模电基本概念复习题
一、判断下列说法是否正确
1、凡是运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P。
3、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
4、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于
各输入电流之代数和。
5、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
6、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
7、处于放大状态的BJT晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
8、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
9、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
10、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
11、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
12、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
13、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
14、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的
类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
15、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
17、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。
18、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。
19、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
20、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若
V小于零，则I D＝0。
GS
21、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零。
22、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。
23、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。
24、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
25、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射
极电阻R e一概可视为短路。
26、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端
输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
27、反馈量仅仅决定于输出量。
28、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。
29、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
30、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。
31、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
32、共集放大电路A u<1，电路不可能有反馈。
33、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。
34、负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。
35、负反馈可以抑制一切干扰。
36、在深度负反馈条件下，A f＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。
37、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
38、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。
39、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流
功率。
40、输入信号越大，非线性失真也越大。交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为
严重。
41、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
42、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。
43、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作
用。
44、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
45、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。
46、在电压比较器中，其输出只有两种状态。
47、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。
48、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
49、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。
50、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
51、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
52、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
53、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。
54、满足自激振荡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。
55、对于正弦波振荡电路，只要满足相位平衡条件，就一定能产生正弦波振荡。
56、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。
57、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。
二、选择题
1、关于理想运算放大器错误的叙述是( )。
A、输入阻抗为零，输出阻抗也为零
B、输入信号为零时，输出处于零电位
C、频带宽度从零到无穷大
D、开环电压放大倍数无穷大
2、欲将方波转换为三角波，应选用。
A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路
C．求和运算电路D．积分运算电路
3、欲将正弦电压移相+90°，应选用（）。
A．反相比例运算电路 B ．同相比例运算电路
C ．积分电路D．求和电路
4、当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A、增大
B、不变
C、减少
5、P型半导体主要靠（）导电
A 正电荷
B 空穴
C 电子
D 负电荷
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A．温度B．掺杂工艺的类型
C．杂质浓度D．晶体中的缺陷
7、对于稳压二极管，它正常工作时是处于（）状态。
A 正向导通
B 反向击穿
C 截止
D 随外加电压变化而变化
8、根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B＝－6.3V，V E＝－7V，V C＝－4V，可以判定此
晶体管是管，处于。（）
A NPN管，饱和区
B PNP管，放大区
C PNP管，截止区
D NPN管，放大区
9、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1ｍA变为2ｍA，
