抛光液简介及行业发展前景
抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、无毒，对环境无污染等作用，光液使用方法：包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光；1抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置），2：抛光时间：根据产品的状态来定。3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。
这两个概念主要出现在半导体加工过程中，最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
步骤
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：
（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
产品
硅材料抛光液
蓝宝石抛光液
砷化镓抛光液
铌酸锂抛光液
锗抛光液
集成电路多次铜布线抛光液
集成电路阻挡层抛光液
应用
1. LED行业
目前LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。
2.半导体行业
CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是目前唯一的可以在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。
抛光液参考配方
组分投料量（g/L）
硫酸350~400
硝酸30~50
双氧水30~100
盐酸40~80
乙酸20~50
2-巯基噻唑啉1~3
硫酸铜1~10
壬基酚聚氧乙烯醚5~10
有机硅消泡剂1~3
水余量
市面常见抛光液
硅材料抛光液、蓝宝石抛光液、砷化镓抛光液、铌酸锂抛光液、锗抛光液、集成电路多次铜布线抛光液、集成电路阻挡层抛光液、研磨抛光液、电解抛光液、不锈钢电化学抛光液,不锈钢抛光液、石材专用纳米抛光液、氧化铝抛光液、铜化学抛光液、铝合金抛光液、镜面抛光液、铜抛光液、玻璃研磨液、蓝宝石研磨液、酸性抛光液、铝材抛光液、金刚石抛光液、钻石抛光液、单晶体钻石研磨液、抛光膏
抛光液的分类和应用
抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类：金刚石抛[1]光液（多晶金刚石抛光液、单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液）、氧化硅抛光液[2]（即CMP抛光液）、氧化铈抛光液、氧化铝抛光液和碳化硅抛光液等几类。
多晶金刚石抛光液
多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。
主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。
氧化硅抛光液（CMP抛光液）
CMP抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
氧化铈抛光液
氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。
适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。
氧化铝和碳化硅抛光液
是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。
主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。
行业概况
供求关系是一个行业能否快速发展的前提。目前来看，市场需求是很大的，而供应方面却略显不足，尤其是拥有核心知识产权，产品质量过硬的企业并不多，行业整体缺乏品牌效应。在需求旺盛的阶段，行业需求巨大，发展前景好，这是毋庸置疑的。但如何保持行业的健康，稳定且可持续发展，需要业内企业的共同努力，尤其需要发挥吃毛求疵的研发精神，进一步提高生产工艺，降低成本，真正解决客户的实际困难，严把质量关，提供最可靠的产品。[3]
媒体报道：
北京抛丽斯科技认为不锈钢抛光材料需求仍然巨大！
不锈钢产品在热加工、机械加工或放置一定时间后其表面会形成一层黑色或灰色氧化皮。这些问题不仅常见，而且普遍，解决起来还比较麻烦，每年给国家及相关产业造成巨大的经济损失，这样的现实使得不锈钢抛光行业近年来不断发展，不锈钢抛光材料的需求自然也非常巨大，是机遇也是挑战。到底该如何应对这样的机遇与挑战，我们有幸采访了北京抛丽斯科技有限公司投资合伙人，知名天使投资人，网络营销专家甘健先生，希望能获得我们想要的答案。
甘健先生首先从专业的角度给记者普及了下抛光材料的知识，让记者获益匪浅。抛光材料主要有：
（1）白色抛光膏。由石灰及硬脂酸、脂肪酸、漆脂、牛油、羊油、地蜡等合作而成，用于镍、铜、铝和胶木等的抛光。（2）黄色抛光膏。由长石粉及漆脂、脂肪酸、松香、黄丹、石灰、土红粉等合作而成，用于铜、铁、铝和胶木等的抛光。（3）绿色抛光膏。由脂肪酸和氧化铬绿等合作而成，用于不锈钢和铬等的抛光。（4）赤色抛光膏。由脂肪酸、地蜡、氧化铁红等合作而成，用于金属电镀前抛光以及抛光金、银回光等。
然后，甘健先生认为：供求关系是一个行业能否快速发展的前提。目前来看，市场需求是很大的，而供应方面却略显不足，尤其是拥有核心知识产权，产品质量过硬的企业并不多，行业整体缺乏品牌效应。在需求旺盛的阶段，不锈钢抛光材料需求巨大，发展前景好，这是毋庸置疑的。但如何保持行业的健康，稳定且可持续发展，需要业内企业的共同努力，尤其需要发挥吃毛求疵的研发精神，进一步提高生产工艺，降低成本，真正解决客户的实际困难，严把质量关，提供最可靠的产品。
记者了解到，甘健先生所投资的北京抛丽斯科技有限公司，为国内深孔抛光行业的领军者。公司作为创新型领军企业，专业从事深孔磨削加工，磨削抛光、内孔抛光、深孔抛光、不锈钢内壁抛光、小孔内壁抛光、深孔加工等。公司拥有训练有素的技术骨干和科技研发队伍，技术先进，生产加工能力强，多项专利技术位居行业领先地位。在与国际领先技术的交流和竞争中，公司保持着足够的竞争力，可以和国际一流媲美，多次获得国内外专家及领导的好评。公司全力打造的国内知名品牌“抛丽斯”，深受广大客户的信赖和厚爱。抛丽斯科技比较关注的领域还包括：深孔抛光深孔加工不锈钢内壁抛光不锈钢抛光小孔内壁抛光内孔抛光磨削抛光抛光针头抛光磨削加工光整加工抛光材料珩磨研磨深孔钻床深孔论坛深孔钻头深孔加工设备抛光加工中深孔爆破深孔珩磨机深孔爆破抛光砖抛光机汽车抛光抛光器材抛光蜡抛光液硅片抛光抛光粉电抛光不锈钢抛光机不锈钢电解抛光不锈钢抛光工艺不锈钢抛光方法不锈钢表面抛光处理不锈钢抛光等级不锈钢抛光蜡不锈钢化学抛光深孔加工机床深孔加工技术深孔加工设备珩磨头不锈钢表面处理电解抛光表面拉丝小孔抛光抛光除尘内孔抛光轮钢管内抛光内墙抛光平面抛光等离子抛光机抛光砖抛光片抛光膏抛光轮金属表面光整光整锌花珩磨管珩磨轮研磨机研磨膏研磨器研磨剂研磨液研磨设计模式研磨设计等等
