.在主板插槽上还可以插上一根可以称为“扩展显存”地条，从而提高集成显示芯片地图形处理性能，是推出地首款不带显示功能地芯片组，在功能与地前两款芯片组相同，
.芯片组
主要是面向商业和市场，针对高端用户而设计，其最大特点是支持内存，内存频率高达，带宽可达，支持标准地规范，、.
.芯片组
支持普通地，还支持最大地内存，地南桥支持个版地接口，两个接口，地总线，声道'声卡，
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采用与完全相同地技术架构，惟一不同地是增加了对地支持，支持地，
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真正地支持地系统总线.南桥芯片是，其内部提供了对地支持，最多支持个接口.还集成了以太网网络功能、声道音效等.
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填补了在整合型芯片组上地空白，支持前端总线地，南桥芯片是，
和最大地不同在于不支持外接显卡，另外，也只支持地前端总线，不支持.
是第一款支持地芯片组，支持地，最大地双通道内存提供高达地内存带宽，采用“四倍率传输技术”，可以在一个周期内传输次数据.支持个版地接口、两个接口，声道地'声卡.
最大地特点就是支持地，文档收集自网络，仅用于个人学习
技术规范
支持处理
提供系统前端总线
最新地（超线程技术）
支持
支持最多
支持网络唤醒功能
内建控制芯片
内建以太网络适配器
支持磁盘传输界面
支持个接口文档收集自网络，仅用于个人学习
技术规范
芯片组
支持类型
超线程技术支持
前端总线频率挑错(分)
板载音效声道声卡
网卡芯片
板载无
支持内存类型最大容量
双通道内存支持
内存插槽*
显卡接口标准
硬盘接口标准文档收集自网络，仅用于个人学习
芯片：架构内存硬盘集成声卡集成显卡集成网卡超线程双通道显卡总线磁盘阵列
有无无不支持不支持
有无无不支持不支持
有无无不支持不支持
有有无不支持不支持
有无有支持不支持
有无有支持不支持
有无有支持支持支持
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半导体材料课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称：半导体材料 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业限选 学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。 目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。 （三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》； 本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。 （四）教材：杨树人《半导体材料》 主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》 陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》 二、课程内容与安排 第一章半导体材料概述 第一节半导体材料发展历程 第二节半导体材料分类 第三节半导体材料制备方法综述 第二章硅和锗的制备 第一节硅和锗的物理化学性质 第二节高纯硅的制备 第三节锗的富集与提纯
第三章区熔提纯 第一节分凝现象与分凝系数 第二节区熔原理 第三节锗的区熔提纯 第四章晶体生长 第一节晶体生长理论基础 第二节熔体的晶体生长 第三节硅、锗单晶生长 第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷 第一节硅、锗晶体中杂质的性质 第二节硅、锗晶体的掺杂 第三节硅、锗单晶的位错 第四节硅单晶中的微缺陷 第六章硅外延生长 第一节硅的气相外延生长 第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制 第三节硅的异质外延 第七章化合物半导体的外延生长 第一节气相外延生长（VPE） 第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD） 第三节分子束外延生长（MBE） 第四节其他外延生长技术 第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料 第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用 第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂 第四节 InP、GaP等的制备及应用 第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料 第一节氮化物半导体材料特性及应用 第二节氮化物半导体材料的外延生长 第三节碳化硅材料的特性及应用 第十章其他半导体材料
