长沙理工大学试卷标准答案
课程名称：模拟电子技术 试卷编号：04
一、填空（本题共20分，每空1分）：
1． 截止，低。
2． 偏置电流，有源负载。
3． 6mA ，－6V 。
4． 1=F A
，φA ＋φF ＝（2n ＋1）π，n 为整数。 5． 输出电压（或Uo ），输出电阻（或Ro ）。
6． 基准电压电路，取样电路，比较放大电路。
7． 直接；变压器。
8． 偏置，中间放大级。
9． 9W ，78.5%，24V 。
二、判断（本题共12分）：
解：1．(本小题4分)φA ＋φF ＝0，可能振荡。
2．(本小题8分)（a ）、（b ）均为交直流电流串联负反馈。
三、分析与计算（本题共68分）：
1．(本小题20分)
解：（1）I EQ ≈I CQ ＝（3－0.6）/2.4＝1mA ，I BQ ≈1000/50＝20μA ，U CEQ ＝Vcc －8.4I CQ ＝3.6V ；
（2）r be ＝r bb ’＋26（1＋β）/I EQ ＝1.6k Ω，R i ＝45//15// [ r be +0.2 (1＋β)]≈5.76k Ω，Ro ＝Rc ＝6k Ω，
Au ＝Uo/Ui ＝2
)1()//(E be L C R r R R ββ++-≈－12.7
2．(本小题10分)
解：（1）交直流电压串联负反馈；（2）Auf ＝1＋
1R R f ＝11
3．(本小题10分)
解：（1）上“＋”下“－”；（2）由RC 串并联振荡电路的起振条件|AF |>1，|F |＝1/3，故A ＝1+21R R >3，故R 1>20kΩ；（3）由f 0＝
RC
π21＝480Hz ，可得R ≈33k Ω。
4．(本小题10分)
解：（1）P om ＝L CC R V 82＝9W ，故Vcc ≥24V ；（2）P om ＝L om R U 2＝8
82＝8W
5．(本小题18分)
解：（1）u O1＝u O2＝－5V ；（2）u O3＝?-t o dt u C R 0231＝?t dt 05＝5t ；（3）UT ＝Z U 30
1515+±＝±4V ，故5t ＝4，t ＝0.8秒时u O4变为－12V 。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
第五章线性集成电路的应用 练习题 一、填空题： 1. 一阶RC 高通电路截止频率决定于 RC 电路 _________ 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信 号小 dB 。 2. 共集电极、共基极放大电路的 ________ 频特性比共发射极放大电路的好。 3. 使用大功率集成功放时，为保证器件使用安全和性能正常，一般应按规定外接 ____ 装置。 4. 应用集成功放组成功放电路时，若采用 _______ 电源供电，则输出构成 OCL 电路；采用 _________ 电源供电， 则输出构成OTL 电路。 5. 特征频率f T 越高，三极管的 ______ 频性能越好。 6. 一阶滤波电路阻带幅频特性以 ________ /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以 _ /十倍频斜率衰减。 阶数越—，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。 7. 某集成运放闭环应用时放大倍数为 200,带宽为100kHz ，则该运放的单位增益带宽为 _____________ 。 8. 某集成运放单位增益带宽为 1MHz ，则当用于放大100kHz 信号时，放大倍数最高可达 ___________ 倍。 9. 一阶RC 低通电路截止频率决定于 RC 电路 _________ 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信 号小 ____ dB 。 10. 只允许某一频段的信号通过，而该频段之外的信号不能通过的电路，称为 —滤波电路，某一频段 的信号不能通过，而该频段之外的信号均能通过的电路，称为 _ 滤波电路。 11. 低频信号能通过而高频信号不能通过的电路称为 滤波电路，高频信号能通过而低频信号不能 通过的电路称为 ________ 滤波电路。 12. 阻容耦合放大电路的电压增益与频率有关， 电压增益在低频区下降主要是由于 _________ 的作用，在高频 区下降主要是由于 ____________ 的作用。 13. 滤波器按其通过信号频率范围的不同，可以分为 ___________ 滤波器、—滤波器、—滤波器、 _____________ 滤 波器和全通滤波器。 14. 当有用信号频率高于 1kHz 时，为滤除低频信号，应采用截止频率为 ___________ 的 ____ 通滤波电路。 15. 特征频率f T 即随着频率的升高，当 B 值下降到等于 ______ 时所对应的频率。 、计算分析题 画出其幅频特性渐近波特图； （4）此为 ____ 通电路。 1.某电路传输函数为 A u =U o 0.5 U i 1 + jf 10 ，试分析：（1 ）求转折点频率; （2）求通带增益分贝值; (3)
模拟电子技术练习题 一、填空题 1、当希望放大300Hz~3400Hz 的信号时，应选用 滤波器；当希望抑制40KHz 以上信号时，应选用 滤波器。 2、PN 结加正向电压时,由 形成电流，其耗尽层 ；PN 结加反向电压时,由 形成电流，其耗尽层 。 3、放大电路中的三极管电位分别为：基极2.8V 、发射极2.1V 、集电极2.4V ，试分析该三极管的类型为 、工作在 状态。 4、如图所示波特图中低频截止频率 Hz ，通带放大倍数 ，高频截止频率 Hz 。 5、正弦信号产生电路的起振条件是 、振荡频率取决于 。 6、三极管电流放大系数α=0.98，则β= 。 7、电流源作有源负载的特点是直流等效电阻 、交流等效电阻 。 8、负反馈放大电路，为了实现电压-电流转换，应引入 负反馈；为了实现电流-电压转换，应引入 负反馈；为了实现电流-电流转换，应引入 负反馈；为了减小从电压信号源索取电流又增强带负载能力，应引入 负反馈。 二、简答题 1、电路如图所示，试回答：指出Vo1、Vo2的波形类型；电容C 增大频率如何变化；电阻R1增大Vo2的幅值如何变化。 2、简述基本放大电路出现饱和失真或截止失真的原因。 3、简述简单稳压二极管电路的结构。输入电压波动时如何实现稳压？ 4、简述单门限比较器和滞回比较器的主要区别。
三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。试求该电路的输出电压V o 与所有输入电压的关系式。 Vi1 Vi2 四、单电源功率放大电路如图所示，K 点为两个三极管发射极的中点，功放管的饱和压降忽略不计。 ⑴ 静态时K 点的电压为多少？ ⑵ 该电路的最大功率P 0max 。 ⑶ 对功率管的最大容许管耗P cm 有何要求。 五、放大电路如图，电流放大倍数为β。 ⑴ 求电路的静态工作点Q ；⑵ 画出微变等效电路；⑶ 计算0,,R R A i V 。 Vs
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
模拟电子技术基本练 习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为 49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为 0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成 2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器； 基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络； 稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。 18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20．差动放大电路中，共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 二．选择题
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日
