NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序，
1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。
NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括
几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。
NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。
K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。
K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。
共2K 块
每块大小16 页
每页大小2K + 64BYTE
即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE
NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。
OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。
NCON：NAND FLASH类型选择信号。
GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。
GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。
GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。
访问NAND FLASH
1）发生命令：读、写、还是擦除
2）发生地址：选择哪一页进行上述操作
3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态
NAND FLASH支持的命令：
#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2
#define CMD_READID 0x90 //读ID 命令
#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2
#define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令
#define CMD_RESET 0xff //复位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令
将NAND FLASH与NAND FLASH控制器硬件连接好了，需要配置GPACON、NAND FLASH。
1）配置GPACON
将GPA17~GPA22设置为NAND FLASH控制器信号（即NAND FLASH的控制信号）。rGPBCON |= (0x3F<<17);
2）配置NAND FLASH
主要是初始化寄存器NFCONF中的TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个位。
TACLS：表征了CLE/ALE锁存信号优秀奥到写使能这段时间，= HCLK时钟周期 × TACLS TWRPH0：表征了写使能的持续时间。 = HCLK时钟周期 × （TWRPH0 + 1）
TWRPH1：表征了写无效到锁存无效之间的时间。 = HCLK时钟周期 × （TWRPH1 + 1） TACLS、TWRPH0、TWRPH1的值由NAND FLASH手册中的tCLS-tWP、tWP、tCLH确定。
初始化NAND FLASH：
1）寄存器NFCONT，用于开启NAND FLASH控制器；
2）向寄存器NFCMD写入命令；
3）向寄存器NFADDR写入地址；
4）使用寄存器NFDATA进行数据的读写，在此期间需要不断的检测寄存器NFSTAT来获知NAND FLASH的状态（忙/闲）；
写NAND FLASH：
1）发送页写入命令0x80；
2）发送页地址；
3）发送要写入的数据；
4）发送写入确定命令0x10；
5）检测忙信号；
读NAND FLASH：
1）发送页读取命令0x00；
2）发送页地址；
3）发送页读取确认命令0x30；
4）检测忙信号；
5）从ARM处理器寄存器NFDATA中读取数据。
为什么读写读需要两次命令呢？
接收到第一个命令时数据先被写入到NAND FLASH的数据寄存器（Data regirester & S/A）里，接收到第二个命令后数据才写到对应的存储单元中。
接收到第一个读命令时先进行读读操作开始，接收到第二个读命令时数据从内部存储单元中复制到NAND FLASH的数据寄存器（Data regirester & S/A）里。
擦除NAND FLASH：
1）块擦除命令0x60；
2）发送块地址；
3）块擦除确认命令0xD0；
4）检测忙信号。
杨国文
2012年5月7日 15：03：15
void NF_Init(void)
{
rGPACON &= ~(0x3F<<17);//配置为NAND FLASH控制器
rGPACON |= (0x3F<<17);
rNFCONF = ((TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4));//设置时序参数
rNFCONT = ((0<<12)|(1<<0));//关闭加密，使能NAND FLASH控制器
/*一定要关闭加密位，不然没有办法写入，加密位处在NFCONT第12位，
该位初始状态为1（加密），需要注意不能使用或，直接赋值*/
rNFSTAT = 0;//有关状态位清零
NF_Reset();
}
注意：
rNFCONT |= ((0<<12)|(1<<0));//这样写的话是一定不能实现向nandflash写入数据的！
今天下午因为没有仔细阅读数据手册，而误以为加密位的初始状态为0而使用或操作，造成不能正确读写nandflash。调试了一下午，才发现问题了。擦，原来就这么点问题！
下午的实验同时也练习了一下UART的使用，不过是其很简单的用法，采用查询的方式发送接收数据。