主要技术性能指标及参数 序号项目名称项目特征描述计量 单位 数量 1 水平输送机1.带宽550，长10m， 2.输送功率4kw，升降，线速度≤s， 3.处理能力：50t/h。 台 1 2 升降输送机1.带宽550，长15m 或18m， 2.输送功率，升降，线速度≤s， 3.处理能力：50-80t/h 台 1 3 卸粮机1.带宽550，8S+4D， 2.输送功率4kw，线速度≤s， 3.处理能力：50-100t/h 台 1 4 电动行走装仓 机 1.带宽550，12+6、含电动行走，新式方向盘， 2.输送，升降3kw，伸缩，行走 台 1 5 探粮器1.主机功率:1800w； 2.电源：220 50hz； 3.不锈钢管直径28mm。。 台 1 6 分样器适用于小麦、玉米、大豆等颗粒粮食样品的等量分样台 1 7 快速水分检测 仪 1.测量范围：3～35%（因样品种类而异） 2.显示分辨率：%， 3.测量精度：水分：干燥法的标准误差为％以下（水 分低于20%的全部样品）， 4.测量品种：小麦、玉米等多个品种； 5.重复性误差：≤±%，重量：内置电子天平， 6.温度：自动温度补偿。 台 1 8 小麦容重器1.容重器大工作称重：1000±2g ; 2.容重器小工作称重：100g ; 3.容重器分辨力：1g ; 4.容重筒容积：1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度＜90%RH ; 台 1
8.测量方式：组合式测量 9 玉米容重器1.容重器大工作称重：1000±2g ; 2.容重器小工作称重：100g ; 3.容重器分辨力：1g ; 4.容重筒容积：1000± ; 5.供电电源:220v; 6.工作条件环境温度5℃-40℃ 7.相对湿度＜90%RH ; 8.测量方式：组合式测量 台 1 10 天平1.称量范围0-200g； 2.读取精度； 3.重复性±； 4.线性误差±； 5.称盘尺寸Ф80mm； 6.输出接口RS232C； 7.外型尺寸34cm××35cm（长*宽*高）； 8.电源AC 110-240V； 台 1 11 害虫显微镜1.产品倍数：40-1600倍； 2.产品材质：全金属材质； 3.产品光源：LED上下电光源； 4.供电方式：电池； 5.产品配置：广角目镜、倍增镜、标本移动卡尺； 6.具有精细调节及微调功能 台 2 12 地磅1.称台规格：宽米、长16米、10mm-12mm(+， 2.称重量：100t； 3.数字高精度30吨桥式传感器； 4.不锈钢外壳数字仪表； 5.不锈钢防浪涌10线接线盒；衡器专用?4#主线；5H 防水外显屏； 6.称重管理软件一套； 7.附件含台式电脑、打印机； 8.含称台基础。 台 1
主要性能指标： 1.数据存储量≥2T 接入设备数≥10000 2.定位精度：＜10米响应时间＜5秒 3.通讯接口：串行232（sps）支持相应的国际标准，具备良好的可扩展性。 4.传输制式：SM900/DCS1800/PCS1900/CDMA800-900 传输速率：125kbps 5.移动通信：GSM 6.两种无线电业务兼容（RDSS和RVSS）系统为用户提供连续定位、无源导航定位，又可 进行无线传输的位置报告。 7.跟踪灵敏度：159dbm 捕获灵敏度：144dbm 产品主要技术性能指标 关键技术： 1.北斗导航，GIS,GSM，GPRS,计算机网络，互联网多网融合。 2.监护人和监控平台人员随时通过系统查询老年人位置信息。 3.云平台技术应用：老年人遇紧急情况时，一键呼叫、四方响应。 4.云管理：监护人千里之外可知家人安康。 5.云数据库：每位老人的基本信息和病情隐患录入服务器存储、每次测的血压、 脉搏及其他病理数据，传送至数据库永久保存，以备做参考依据。 6.系统采用出错冗余技术，保证运行的安全性。 7.北斗/GPS双模兼容信号，互相嵌入，互为增强。 一、产品功能： 1.老人健康指标远程监控，网上医疗诊断功能。 2.遇警一键报警，越界报警，关机报警，一键拨号。 3.全球定位：北斗/GPS双模兼容终端。 4.IC一卡通功能。 5.老人，弱势群体购物通过系统网络平台实现购物，付款配送一条龙服务。 6.社区人员基本信息管理，统计分析功能。 7.实时位置查询功能。 8.实时视频和录像资料自动保存。报表自动导出功能。 9.TTS语音播报，短消息功能。
10.服务对象和用户数据储存和服务功能。①监控中心录有用户的全部基本 信息资料和服务区域活动轨迹。②储存周期根据用户的实际情况和需求 设定。③数据管理功能有：注册，注销，查询，费用计算，历史轨迹， 报表。 技术创新性 1、监控平台相对于服务对象的定位终端采用：北斗/GPS双模兼容自主定位模式和AGPS辅助定位模式。 2、监控平台用于接受服务对象定位终端的信息和要求，同时负责发送指令和提醒信息给定位终端。 3、定位终端采用北斗/GPS卫星定位模块，GSM通信模块。主板和LED显示屏硬件。北斗/GPS卫星定位模块和GSM通信模块分别与通信主板系统相连接，主板系统分别与LED显示屏、报警器连接。 4、定位终端采用内置北斗/GPS芯片，共用天线，独立完成服务对象的定位，并将定位结果发送给信息采集服务器。 5、Web数据服务平台，包括：终端信息采集服务器、SMS服务器、数据储存服务器和数据处理服务器。 6、Web服务器包括用户逻辑模块、管理员逻辑模块和电子地图模块构成，所述的用户逻辑模块和管理员逻辑模块服务Web服务器的功能设计和逻辑跳转，电子地图模块负责查询定位器终端的位置信息，并将该位置信息显示到电子地图上。Web数据服务平台还包括第三方应用接口，第三方应用接口包括电信运营商的小区号Cell-ID服务应用接口和地图服务应用接口。 7、服务对象的定位由以下步骤进行： 1.定位器终端采集到GPS信号和小区号Cell-ID后分别通过GSM通信模块、GPRS网络回传至Web数据服务平台中的移动终端信息采集服务器。 2.移动终端信息采集服务器进行定位器终端鉴权操作后，对定位器终端和AGPS服务器之间的交互数据进行透传，辅助完成定位器终端的定位; 3.AGPS服务器根据定位器终端和AGPS参考站所提供的卫星信号和辅助定位信息，计算出定位器终端的位置； 4.移动终端信息采集服务器将定位结果写入数据库； 5.客户端通过SMS的形式实时获取定位器终端的设备信息和位置信息。 6.如权利要求以上所述的基于北斗/GPS面向特殊人群的安全定位方法，其特征在于：还包括步骤F：当定位器终端越出预置活动区域范围，定位器终端向客户端发送越区报警。
