《电子技术基础》题库
适用班级：2012级电钳 3、4、5、6班
备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：
第一章半导体二极管
○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；
○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约，锗二极管导通时的管压降约。Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电
压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路
○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 .
Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。
○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。
★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。
★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；
★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
第三章集成运算放大器及其应用
○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.
Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
Δ30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区。
○31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈。
Δ32、稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。
★33、共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。
★34、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。
Δ35. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；★36. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用；
★37. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；
★38. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。
★39. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。
第五章直流稳压电源
○40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。
○ 41、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。
★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。
Δ43、在稳压管稳压电路中，利用稳压管的反向击穿特性，实现稳压；
★ 44、整流二级管和整流堆统称为整流器件。
第六章晶闸管及应用电路
○45、晶闸管是一种电力半导体器件。
Δ46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。
★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力差。
第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。
○49、门电路又称为逻辑门电路。
Δ50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。
二、选择题
第一章半导体二极管
Δ1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管(C)
A、立即导通
B、到才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
Δ2、把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（A）
A、基本正常
B、将被击穿
C、将被烧坏
Δ3、当硅二极管加上正向电压时，该二极管相当于（B）
A.很小的电阻
B.很大的电阻
C.断路
★4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（C）
A、约等于150V
B、略大于150V
C、等于75V
Δ5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（B）
A、增大
B、减小
C、不变
Δ6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用欧姆挡拨到（C）
A、R×100
B、R×1k
C、R×1
★7、用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管（C）说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零
B、正、反向电阻都为无穷大
C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
Δ8、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用（C）
A、R×1Ω挡
B、R×1kΩ挡
C、R×10挡
★9、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（A）A、变大 B、变小 C、不变化
Δ10、变容二极管工作时，应加（A）
A、反向电压
B、正向电压
C、反向电压或正向电压
○11、发光二级管工作时，应加（A）
A、正向电压
B、反向电压
C、正向电压或反向电压
★12、变容二极管常用在（A）电路中。
A、高频
B、低频
C、直流
★13、交通信号灯采用的是（A）管
A、发光二极管
B、光电二极管
C、变容二极管
第二章半导体三极管及其放大电路
Δ14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（C ）。
A、（
B、
C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）
★15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
○16、差分放大电路是为了（C ）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
Δ17、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负
反馈
★18、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
○19、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )
A 大
B 小 C相等
Δ20、在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是( B ) A共基放大电路 B共集放大电路 C共射放大电路
○21、在（A）、（B）、（C）三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是( )
A共基放大电路 B共集放大电路 C共射放大电路
★22、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（B ）。
A、有微弱电流
B、无电流
C、有瞬间微弱电流
○23、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（B ）。
A、增加
B、下降
C、不变
○24、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（Ａ）。
Ａ、强Ｂ、弱Ｃ、一般
第三章集成运算放大器及其应用
★25、射极跟随器具有（Ｃ）特点。
A、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低
Δ26、引入并联负反馈，可使（Ｃ）。
Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环内输入电阻增加Ｃ、反馈环内输入电阻减小
★27、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（Ａ）。
Ａ、好Ｂ、差Ｃ、相同