那么它的β约为（）。
A、83
B、91
C、100
10、一个晶体管的极限参数为P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( ）
是正常工作状态。
A.U CE=3V，I C=10mA
B.U CE=2V，I C=40mA
C.U CE=6V，I C=20mA
D.U CE=16V，I C=30mA
11、在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是（）。
A 共射电路的R i最大
B 共集电路的A V最小
C 共基电路的A V最小
D 共射电路的R o最小
12、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为2KHz，20mV的正弦电
压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是（）。
A．饱和失真B．截止失真
C．频率失真D．交越失真
13、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电
压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是（）。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
14、当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式（）。
A V B>V E ；V B>V C
B V B C C V C>V B>V E D V C 15、测得某三极管各极电流为Ｉ1＝2.4 mA，Ｉ2＝0.6mA，Ｉ3＝－3 mA（设电流流入三极 管为正）。则各电极分别是（）。 A、①－e，②－b，③－c B、①－b，②－c，③－e C、①－c，②－b，③－e D、其它情况 16、共射电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生（）。 A 交越失真 B 饱和失真 C 截止失真 D 不能确定的失真 17、对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是( ）。 A．输出电压与输入电压相位相同B．输入电阻，输出电阻适中 C．电压放大倍数大于1 D．电流放大倍数大于1 18、由两只β值相同且远大于1的NPN管组成的复合管，其复合管的β值约为（）。 A．βB．2βC．β2D．1+β 19、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时，图所示的abcd接法中， _______是正确的。 20、对于单管共射放大电路，当f＝f L时，v o滞后v i。 A．－90°B．＋45°C．－135°D．－180° 21、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。 A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体极间电容和分布电容的存在 C．半导体的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适 22、V GS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为（）。 A．结型管B．增强型MOSFET C．耗尽型MOSEFT管D．BJT 23、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。 A非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 24、集成放大电路采用直接耦合的原因是( )。 A ．便于设计B．放大交流信号 C．不易制作大容量电容 D ．克服零点漂移 25、在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：( ) 。 A 共发射极电路的A V最大、R i最小、R o最小 B 共集电极电路的A V最小、R i最大、R o最小 C 共基极电路的A V最小、R i最小、R o最大 D 共发射极电路的A V最小、R i最大、R o最大 26、当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后，级联放大器的带宽（）。 A 小于BW B 等于BW C 大于BW D 不能确定 27、图电路中，设各管的相对结面积相等，I＝1mA，则I C3＝（）。 A．1mA；B．0.5mA；C．0.3mA 28、放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。 A．环境温度变化引起参数变化B．增益太大 C．采取了直接耦合方式D．外界干扰 29、差动放大电路的主要特点是( ) 。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号； B 既放大差模信号，又放大共模信号 C有效放大共模信号，有力抑制差模信号； 30、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是( ) ，而提高共模抑制比。 A 抑制共模信号 B 抑制差模信号 C 放大共模信号 D 既抑制共模信号又抑制差模信号 31、双端输入，双端输出，差分式放大电路如图。已知：静态时,V C1＝V C2＝10V，v O＝v C1 －v C2＝0，求： （1）设|Ａvd|=100,ＡVC=0，Ｖi1＝10mV，Ｖi2＝5mV. 则|V o|为（）。 A. 125mV B. 200mV C. 250mV D. 500mV （2）设Ａvd＝－10，Ｖi1＝0.1V，Ｖi2＝－0.1V，则V c1（对地）为（）,V c2对地为（）A.9V B.10V C.11V D.12V （3）为提高电路的ＫCMR，Ｒe可用（）代替。 A．大电容B．电流源C．电压源D．断开 32、为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用( ) 。 A.共射放大电路； B.共集放大电路； C.共基放大电路 33、多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（）。 A 各级电路的参数很分散 B 回路增益AF&&大 C 闭环增益大 D 放大器的级数少 34、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 35、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。 A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 36、负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）。 A．输入信号所包含的干扰和噪声；B. 反馈环内的干扰和噪声； C. 反馈环外的干扰和噪声； D. 输出信号中的干扰和噪声。 37、欲将电流信号转换成与之成比例的电压信号，应在放大电路中引入。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈 38、在OCL乙类互补对称功放中，若最大输出功率为1W，则电路中每管的最大管耗为 （）。 A．1W B．0.5W C．0.2W 39、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。 A．不用输出变压器B．不用输出端大电容C．效率高D．无交越失真 40、互补输出级采用射极输出方式是为了使（）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 41、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数必须满足（）才能起振。 A ．A V = 1 B．A V= 3 C．A V＜3 D．A V＞3 42、当我们只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用滤波器。 A．低通 B．高通 C．带阻 D．带通 43、单相桥式整流、电容滤波电路中，已知变压器副边电路的有效值为U2＝10V，R L C≥ 3T/2（T为电网电压的周期），测得输出电压平均值U O 可能的数值为： （A V） A．14V B．12V C．9V D．4.5V （1）正常情况下U O ≈（）； （A V） ≈（）； （2）电容虚焊时U O （A V） ≈（）； （3）负载开路时U O （A V） ≈（）； （4）一只整流管和电容同时开路时U O （A V） 44、直流电源电路中，整流的目的是（）。 