智能辅助驾驶（ADAS）测试能力构建申请 1 背景 JT/T 1094-2016营运客车安全技术条件要求，9米以上营运车应安装车道偏离预警系统和自动紧急制动系统。GB7258-2016送审稿中要求11米以上公路客车和旅游车客车应装备车道保持系统和自动紧急制动系统。为了满足法规需求和智能汽车未来发展趋势，我司汽车电子课也立项进行自动驾驶技术研究（QC201701030006），第一阶段预计17年底开发完成。 智能辅助驾驶是自动驾驶的低级阶段也是必经之路。现阶段，智能辅助驾驶主要包含FCW（前撞预警）、LDW（车道偏离报警）、AEB （自动紧急制动）LKA（车道保持）ACC （自适应巡航）。从功能的实现到批量商用需要经过软件仿真→硬件在环（HiL）→室内试验室→受控场地测试→开放公路测试这一历程。ADAS技术涉及主动安全，目前还不完全成熟，需要大量测试以提高产品精度和可靠性，为了降低委外测试费用，提高我司ADAS配置装车性能，道路试验课申请分阶段构建ADAS测试能力，包含人员培训和设备采购，本次申请主要是测试设备购买。 2 ADAS测试能力构建计划（2017-2020） 智能辅助驾驶测试设备要求精度高，价格昂贵，考虑到成本因素，建议分阶段构建测试能力，构建计划见表1 表1 ADAS能力构建计划 201 7 年 AD AS 测 试能构建计划 设备测试功能仅满足现阶段法规和研发需求，并考虑未来功能拓展性，能力构建见表2。试验用假车和假人采用自制方式，暂不购买；与汽车电子课协商，目前满足2车测试需求即可，暂不购买第三车设备；用于开放道路测试的移动基站暂不购买。 数据采集与分析用笔记本电脑建议单独购买，要求性能稳定，坚固耐用，抗震防水性好。配置要求：15寸屏幕，酷睿i7处理器，128G以上固态硬盘，500G以上机械硬盘。推 荐型号：tkinkpadT570，Dell的Latitude系列。
永磁材料基本知识 2006年08月26日星期六 08:56 1、什么是永磁材料的磁性能，它包括哪些指标？ 永磁材料的主要磁性能指标是：剩磁(Jr, Br)、矫顽力(bHc)、内禀矫顽力(jHc)、磁能积(BH)m。我们通常所说的永磁材料的磁性能，指的就是这四项。永磁材料的其它磁性能指标还有：居里温度(Tc)、可工作温度(Tw)、剩磁及内禀矫顽力的温度系数(Brθ, jHcθ)、回复导磁率(μrec.)、退磁曲线方形度( Hk/ jHc)、高温减磁性能以及磁性能的均一性等。 除磁性能外，永磁材料的物理性能还包括密度、电导率、热导率、热膨胀系数等；机械性能则包括维氏硬度、抗压（拉）强度、冲击韧性等。此外，永磁材料的性能指标中还有重要的一项，就是表面状态及其耐腐蚀性能。 2、什么叫磁场强度(H)？ 1820年，丹麦科学家奥斯特(H. C. Oersted)发现通有电流的导线可以使其附近的磁针发生偏转，从而揭示了电与磁的基本关系，诞生了电磁学。实践表明：通有电流的无限长导线在其周围所产生的磁场强弱与电流的大小成正比，与离开导线的距离成反比。定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线1/2π米远处的磁场强度为1A/m(安/米，国际单位制SI)；在CGS单位制(厘米-克-秒)中，为纪念奥斯特对电磁学的贡献，定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线0.2厘米远处磁场强度为1Oe（奥斯特），1Oe=1/(4π×103) A/m。磁场强度通常用H表示。 3、什么叫磁极化强度(J)，什么叫磁化强度(M)，二者有何区别？ 现代磁学研究表明：一切磁现象都起源于电流。磁性材料也不例外，其铁磁现象是起源于材料内部原子的核外电子运动形成的微电流，亦称分子电流。这些微电流的集合效应使得材料对外呈现各种各样的宏观磁特性。因为每一个微电流都产生磁效应，所以把一个单位微电流称为一个磁偶极子。定义在真空中每单位外磁场对一个磁偶极子产生的最大力矩为磁偶极矩pm，每单位材料体积内磁偶极矩的矢量和为磁极化强度J，其单位为T（特斯拉，在CGS单位制中，J的单位为Gs，1T=10000Gs）。 定义一个磁偶极子的磁矩为pm/μ0，μ0为真空磁导率，每单位材料体积内磁矩的矢量和为磁化强度M，其SI单位为A/m，CGS单位为Gs(高斯)。 M与J的关系为：J=μ0 M，在CGS单位制中，μ0=1，故磁极化强度与磁化强度的值相等；在SI单位制中，μ0=4π×10-7 H/m (亨/米)。 4、什么叫磁感应强度(B)，什么叫磁通密度(B)，B与H，J，M之间存在什么样的关系？ 理论与实践均表明，对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供，亦可由永磁体对永磁介质本身提供，由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场---关于退磁场的概念，见9 Q)，介质内部的磁场强度并不等于H，而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。由于介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的，为与H区别，称之为介质的磁感应强度，记为B： B=μ0 H+J （SI单位制）（1-1） B=H+4πM （CGS单位制） 磁感应强度B的单位为T，CGS单位为Gs（1T=104Gs）。
