《电子线路（I ）》 董尚斌编 课后习题（1到7章）
第1章
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别
解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT
E i g e
T A n 22
300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2
i n 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同 ~
解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流
1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关
解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别
解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） ） （2） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （3） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ?10档测出的阻值小，而用R ?100档测出的阻值大，为什么
解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过
电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为，R ×10档时，表头满量程为100μA ，万用表的内阻
为S
R '＝150Ω，R ×100档时万用表的内阻为Ω='=150010S S R R 。用万用表测二极管所构成的电路如题图1-6（a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。由图可得管子两端的电压V 和电流I 之间有下列关系：
R ×10档： S
R I V '-=5.1 R ×100档： S
S R I IR V '-=-=105.15.1
这两个方程式在V-I 坐标系中均为直线，如图（b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的
电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定在特性曲线与直流负载线的交点上。用R ×10档测量时，交于图中A 点，万用表读数为V 1／I 1；用R ×100档测时，交于图中B 点，万用表读数为V 2／I 2。显然前者的阻值较小，而后者的阻值大。
*
1-18 在300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm －
3，受主原子数等于3×1014cm －
3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N 型还是P 型锗它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现
［提示］ 若N a ＝受主原子（负离子）浓度，
N d ＝施主原子（正离子）浓度，
则根据电中性原理，可得
p N n N d a +=+
又 2
i n np =
（300K 下，锗的n i ＝×1013cm －
3） 由上二式可求出n 、p 之值。
（2）若 N a ＝N d ＝1015cm －
3，重做上述内容。 <
（3）若 N d ＝1016cm －
3，N a ＝1014cm －
3，重做上述内容。
解：（1）由2
i n np =与n ＋N a ＝P ＋N d 可得0)(2
2=--+i a d n p N N p
解之得 ????
??+-±--=
2
24)()(21i a d a d n N N N N p
由于p ＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知
n i ＝×1013cm －3，N a ＝3×1014cm －3， N d ＝2×1014cm －
3 代入上式得 []
3
142132
1414
10055.1)104.2(410)32(10)32(21-?=??
???
??+?-+?--=
cm p
n ＝p ＋（N d －N a ）＝×1014＋（2－3）×1014＝×1012cm
－3
由此可知 n ＜p 因而是P 型锗。 *
（2）由于 N a ＝N d ，因而由n ＋N a ＝p ＋N d 得
n ＝p ＝n i ＝×1013cm －
3 这是本征锗。
（3）由于N a ＜＜N d ，因而可得n ＞＞p n ≈N d =1016cm －
3
31016
2132
1076.510
)104.2(-?=?==cm n n p i n ＞＞p ，故为N 型锗。 1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T ＝300K 时自由电子和空穴
热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解： T ＝300K 时，n 0≈N d ＝（×1022／105）cm －3＝×1017cm －3＞＞n i ＝×1010cm －
3
则 3202
01053.4-?≈=cm n n p i
本征半导体电导率 σ本＝（μn ＋μp ）n i q ＝×10－
6S/cm 杂质半导体电导率 σ杂≈μn n 0q ＝119S/cm ;
因此 σ杂／σ本＝238×105
1-21 在室温（300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA ，问它的正向电流为时应加多大的电压。设二极管的指数模型为)1(-=T
D mV S D e
I i υ,其中m ＝1，V T ＝26mV 。
解：将1115.0＞＞ ，，，T
D
V S D e
nA I m mA i υ===代入公式得
S
D
T D S D V I i V I i e T D ln
=?=υυ V I i V S
D
T D 34.0ln
≈=υ
1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图1-25所示，室温下测得二极管中的电流为20mA ，试确定二极管的静态直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
解：（1-25）
从图中可见，I DQ =20mA 、V DQ =，所以静态直流电阻R D 为
Ω=?=
=
-5.3310
2067
.03
DQ
DQ D I V R 从图中可见，mA I D 201030=-=?，因而在静态工作点处其交流电阻为
】
Ω==?=
3.120
26
D T d I V r
1-26 由理想二极管组成的电路如题图1-26所示，试求图中标注的电压V 和电流I 的大小。
解：在图（a ）电路中D 2管优先导通，输出端电压=＋3V ，D 1截止，通过1k Ω电阻的电流I=8mA ；
题图1-26（b ）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D 1截止D 2导通，则输出端的电压()()V 33.3101010
51010+=-+?+--=
；由于D 2是理想二极管，则A 点电压也为＋，显然，假定D 1截止是错误的。
若D 1导通，A 点电压为零，则输出端电压也为零V ＝0，则通过D 1的电流为
()mA I 110
100510=---=
1-27二极管电路如题图1-27所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o。设二极管的导通压降为。
解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：
①在图题1-27（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。若考虑二极管的正向压降V D(on)＝，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－＝－。
②在图题1-27（b）中，断开二极管V D,有V AB＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。
`
③在图题1-27（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为：
V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9V
V D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V
二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则
V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－＝－
而V B2A＝－12V－（－）＝－，所以，V D2因反偏处于截止状态。
④在图题1-27（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。
V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15V
V D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V
二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A点的电位V A＝V B2＋V D2（on）＝－10V＋＝－。D1因承受电压而截止。故
.