目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)
一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
模拟电子技术节后思考与练习解答1.1 思考与练习 1、半导体具有哪些独特性能？在导电机理上，半导体与金属导体有何区别？ 答：半导体只所以应用广泛，是因为它具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，在导电机理上，金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有多子和少子两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。 2、何谓本征半导体？什么是“本征激发”？什么是“复合”？ 答：天然半导体材料经过特殊的高度提纯工艺，成为晶格结构完全对称的纯净半导体时，称为本征半导体。由于光照、辐射、温度的影响在本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发；本征激发的同时，共价键中的另外一些价电子“跳进”相邻原子由本征激发而产生的空穴中的现象称为复合。复合不同于本征激发，本征激发的主要导电方式是完全脱离了共价键的自由电子载流子逆着电场方向而形成的定向迁移，而复合运动的导电方式是空穴载流子的定向迁移，空穴载流子带正电，顺电场方向定向运动形成电流。 3、N型半导体和P型半导体有何不同？各有何特点？它们是半导体器件吗？ 答：本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素，但它们都不能称之为半导体器件。 4、何谓PN结？PN结具有什么特性？ 答：在同一块晶体中的两端注入不同的杂质元素后，在两端分别形成P区和N区，而在P区和N区交界处因为浓度上的差别而出现扩散，扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区，这个离子区就是PN结，PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。 5、电击穿和热击穿有何不同？试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。 答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时，由于PN结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，可造成二极管的永久损坏。． 1.2思考与练习 1、二极管的伏安安特性曲线上分为几个区？试述各工作区上电压和电流的关系。 答：二极管的伏安特性曲线上分有死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。死区上正向电压很小，电流基本为零；正向导通区管压降基本不变，硅管约为0.6～0.8V，其典型值通常取0.7V；锗管约为0.2～0.3V，其典型值常取0.3V，但通过管子的正向电流迅速增长；在反向截止区内，通过二极管的反向电流是半导体内部的少数载流子的漂移运动，只要二极管工作环境的温度不变，少数载流子的数量就保持恒定，由于反向饱和电流的数值很小，在工程实际中通常近似视为零值；在反向击穿区，反向电流会突然随反向电压的增加而急剧增大，造成齐纳击穿或雪崩击穿现象，如不加限流设置，极易造成“热击穿”而使二极管永久损坏。 、普通二极管进入反向击穿区后是否一定会被烧损？为什2 么？答：普通二极管工作在反向击穿区时，反向电流都很大，如不加设限流设置，极易造成“热击穿”而造成永久损坏。 、为什么把反向截止区的电流又称为反向饱和电流？3 图1.23
电力电子技术考前模拟题 欧阳光明（2021.03.07） 一、选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A 度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值 电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D ) A、0o-90° B、0o-120° C、0o-150° D、0o-180° 15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。
《模拟电子期末练习题》 填空题： 1、结正偏时（导通），反偏时（截止），所以结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线； 当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电 极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了 稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数（（1）），对于深度负反馈放大电路的放大 倍数（1）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共 模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲 乙）类互补功率放大器。 13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外
加电压（无关）。 14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输 出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广 泛应用于（集成）电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了 减小输出电阻采用（电压）负反馈。 18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克 服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 21、杂质半导体有（N）型和（P）型之分。 22、结最重要的特性是（单向导电性），它是一切半导体器件的基础。 23、结的空间电荷区变厚，是由于结加了（反向）电压，结的空间电荷区 变窄，是由于结 加的是（正向）电压。 24、放大电路中基极偏置电阻的作用是（为发射结提供正向偏置，同时提 供一个静态基极电流）。 ——调节基极偏流 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位（相 同），有奇数级组成的多级放 大电路中，输入和输出电压的相位（相反）。 26、电压负反馈稳定的输出量是（电压），使输出电阻（减小），电流负 反馈稳定的输出量是（电流）， 使输出电阻（增大）。 27、稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）；
二、单项选择题（每小题1分，共16分）在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题 目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成 ①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（ ） ①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ ①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a 的最大移相范围是（ ① 90° ② 120° ③ 150 ° 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（ ① T U2 ② 2U 2 ③ 2.2U 2 单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（ 厂 L ① 2U 2 ②2 2U 2 ③ 2 U2 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角a 的移相范围是（ ①0° ~90° ②0° ~180° ③90° ~180° 单相全控桥反电动势负载电路中， 当控制角a 大于不导电角3时， 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. ） ④反向截止 （） ④可关断晶闸管 P. H / ④不定 ） ④ 180° ） ④6U 2 ) ④6U 2 ） ④ 180° ~360° 晶闸管的导通角9= 电力电子技术模拟试卷四 （考试时间 150 分钟） 、填空题（每小题 1分，共 14分） 1. 