★28、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C ）。
A、引入正反馈
B、|AF|≥1
C、AF=1
○29、稳压二极管是利用PN结的（ C ）。
A 单向导电性 B. 反偏截止特性
C反向击穿特性
○30、只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 B 。
Ae极 Bb极 Cc极
第五章直流稳压电源
★31、共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 A 。
A输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。
B输入和输出均具近似的恒流特性。
C输入和输出均具有近似的恒压特性。
第六章晶闸管及应用电路
★32、放大电路中有反馈的含义是 B 。
A、输出与输入之间有信号通路
B、电路中存在反向传输的信号通路
C、除放大电路以外还有信号通道
○33、根据反馈的极性，反馈可分为 C 反馈
A直流和交流 B电压和电流 C正反馈和负反馈○34、根据反馈信号的频率，反馈可分为 A 反馈
A直流和交流 B电压和电流 C正反馈和负反馈○35、根据取样方式，反馈可分为 B 反馈
A直流和交流 B电压和电流 C正和负
○36、根据比较的方式，反馈可分为 C 反馈
A直流和交流 B电压和电流 C 串联和并联Δ37、负反馈多用于 A 。
A改善放大器的性能 B产生振荡 C提高输出电压Δ38、正反馈多用于 B 。
A改善放大器的性能 B产生振荡 C提高输出电压Δ39、交流负反馈是指 B 。
A只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B交流通路中的负反馈
C变压器耦合电路中的负反馈
Δ40、若反馈信号正比于输出电压，该反馈为 C 反馈。
A串联 B电流 C电压 D 并联
○41、若反馈信号正比于输出电流，该反馈为 B 反馈
A串联 B电流 C电压
○42、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A 反馈。
A串联 B电流 C电压
○43、当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为 C 反馈。
A串联 B电流 C并联
★44、电压负反馈可以 A 。
A稳定输出电压 B稳定输出电流 C增大输出功率
Δ45、串联负反馈 A 。
A 提高电路的输入电阻
B 降低电路的输入电阻
C 提高电路的输出电压
★46、电压并联负反馈 B 。
A 提高电路的输入电阻
B 降低电路的输入电阻
C 提高电路的输出电压
Δ47 、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为 B 反馈系数。
A电流 B互阻 C互导
★48、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指 C 。
A输入信号所包含的干扰和噪声
B反馈环外的干扰和噪声
C反馈环内的干扰和噪声
Δ49、负反馈放大电路是以降低电路的 C 来提高电路的其它性能指标。
A通频带宽 B稳定性 C增益
○50、 PN结的最大特点是具有（C）。
A导电性 B.绝缘性 C.单向导电性
三、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
第一章半导体二极管
Δ1、半导体随温度的升高，电阻会增大（×）Δ2、PN结正向偏转时电阻小，反向偏置时电阻大。（×）○3、二极管是线性元件。
（×）
★4、一般来说，硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。
（×）
○5、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为左右。
（×）
○6、二极管具有单向导电性。
（√）
○7、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（×）
★8、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（√）
Δ9、二极管加正向电压时一定导通。
（×）
Δ10、二极管加反向电压时一定截止。
（×）
★11、有两个电极的元件都叫二极管。
（×）
○12、二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（√）
第二章集成运算放大器及其应用
Δ13、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）
★14、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）
Δ15、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）★16、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）★17、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出毫无变化；（×）
★18、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（×）
第三章集成运算放大器及其应用
Δ19、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（√）
★20、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（×）○21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√）
○22、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（√）
○23、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（√）
★24、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（×）
第五章直流稳压电源
Δ25、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（×）
○26、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变化电路。（×）。
○27、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（√）。
★28、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
（√）。
★29、若V2变压器副边电压的有效值，则半波整流有电容滤波电路和全波整流滤波电路在空载输出电压均为
2V。
2
（√）。
★30、一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路的效率高。（√）。
○31、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（√）。
★32、整流的目的是将高频电流变为低频电流。（×）。
Δ33、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（√）。
○34、直流稳压电源中滤波电路的目的是将交流变为直流。（×）。
第六章晶闸管及应用电路
Δ35、晶闸管和晶体三极管都能用小电流控制电流，因此它们都具有放大作用。（×）
Δ36、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力（×）
★37、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门限电流称为维持电流。(√)
第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○38、逻辑电路中、一律用“1”表示高电平，用“0“表示低电平。（×）Δ39、”与“门逻辑功能是”“有1出1，全0出0”（×）
Δ40、“异或”门的逻辑功能是“相同出0，不同出1”（×）
○41、常用的门电路中，判断两个输入信号的是否相同的门电路是“与非”门。（×）
★42、由分立元件组成的三极管“非”门电路，实际上是一个三极管反相器。
○43、逻辑代数又称为布尔代数。(√)
○44、常用的化简方法有代数法和卡诺图法。
★45、任何一个逻辑函数的表达式一定是唯一的。（×）
Δ46、任何一个逻辑表达式经化简后，其简式一定是唯一的。(√)
四综合题
第一章半导体二极管
○１、半导体的特性是什么？
答；光敏特性，热敏特性，掺杂特性。
Δ２、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
答：从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管的死区电压为, 锗管的死区电压为; 硅管的导通管压降为 V，锗管的导通管压降为 V。
Δ3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和A
2
0，在外
.