化学机械抛光液行业研究 一、行业的界定与分类 (2) （一）化学机械抛光 (2) 1、化学机械抛光概念 (2) 2、CMP工艺的基本原理 (2) 3、CMP技术所采用的设备及消耗品 (2) 4、CMP过程 (2) 5、CMP技术的优势 (2) （二）化学机械抛光液 (3) 1、化学机械抛光液概念 (3) 2、化学机械抛光液的组成 (3) 3、化学机械抛光液的分类 (3) 4、CMP过程中对抛光液性能的要求 (3) （三）化学机械抛光液的应用领域 (3) 二、原材料供应商 (3) 三、化学机械抛光液行业现状 (4) （一）抛光液行业现状 (4) 1、国际市场主要抛光液企业分析 (4) 2、我国抛光液行业运行环境分析 (4) 3、我国抛光液行业现状分析 (5) 4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 (5) （二）抛光液行业发展趋势 (5) （三）抛光液行业发展的问题 (5) 四、需求商 (5) （一）半导体硅材料 (6) 1、电子信息产业介绍 (6) 2、半导体硅材料的简单介绍 (6) （二）分立器件行业 (7) （三）抛光片 (8)
化学机械抛光液行业研究 一、行业的界定与分类 （一）化学机械抛光 1、化学机械抛光概念 化学机械抛光（英语：Chemical-Mechanical Polishing，缩写CMP），又称化学机械平坦化（英语：Chemical-Mechanical Planarization），是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的或其它材料进行处理。 2、CMP工艺的基本原理 基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。 3、CMP技术所采用的设备及消耗品 主要包括，抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中抛光液和抛光垫为消耗品。 4、CMP过程 过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成，抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。 5、CMP技术的优势 最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在μm 以下的全局平面化要求。1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应用到
化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液具体添加剂 摘要：本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理，然后，通过介绍CMP系统，从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程，通过介绍分析CMP工艺参数，对CMP作定量了解。在文献精度中，介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。MRR 模型可用于CMP模拟，CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后，通过对VLSI 制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。 关键词：CMP、研磨液、平均磨除速率、设备 Abstract：This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course. Key word: CMP、slumry、MRRs、device 1.前言 随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到
2.1 机械抛光基本程序 要想获得高质量的抛光效果，最重要的是要具备有高质量的油石、砂纸和钻石研磨膏等抛光工具和辅助品。而抛光程序的选择取决于前期加工后的表面状况，如机械加工、电火花加工，磨加工等等。机械抛光的一般过程如下： （1 ）粗抛经铣、电火花、磨等工艺后的表面可以选择转速在35 000 — 40 000 rpm 的旋转表面抛光机或超声波研磨机进行抛光。常用的方法有利用直径Φ 3mm 、WA # 400 的轮子去除白色电火花层。然后是手工油石研磨，条状油石加煤油作为润滑剂或冷却剂。一般的使用顺序为#180 ~ #240 ~ #320 ~ #400 ~ #600 ~ #800 ~ #1000 。许多模具制造商为了节约时间而选择从#400 开始。 （2 ）半精抛半精抛主要使用砂纸和煤油。砂纸的号数依次为：#400 ~ #600 ~ #800 ~ #1000 ~ #1200 ~ #1500 。实际上#1500 砂纸只用适于淬硬的模具钢（52HRC 以上），而不适用于预硬钢，因为这样可能会导致预硬钢件表面烧伤。 （3 ）精抛精抛主要使用钻石研磨膏。若用抛光布轮混合钻石研磨粉或研磨膏进行研磨的话，则通常的研磨顺序是9 μ m （#1800 ）~ 6 μ m （#3000 ）~3 μ m （#8000 ）。9 μ m 的钻石研磨膏和抛光布轮可用来去除#1200 和#1500 号砂纸留下的发状磨痕。接着用粘毡和钻石研磨膏进行抛光，顺序为1 μ m （#14000 ）~ 1/2 μ m （#60000 ）~1/4 μ m （#100000 ）。 精度要求在1 μ m 以上（包括 1 μ m ）的抛光工艺在模具加工车间中一个清洁的抛光室内即可进行。若进行更加精密的抛光则必需一个绝对洁净的空间。灰尘、烟雾，头皮屑和口水沫都有可能报废数个小时工作后得到的高精密抛光表面。 2.2 机械抛光中要注意的问题 用砂纸抛光应注意以下几点： （1 ）用砂纸抛光需要利用软的木棒或竹棒。在抛光圆面或球面时，使用软木棒可更好的配合圆面和球面的弧度。而较硬的木条像樱桃木，则更适用于平整表面的抛光。修整木条的末端使其能与钢件表面形状保持吻合，这样可以避免木条（或竹条）的锐角接触钢件表面而造成较深的划痕。 （2 ）当换用不同型号的砂纸时，抛光方向应变换45 ° ~ 90 °，这样前一种型号砂纸抛光后留下的条纹阴影即可分辨出来。在换不同型号砂纸之前，必须用100 ％纯棉花沾取酒精之类的清洁液对抛光表面进行仔细的擦拭，因为一颗很小的沙砾留在表面都会毁坏接下去的整个抛光工作。从砂纸抛光换成钻石研磨膏抛光时，这个清洁过程同样重要。在抛光继续进行之前，所有颗粒和煤油都必须被完全清洁干净。 （3 ）为了避免擦伤和烧伤工件表面，在用#1200 和#1500 砂纸进行抛光