V O＝V A＝－
1-28 题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V ，稳定电流为10mA ，额定功率为200mW ，试问
（1）当电源电压在18V ~ 30V 范围内变化时，输出V o 是多少稳压管是否安全
（2）若将电源电压改为5V ，电压V o 是多少
（3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条件
解：由于稳压管的额定功率为200mW ，而V Z 为6V ，则通过稳压管的最大允许电流为
mA I Z 3.336
200
max ==
（1）当电源电压在18～30V 范围内变化时，输出电压V o ＝6，而通过稳压管的电流I Z 为mA I Z 2410
16
303
=?-=
＜m ax Z I ，所以稳压管是安全的。 （2）若电源电压改为5V ，电压V o ＝5V （不稳压）。 （3）V V V V I I 3.3916103.3310
16
101033
3
＜＜＜＜
???-?-- ,
1-29 题图1-29中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是否处于正常工作状态如果不正常，是短路还是断路如果正常，是工作于放大状态，截止状态还是饱和状态
解：三极管的三种工作状态的偏置特点为：
放大状态——发射结正偏、集电结反偏；饱和状态——发射结正偏、集电结正偏；截止状态——发射结反偏、集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管、锗管。若违反以上特点，则考虑管子是否损坏。
综合分析后得： （a ）放大状态；（b ）发射结断路；（c ）放大状态；（d ）发射结短路；（e ）截止状态；（f ）饱和状态；（g ）发射结断路；（h ）放大状态。
1-32 已知电路如题图1-32所示，试判断下列两种情况下电路中三极管的状态：
（1）V CC =15V R b ＝390k Ω R c ＝Ω β＝100 （2）V CC ＝18V R b ＝310k Ω R c ＝Ω β＝100 解：（1）
A R V V I b
BEQ
CC BQ μ7.3610
3907
.0153
≈?-=
-=
-
mA I I BQ CQ 67.3107.361006=??==-β
V R I V V c CQ CC CEQ 6.34.1115=-=-=
因为V CEQ ＞1V ，所以T 处于放大状态 （2）
假设放大管处于饱和状态，令V CES ≈0 则
mA R V V I c CES
CC CS 83.3≈-=
A I I CS
BS μβ
3.38==
BS B I A I ＞μ8.5510
3107
.0183
≈?-=
所以T 处于饱和状态。
~
1-34 某三极管的输出特性曲线如题图1-34所示，从图中确定该管的主要参数：I CE0、P CM 、V （BR ）CE0,β（在V CE ＝10V ，I C ＝4mA 附近）。
答案：I CE0＝；P CM ＝40mW ；V CE0=25V ；β＝50
1-36 若测得某半导体三极管在I B ＝20μA 时，I C ＝2mA ；I B ＝60μA 时，I C ＝，试求此管的β、I CE0及I CB0各为多少
解：根据三极管电流分配关系I c ＝βI B ＋I CE0和已知条件，有 2000μA ＝20·β＋I CE0 5400μA ＝60·β＋I CE0
由此解得 β＝85 I CE0＝300μA 又 I CE0＝（1＋β）I CB0,所以 I CB0≈μA ！
1-38 已知半导体三极管静态工作点电流I CQ =2mA ，β＝80，|V A |＝100V ， 0='b b r ，试画出器件的混合π型等效电路，并求其参数e b r '、g m 和r ce 值。
解： 混合π型等效电路如图所示。 由于9876.01=+=
β
β
a ，则I EQ ＝I CQ ／α＝
因此Ω=+='1040)
1(EQ
T
e b I V r β，mS r g e b m 77=='β，Ω==k I V r CQ A ce 50 1-42 N 沟道JFET 的输出特性如题图1-42所示。漏源电压的V DS ＝15V ，试确定其饱和