加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？
答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。
★4、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？
答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。
第二章半导体三极管及其放大电路
△5.如图所示，已知V CC=10V，R B=250KΩ，R C=3KΩ，β=50，试求放大电路的静态工作点。
解： I BQ=V CC/R B=10/250mA=
I CQ=βI BQ=50×=2mA
U CEQ=V CC-I C R C=（10-2×3）=4V
Δ6、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管
脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
△7测
得电路中几个
三极管的各极对地电压如题图所示。试判断各三极管的工作状态。
题图
(b)
(c)
(d)
(a)
答：题图所示的各个三极管的工作状态，图（a）为放大，图（b）为放大，图（c）为饱和，图（d）为C、E极间击穿。
第三章集成运算放大器及其应用
Δ8. 什么叫“虚短”“虚断”？
答：“虚短”两输入电压u P _u N=0, u N=u P“虚断”两输入端的输入电流为零，即i N =i P=0
第五章直流稳压电源
★9. 单相半波整流电路，已知变压器一次侧电压U i=220V，变压比n=10，负载电阻R L=10kΩ，试计算：
（1）整流输出电压U L。
（2）二极管通过的电流和承受的最大反向电压。
解：（1）因为n=U i/U2 U2 =220/10=22v
又因为 U L=U2=×22=
（2）I F=I L=U L/R L=
U Rm =2U 2 =
△ 10. 一个单相桥式整流电容滤波电路，变压器二次侧电压为10V 。 （1） 如果空载电压为14V ，满载为12V ，是否正常？ （2） 如果空载电压低于10V 是否正常？为什么？ 解：（1）空载时电压U L =2U 2 =×10= 带负载时电压U L = U 2=×10=12v 所以正常
（2）不正常 因为正常情况下U L =2U 2=14v
★ 11.试判断图5-3所示电路中元件R 、L 、C 能否起滤波作用。
★12. 直流电源如图5-7所示，已知U O =24V ，稳压管稳压值U Z =，三极管的U BE =。
（1） 试估算变压器二次侧电压的有效值。
R L a ）
R L b ）
R L
c ） R L
d ）
R L
e ）
R L
f ） 图5-3
×
√ ×
√ √
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《电路与电子技术基础》期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； · 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 ~ D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 . 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. ° B. －° C. ° D. －° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V ] ①② -2V ③ -8V ' u s(t
《电路与电子技术基础》2004~2005学年第二学期期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL与非门中多余的输入端应接电平是（）。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ；三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存 在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e
) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答：输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件，从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件，从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号，由于信号源内阻的存在，因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时，输入电阻越大，则放大电路对信号源的衰减越小；若信号源是电流源与电阻并联，则输入电阻越小，放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式，输出电阻可以看作一个电源的内阻，因此，输出电阻越小，放大电路的带负载能力越强。 请参看下图，可以增强对上面文字描述的理解。
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