CMP Slurry的蜕与进 岳飞曾说：“阵而后战，兵法之常，运用之妙，存乎一心。”意思是说，摆好阵势以后出战，这是打仗的常规，但运用的巧妙灵活，全在于善于思考。正是凭此理念，岳飞打破了宋朝对辽、金作战讲究布阵而非灵活变通的通病，屡建战功。如果把化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)的全套工艺比作打仗用兵，那么CMP工艺中的耗材，特别是slurry的选择无疑是“运用之妙”的关键所在。 “越来越平”的IC制造 2006年，托马斯?弗里德曼的专著《世界是平的》论述了世界的“平坦化”大趋势，迅速地把哥伦布苦心经营的理论“推到一边”。对于IC制造来说，“平坦化”则源于上世纪80年代中期CMP技术的出现。 CMP工艺的基本原理是将待抛光的硅片在一定的下压力及slurry（由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液）的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面材料的去除，并获得光洁表面（图1）。 1988年IBM开始将CMP工艺用于4M DRAM器件的制造，之后各种逻辑电路和存储器件以不同的发展规模走向CMP。CMP将纳M粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。目前，CMP技术已成为几乎公认的惟一的全局平坦化技术，其应用范围正日益扩大。 目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗等技术于一体的CMP技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。 Slurry的发展与蜕变 “CMP技术非常复杂，牵涉众多的设备、耗材、工艺等，可以说CMP本身代表了半导体产业的众多挑战。”安集微电子的CEO王淑敏博士说，“主要的挑战是影响CMP工艺和制程的诸多变量，而且这些变量之间的关系错综复杂。其次是CMP的应用范围广，几乎每一关键层都要求用到CMP进行平坦化。不同应用中的研磨过程各有差异，往往一个微小的机台参数或耗材的变化就会带来完全不同的结果，slurry的选择也因此成为CMP工艺的关键之一。” CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、slurry、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。其中slurry和抛光垫为消耗品。Praxair的研发总监黄丕成博士介绍说，一个完整的CMP工CM和抛光垫是slurry艺主要由抛光、后清洗和计量测量等部分组成。抛光机、．P工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平（图2）。
国家标准《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》 （送审稿）编制说明 一、工作简况 1 立项目的和意义 受益于LED照明产业的快速发展，国内蓝宝石单晶产业发展迅猛，未来全球蓝宝石产业发展的重心在中国，但是目前国内有关蓝宝石抛光衬底片行业方法方面的标准还较为欠缺，因此，制定蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法标准很有必要。 制定本标准的目的是为了规范蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素的测量方法，避免因为金属残留原因造成的后道工序污染、成本升高及质量下降等问题，促进我国蓝宝石产业内部的平稳流动及互惠互利。该标准可填补国内蓝宝石抛光衬底片在表面金属残留检测及定性定量方面标准的空白，对于我国蓝宝石产业的发展具有重要意义。 2 任务来源 根据国家标准委《关于下达2013年第二批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2013]90号）的要求，《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》由天通控股股份有限公司负责编制本标准，计划编号为20132165-T-469，完成年限为2015年。 3 编制单位简况 天通控股股份有限公司（以下简称“天通股份”）是国内首家由自然人直接控股的上市公司，重点发展磁性材料及LED晶体材料，是集科研、制造、销售于一体的国家重点高新技术企业。公司一直高度重视标准化工作，积极参与国际标准、国家标准和行业标准的制修订工作，不断建立和完善企业标准体系，具有丰富的标准化研究、管理能力和经验。 4 主要工作过程 天通控股股份有限公司在收到项目计划后开始收集和分析有关资料，确定标准制定的原则和依据，并落实标准的主要起草人，成立标准起草组。标准起草组对相关资料进行了认真分析，共召开五次会议，不断修改、完善标准草案，形成了标准的讨论稿。 2014年11月，由全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会组织，在江苏省徐州市对天通控股股份有限公司起草的《蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法》
石材抛光配方参考，工艺流程及抛光原理探讨大理石抛光是大理石护理晶面处理的前一道工艺流程或石材光板加工的最后一道程序。是如今大理石护理的最重要的工艺流程之一。目前大理石抛光工艺已经很成熟了，但是关于大理石抛光原料方面，基本还处于假说阶段，积极地开展这方面的研究, 对于我们正确地认识抛光过程, 掌握抛光实质, 从而改善抛光工艺, 提高抛光质量和抛光效率具有重大的理论意义与实践意义。 禾川化学是一家专业从事精细化学品分析、研发的公司，具有丰富的分析研发经验，经过多年的技术积累，可以运用尖端的科学仪器、完善的标准图谱库、强大原材料库，彻底解决众多化工企业生产研发过程中遇到的难题，利用其八大服务优势，最终实现企业产品性能改进及新产品研发。 样品分析检测流程：样品确认—物理表征前处理—大型仪器分析—工程师解谱—分析结果验证—后续技术服务。有任何配方技术难题，可即刻联系禾川化学技术团队，我们将为企业提供一站式配方技术解决方案！ 1、石材抛光工艺过程和原理 对不同材质的大理石, 采用抛光方法也有所不同, 总结起来大致可分为四类： 1.1、毛毡一α-氧化铝抛光法 抛光过程：毛毡一α-氧化铝抛光是干法抛光。嵌陷在毛毡表层的磨粒, 对板面进行冲撞、滑擦、滚压作用。在这些机械力作用下,通过材料的去除和塑变, 使板面凸凹处趋于平整。抛光初始时洒在板面上的少量水, 使得磨粒分布均匀, 易于嵌陷在毛毡上。抛光开始后, 由于热作用使温度升高, 水份开始蒸发, 水蒸汽是表面活化剂, 对降低表层的强度, 增加微凸休的活化能起一定作用。