NandFlash简介 分类：Linux2013-03-06 14:34 2945人阅读评论(0) 收藏举报 Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。 从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 FLASH的分类：功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结结，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元—他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分，这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, NAND Flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。 从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类似与EPROM。然而在NAND Flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。 SLC/MLC基本原理
NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006
目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
公司档案室年终工作总结 自xx年9月2日档案室交接三个月以来，在公司领导的支持和帮助下，我在加强理论学习，提高自身素质和工作业务水平的同时，主要做了以下几个方面的工作： 档案门类数量起止时间备注文书档案2085卷1970-xx 设备档案114卷1994-xx 基建档案48卷1971-xx 科技档案106卷1994-xx 认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971-1990 其它资料53盒停用印章96枚通过认真仔细，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 在档案局专业人员的指导下，多年积压的基建档案，并按要求完成鉴定、立卷、归档工作。 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理
随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化工作。 在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。 模板,内容仅供参考
档案室人员年度工作总结 这篇关于《档案室人员年度工作总结范文》的文章，是特地为大家整理的，希望对大家有所帮助！ 一年来，在企业的正确领导下，档案室始终坚持以邓小平理论和“三个代表”重要思想为指导，贯彻执行党和国家有关档案工作的法律、法规，坚持依法治档，加强基础建设，提高管理水平，优化服务质量，立足扎实，围绕企业中心，服务大局，取得了一定成绩。下面就是本人的工作总结： 一、认真学习，贯彻执行《档案法》、《广东省档案条例》和《罗定供电分公司档案管理条例》，强化依法治档。 1、加强宣传力度。充分利用企业局域网络优势，将有关档案工作的法律、法规、规章及时上网，方便广大干部职工知法、学法、守法，提高了企业领导、干部及职工的档案意识。 2、加强对企业各单位形成的文档材料的收案工作，确保这些档案、资料的齐全完整，及时做好归档整理工作。 二、积极开发档案信息资源，建立科学实用的档案检索体系。 1、做好宝藏档案目录微机录入工作。目前，完成永久长期保管案卷级目录共计 1236 条。 2、为方便企业广大干部职工查询，在局档案室利用局域网络资源共享，将微机录入案卷级目录全部上网，利用现
代化的网络优势为企业经营管理服务。 三、做好利用服务工作 档案要为企业改革与发展服务，为企业的中心工作服务，为职工服务是我局工作的宗旨。服务意识和理念，具体体现在日常的工作及管理之中，档案管理人员对每一位利用者都能做到热情接待，百拿不厌，百问不烦，想方设法为他们排忧解难，让每一位利用者希望而来，满意而去，一年来，档案室共接待利用者400多人次，提供档案资料650多卷(件)，复印档案资料1000多页，出具证明200多份。 虽然在档案管理工作中，合理开发利用档案，取得了一定的成绩，但也还存在一些问题。 1、宣传力度需进一步加大，全员档案意识不够强。由于宣传力度不够，工作还欠积极主动，持是对档案法规宣传力度不够，因此造成全员意识缺乏。 2、档案现代化管理工作需加强。随着时代的发展，社会信息化程度越来越高，当前我局档案管理现代化还处于起步阶段。如何充分发挥局档案室的信息功能，为企业改革和发展服务，我们档案工作人员还须做出艰苦的努力。一方面企业需加大投入，另一方面，必须做好基础工作，加强管理，充分调动档案工作人员积极性。只有提高了档案管理的现代化水平，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。
Q1’2011 DATABOOK Rev 0.1
NAND Flash –SLC / MLC / TLC AND Flash N NAND Flash SLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark HY27US08281A 90nm 128Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP Now HY27US08561A 90nm 256Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US08121B 70nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now H27U518S2C 57nm 512Mb 16KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27US081G1M 70nm 1Gb 16KB Mono 3.3v/X8USOP Now HY27UF081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP/USOP/FBGA Now HY27US081G2A 70nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA Now H27U1G8F2B 48nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Now H27U1G8F2CTR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8TSOP Q4 '11H27U1G8F2CFR 32nm 1Gb 128KB