手把手教你识别显卡主要性能参数 手把手教你识别显卡主要性能参数 初识显卡的玩家朋友估计在选购显卡的时候对显卡的各项性能参数有点摸不着头脑，不知道谁对显卡的性能影响最大、哪些参数并非越大越好以及同是等价位的显卡但在某些单项上A 卡或者是N卡其中的一家要比对手强悍等等。这些问题想必是每个刚刚接触显卡的朋友所最想了解的信息，可以说不少卖场的销售员也正是利用这些用户对显卡基本性能参数的不了解来欺骗和蒙蔽消费者。今天显卡帝就来为入门级的显卡用户来详细解读显卡的主要性能参数的意义。 手把手教你识别显卡主要性能参数 关于显卡的性能参数，有许多硬件检测软件可以对显卡的硬件信息进行详细的检测，比如：Everest，GPU-Z，GPU-Shark等。这里我们以玩家最常用的GPU-Z软件来作为本文解析显卡性能参数的示例软件。
GTX590的GPU-Z截图 首先我们对GPU-Z这款软件的界面进行一个大致分区的解读，从上至下共8个分区，其中每个分区的具体含义是： ①.显卡名称部分： 名称/Name：此处显示的是显卡的名称，也就是显卡型号。 ②.显示芯片型号部分： 核心代号/GPU：此处显示GPU芯片的代号，如上图所示的：GF110、Antilles等。 修订版本/Revision：此处显示GPU芯片的步进制程编号。 制造工艺/Technology：此处显示GPU芯片的制程工艺，如55nm、40nm等。 核心面积/Die Size：此处显示GPU芯片的核心尺寸。 ③.显卡的硬件信息部分： BIOS版本/BIOS Version：此处显示显卡BIOS的版本号。 设备ID/Device ID：此处显示设备的ID码。 制造厂商/Subvendor：此处显示该显卡OEM制造厂商的名称。
各类永磁体综合性能比较 根据各类永磁材料的特点，采用不同生产工艺可以得到不同种类的永磁体。目前常用的永磁体主要有铝镍钴（AlNiCo）、永磁铁氧体、钐钴1:5型（SmCo5）、钐钴2:17型（Sm2Co17）、烧结钕铁硼（NdFeB）、粘结钕铁硼（NdFeB）和橡胶磁等几类。不同类型的永磁体，其磁性能及其它各参数均有所不同。下面将这几类永磁体的特点及性能参数作简单介绍： （1）铝镍钴（AlNiCo） AlNiCo的磁性能属于中等偏低水平，目前生产的AlNiCo的最大磁能积可达到8~103 kJ/m3，即1~13 MGOe。由于其居里温度为Tc=890 ℃，其最高使用温度可高达600 ℃，同时其温度系数很低，为-0.02%/℃。铝镍钴磁体具有较好的抗氧化和腐蚀性能。AlNiCo的可加工性是永磁材料中的佼佼者，因为永磁铁氧体和稀土永磁的硬度和脆性远比AlNiCo大。以HPMG的AlNiCo产品为例，其几何尺寸的可加工精度可达0.02mm，最小的Alnico 元件为Φ2mm×2mm 和Φ5mm×Φ2mm×8mm，这对烧结SmCo、NdFeB 和铁氧体永磁来说是难以实现的。此外在一些场合采用Alnico 制成小型化和微型化的复杂形状的永磁元件，其成本几乎是最低的。由于Alnico 优良的机械性能，所以它可以作为复杂磁路的结构零件，而稀土永磁和铁氧体永磁一般只能作为功能材料使用。此外，Alnico 还可以直接与塑料、尼龙及粉末冶金零件等实现一体化高温(600℃)加工与组合，显示了Alnico良好的可加工性。由于AlNiCo中含有战略金属Ni和Co，使其价格要高于铁氧体，处于中等水平。AlNiCo磁体的缺点是矫顽力非常低（通常小于160kA/m），因此铝镍钴磁铁虽然容易被磁化，同样也容易退磁。 （2）永磁铁氧体 永磁铁氧体的综合磁性能较低，其最大磁能积约为0.8~5.2 MGOe。但其具有原材料丰富，平均售价低，性价比高，抗退磁性能优良，不存在氧化问题等优点。永磁铁氧体局里温度约为450 ℃，其最高使用温度为300 ℃。由于其脆性比较大，使得其机械加工性能一般。 （3）钐钴1:5型（SmCo5）和钐钴2:17型（Sm2Co17） 钐钴磁体的磁性能属于中等偏上水平，其中1:5型磁体磁性能要低于2:17型磁体。目前生产的两种磁体的磁能积分别为15~24 MGOe和22~32 MGOe。二者居里温度分别为740 ℃和926 ℃，最高使用温度分别为250 ℃和550 ℃，2:17型磁体要远高于1:5型磁体。近年来钐钴磁体发展的主要是2:17型磁体，由于其居里温度高，矫顽力温度系数小，因此在高温环境能够保持足够高的定磁性能，是高温应用的最佳选择。钐钴磁体具有很强的抗氧化和腐蚀性，因此不需要镀层