抛光原理：毛毡一α-氧化铝抛光是机械, 热物理和化学作用的联合作用过程。其中机械, 热物理作用占主导地位。抛光面是一塑性变形层。该表层内晶粒大小基木不变，表层上存在吸附层, 吸附层不仅有空气, 水蒸汽的吸附物, 还吸附有磨料、磨屑及沾染物。 1.2、磨块抛光法 抛光过程：主要采用M1或M1.5白刚玉磨块和金刚石磨块抛光，抛光过程中机械作用主要为冲撞、滑擦。化学吸附作用除与毛毡一α-氧化铝抛光类似外, 还存在对高分子化合物的吸附。其余作用过程现象与毛毡一α-氧化铝类似。 抛光原理：抛光过程是机械, 热物理和化学作用的联合作用过程。抛光面是一塑性变形层； 1.3、毛毡一草酸抛光法 毛毡一草酸抛光是水抛光, 抛光过程中必须供给适当的水量。供水的目的主要是调节溶掖的PH值, 使在适宜的酸性溶液中实施最有利的抛光。抛光中的化学作用主要是草酸溶液与碳酸盐岩的溶解反应。机械作用为毛毡对板面的磨擦作用, 使得草酸盐被清除, 同时还由于磨擦时产生的热里, 增加了络液的活性, 促进俗解反应进行。 抛光时伴随有吸附过程, 由于毛毡的磨擦作用, 使吸附层不断去除和形成。 毛毡一草酸抛光是机械, 热物理和化学作用的联合作用过程。化学作用占主要地位。 抛光而日吸附有草酸根离子和草酸钙（有机赘合物）薄层。此薄层（光泽膜）主要为草酸钙所组成。薄层的均匀性与溶液的PH值有关。 1.4、磨块一草酸抛光法
金相抛光机 金相抛光机 结构特征概述抛光机由底座、抛盘、抛光织物、抛光罩及盖等基本元件组成。电动机固定在底座上，固定抛光盘用的锥套通过螺钉与电动机轴相连。抛光织物通过套圈紧固在抛光盘上，电动机通过底座上的开关接通电源起动后，便可用手对试样施加压力在转动的抛光盘上进行抛光。抛光过程中加入的抛光液可通过固定在底座上的塑料盘中的排水管流入置于抛光机旁的方盘内。抛光罩及盖可防止灰土及其他杂物在机器不使用时落在抛光织物上而影响使用效果。 金相试样 要进行金相分析，就必须制备能用于微观观察检验的样品—金相试样。通常，金相试样制备要经过以下几个步骤：取样、镶嵌、磨光（粗磨和细磨）和抛光。每项操作都必须严格细心因为任何阶段的失误都可能影响以后的步骤，在极端的情况下，不正确的制作可能造成假组织，从而得出错误的结论川。 过程 金相试样的制备是通过切割机、镶嵌机、磨/抛光机来完成的，金相试样的最终质量是由抛光工序决定的，抛光是金相制样过程中至关重要的一环。抛光是将试样上磨制产生的磨痕及变形层去掉，使其成为光滑镜面的最后工序。 金相试样抛光的技术要求 金相试样抛光的技术要求 抛光操作的关键是要设法得到最大的抛光速率，以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响最终观察到的组织，即不会造成假组织。这两个要求是矛盾的。前者要求使用较粗的磨料，以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层，但抛光损伤层也较深；后者要求使用最细的材料，使抛光损伤层较浅，但抛光速率低。解决这个矛盾的最好的办法就是把抛光分为两个阶段进行。首先是粗抛，目的是去除磨光损
伤层，这一阶段应具有最大的抛光速率，粗抛形成的表层损伤是次要的考虑，不过也应当尽可能小；其次是精抛（或称终抛），其目的是去除粗抛产生的表层损伤，使抛光损伤减到最小。抛光时，试样磨面与抛光盘应绝对平行并均匀地轻压在抛光盘上，注意防止试样飞出和因压力太大而产生新磨痕。同时还应使试样自转并沿转盘半径方向来回移动，以避免抛光织物局部磨损太快在抛光过程中要不断添加微粉悬浮液，使抛光织物保持一定湿度。湿度太大会减弱抛光的磨痕作用，使试样中硬相呈现浮凸和钢中非金属夹杂物及铸铁中石墨相产生“曳尾”现象；湿度太小时，由于摩擦生热会使试样升温，润滑作用减小，磨面失去光泽，甚至出现黑斑，轻合金则会抛伤表面。为了达到粗抛的目的，要求转盘转速较低，最好不要超过500r/min；抛光时间应当比去掉划痕所需的时间长些，因为还要去掉变形层。粗抛后磨面光滑，但黯淡无光，在显微镜下观察有均匀细致的磨痕，有待精抛消除。精抛时转盘速度可适当提高，抛光时间以抛掉粗抛的损伤层为宜。精抛后磨面明亮如镜，在显微镜明视场条件下看不到划痕，但在相衬照明条件下则仍可见到磨痕。金相试样抛光质量的好坏严重影响试样的组织结构，已逐步引起有关专家的重视。近年来，国内外在抛光机的性能上作了大量的研究工作，研究出不少新机型、新一代的抛光设备，正由原来的手动操作发展成为各种各样的半自动及全自动抛光机。
化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液 一、行业的界定与分类 (2) （一）化学机械抛光 (2) 1、化学机械抛光概念 (2) 2、CMP工艺的基本原理 (2) 3、CMP技术所采用的设备及消耗品 (2) 4、CMP过程 (2) 5、CMP技术的优势 (2) （二）化学机械抛光液 (3) 1、化学机械抛光液概念 (3) 2、化学机械抛光液的组成 (3) 3、化学机械抛光液的分类 (3) 4、CMP过程中对抛光液性能的要求 (3) （三）化学机械抛光液的应用领域 (3) 二、原材料供应商 (4) 三、化学机械抛光液行业现状 (4) （一）抛光液行业现状 (4) 1、国际市场主要抛光液企业分析 (4) 2、我国抛光液行业运行环境分析 (4) 3、我国抛光液行业现状分析 (5) 4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 (5) （二）抛光液行业发展趋势 (5) （三）抛光液行业发展的问题 (5) 四、需求商 (6) （一）半导体硅材料 (6) 1、电子信息产业介绍 (6) 2、半导体硅材料的简单介绍 (6) （二）分立器件行业 (7) （三）抛光片 (8)