Mono 1.8v/X8FBGA Q4 '11HY27UF082G2B 57nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP,FBGA, LGA Now H27U2G8F2C 41nm 2Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UF084G2B 57nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27U4G8F2D 41nm 4Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now HY27UG088G5(D)B 57nm 8Gb 128KB DDP 3.3v/X8TSOP Now 2CE/Dual CH.H27U8G8G5D 41nm 8Gb 128KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27QBG8GDAIR-BCB 32nm 32Gb 512KB DDP 1.8v/x8VFBGA Now 2CE/Dual CH.H27QCG8HEAIR-BCB 32nm 64Gb 512KB QDP 1.8v/x8VFBGA Now 4CE/Dual CH.H27QDG8JEAJR-BCB 32nm 128Gb 512KB ODP 1.8v/x8 JFBGA Feb. '11 4CE/Dual CH.NAND Flash MLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27U8G8T2B 48nm 8Gb 512KB Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UAG8T2M 48nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP/VLGA Now H27UAG8T2A 41nm 16Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8U5A 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8TSOP Now H27UBG8T2M 41nm 32Gb 512KB(4KB Page)Mono 3.3v/X8VLGA Now H27UBG8T2A 32nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now H27UCG8VFA 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8TSOP Now H27UCG8UDM 41nm 64Gb 512KB(4KB Page)DDP 3.3v/X8VLGA Now Dual CH.H27UCG8U5(D)A 32nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now Dual CH. LGA H27UCG8T2M 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8VLGA Now H27UDG8VEM 41nm 128Gb 512KB(4KB Page)QDP 3.3v/X8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UDG8V5(E)A 32nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8TSOP / VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UEG8YEA 32nm 256Gb 2MB(8KB Page)ODP 3.3v/x8VLGA Now 4CE,Dual CH.H27UAG8T2B 32nm 16Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now H27UBG8T2B 26nm 32Gb 2MB(8KB Page)SDP 3.3v/x8TSOP Now Legacy H27UCG8U2B 26nm 64Gb 2MB(8KB Page)DDP 3.3v/x8TSOP Jan. '11Legacy H27UDG8V2B 26nm 128Gb 2MB(8KB Page)QDP 3.3v/x8FBGA-100Feb. '11HS(ONFi2.2)H27UEG8Y2B 26nm 256Gb 2MB(8KB Page) ODP 3.3v/x8 FBGA-100 Mar. '11 HS(ONFi2.2)NAND Flash TLC COMPONENT Product Tech Density Block Size Stack Vcc/Org Package Availability Remark H27UAG8M2M 41nm 16Gb 768KB (4KB page)SDP 3.3V/x8VLGA Now H27UBG8M2A 32nm 32Gb 1MB (4KB page) SDP 3.3V/x8 VLGA Now
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
资料员工作总结范文【三篇】 【导语】对一段时间的工作进行总结是为了肯定成绩，找出问题，归纳出经验教训，提高认识，明确方向，以便进一步做好工作。以下是为大家精心整理的资料员工作总结范文【三篇】，欢迎大家阅读。 资料员工作总结范文一 通过半年来的学习与工作，工作模式上有了新的突破，工作方式有了较大的改变，现将半年来的工作情况总结如下： 一、加强自身的学习 我深知自己的学识、能力、阅历，工作经验有限，所以就充分利用业余时间，积极学习，不断的拓宽知识，工作总结《资料员半年工作总结》。遇到不懂不会的问题，虚心的向同事请教。在同事、领导的耐心教导、帮助鼓励下，进一步提高自身工作水平。 二、积极工作，圆满完成各项任务 上半年完成工作： 1、合同的归档工作：各项合同的分类整理、统一编号、文件保
存。 2、完善了文件的接受、发放、借阅等工作流程。 3、随着各工程的即将竣工，完成了与经营方各项合同的交底工作。 4、参加每月“逢五、逢六、逢十”的建筑会议，并认真做好会议纪要。 5、经过不断学习、不断积累，已具备了一定的办公室工作经验，能够协助办公室主任、公司领导完成日常工作中出现的各类问题。 三、工作中存在的不足 工作中虽然取得了一定成绩，但仍然存在着一些问题和不足。 例如：做事太孩子气，轻率、考虑事情不够全面，对待工作不积极主动。 今后，我要克服这些不足，让自己变的更踏实、稳重，争取工作的主动性、以正确的态度对待各项工作，认真仔细的完成领导交给的