半导体材料 应用物理1001 20102444 周辉 半导体材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度 范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。由化合物构成的半导 体材料，通常是指无机化合物半导体材料。比起元素半导体材料来它的品种更多， 应用面更广。 半导体材料结构特征主要表现在化学键上。因为化合物至少由两个元素构 成，由于它们彼此间的原子结构不同，价电子必然向其中一种元素靠近，而远离 另一种元素，这样在共价键中就有了离子性。这种离子性会影响到材料的熔点、 带隙宽度、迁移率、晶体结构等。 化合物半导体的组成规律一般服从元素周期表排列的法则。对已知的化合物 半导体材料，其组成元素在同一族内垂直变换，其结果是随着元素的金属性增大 而其带隙变小，直到成为导体。反之，随着非金属性增加而其带隙变大，直至成 为绝缘体。 类别按其构成元素的数目可分为二元、三元、四元化合物半导体材料。它 们本身还可按组成元素在元素周期表中的位置分为各族化合物，如Ⅲ—V族，I —Ⅲ—Ⅵ族等。下面介绍二元化合物，其中主要的类别为Ⅲ—v族化合物半导体 材料，Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，Ⅳ—Ⅳ族化合物半导体材料。 Ⅳ—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有格式，GeSe，GeTe， SnO ，SnS，SnSe，SnTe，Pb0，PbS，PbSe，PbTe，其中PbO，PbS，PbSe，PbTe 2 已获重要用途。
V—Ⅵ族化合物半导体材料。已发现具有半导体性质的有Bi 2O 3 ，Bi 2 S 3 ，Bi 2 Se 3 ， Bi 2Te 3 ，Sb 2 O 3 ，Sb 2 S 3 ，Sb 2 Te 3 、As 2 O 3 ，As 2 S 3 ，其中Bi 2 Te 3 ，Bi 2 Se 3 等已获实际应用。 I—Ⅵ族化合物具有半导体性质的有Cu 2 O，Cu 2 S，Ag 2 S，Ag 2 Se，Ag 2 Te等，其 中Cu 20，Cu 2 S已获应用。 三元化合物种类较多，如I—Ⅲ—Ⅵ、I—v—Ⅵ、Ⅱ—Ⅲ—Ⅵ、Ⅱ—Ⅳ—V 族等。多数具有闪锌矿、纤锌矿或黄铜矿型晶体结构，黄铜矿型结构的三元化合 物多数具有直接禁带。比较重要的三元化合物半导体有CuInSe 2，AgGaSe 2 ， CuGaSe 2，ZnSiP 2 ，CdSiP 2 ，ZnGeP 2 ，CdGaS 4 ，CdlnS 4 ，ZnlnS 4 和磁性半导体。后者 的结构为AB 2X 4 (A—Mn，Co，Fe，Ni；B—Ga，In；X—S，Se)。 四元化合物研究甚少，已知有Cu 2FeSnS 4 ，Cu 2 FeSnSe 4 ，Cu 2 FeGeS 4 等。 应用化合物及其固溶体的品种繁多，性能各异，给应用扩大了选择。在光电子方面，所有的发光二极管、激光二极管都是用化合物半导体制成的，已获工业应用的有GaAs，GaP，GaAlAs，GaAsP，InGaAsP等。用作光敏元件、光探测器、光调制器的有InAsP，CdS，CdSe，CdTe，GaAs等。一些宽禁带半导体(SiC，ZnSe等)、三元化合物具有光电子应用的潜力。GaAs是制作超高速集成电路的最主要的材料。微波器件的制作是使用GaAs，InP，GaAlAs等；红外器件则用GaAs，GaAlAs，CdTe，HgCdTe，PbSnTe等。太阳电池是使用CdS，CdTe，CulnSe2，GaAs，GaAlAs等。最早的实用“半导体”是「电晶体/ 二极体」。 一、在无线电收音机及电视机中，作为“讯号放大器用。 二、近来发展「太阳能」，也用在「光电池」中。 三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。 其中在半导体材料中硅材料应用最广,所以一般都用硅材料来集成电路,因为硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于
永磁材料基本性能解析 1、什么是永磁材料的磁性能，它包括哪些指标？ 永磁材料的主要磁性能指标是：剩磁(Jr, Br)、矫顽力(bHc)、内禀矫顽力(jHc)、磁能积(BH)m。我们通常所说的永磁材料的磁性能，指的就是这四项。永磁材料的其它磁性能指标还有：居里温度(Tc)、可工作温度(Tw)、剩磁及内禀矫顽力的温度系数(Brθ, jHcθ)、回复导磁率(μrec.)、退磁曲线方形度( Hk/ jHc)、高温减磁性能以及磁性能的均一性等。 除磁性能外，永磁材料的物理性能还包括密度、电导率、热导率、热膨胀系数等；机械性能则包括维氏硬度、抗压（拉）强度、冲击韧性等。此外，永磁材料的性能指标中还有重要的一项，就是表面状态及其耐腐蚀性能。 2、什么叫磁场强度(H)？ 1820年，丹麦科学家奥斯特(H. C. Oersted)发现通有电流的导线可以使其附近的磁针发生偏转，从而揭示了电与磁的基本关系，诞生了电磁学。实践表明：通有电流的无限长导线在其周围所产生的磁场强弱与电流的大小成正比，与离开导线的距离成反比。定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线1/2π米远处的磁场强度为1A/m(安/米，国际单位制SI)；在CGS单位制(厘米-克-秒)中，为纪念奥斯特对电磁学的贡献，定义载有1安培电流的无限长导线在距离导线0.2厘米远处磁场强度为1Oe（奥斯特），1Oe=1/(4π×103) A/m。磁场强度通常用H表示。 3、什么叫磁极化强度(J)，什么叫磁化强度(M)，二者有何区别？ 现代磁学研究表明：一切磁现象都起源于电流。