化学机械抛光液行业研究 一、行业的界定与分类 （一）化学机械抛光 1、化学机械抛光概念 化学机械抛光（英语：Chemical-Mechanical Polishing，缩写CMP），又称化学机械平坦化（英语：Chemical-Mechanical Planarization），是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。 2、CMP工艺的基本原理 基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。 3、CMP技术所采用的设备及消耗品 主要包括，抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中抛光液和抛光垫为消耗品。 4、CMP过程 过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成，抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。 5、CMP技术的优势 最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在
稀土的分类及其用途 2009年09月28日 09点34分06秒 【概述】 稀土就是化学元素周期表中镧系元素——镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)，以及与镧系的15个元素密切相关的两个元素——钪(Sc)和钇(Y)共17种元素，称为稀土元素(RareEarth)。简称稀土(RE或R)。 韩国并不是主要的稀土使用国，目前我国出口的稀土数量达到每年5万吨(合法出口)，主要的应用大国为日本，欧洲和北美。与此同时稀土在我国的应用也在积极开展，目前占到7万吨。我国每年稀土实际的矿产的实际投入量大约为15万吨，这个数字近年来没有明显变化。尽管如此，稀土的数量仍然不能满足目前全球在汽车，电子等行业用量的要求。特别是稀土在抛光，催化，磁性材料方面的增长也是非常突出。然而稀土的应用也存在着参差不齐的问题，一些元素，例如：Sm，Gd，Ho，Er等就没有得到充分的应用而大量荒弃，非常可惜。 【稀土的分类】 1)轻稀土(又称铈组)：镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆。 2)重稀土(又称钇组)：铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钇。 铈组与钇组之别，是因为矿物经分离得到的稀土混合物中，常以铈或钇比例多的而得名。 稀土金属(rareearthmetals)又称稀土元素，是元素周期表ⅢB族中钪、钇、镧系17种元素的总称，常用R或RE 表示。它们的名称和化学符号是钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)。它们的原子序数是21(Sc)、39(Y)、57(La)到71(Lu)。 【17种稀土元素名称的由来及用途】 稀土一词是历史遗留下来的名称。稀土元素是从18世纪末叶开始陆续发现，当时人们常把不溶于水的固体氧化物称为土。稀土一般是以氧化物状态分离出来的，又很稀少，因而得名为稀土。通常把镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕称为轻稀土或铈组稀土；把钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥钇称为重稀土或钇组稀土。也有的根据稀土元素物理化学性质的相似性和差异性，除钪之外(有的将钪划归稀散元素)，划分成三组，即轻稀土组为镧、铈、镨、钕、钷；中稀土组为钐、铕、钆、铽、镝；重稀土组为钬、铒、铥、镱、镥、钇。 这些稀土元素的发现，从1794年芬兰人加多林(J.Gadolin)分离出钇到1947年美国人马林斯基(J.A.Marinsky)等制得钷，历时150多年。其中大部分稀土元素是欧洲的一些矿物学家、化学家、冶金学家等发现制取的。钷是美国人马林斯基、格兰德宁(L.E.Glendenin)和科列尔(C.D.Coryell)用离子交换分离，在铀裂变产物的稀土元素中获得的。过去认为自然界中不存在钷，直到1965年，芬兰一家磷酸盐工厂在处理磷灰石时发现了痕量的钷。 镧(La)"镧"这个元素是1839年被命名的，当时有个叫"莫桑德"的瑞典人发现铈土中含有其它元素，他借用希腊语中"隐藏"一词把这种元素取名为"镧"。
汽车美容基础知识讲解 第一章汽车美容基本知识 第一节汽车美容概述 第二节汽车美容的主要工作内容 第三节汽车美容的依据和原则 第一节汽车美容概述 一、现代汽车的黄金产业－汽车美容 随着汽车工业的发展，20世纪30年代初，汽车美容、养护在英、美等发达国家开始起步，二次世界大战后，经济的复苏推动着汽车美容养护业日益壮大，70年代的世界石油危机过后，这一行业得到迅猛发展，市场的范围进一步扩大到中等发达国家。20世纪80年代，美国汽车维修市场开始萎缩，修理厂锐减31.5万家，而专业汽车美容养护中心却出现了爆炸性的增长，每年以近3万余家的速度递增。根据欧美国家统计，在一个完全成熟的国际化汽车市场中，汽车的制造以及销售利润在整个汽车业的利润构成中仅占20% ，零部件的供应利润占20% ，而50%-60% 的利润全部是从汽车后市场服务业中产生的。目前，美国汽车美容养护店的比例占汽车保修行业的80%。1994年，美国汽车美容养护行业的产值为1170亿美元，1999年高达2647亿美元，年均增长18%。 第一节汽车美容概述 2002年全球汽车美容养护业产值约10000亿美元，其中美国在3500亿美元以上。美国汽车服务业的营业额已经超过汽车整车的销售额，其中单单一个汽车美容业，产值就已超过3500 亿美元。 我国汽车美容行业产生相对较晚，到20世纪90年代初才出现，此时的汽车美容也只不过是洗洗刷刷涂涂抹抹而已，服务项目、内容、工艺、质量及标准等都很不规范。进入90年代中期。伴随着我国经济的崛起，我国的汽车工业得以快速发展，特别是私家车的保有量不断增多，同时由于汽车文化的日益深入以及文明程度的不断提高，汽车维修业及相配套的服务性行业也迅速发展，汽车美容业就是其中较为热门的行业。目前，汽车美容在我国已被越来越多的人所接受，并成为一种时尚。 第一节汽车美容概述 人们对自己的爱车也更加的呵护，“七分修三分养”的维修理念已经被人们逐渐抛弃，“七分养三分修”的养护理念落实到一种实实在在的消费行为上。而且与此同时，国外一些知名汽车美容公司纷纷登场，在全国范围内办起了连锁店，各种品牌的汽车美容用品也像雨后春笋般蜂拥而至，并造就了一支汽车美容大军，从业人数逐年增加，汽车美容业呈现一片繁荣景象。2004 年调查显示，全国汽车服务行业（只包含美容、养护、装饰及其它非维修类服务）产值为380 亿。 然而，和其他汽车消费发达国家比，中国的汽车服务行业介入程度还不到50% 。据有关数据显示，平均每辆汽车每年的装潢美容费用至少1550 元。目前国内专营和兼营汽车美容服务的在册企业尚不到一万家。因此，汽车美容业作为一种新兴产业正在崛起，而且必将成为本世纪的黄金产业和朝阳产业。