任务。并一如既往的继续向各位领导、同事们学习，丰富自己知识、提高工作效率和工作质量。 资料员工作总结范文二 新年伊始，总结即将过去的xx年，从刚开始整理工程养护部和档案室的资料时的不娴熟，到如今的得心应手，这与部门领导的正确引导和同事的热情帮助是分不开的。 记得刚来公司，还曾为不知如何与同事领导相处、如何开展工作而苦恼，然经过近半年时间的工作和学习，我发现起初所担忧的都是多余的。公司宽松融洽的工作氛围、团结向上的企业文化和同事之间互帮互助的热情，让我很快融入了江珠这个大家庭，也给了我更高的工作热忱。 在工程部的近半年时间里，我尽心尽力地做好本职工作。本年度我的主要工作及总结如下： 一、收集整理工程部本部门所产生的资料 1、负责收集本部门文件和资料的发放、回收、借阅、传阅工作。每天收到的文件性资料都做到在当天内处理完善，其他资料在没有特殊的情况下都在一到两天内处理完善，需扫描的资料都及时送往相关
NAND FLASH的基础知识 NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte = 32 page = 32 * 528 byte Numberof(block)=64Mbyte/16kbyte=4096 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address 对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mbit的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为：Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例： ◆第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0] 上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。 ◆第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上 ◆第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上 ◆第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上因此，整个地址传递过程需要4 步才能 完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下，那么，block adress 最高位只到bit24，因此寻址只需要3 步。下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
档案室年终工作总结 自XX年9月2日档案室交接三个月以来，在公司领导的支持和帮助下，我在加强理论学习，提高自身素质和工作业务水平的同时，主要做了以下几个方面的工作： 一、对档案室内各类档案进行了统计和登记 档案门类数量起止时间备注文书档案2085卷1970-XX 设备档案114卷1994-xx 基建档案48卷1971-XX 科技档案106卷1994-XX 认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971-1990 其它资料53盒停用印章96枚 通过认真仔细整理，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 二、整理积压基建档案33卷 在档案局专业人员的指导下，整理多年积压的基建档案，并按要求完成鉴定、立卷、归档工作。 三、完成已存荣誉档案的整理 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 四、严格执行档案借阅制度，提供利用服务40余次 对查借阅档案者一律履行借阅、登记手续。 五、围绕档案管理规范，加强安全防范意识
加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理 随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化整理工作。 在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、整理、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。
Nand Flash存储结构及控制方法(K9F1G08) 2011-02-26 15:05:59| 分类：默认分类 | 标签： mini2440nandflash k9f1g08 |字号订阅 一、NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash，NOR Flash上进行读取的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，容量一般比较小；NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高，并且容量更大。一般NOR Flash用于存储程序，NAND Flash 用于存储数据。 1）NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08，大小为128M，下图为它的封装和外部引脚 I/O0-I/O7 数据输入/输出 CLE 命令锁存使能 ALE 地址锁存使能 CE 芯片使能 RE 读使能 WE 写使能 WP 写保护 R/B 就绪/忙输出信号 Vcc 电源 Vss 地 N.C 不接 K9F1G08功能结构图如下
K9F1G08内部结构有下面一些功能部件 ①X-Buffers Latches & Decoders：用于行地址 ②Y-Buffers Latches & Decoders：用于列地址 ③Command Register：用于命令字 ④Control Logic & High Voltage Generator：控制逻辑及产生Flash所需高压 ⑤Nand Flash Array：存储部件 ⑥Data Register & S/A：数据寄存器，读、写页时，数据存放此寄存器 ⑦Y-Gating ⑧I/O Buffers & Latches ⑨Global Buffers ⑩Output Driver