广东省高级技工学校江门分校 2013～2014学年第一学期期末考试试卷 考试科目：电路与模拟电子技术 类别：理论 试卷适用专业（计算机应用与维修） 考核时间：90分钟 一、填空题（本大题共12小题，每空1分，共35分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1、用戴维南定理求等效电路的电阻时，对原网络内部电压源作_短路_处理，电流源作__开路_处理。 2、理想电压源输出的 _电压 值恒定，输出的 电流由它本身和外电路共同决定；理想电流源输出的 电流 值恒定，输出的 电压 由它本身和外电路共同决定。 3、已知正弦交流电压()V 60314sin 22200+=t u ，它的最大值为__311伏_，有效值为_220V ，角频率为___314弧度每秒，相位为__314t+60o_，初相位为_60o__。 4、电阻元件上的电压、电流在相位上是 _同相 关系；电感元件上的电压、电流相位 _相差90° ；且电压_滞后 电流；电容元件上的电压、电流相位 __90° ，且电压 _超前 电流。 5、电感元件能存储_磁场_能 6．PN 结正偏时_导通_，反偏时__截止_，所以PN 结具有_单向导电性。 7．漂移电流是反向_电流，它由_少数载流子形成，其大小与_温度_有关，而与外加电压_无关__。 8．三极管放大电路共有三种组态分别是_共射__、_共基、__共集_放大电路。 9．为了消除乙类互补功率放大器输出波形的__交越_失真，而采用_甲乙_类互补功率放大器。 10．三极管具有放大作用外部电压条件是发射结_正偏_，集电结__反偏_。 总 分 题 号 一 二 三 四 核分人 题 分 得 分 评卷人
《电路与电子技术基础》2004~2005学年第 二学期期末考试试卷（A ） 时间：120分钟 班级 学号 姓名 成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管 为（C ）。 A. PNP 型硅管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. NPN 型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性 ①② 1
曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（ A ）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t ) = 2 cos t V ， 则电感电流i L (t )的初相等于（ D ）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（ B ）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输 入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U 为（ C ）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL 与非门中多余的输入端应接电平是（ C ）。 A. 低 B. 地 C. 高 D. 悬空 8．考试题图4所示电路的节点电压方程为（ ）。 考试题图3 考试题图2 u s (
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P=UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =2(-I)=-2V （或者U ac =-6+4I=-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =1(-I)=-1V （或者U ac =-3+2I=-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零， U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得：10I+4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图
《 电路与电子技术 》计算题 1.在图所示电路中，求各支路电流。 解： I 2 = 4A I 3 = I 1 + I 2 I 3 = I 1 + 4 R 1 * I 1 + I 3*R 3 = 10 联立求解，得I 1 = 2A I3 = 6A 2．电路如题图所示，已知CC U ＝12V , 1B R ＝68kΩ, 2B R ＝22kΩ, C R ＝3kΩ，E R ＝2kΩ， L R ＝6kΩ晶体管β＝60。 （其中C be I r 26 200β+≈进行计算）。 （1）计算静态值B I ，C I ，CE U （BE U ＝0.7V ）； （2）画出微变等效电路，求电压放大倍数? u A 、输入电阻i r 和输出电阻o r 解：（1） I BQ = (V CC - U BEQ ) / R b = (12 - 0.7)/ 68 * 103
= 17μA I CQ = βI BQ = 60 * 0.17 = 10 mA U CEQ = V CC - I CQ * C R = 12 - 10* 3 = -18V U CEQ << U BEQ , 即V C < V B 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。 《电路与电子技术基础》2004~2005学年第?二学期期末考试试卷（A ） 时间：120分钟 班级 学号 姓名 成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的 字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（C ）。 A. PNP 型硅管 B. NPN 型硅管 C. PNP 型锗管 D. NPN 型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（ B ）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（ A ）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t ) = 2 cos t V ，则电感电流 i L (t )的初相等于（ D ）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响 是（ B ）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U 为（ C ）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL 与非门中多余的输入端应接电平是（ C ）。 