A．将交流电变为直流电B．将高频变低频C．将正弦波变为方波 45、单相桥式整流电路中，若有一只二极管接反，则（）。 A．输出电压约为2UD B．变为半波直流C．整流管将因电流过大而烧坏。 三、填空题 1、频率失真是由于放大电路的不够宽引起的，非线性失真是由于放大器件的 特性产生。 2、工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是，。理想集成运算放 大器的放大倍数A v＝，输入电阻r i＝，输出电阻r o＝。 3、比例运算电路的输入电流等于零，而比例运算电路的输入电流等于流过 反馈电阻中的电流。 4、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 5、本征半导体是，其载流子是和，两种载流子的浓 度。 6、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极，此时，扩 散电流漂移电流，耗尽层_______。 7、二极管的正向电阻，反向电阻，故二极管最主要的特性是。 8、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要。 9、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________和反映反向特性的____________。 10、二极管的最主要特征是，稳压管是利用了二极管的特性。 11、图中D1～D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，最亮的灯是。 12、图所示电路，设u i=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压u O的波形应 为图示_______图。 13、三极管能起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度比发 射区掺杂浓度，基区宽度，集电区面积比发射区面积。14、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为 0.7V。；U AB＝ 15、BJT的输出特性上可划分为三个区分别、、。 16、当温度升高时，双极型三管的β将，反向饱和电流I CEO。 17、当温度升高时，双极性三极管的反向饱和电流I CEO 正向结压降V BE。 18、BJT工作在放大区的外部条件是：。 19、BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为：发射结，集电结。 20、测得某电路中NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。 21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的 类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 A管；B管；C管。 22、放大电路中动态工作点在负载线上移动。 23、双极型三极管是控制型控制器件。 24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处 于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。 A管；B管；C管。 25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，放大电路的输入电阻最 小，放大电路的输出电阻最小。 26、共发射极电路又可称为，共集电极电路又可称为，共基极电路又可 称为。（A电压跟随器；B反相电压放大器；C电流跟随器） 27、某PNP三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为失真，原 因是Q点，可以使I B来消除。 28、多级放大电路中，后一级的电阻是前一级的负载。 29、当信号频率等于放大电路的f L或f H时, 放大倍数的值为中频时的倍。 30、一个放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知中频放大倍数|A vm|=_______, f L为 _______，f H为________，当信号频率为f L或f H时，实际的电压增益为________。 31、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 32、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的区。 33、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 34、场效应管的漏极特性上的三个区域分别为、、。 35、图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是________沟道 ________MOS管。 36、当信号频率等于放大电路的H f时，放大倍数的值约为中频时的。 37、集成运放内部电路中，偏置电路由电路构成；输入级由电路 构成。 38、共模抑制比K CMR = ，电路的K CMR越大，表明电路能力越强。 39、集成运放内部电路主要有由、、、、 这几个部分组成。 40、差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压、共模抑制比 K CMR是之比，K CMR越大，表明电路。 41、电流源电路常用作放大电路的。 42、差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的作用和对共模输入信号的作 用。 43、串联负反馈只在信号源内阻时，其反馈效果才显著。 44、欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入的反馈类型 为。 45、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入的反馈类型 为。 46、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 47、在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入________；若要稳定放大倍数，应引 入________；希望展宽频带，可以引入________；如要改变输入或输出电阻，可以引入________；为了抑制温漂，可以引入________。（a.直流负反馈，b.交流负反馈，c.直流负反馈和交流负反馈） 48、如希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可引入________负反馈；如希望取得较 强的反馈作用而信号源内阻很大，则宜引入________负反馈；如希望负载变化时输出电流稳定，则应引入________；如希望负载变化时输出电压稳定，则应引入________。（a. 电压负反馈，b.电流负反馈，c.串联负反馈，d.并联负反馈） 49、为了增大放大电路输出电阻，应在放大电路中引入反馈。 50、串联负反馈使输入电阻、电压负反馈使输出电阻。 51、电压负反馈和电流负反馈在什么条件下对输出电压或电流其效果相同，什么条件下效 果不同？ 52、负反馈放大电路的自激条件是，其实质是放大电路中的负反馈在高或 低频段变为了。 53、OCL乙类互补对称功放电路中，静态工作点Q设置在功放管输出特性的区。 54、OCL乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是，该放大器的理想效率 为，每个管子所承受的最大电压为。 55、在一阶RC高通电路的相频特性中当f＝f L时，相角Φ= 。 56、正弦波振荡电路通常由放大电路，，和 四部分组成。 57、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于才能起振。 58、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为、相位平衡条件 为。 59、小功率直流稳压电源由变压、_ _、_ __、四 部分组成。 60、电容滤波电路一般适用于场合。 61、如图所示，已知U2为10V， L 3 2 T R C（T为电网电压的周期）。测得输出电压的平 均值U O （A V） 可能的数值为 + - u o A．14V B．12V C．9V D．4.5V (1)正常情况下U O（A V）≈；（2）电容虚焊时U O（A V）≈；（3）负载电阻开路 时U O （A V） ≈；（4）一只二极管和滤波电容同时开路时U O （A V） ≈； 简答题 1．指出图所示的桥式整流电容滤波电路的错误。 2．