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
档案室年终工作总结 档案室年终工作总结 一、对档案室内各类档案进行了统计和登记 档案门类数量起止时间备注文书档案20xx卷1970—20xx设备档案114卷1994—XX基建档案48卷1971—20xx科技档案106卷1994—20xx认证证书16件财务档案凭证：1999卷帐簿：277卷报表：92卷其它：52本已封存：12箱1971—1990其它资料53盒停用印章96枚 通过认真仔细整理，发现已存档案中存在的重号、空号现象，及时做好记录。 二、整理积压基建档案33卷 三、完成已存荣誉档案的整理 对存放的154个奖牌照片进行了编号及信息登记，并建立目录，提高了检索速度。 四、严格执行档案借阅制度，提供利用服务40余次 对查借阅档案者一律履行借阅、登记手续。 加强档案室管理，认真做好档案室的安全防范工作。离开档案室时关门落锁，关闭电源，注意安全防范工作。 发现的问题：需加强特种载体的规范化管理 随着科技的进步，我们不难发现，只有提高档案管理的现代化水平，使档案信息化管理，档案的作用才能得以充分发挥，达到为企业改革和发展提供高水平服务的目的。在以后的工作中，需进一步学习对企业特种载体档案的管理，加强电子、照片等特种载体档案和荣誉档案的收集及规范化整理工作。
在今后的工作中，我将继续加强基础业务工作，严格收集、整理、鉴定、统计档案资料，加强档案库房管理制度的落实，严格执行档 案借阅制度，做到无失泄密及损害企业利益事件发生，提供利用要 及时。强化档案信息化管理，不断提高档案管理的现代化水平，充 分发挥档案的作用，为推进公司的繁荣发展做出积极的贡献。 时光匆匆，转眼我已经在XXXX公司渡过四个多月的.时光。这是我人生中第一份正式的工作，对我来说意义特别。在这四个多月的 学习中，在上级领导的带动下，在全体成员的帮助下，我紧紧围绕 档案室的中心工作，充分发挥岗位职能，不断改进工作方法，提高 工作效率，较好地完成各项工作任务，现作以简要汇报。 一、2**2年度主要工作 （一）按照档案管理要求，定期整理打扫档案室，做好档案室环境工作和档案信息的保护工作 （二）与各部门沟通协调资料归档相关工作； （三）做好电子数据的收集、整理，维护和利用好文书档案管理系统，努力做到收一份文，及时存录一份文件； （四）按照档案管理制度，对单位档案室进行常态化管理，专人管理，按照标准对已入库档案进行保存，做好档案的收藏和保密工作。 （五）严格按照档案借阅制度，完善借阅程序，一般只限于在“档案阅览室”使用，并进行登记。严格履行借阅手续，借阅者要 认真填写《档案借阅登记表》，不得转借、涂改、圈划、批注、增删、抽页、裁剪、拆卷、摘抄、拍照等，不得擅自公布档案内容， 确保档案的保密、完整与安全。 （六）耐心细致，搞好档案工作。档案服务工作的内容比较繁琐，面对大量的日常性档案保管工作和领导临时交办的事项，我都能抓 紧时间，高效、圆满、妥善地办理好，为档案室工作的正常开展提 供有效保证。二、2**2年度主要问题及原因分析
NAND flash常见问题汇总 掉程序（这里专指使用NAND flash的主板掉程序），这是一个让工程师浑身发毛的问题，特别是用着用着程序就没有了，往往这个时候很多工程师都无法下手，问题出现的时候你可能根本不在旁边，无法看到问题现象，而且通过测量信号也很难发现问题的原因，这个时候很多工程师可能会采用更换主板器件的方式，用排除法来定位问题，基本上换一个NAND flash就可以解决问题了。这个时候很多工程师可能就会表示NAND flash有问题，需要换厂商，换品牌。但其实还可以更加深入的去了解问题的原因，这里我总结一下我遇到过得NAND flash掉程序的情况及原因。 1.电源电压不稳导致的NAND flash程序错误 很多时候，产品在客户手中出现了问题，工程师把产品拿回来，重新烧录程序产品可以上电启动，反复测试并不会出现掉程序的情况。如果这种产品是带有电池的产品，就可以考虑一下是否在客户实际使用中是用电池的情况，当电池的电量比较低，或者在极端情况下，程序对于电池电量的检测阈值较低，这个时候主控就有可能刚刚可以启动，但是很快电量不够，NAND flash内的程序乱掉，从而无法正常启动。 解决方法可以在程序中加入或者提高电池电量检测的阈值，保证所有芯片在这个阈值上均可以正常工作。 2.DRAM工作状态不正常导致的NAND flash程序错误 主控, DRAM和NAND flash基本构成了一个产品的最小系统。当系统中的任何一环出现问题，整个系统就可能出现问题。但是当DRAM出现问题时，有可能反映出来的是NAND flash 出错，掉程序或者查明NAND flash坏块过多。对于这种情况，处理起来就会复杂一些。如果直接重新烧录程序，系统又能正常工作，则说明之前存储在NAND flash中的程序确实乱了，但是NAND flash的功能正常，特别是SLC规格的1bit ECC 的NAND flash，出错概率非常小。因为对于NAND flash来说，只有当写数据或者擦除数据时，数据可能产生坏块，当程序只是读取的状态时，由于不涉及电荷的改变，所以NAND flash一般不会出现问题。但从程序的调试端口读到NAND flash坏块很多时，看是否有更深入的调试工具，例如JTAG等调试工具，可以深入调试NAND flash的情况。有些时候，因为一些程序误操作，导致将原本good block的标志位标记成了bad block。用过JTAG调试工具可以修改标志位，并且重新打标，重新烧录一遍程序，有可能主板又能重新启动了。 3.坏块管理未做好 因为NAND flash都面临着可能出现坏块的问题，所以必须应该对于坏块进行管理，在规格书中可以看到，坏块产生的三种情况，在编程的时候，在擦出的时候，在读取的时候。对于这几种情况下，程序应该怎么操作，规格书中也有流程图来说明，在读取和擦除中，如果出现失败情况，就需要重新坏一个块进行目标块的转移，并且对于当前块进行标识，在坏块表中进行更新。通过对于坏块表的维护，达到程序避免写入坏块中的情况。在读取程序时，也需要对于ECC进行校验，保证读取的程度是真实可靠的。但是很多工程师可能由于对于坏块管理做的不够仔细，导致产品在实际使用中，会出现掉程序的问题。工程师也应该从程序方面着手，分析一下程序对于坏块部分管理是否完善。 从上面三种类型只是部分说明了关于掉程序这个问题的一些原因。特别是对于1bit ECC 的SLC NAND flash大部分适用，工程师们可以进行参考。
本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册
下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/