磁性材料也不例外，其铁磁现象是起源于材料内部原子的核外电子运动形成的微电流，亦称分子电流。这些微电流的集合效应使得材料对外呈现各种各样的宏观磁特性。因为每一个微电流都产生磁效应，所以把一个单位微电流称为一个磁偶极子。定义在真空中每单位外磁场对一个磁偶极子产生的最大力矩为磁偶极矩pm，每单位材料体积内磁偶极矩的矢量和为磁极化强度J，其单位为T（特斯拉，在CGS单位制中，J的单位为Gs，1T=10000Gs）。 定义一个磁偶极子的磁矩为pm/μ0，μ0为真空磁导率，每单位材料体积内磁矩的矢量和为磁化强度M，其SI单位为A/m，CGS单位为Gs(高斯)。 M与J的关系为：J=μ0 M，在CGS单位制中，μ0=1，故磁极化强度与磁化强度的值相等；在SI单位制中，μ0=4π×10-7 H/m (亨/米)。 4、什么叫磁感应强度(B)，什么叫磁通密度(B)，B与H，J，M之间存在什么样的关系？ 理论与实践均表明，对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供，亦可由永磁体对永磁介质本身提供，由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场---关于退磁场的概念，见9 Q)，介质内部的磁场强度并不等于H，而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。由于介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的，为与H区别，称之为介质的磁感应强度，记为B： B=μ0 H+J （SI单位制）（1-1） B=H+4πM （CGS单位制） 磁感应强度B的单位为T，CGS单位为Gs（1T=104Gs）。 对于非铁磁性介质如空气、水、铜、铝等，其磁极化强度J、磁化强度M几乎等于0，故在这些介质中磁场强度H与磁感应强度B相等。
判断显卡性能的主要参数有哪些？ 2008-09-09 18:04:17| 分类：科技博览|字号订阅 显示芯片 显示芯片，又称图型处理器- GPU，它在显卡中的作用，就如同CPU在电脑中的作用一样。更直接的比喻就是大脑在人身体里的作用。 先简要介绍一下常见的生产显示芯片的厂商：Intel、ATI、nVidia、VIA（S3）、SIS、Matrox、3D Labs。 Intel、VIA（S3）、SIS 主要生产集成芯片； ATI、nVidia 以独立芯片为主，是目前市场上的主流，但由于ATi现在已经被AMD收购，以后是否会继续出独立显示芯片很难说了； Matrox、3D Labs 则主要面向专业图形市场。 由于ATI和nVidia基本占据了主流显卡市场，下面主要将主要针对这两家公司的产品做介绍。 型号 ATi公司的主要品牌Radeon(镭) 系列，其型号由早其的Radeon Xpress 200 到Radeon (X300、X550、X600、X700、X800、X850) 到近期的 Radeon (X1300、X1600、X1800、X1900、X1950) 性能依次由低到高。 nVIDIA公司的主要品牌GeForce 系列，其型号由早其的GeForce 256、GeForce2 (100/200/400)、GeForce3(200/500)、GeForce4 (420/440/460/4000/4200/4400/4600/4800) 到GeForce FX(5200/5500/5600/5700/5800/5900/5950)、GeForce (6100/6150/6200/6400/6500/6600/6800/) 再到近其的GeForce (7300/7600/7800/7900/7950) 性能依次由低到高。 版本级别 除了上述标准版本之外，还有些特殊版，特殊版一般会在标准版的型号后面加个后缀，常见的有： ATi: SE (Simplify Edition 简化版) 通常只有64bit内存界面,或者是像素流水线数量减少。 Pro (Professional Edition 专业版) 高频版，一般比标版在管线数量/顶点数量还有频率这些方面都要稍微高一点。 XT (eXTreme 高端版) 是ATi系列中高端的，而nVIDIA用作低端型号。 XT PE (eXTreme Premium Edition XT白金版) 高端的型号。 XL (eXtreme Limited 高端系列中的较低端型号)ATI最新推出的R430中的高频版 XTX (XT eXtreme 高端版) X1000系列发布之后的新的命名规则。 CE (Crossfire Edition 交叉火力版) 交叉火力。 VIVO (VIDEO IN and VIDEO OUT) 指显卡同时具备视频输入与视频捕捉两大功能。 HM (Hyper Memory)可以占用内存的显卡
