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二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究

 万方数据

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第1期李秋霞等:--氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究37

△白随压力和温度变化的数据及关系图,见图2.

图2反应式(2)的△白与压力和温度的关系

飚.2△白of联碰伽(2)砒different

pI馈娜肺皓andtemperatu弘

从图2可以看出:反应式(2)即低价氧化硅歧化分解反应的△Gr随压力的降低和温度的升高而增大。不同压力下反应式(2)低价氧化硅歧化分解的临界温度%与压力P的关系见表6.

表6低价氧化硅歧化分解的临界温度%与压力P的关系Tab.6Thecriticaltemperaturevs.thepressureofreaction(2)P/Pa105104l护10010

Z’/K2060.221849.4716.玎.831535.341415.16

2实验验证

残余压力为150Pa,用铝土矿为原料,用焦炭作为还原用炭。图3是1450。C时制备的金属铝的能谱图(EDS图),可以看出:金属铝颗粒纯度较高,但还含有少量的硅。说明铝土矿中的二氧化硅可以先与碳生成气态低价氧化硅,气态低价氧化硅再歧化分解为金属硅。

图3金属铝EDS图

隐.3Energy-di即emivespectraofAI3结论

(1)热力学结论l在100kPa时,二氧化硅与还原剂碳反应,在1937K以上才能生成低价氧化硅;而当系统残余压力在100Pa。10Pa内时,在1463K.1352K以上即可以生成低价氧化硅;形成低价氧化硅后进行歧化分解反应,体系压力在100Pa~10Pa范围内,即歧化分解温度在1535K,1415K间进行。

(2)实验结论:采用真空碳热还原实验,铝土矿为原料,在系统压力为150Pa,反应温度为1450℃时,得到含硅为4.87%的金属铝,铝纯度达到95.13%。

(3)在利用低价氟化铝制备铝的过程中,如果原料中含有二氧化硅,生成低价氧化硅是不可避免的,但其分解条件与气态低价氟化铝分解(100Pa。10Pa时1075.71K.~985.63K)条件不同,通过控制分解冷凝条件可以控制硅不与铝共存,从而可以提高金属铝的纯度,为下一步用铝土矿提取铝实验研究提供重要的基础数据。

参考文献

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