如图所示是一个输出6V正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。 3．桥式整流滤波电路，以知ｖ21=20×1.414Sinωt(V)。在下列情况时,说明Ｖo端对应的直流电 压平均值Ｖo(av)应为多少。 （1）电容C因虚焊未接上。 （2）有电容但R L开路。 （3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C，R L=∞。 4．用相位平衡的条件判图示的电路能否产生正弦波振荡,并简述理由。 5．电路如图，判断它们能否振荡，若不能试修改电路，最后写出振荡电路的振荡频率。 6．电路如图所示，判断其反馈类型。 （a）（b） 7．判断图中的反馈类型和极性；若Vi＝1V，求V o＝？假设集成运放是理想的。 《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、 15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. .. 1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电 压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;. 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;. 试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） 苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au 模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA =8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必 《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ； 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1 第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。 《模拟电子技术》期末考试试卷 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有 （）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与 （）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直 线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结 （）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降 （）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、 （）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈， 为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反 馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（） 信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（） 类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电 阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其 两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三 个电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、 （PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（） 偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（） 倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a， b。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大 电路的输入电阻。 4．一个 NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1 =u i2 , 则输出电压为V ； 若 u =1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压 u为μV，共模输入信号 u为μV。 i1id ic 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻 较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。A．β增加， I和 u减小 B.β和 I 增加， u 减小 CBO,BE CBO BE C．β和 u BE减小， I CBO增 加 D.β、 I CBO和 u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。A. 通过增加一级放大 B.利用两个 模电练习题 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 练习题一 1. 填空题 贴片电阻多用数码法标示，如512标示Ω。（） 色环电阻，红+红+橙+金+棕，表示阻值和误差为。（Ω±1%） 某采样电阻标注为R005，表示该电阻的阻值为Ω。（） 一瓷片电容其标示为104J，表示其容量为 uF、误差为±5%。（） 电容具有通，阻的电气特性。（交流，直流） 电感在电路中常用“L”表示，电感的特性是通直流阻交流，频率越，线圈阻抗越大。（高） 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路，其作用是阻止电流通过。（低频交流） P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。（空穴，电子） 温度增加时，二极管的正向电阻将会变。（小） PN结最大的特点是。（单向导电性） 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为 A，最高反向工作电压为 V。（1,50） 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻，在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的极。（正） 三极管有三个引脚，基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。（B，发射） 三极管是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分为型和型两种。（NPN，PNP） 指针式万用表的黑表笔接三极管基极，红表笔接触另外两极中的任一电极，若指针偏转角度很大，说明被测管子是型。（NPN） 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。（源极，漏极） 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值，比标称阻抗值要，这是正常现象。（直流，小） 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。（电声） 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。（内热式，外热式） 焊接电子元件时，一般来说最恰当的时间是在 s内完成。（~4） 用数字万用表测试二极管的反向电阻，应显示为。（1） 2. 选择题 有几位同学拿来一个滑动变阻器，看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样，这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解，你认为正确的是（）。（C）模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
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