蓝宝石衬底制作工艺流程简要说明 长晶: 利用长晶炉生长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体 定向: 确保蓝宝石晶体在掏棒机台上的正确位置,便于掏棒加工 掏棒: 以特定方式从蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒 滚磨: 用外圆磨床进行晶棒的外圆磨削,得到精确的外圆尺寸精度 品检: 确保晶棒品质以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格 定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工 切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的芯片 研磨:去除切片时造成的芯片切割损伤层及改善芯片的平坦度 倒角:将芯片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷 抛光:改善芯片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度 清洗:清除芯片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等) 品检:以高精密检测仪器检验芯片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求 柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响 江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军 【摘要】：在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高. 【作者单位】：清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 【关键词】：蓝宝石图形衬底氮化镓发光二极管侧向生长光提取效率内量子效率原子力显微镜体材料蓝宝石衬底晶体质量 【基金】：国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106)国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105)北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~ 1·引言利用GaN基大功率LED作为一种新型高效的固体光源,具有能耗小、高功率、寿命长、体积小、环保等显著优点,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的第三代照明工具,被公认为21世纪最具发展前景的高技术领域之一[1,2].目前使用最广泛的外延GaN材料的衬底是成本较低的蓝
美国ASTM天然石材分类标准
天然石材的果汁类污染处理 果汁类的污染是石材在日常的家居生活中最常见的污染了，另一类就是油污类了。 果汁类的污渍不仅颜色很多，而且果汁中含有色素，如果长时间不清除，还会造成石材表面的黄化。而且很多水果都是酸性的物物，比如说橙汁、柠檬、杨桃、桔子、葡萄、苹果等等，所以果汁类的污染物并不只是污染石材的表面而已，同时它还会腐蚀石材的表面，甚至通过石材的孔隙渗入石材内部腐蚀，特别是对于石灰石和大理石，会造成石材的表面粗糙。 所以石材被果汁所污染，就应该要马上清理，如果已经染色或是造成黄化可以用中性的清洁剂清洁。如果黄化严重还洗不掉，则可以采用除色剂来清理。
如果石材的表面已经被侵蚀，失去光泽，则可以使用抛光粉再次抛光；要是破坏严重就应该请专业的石材养护人员来进行磨光处理。 天然石材的油污油渍类污染处理 油污油渍也是我们日常生活中容易出现在石材上的污染物。这要分为两种情况，一种是油烟造成的，一种是液态油造成的。如果是油烟造成的油污油渍是最好清理的，只要用中性的油污清洁剂就可以干净。如果是液态油倾倒造成的，应该马上擦拭干净，并用专用的中性油污清洗剂清洗。如果已经渗入石材被石材吸附，如果是日常的油污可以用碱性较大或弱碱性或中性的含有表面活性剂配方的清洗剂来清洗。记得可以先用洗涤剂浸泡约10分钟左右，再用硬一些的毛刷刷， 反复几边基本都可以取得比较好的效果。 天然石材的墨水类污染处理 现在墨水、圆珠笔、打包笔、水笔等的笔迹污染也是很常见的。其实墨汁类污染的处理是相当麻烦的，它们很容易渗透到石材内部去（像花岗岩的空隙就比较大，而大理石还会有裂纹），并且渗入的时间越长就越难清理掉。所以但石材的表面一被墨水所污染时，就应该立刻擦掉它，同时马上着手进行清理。这边建议是使 用除色剂来清理。 通常是，先要将除色剂同对应的敷料以3：1的比例混合并均匀搅拌成糊状。 之后把混合的糊状物均匀覆盖在污渍上，最好再盖上保鲜膜防止水分挥发。 定时检查污渍是否掉色，覆盖时间根据污渍的顽固程度而定，从几个小时到十几 个小时不等。 如果污渍已经除掉就可铲去除色剂并用水清洗干净。 待石材干透后最好是再补一下防护这样会好一些。 天然石材的乳制品类污染处理 乳制品（牛奶、奶油、黄油等）含有动物脂肪，这类的污染时间久了不仅会造成石材表面的黄化，而且还会腐败发臭。因此这类的污染也是应该要马上擦除的，如果已经造成石材的黄化现象，可以先使用中性清洁剂清洗石材表面，之后用除色剂清理（同墨水类的污染清除方法一样） 天然石材的油性化装品污染处理 目前由于化装品的普及，也出现了许多化妆品污染的情况，特别是油性化装品类的（比如说口红，指甲油等），这类污染物的成分一般为油、染料和蜡，如果污染到石材也是非常难清理的。如果您家中的石材装饰面出现了口红，指甲油等污染物，您可以先用锋利的刀片挂去石材表面的污染物，之后再用丙酮类的洗涤剂 来擦拭清洁石材的表面。
