南昌大学材料科学基础2014年期末复习题

单项选择题:

第1章原子结构与键合

1.高分子材料中的C-H化学键属于。

(A)氢键(B)离子键(C)共价键

2.属于物理键的是。

(A)共价键(B)范德华力(C)离子键

3.化学键中通过共用电子对形成的是。

(A)共价键(B)离子键(C)金属键

第2章固体结构

4.面心立方晶体的致密度为。

(A)100% (B)68% (C)74%

5.体心立方晶体的致密度为。

(A)100% (B)68% (C)74%

6.密排六方晶体的致密度为。

(A)100% (B)68% (C)74%

7.以下不具有多晶型性的金属是。

(A)铜(B)锰(C)铁

8.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。(A)fcc (B)bcc (C)hcp

9.以下元素中一般与过渡金属容易形成间隙相的元素是。

(A)氢(B)碳(C)硼

10.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。

(A)氮(B)碳(C)硼

11.面心立方晶体的孪晶面是。

(A){112} (B){110} (C){111}

12.以下属于正常价化合物的是。

(A)Mg2Pb (B)Cu5Sn (C)Fe3C

第3章晶体缺陷

13.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷

14.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。

(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错

15.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?

(A)垂直(B)平行(C)交叉

16.的位错线与滑移矢量必然相互平行。

(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错

17.能进行攀移的位错必然是。

(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错

18.以下材料中只存在晶界、不存在相界的是

(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金

19.在硅、镉等晶体中可观察到这种主要的位错增殖机制。

(A)交滑移增殖(B)弗兰克-里德源(C)攀移增殖

20.小角度晶界两端晶粒的位向差通常小于度。

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