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微电子工艺学课件_4

微电子工艺习题总结

微电子工艺习题总结

第一章 1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片,什么是衬底,什么是芯片 答:硅片是指由单晶硅切成的薄片;芯片也称为管芯(单数和复数芯片或集成电路);硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势,简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越紧密,芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性:芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性,不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本:半导体微芯片的价格一直持续下降。

3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸,这种尺寸为何重要 答:芯片的关键尺寸(CD)是指硅片上的最小特征尺寸; 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准,也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力,那你就能加工其他所有特征尺寸,由于这些尺寸更大,因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答:按比例缩小:芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性:为了优电学性能,多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律,它预测了什么 答:摩尔定律:当价格不变时,集成电路上可容

微电子制造工艺课程教学大纲

《微电子制造工艺》课程教学大纲 一、课程说明 (一)课程名称、所属专业、课程性质、学分; 课程名称:微电子制造工艺 所属专业:微电子科学与工程 课程性质:专业必修课 学分: 4 (二)课程简介、目标与任务; 本课程作为微电子科学与工程专业的专业必修课,是半导体制造工艺的基础。主要介绍半导体制造相关的全部基础技术信息,以及制造厂中的每一道制造工艺,包括硅片氧化,淀积,金属化,光刻,刻蚀,离子注入和化学机械平坦化等内容。 该课程的目的使学生了解产业变化历史中的所有工艺和设备,以及每道具体工艺的技术发展的现状及发展趋势。 (三)先修课程要求,与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接; 上本课程之前或者同时应了解半导体物理的相关知识,以便为本课程打下基础;同时本课程又是集成电路分析与设计,以及微电子制造工艺专业实验及实习的基础。 (四)教材与主要参考书。 本课程所使用的教材是《半导体制造技术》,Michael Quirk, Julian Serda著,韩郑生等译,电子工业出版社。 主要参考书: 《半导体器件物理与工艺》施敏苏州大学出版社 《硅集成电路工艺基础》陈力俊复旦大学出版社 《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社 《半导体器件基础》电子工业出版社 《硅集成电路工艺基础》北京大学出版社 二、课程内容与安排 第一章半导体产业介绍(3学时) 第二章半导体材料特性(3学时)

第三章器件技术(3学时) 第四章硅和硅片制备(5学时) 第五章半导体制造中的化学品(3学时) 第六章硅片制造中的玷污控制(3学时) 第七章测量学和缺陷检查(3学时) 第八章工艺腔内的气体控制(3学时) 第九章集成电路制造工艺概况(5学时) 第十章氧化(6学时) 第十一章淀积(5学时) 第十二章金属化(5学时) 第十三章光刻:气相成底膜到软烘(4学时) 第十四章光刻:对准和曝光(4学时) 第十五章光刻:光刻胶显影和先进的光科技术(4学时) 第十六章刻蚀(5学时) 第十七章离子注入(4学时) 第十八章化学机械平坦化(4学时) (一)教学方法与学时分配 采用多媒体课件与板书相结合的课堂教学方法,基于学生便于理解接受的原 则,对不同讲授内容给予不同方式的侧重。学时分配详见课程内容与安排。 (二)内容及基本要求 主要内容:本章属于引言章节,主要介绍半导体产业的历史,现状及发展趋势。要求掌握和了解集成电路制造以及半导体发展的趋势。 【重点掌握】:硅和硅片制备,氧化,淀积,光刻技术 【掌握】:芯片制备过程中的清洗,金属化,刻蚀,离子注入,化学机械平坦化 【了解】:器件技术,半导体制造中的化学品及玷污 【一般了解】:测量学和缺陷检查,工艺腔内的气体控制 【难点】:光刻过程及离子注入 (重点掌握、掌握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的具体要求适当减少,但不得少于两个层次) 制定人:陶春兰 审定人: 批准人: 日期:

微电子工艺习题总结

1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片,什么是衬底,什么是芯片 答:硅片是指由单晶硅切成的薄片;芯片也称为管芯(单数和复数芯片或集成电路);硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势,简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越紧密,芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性:芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性,不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本:半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸,这种尺寸为何重要 答:芯片的关键尺寸(CD)是指硅片上的最小特征尺寸; 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准,也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力,那你就能加工其他所有特征尺寸,由于这些尺寸更大,因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答:按比例缩小:芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性:为了优电学性能,多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律,它预测了什么 答:摩尔定律:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数,月每隔18个月便会增加1倍,性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答:优点:具有比硅更高的电子迁移率;减小寄生电容和信号损耗的特性;集成电路的速度比硅电路更快;材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答:主要缺点:缺乏天然氧化物;材料的脆性;成本比硅高10倍;有剧毒性在设备,工艺和废物清除设施中特别控制。

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