化学机械抛光液配方组成，抛光原理及工艺导读：本文详细介绍了化学机械抛光液的研究背景，机理，技术，配方等，需要注意的是，本文中所列出配方表数据经过修改，如需要更详细的内容，请与我们的技术工程师联系。 禾川化学专业从事化学机械抛光液成分分析，配方还原，研发外包服务，提供一站式化学机械抛光液配方技术解决方案。 1.背景 基于全球经济的快速发展，IC技术（Integrated circuit, 即集成电路）已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一大产业。IC 所用的材料主要是硅和砷化镓等,全球90%以上IC 都采用硅片。随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC 的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。 禾川化学技术团队具有丰富的分析研发经验，经过多年的技术积累，可以运用尖端的科学仪器、完善的标准图谱库、强大原材料库，彻底解决众多化工企业生产研发过程中遇到的难题，利用其八大服务优势，最终实现企业产品性能改进及新产品研发。 样品分析检测流程：样品确认—物理表征前处理—大型仪器分析—工程师解谱—分析结果验证—后续技术服务。有任何配方技术难题，可即刻联系禾川
化学技术团队，我们将为企业提供一站式配方技术解决方案！ 2.硅片抛光技术的研究进展 20世纪60年代中期前，半导体抛光还大都沿用机械抛光，如氧化镁、氧化锆、氧化铬等方法，得到的镜面表面损伤极其严重。1965年Walsh和Herzog 提出SiO2溶胶-凝胶抛光后，以氢氧化钠为介质的碱性二氧化硅抛光技术就逐渐代替旧方法，国内外以二氧化硅溶胶为基础研究开发了品种繁多的抛光材料。 随着电子产品表面质量要求的不断提高, 表面平坦化加工技术也在不断发展，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG( spin-on-glass) 、低压CVD( chemical vapor deposit) 、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC艺中获得应用, 但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等, 不能满足特征尺寸在0. 35 μm 以下的全局平面化要求。 1991 年IBM 首次将化学机械抛光技术( chemical mechanical polishing , 简称CMP)成功应用到64 Mb DRAM 的生产中, 之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP, CMP 将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来, 满足了特征尺寸在0. 35微米以下的全局平面化要求。CMP 可以引人注目地得到用其他任何CMP 可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。目前, 化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术，逐渐用于大规模集成电路(LSI) 和超大规模集成电路(ULSI) ，可进一步提高硅片表面质量，减少表面缺陷。
包钢是我国重要的钢铁工业基地和全国最大的稀土生产、科研基地，是内蒙古自治区最大的工业企业。1954年建厂，1998年 ?? 改制为公司制企业。公司总部位于内蒙古自治区包头市河西工业区，中心厂区占地面积36平方公里。包钢拥有“包钢股份”和“包钢稀土”两个上市公司。2008年，包钢经济总量和主要技术经济指标达到历史最好水平，销售收入首次突破400亿元大关，达到432.64亿元，同比增加100亿元以上，增长31.7%；钢产量达到983.9万吨，同比增加100万吨，增长11.32%；上缴税金达到37.96亿元，同比增加10亿元以上，增长38.8%，为地方经济社会发展做出了应有的贡献。包钢，全称是包头钢铁(集团)公司，始建于1954年。它是集矿山开采、钢铁冶炼轧制、稀土科研和销售以及与之相关的化工、发电等配套企业于一体的特大型钢铁联合企业集团。在全国各大钢铁企业里排名第12位，总资产达到355亿元。公司主厂区占地面积36平方公里，目前拥有包钢股份和稀土高科两个上市公司，具备年生产商品坯材700万吨以上生产能力，可生产63个品种，1970个规格的钢材产品。产品广泛用于冶金、建筑、石油、化工、航天、造船、铁路、汽车、国防等行业。包头钢铁（集团）工业旅游区2005年被国家旅游局命名为全国工业旅游示范点。 包钢具有得天独厚的资源优势 包钢白云鄂博矿是举世瞩目的铁、稀土等多元素共生矿，是西北地区储量最大的铁矿，稀土储量居世界第一位，铌储量居世界第二位，包头也因白云鄂博矿而被誉为“世界稀土之都”。 包钢已经进入我国千万吨级钢铁企业行列 拥有具备国际国内先进水平的冷轧和热轧薄板及宽厚板、无缝钢管、重轨及大型材、线棒生产线，是我国主要钢轨生产基地之一、品种规格最齐全的无缝钢管生产基地之一、西北地区最大的薄板生产基地。 包钢稀土产业在国内外具有举足轻重的地位 稀土氧化物总量占全国市场份额的40%以上，钕铁硼、负极粉、抛光粉等功能材料产能占全国市场份额20%以上，稀土金属镨钕占全国市场份额的30%。拥有我国的权威稀土科研机构——包钢稀土研究院、“瑞科稀土冶金及功能材料国家工程中心”，曾为美国发现号航天飞机阿尔法磁谱仪、我国“神舟”飞船运载火箭和“嫦娥一号”运载火箭提供重要磁性材料。包钢始终致力于科技进步和自主创新 CSP和高速钢轨领域的两项技术成果获国家科技进步二等奖。是德国西马克公司亚洲第一家、世界第二家CSP技术培训基地，是意大利Pomini公司在中国唯一的磨床培训中心，薄板的生产、管理和无缝管生产技术等实现对国外输出。 包钢始终致力于提高品质和打造名牌 热轧薄板、无缝钢管等产品通过国际权威机构认证，钢轨和无缝钢管被授予“中国名牌产品”称号，无缝钢管被国家质检总局确定为“免检产品”，“白云鄂博”牌稀土系列产品享誉国内外。 与宝钢签署战略联盟框架协议，不断加强与国内外原燃料供应商的战略伙伴关系。产品销售网络遍布全国各地，在13个省市设有包钢的销售分公司或售后服务网点，在日本、美国等国家设有销售分支机构。 始终以高度的社会责任感节约资源、保护环境 在行业内首家实现高炉全干法除尘，率先建设全国示范生态工业园区，被列为全国首批循环经济试点单位之一，在我国2007年首次评比的“中国能源绿色企业50佳”中，包钢位列第一。 秉承“坚韧不拔，超越自我”的企业精神 “十一五”末计划实现销售收入和资产总值双百亿美元。我们将坚持以结构调整为主线，