能积和矫顽力，可吸起相当于自身重量的640倍的重物。高能量密度的优点使钕铁硼永磁材料在现代工业和电子技术中获得了广泛应用，从而使仪器仪表、电声电机、磁选磁化等设备的小型化、轻量化、薄型化成为可能。 钕铁硼的优点是性能价格比高，具良好的机械特性，易于切削加工；不足之处在于居里温度点低，温度特性差，且易于粉化腐蚀，必须通过调整其化学成分和采取表面处理方法使之得以改进，从而达到实际应用的要求。 钕铁硼的制造采用粉末冶金工艺，将含有一定配比的原材料如：钕、镝、铁、钴、铌、镨、铝、硼铁等通过中频感应熔炼炉冶炼成合金钢锭，然后破碎制成3～5μm 的粉料，并在磁场中压制成型，成型后的生坯在真空烧结炉中烧结致密并回火时效，这样就得到了具有一定磁性能的永磁体毛坯。毛坯经过磨削、钻孔、切片等加工工序后，再经表面处理就得到了用户所需的钕铁硼成品。 表征磁性材料参数分别是： 1、磁能积（BH）： 定义：在永磁体的退磁曲线的任意点上磁通密度(B)与对应的磁场强度(H)的乘积。它是表征永 磁材料单位体积对外产生的磁场中总储存能量的一个参数。 单位：兆高·奥（MGOe）或焦/米3（J/m3） 简要说明：退磁曲线上任何一点的B和H的乘积即BH我们称为磁能积，而B×H的最大值称之为最大磁能积，为退磁曲线上的D点。磁能积是衡量磁体所储存能量大小的重要参数之一。在磁体使用时对应于一定能量的磁体，要求磁体的体积尽可能小。 2、剩磁Br： 定义：将铁磁性材料磁化后去除磁场，被磁化的铁磁体上所剩余的磁化强度。 3、矫顽力（Hcb、Hcj） Hcj（内禀矫顽力）使磁体的磁化强度降为零所需施加的反向磁场强度，我们称之为内禀矫顽力。内禀矫顽力是衡量磁体抗退磁能力的一个物理量，是表示材料中的磁化强度M退到零的矫顽力。在磁体使用中，磁体矫顽力越高，温度稳定性越好。 Hcb(磁感矫顽力)给磁性材料加反向磁场时，使磁感应强度降为零所需反向磁场强度的值称之为磁感矫顽力（Hcb）。但此时磁体的磁化强度并不为零，只是所加的反向磁场与磁体的磁化强度作用相互抵消。（对外磁感应强度表现为零）此时若撤消外磁场，磁体仍具有一定的磁性能。 4、温度系数 剩磁可逆温度系数αBr：当工作环境温度自室温T0升至温度T1时，钕铁硼的剩磁Br也从B0降至B1；当环境温度恢复至室温时，Br并不能恢复到B0，而只能到B0'。此后当环境温度在
传感器的主要参数特性 传感器的种类繁多，测量参数、用途各异．共性能参数也各不相同。一般产品给出的性能参数主要是静态特性利动态特性。所谓静态特性，是指被测量不随时间变化或变化缓慢情况下，传感器输出值与输入值之间的犬系．一般用数学表达式、特性曲线或表格来表示。动态特性足反映传感器随时间变化的响应特性。红外碳硫仪动恋特性好的传感器，其输出量随时间变化的曲线与被测量随时间变化的曲线相近。一般产品只给出响应时间。 传感器的主要特性参数有： (1)测量范围(量程) 量程是指在正常工种：条件下传感器能够测星的被测量的总范同，通常为上限值与F 限位之差。如某温度传感器的测员范围为零下５０度到+３００度之间。则该传感器的量程为350摄氏度。 (2)灵敏度 传感器的灵敏度是指佑感器在稳态时输出量的变化量与输入量的变化量的比值。通常／d久表示。对于线性传感器，传感器的校准且线的斜率就是只敏度，是一个常量。而非线性传感器的灵敏度则随输入星的不同而变化，在实际应用巾．非线性传感器的灵敏度都是指输入量在一定范围内的近似值。传感器的足敏度越高．俏号处理就越简单。 (3)线性度(非线性误差) 在稳态条件下，传感器的实际输入、输出持件曲线勺理想直线之日的不吻合程度，称为线性度或非线性误差，通常用实际特性曲线与邵想直线之司的最大偏关凸h m2与满量程输出仪2M之比的百分数来表示。该系统的线性度X为 (４)不重复性 z；重复性是指在相同条件下。传感器的输人员技同——方向作全量程多次重复测量，输出曲线的不一致程度。通常用红外碳硫仪3次测量输11j的线之间的最大偏差丛m x与满量程输出值ym之比的百分数表示，1、2、3分别表示3次所得到的输出曲线．它是传感器总误差中的——项。 (5)滞后(迟滞误差) 迟滞现象是传感器正向特性曲线(输入量增大)和反向特性曲线(输入量减小)的不重合程度，通常用yH表示。
永磁体基本性能参数 永磁材料：永磁材料被外加磁场磁化后磁性不消失，可对外部空间提供稳定磁场。钕铁硼永磁体常用的衡量指标有以下四种： 剩磁（Br）单位为特斯拉（T）和高斯（Gs）1Gs=0.0001T将一个磁体在闭路环境下被外磁场充磁到技术饱和后撤消外磁场，此时磁体表现的磁感应强度我们称之为剩磁。它表示磁体所能提供的最大的磁通值。从退磁曲线上可见，它对应于气隙为零时的情况，故在实际磁路中磁体的磁感应强度都小于剩磁。钕铁硼是现今发现的Br最高的实用永磁材料。磁感矫顽力（Hcb）单位是安/米（A/m）和奥斯特（Oe）或1Oe≈79.6A/m处于技术饱和磁化后的磁体在被反向充磁时，使磁感应强度降为零所需反向磁场强度的值称之为磁感矫顽力（Hcb）。但此时磁体的磁化强度并不为零，只是所加的反向磁场与磁体的磁化强度作用相互抵消。（对外磁感应强度表现为零）此时若撤消外磁场，磁体仍具有一定的磁性能。钕铁硼的矫顽力一般是11000Oe以上。 内禀矫顽力（Hcj）单位是安/米（A/m）和奥斯特（Oe）1Oe ≈79.6A/m使磁体的磁化强度降为零所需施加的反向磁场强度，我们称之为内禀矫顽力。内禀矫顽力是衡量磁体抗退磁能力的一个物理量，如果外加的磁场等于磁体的内禀矫顽力，磁体的磁性将会基本消除。钕铁硼的Hcj会随着温度的
升高而降低所以需要工作在高温环境下时应该选择高Hcj的牌号。 磁能积(BH)单位为焦/米3（J/m3）或高?奥（GOe）1MGOe ≈7.96k J/m3 退磁曲线上任何一点的B和H的乘积既BH我们称为磁能积,而B×H的最大值称之为最大磁能积(BH)max。磁能积是恒量磁体所储存能量大小的重要参数之一，(BH)max越大说明磁体蕴含的磁能量越大。设计磁路时要尽可能使磁体的工作点处在最大磁能积所对应的B和H附近。 各向同性磁体：任何方向磁性能都相同的磁体。 各向异性磁体：不同方向上磁性能会有不同；且存在一个方向，在该方向取向时所得磁性能最高的磁体。烧结钕铁硼永磁体是各向异性磁体。 取向方向：各向异性的磁体能获得最佳磁性能的方向称为磁体的取向方向。也称作“取向轴”，“易磁化轴”。 磁场强度：指空间某处磁场的大小，用H表示，它的单位是安/米（A/m），也有用奥斯特（Oe）作单位的。 磁感应强度：磁感应强度B的定义是：B=μ0(H+M)，其中H 和M分别是磁化强度和磁场强度，而μ0是真空导磁率。磁感应强度又称为磁通密度，即单位面积内的磁通量。单位是特斯拉（T）。磁化强度：指材料内部单位体积的磁矩矢量和，用M表示，单位是安/米（A/m）。它与磁感应强度和