A. 低 B. 地 C. 高 D. 悬空 8．考试题图4所示电路的节点电压方程为（ ）。 A. 11112111R U I U R R s s +=???? ??+ B. 1111 321 111R U I U R R R s s +=???? ??++ 考试题图 3 ① 1 考试题图2 u s (t 。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题 电路与电子技术基础复习题 一、基本概念题： 1、电路包括电源、负载和中间环节三个组成部分。 2、电源或信号源的电压或电流，称为激励，它推动电路的工作；由它在电路各部分产生的电压和电流称为响应。 3、习惯上规定正电荷运动的方向为电流的实际方向。 4、选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向一致，称为关联参考方向。选定同一元件的电流参考方向与电压参考方向相反，称为非关联参考方向。 5、若电阻元件的伏安特性可以用一条通过平面坐标原点的直线来表征，称为线 性电阻元件。若电阻元件的伏安特性可以用一条通过、平面坐标原点的曲线来表征，就称为非线性电阻元件。 6、在电压和电流的关联参考方向下，欧姆定律表示为u=Ri 。 在电压和电流的非关联参考方向下，欧姆定律表示为u=-Ri 。 7、基尔霍夫电流定律(KCL)：任何时刻，对任一节点，所有支路电流的代数和恒 等于零。 基尔霍夫电压定律（KVL）：任何时刻，沿任一回路各支路电压的代数和恒等于零。 8、下图所示电路中，I1=2 A，I2=3 A, I3=-2 A；I4=-3A 。 9、下图所示电路中，已知I1=1 A，I2=10A，I3=2 A，I4=-13A 。 10、1度=1KWh=3.6×106 J 11、将放大电路中的一部分或全部回送到输入回路的过程称为反馈。 12、整流的目的是将交流电变成直流电。 13、串联型稳压电路中的调整管必须工作在放大状态。 14、多级放大电路中输入信号为零时，输出信号电压不为零的现象称为零点漂 移，能够抑制此现象的放大电路是差动放大电路。 15、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值 上离散的信号叫做数字信号。 16、数字电路中机器识别和常用的数制是二进制。 17、（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D）16 18、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 19、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路 也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑 试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o － 电路与电子技术卷（A ） 一、填空题 1．某电路中，已知A 点电位3,12A B U V U V =-=，则电位差AB U ＝_________。 2．电路中某元件上的电压、电流取非关联参考方向，且已知：20, 3.5I mA U V =-=-，则该元件 吸收的功率P=___________。 3．如下图所示，R=2Ω，则电路中的I= ____A 。 4．220V 电网电压初相角为0°，周期为0．02s ，则其瞬时表达式u(t)= , 相量表达式U &= 。 5．电感元件电压与电流关系的相量形式为____ ____。 6. 二极管的伏安特性对温度很敏感，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而_______。 7．把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做____________特性。 8．欲使双极型三极管工作在放大区，发射结应______偏置，集电结______偏置。 9．在放大电路中，两种主要的非线性失真为______失真和______失真。 10．差分放大电路有______种接线方式，其差模电压增益与______方式有关，与______方式无关。 二、选择题 1．就一般情况而言，一个电容上的（ ）。 A ．电压不能突变 B ．电流不能突变 C ．电压及电流均不能突变 D ．电压及电流同时发生突变 2．已知RLC 串联谐振电路的电感1L mH =，电容10C F m =，则电路的谐振角频率0 ＝（ ） A ．103 rad/s B ．10-3 rad/s C ．104 rad/s D ．10－4 rad/s 3．已知某正弦电压有效值为380V ，频率为50Hz ，初相为45度，则它的瞬时值表达式为（ ）。 A ．()()380sin 31445u t t =+o B ．()()31445u t t =+o C ．()()31445u t t =+o D ．()() 380sin 5045u t t =+o 4．稳压二极管正常工作时应工作在( )状态。 A ．放大 B ．饱和 C ．反向击穿 D ．截止区 5. 在本征半导体中掺入( )就成为P 型半导体。 A.3价元素 B.4价元素 C.5价元素 D.6价元素 6．为了稳定静态工作点，应引入（ ） 数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
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