1 . 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 。 2. 2 . 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另 。 一类是 3. 3. 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 U Fm 等 于 ，设U 2为相电压有效值。 4. 4. 同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L I H 。 5. 5. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值 。 6. 6. 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 措 施。 7. 7. 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有 —种方式。 & 8 . 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为， U DSM _ U BO 。 9. 9. 抑制过电压的方法之一是用 吸收可能产生过电压的能量， 并用 电阻将其消耗。 10?为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是 ______________________________________ 。 11. ____________________________________________________________ 改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变 ________________________________________________________________ 的幅值。 12. 180°导电型电压源式三相桥式逆变电路， 其换相是在 的上、下二个开关元 件之间进行。 13. ____________________________________________________________ 恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 ________________________________________________________________ 。 14. ____________________________________________________________________ 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 ____________________________________________________________ 型二极管，以便与功 率晶体管的开关时间相配合。
第5章电路的暂态过程分析 本次练习有11题，你已做11题，已提交11题，其中答对11题。 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 1.如图所示电路，开关K断开前，电路已稳态。t=0时断开开关，则u(0+)为（） A. 0V B. 3V C. 6V D. ？6V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析： 2.如图所示电路中，开关S在t=0瞬间闭合，若＝5V，则＝（）。 A.5V B. 0 C. 2.5V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 3. R-C串联电路的时间常数与成正比。 A. U0和C B. R和I0 C. R和 C D. U0和I0 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 4. R-C串联电路的零输入响应uc是按逐渐衰减到零。
答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5.如图所示的电路中，已知Us=10V，R1=2K，R2=2K，C=10则该电路 的时间常数为。 A.10ms B.1ms C.1s D.5ms 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 6.如图所示电路的时间常数为。 A. 2 s B. 0.5s C. 50 s D. 10s 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7. R-L串联电路的时间常数τ=。 A. RL B. R/L C. L/R D. 1/ （R×L） 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 8.实际应用中，电路的过渡过程经时间，可认为过渡过程基本结束。 A.τ B. 2τ C.∞ D. 4τ
哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期 电力电子技术模拟试题5（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（42分，每空1分） 1.IGBT导通的条件是：集射极间加正电源且u GE大于开启电压U GE(th)。 2. IGBT的输出特性分为三个区域，分别是：阻断区、有源区和饱和区。IGBT 的开关过程，是在阻断区和饱和区之间切换。 3.IGCT由 IGBT 和 GTO 两类器件结合而成的复合器件，目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代 GTO 在大功率场合的位置。 4.将多个电力电子器件封装在一个模块中，称为功率模块。 5.与单管器件相比，功率模块的优点是：可缩小装置体积、减小线路电感。 6.功率集成电路将功率器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息 电子电路制作在同一芯片上。 7.功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想 接口。 8.按照载流子参与导电的情况,，可将电力电子器件分为:单极型、 双极型和复合型三类。 9.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第 1 象限，升压斩波电路能使电动机工作于第 2 象限，电流可逆斩波电路 能使电动机工作于第1和第2象限。 10.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第 象限。 11.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个降压斩波电路和一个 升压斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3 个降压斩波电路并联。 12.T型双极式可逆斩波电路需要2个电源供电，功率管承受的反向电 压是电源电压的 2 倍。 13.一个开关周期内，双极式桥式可逆斩波电路所输出的负载电压极性交替变化，故称双极式；单极式桥式可逆斩波电路所输出的负载电压极性单一，故 称单极式。 14.把直流电变成交流电的电路称为逆变电路，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。 15.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流，从大的方面，换流可