半导体材料有哪些 半导体材料有哪些 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 延伸 半导体材料是什么？ 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。 半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿（ZnS）的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物，例如方铅矿
新型半导体材料GaN GaN的发展背景 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 在宽禁带半导体材料中，氮化镓由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰，发展较为缓慢，但进入90年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展，GaN半导体及器件的发展十分迅速，目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN的特性 具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN 具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。在室温下，GaN 不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n 型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。 很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn=1500cm2/v·s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在
玻璃产品的技术性能参数及设计 玻璃抗风压及地震力设计（引自《玻璃幕墙工程技术规范》JGJ102-2003） <一> 有框玻璃幕墙玻璃设计 a) 有框玻璃幕墙单片玻璃的厚度不应小于6mm ，夹层玻璃的单片厚度不宜小于5mm ；夹层玻璃和中空玻璃的单片 玻璃厚度相差不宜大于3mm 。 b) 单片玻璃在垂直于玻璃幕墙平面的风荷载和地震力作用下，玻璃截面最大应力应符合下列规定： i. 最大应力标准值可按照下列公式计算： 1. ησ22 6t a mw k wk = 2. ησ2 26t a mq EK EK = 3. 44Et a w k =θ或4 4 )6.0(Et a q w EK k +=θ
表2：折减系数η c) 单片玻璃的刚度和跨中挠度应符合以下规定： 1. 单片玻璃的刚度D ，按照：) 1(122 3 v Et D -=计算。 2. 玻璃跨中挠度u 可按照下式计算： ημD a w u k 4 = 其中： 四边支撑板的挠度系数：u 3. 在风荷载标准值作用下，四边支撑玻璃的最大挠度u 不宜大于其短边尺寸的1/60 d ） 夹层玻璃可按照下列规定进行计算： 1. 作用于夹层玻璃上的风荷载和地震作用可按下列公式分配到两片玻璃上：
3 2 3 13 1 1t t t w w k k +=（1） 3 2 3 13 2 2t t t w w k k +=（2） 3 2 3 13 1 1t t t q q Ek EK +=（3） 3 2 3 13 2 2t t t q q Ek EK +=（4） 2. 两片玻璃可各自按照第1，2条的规定分别进行单片玻璃的应力计算； 3. 夹层玻璃的挠度可按照第1，3条的规定进行计算，但在计算刚度D 时，应采用等效厚 度t e t e 可按照下式计算： 3 2313 t t t e +=（5） 其中：t 1,t 2分别为各单片玻璃的厚度（mm ） e) 中空玻璃可按照下列规定进行计算 1． 作用于中空玻璃上的风荷载标准值可按下列公式分配到两片玻璃上： i. 直接承受风荷载作用的单片玻璃： 32 313 111.1t t t W W k k +=（1.5-1） ii. 不直接承受风荷载作用的单片玻璃： 32 3132 2 1.1t t t W W k k +=（1.5-2） 2. 作用于中空玻璃上的地震作用标准值，可根据各单片玻璃的自重计算。 3. 两片玻璃可分别按照本规定的第1，2条计算各单片玻璃的应力。 4.中空玻璃的挠度可按照本规定进行计算，但计算刚度D 时，应采用等效厚度t e ， t e 可按照下式计算： 3 2 31395.0t t t e +=（1.5-3） 其中t 1,t 2分别为各单片玻璃的厚度（mm ） <二> 玻璃幕墙玻璃的设计 a ） 一般规定 1. 玻璃高度大于下表限制的全玻幕墙，应悬挂在主体结构上。