抛光机是什么 抛光机 抛光机是一种电动工具，抛光机由底座、抛盘、抛光织物、抛光罩及盖等基本元件组成。电动机固定在底座上，固定抛光盘用的锥套通过螺钉与电动机轴相连。抛光织物通过套圈紧固在抛光盘上，电动机通过底座上的开关接通电源起动后，便可用手对试样施加压力在转动的抛光盘上进行抛光。抛光过程中加入的抛光液可通过固定在底座上的塑料盘中的排水管流入置于抛光机旁的方盘内。抛光罩及盖可防止灰土及其他杂物在机器不使用时落在抛光织物上而影响使用效果。 抛光机操作的关键是要设法得到最大的抛光速率，以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响最终观察到的组织，即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料，以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层，但抛光损伤层也较深；后者要求使用最细的材料，使抛光损伤层较浅，但抛光速率低。 解决这个矛盾的最好的办法就是把抛光分为两个阶段进行。粗抛目的是去除磨光损伤层，这一阶段应具有最大的抛光速率，粗抛形成的表层损伤是次要的考虑，不过也应当尽可能小；其次是精抛(或称终抛)，其目的是去除粗抛产生的表层损伤，使抛光损伤减到最小。抛光机抛光时，试样磨面与抛光盘应绝对平行并均匀地轻压在抛光盘上，注意防止试样飞出和因压力太大而产生新磨痕。同时还应使试样自转并沿转盘半径方向来回移动，以避免抛光织物局部磨损太快在抛光过程中要不断添加微粉悬浮液，使抛光织物保持一定湿度。湿度太大会减弱抛光的磨痕作用，使试样中硬相呈现浮凸和钢中非金属夹杂物及铸铁中石墨相产生“曳尾”现象；湿度太小时，由于摩擦生热会使试样升温，润滑作用减小，磨面失去光泽，甚至出现黑斑，轻合金则会抛伤表面。为了达到粗抛的目的，要求转盘转速较低，最好不要超过600r/min；抛光时间应当比去掉划痕所需的时间长些，因为还要去掉变形层。粗抛后磨面光滑，但黯淡无光，在显微镜下观察有均匀细致的磨痕，有待精抛消除。 精抛时转盘速度可适当提高，抛光时间以抛掉粗抛的损伤层为宜。精抛后磨面明亮如镜，在显微镜明视场条件下看不到划痕，但在相衬照明条件下则仍可见到磨痕。抛光机抛光质量的好坏严重影响试样的组织结构，已逐步引起有关专家的重视。国内外在抛光机的性能上作了大量的研究工作，研究出不少新机型、新一代的抛光设备，正由原来的手动操作发展成为各种各样的半自动及全自动抛光机。 下面介绍几种常用的机械抛光机的性能和特点。抛机光专门针对钢、铝铜等金属制品的表面和管类进行效果处理，几十种原厂配件满足不同需要，轻而易举制造出各种精度不同的雪花
孔洞和Te原子在快速可逆相变过程中起重要作用 日前Gartner发布的2017年全球半导体市场初步统计显示，三星去年在全球半导体市场的份额达到14.6%，首次超越英特尔公司成为全球最大芯片制造商。去年全球半导体收入为4197亿美元，同比增长22.2%。供应不足局面推动存储芯片收入增长64%，它在半导体总收入中的占比达到31%。除了三星首度登上全球第一大半导体厂，SK海力士跃居全球第3，美光排名也跃升至第4位。供应不足引发的价格上涨成为了推动存储芯片收入增长的关键动力。 在半导体存储器中，市场主导的三种存储器技术为动态随机存储器(DRAM)、闪存(Flash)和静态随机存储器(SRAM)。随着工艺技术节点推进至45nm 以下，目前这三种存储器技术都已经接近各自的基本物理极限，DRAM的进一步发展对光刻精度提出了巨大挑战；Flash中电容变得异常的高和薄，为了延伸进一步提升密度，Flash 的栅介质必须选用高k值的材料；而SRAM 则随着工艺的演进开始面临信噪比和故障率方面的挑战。 相变存储器就是基于O v s h i n s k y效应的元件，被命名为O v s h i n s k y电效应统一存储器.(O v s h i n s k y [3]首次描述了基于相变理论的存储器，材料在非晶态—晶态—非晶态相变过程中，其非晶态和晶态呈现不同的光学和电学特性，因此可以用非晶态代表“0”，晶态代表“1”实现信息存储，这被称为O v s h i n s k y电子效应。) 相变存储器利用电能（热量）使相变材料在晶态（低阻）与非晶态（高阻）之间相互转换，实现信息的读取、写入和擦除，工作原理是将数据的写入和读取分为3个过程——分别是“设置（Set ）”、“重置（Res et ）”和“读取（Re ad）”。“Se t”过程就是施加一个宽而低的脉冲电流于相变材料上，使其温度升高到晶化温度T x以上、熔点温度T m以下，相变材料形核并结晶，此时相变材料的电阻较低，代表数据“1”。“R e s e t”过程就是施加一个窄而强的脉冲电流于相变材料上，使其温度升高到熔点温度T m以上，随后经过一个快速冷却的淬火过程（降温速率＞ 109K / s），相变材料从晶态转变成为非晶态，此时相变材料的电阻很高，代表数据“0”。“Re ad”过程则是在器件2端施加低电压，如果存储的数据是“0”，那么器件的电阻较高，因而产生的电流较小，所以系统检测到较小的电流回馈时就判断是数据“0”；如果存储的数据是“1”，那么器件的电阻较低，因而产生的电流较大，所以系统检测到较大的电流回馈时就判断是数据“1” 早期的相变存储材料由于结晶时会发生相变分离等原因，晶速率较慢（约微秒量级），如碲（T e）基合金，而到20世 纪80年代初，科研人员发现了一批具有高速相变能力、晶态和非晶态具有明显光学性质差异的相变材料,其中G e - S b - T e体系是最成熟的相变材料，G e -S b - T e合金结晶速度快，因此写入和擦除速度都非常快，能够满足高速存储性能的要求，由I n t e l和意法半导体（STMicroelectronics）组建的恒忆（Numo n yx）公司开发的相变存储器（图2）就基于Ge-Sb-Te合金 相变材料在非晶态和晶态之间的纳秒级相变导致的电阻巨大差异是相变存储器的进行数据储存的重要依据。虽然很多材料在固态时都具有多重相态，但并不是所有的这些材料都具备相变材料的特征。首先，材料在非晶态与晶态之间的电阻差异要大，才可以满足相变存储器的数据储存要求，比如王国祥[9]测量了Ge-Sb-Te薄膜的电阻，从GST薄膜的R-T曲线（图4）可以看到，非晶态- f c c - h e x的两个转变温度分别为168℃和约300℃，非晶与h e x结构的薄膜电阻率相差约为6个数量级，非晶与f c c结构则相差4个数量级,这样的电阻差异就能够满足存储要求；其次，材料的结晶速度要很快（纳秒级），且相变前后材料的体积变化要小，晶态和非晶态可循环次数高，以保证数据能够高速重复写入，这就意味着用作存储材料可以获得更快的操作速度；最后对材料的热稳定性也有一定要求，结晶温度足够高，材料的热稳定性会好，以保证相变存储器可以在较高的温度下工作，数据才能够保存足够长时间，但是结晶温度过高也会带来负面影响，比如需要更高的操作电压或电流等。 首先，在相变存储单元中，选通器件（MOS 晶体管或二极管）的驱动能力是有限的（0.5 mA/m），而器件RESET 操作固有的能耗决定了器件的能量效率，因此我们需要降低相变材料层中有效相变区域的非晶化电流，以降低器件操作驱动的难度，有效降低器件的操作功耗；其次，GST 材料本身的结晶温度过低，造成了材料的非晶态热稳定性较差的问题，使GST 材