漏电流I DSS 和夹断电压V P 。并计算V GS ＝－2V 时的跨导g m 。
解：由图可得：饱和漏电流I DSS ≈4mA ，夹断电压V P ≈－4V ，V GS ＝－2V 时，用作图法求得跨导近似为：
mS i g GS D m )
2(14
.16.2----≈≈
υ△△＝
第2章
]
2-1 什么叫放大器试述题图2-1放大电路中各元件的作用
《
2-2 根据放大电路的组成原则，判断题图2-2所示各电路能否正常放大。
题图2-2
解答：图（a ）电源电压为负值，晶体管没有合适的工作点，电路不能正常放大；
图（b ）电容C b 隔断了直流，晶体管处于截止状态，电路不能正常放大； 图（c ）电容C b 将输入信号短路，电路不能正常放大；
图（d ）晶体管的集电极为交流地电位，所以0=o υ，电路不能正常放大； 图（e ）晶体管处于截止状态，电路不能正常放大； 图（f ）电路有放大作用
2-3 画出题图2-3放大电路的直流通路和交流通路以及E E B B i i υυ、、、的波形图（设
BE sm sm s V V t V ＜＜,sin ωυ=，放大器处于线性状态工作，而且在工作频率下耦合电容b
C 和C e 足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）。 \
题图2-3 题图2-4
解：题图2-3
2-4 在题图2-4所示的电路中，已知管子的17.2,7.0,100)(-=-==CQ on BE I V V βmA
r ce 不计，信号源。，Ω==k R V t s s 10)(sin 1.0ωυ设'0,bb r =试求三极管各极电压和电
流值B i 、BE υ、C i 、CE υ。 解： ∵I CQ ＝－
∴A I I CQ
BQ μβ
7.21-==
()
Ω=?=+='k I V r CQ
T
e b 21.198.111011β )(sin 92.8A t r R i e
b s s
b μωυ=+=
'
|
则 i B ＝I BQ ＋i b ＝（－＋ωt ）μA
υBE ＝V BE(on)＋υbe ＝（－＋ωt ）V i C ＝I CQ ＋i C ＝（－＋ωt ）mA υCE ＝V CEQ +υo ＝（－＋ωt ）V
2-8 试用估算法确定题图2-8所示放大电路的Q 点。已知三极管的50β=。 题图2-8
解： ()()e
b BEQ
c BQ CC BQ R R V R I V I ββ++-+-=
11
1）()()
A R R R V V I e c b BEQ
CC BQ μβ541=+++-=
2）I CQ ＝βI BQ ＝ 3）V CEQ ＝V CC －（I C ＋I B ）（R c ＋R e ）＝
：
2-10 设计一个如题图2-10所示的分压式偏置电路。已知V V CC 1250==，β它的静态工作点V V V V mA I BEQ CEQ CQ 7.05.41===，，。试选择R b1、R b2、R c 和R e 。
-
解：因为V BQ ＝（3～5）V ，这里取V BO ＝4V ， 所以 V BQ ＝V BQ －＝
Ω=?=
≈
=
k I V I V R CQ
EQ EQ
EQ e 3.310
13
.33
取标称值R e ＝Ω 又因为 A I I CQ
BQ
μβ2050
1013
=?==- 取 I 1＝（5～10）I BQ ＝（100～200）μA ，这里取I 1≈I 2＝200μA
】
所以 Ω=?=
=-k I V R BQ b 20102004
6
2
2
取标称值R b2＝20k Ω
Ω=?-=
-=
-k I V V R BQ
CC b 4010
2004
125
1
1
取标称值R b1＝39k Ω
Ω=?--=
--=
-k I V V V R CQ
EQ
CEQ CC c 2.410
13
.35.4123
取标称值R c ＝Ω
2-13 已知题图2-13所示放大电路中三极管的参数为Ω=='30040b b r ，β，试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接4k Ω的负载，问这时放大器的电压增益下降到多少
题图2-13 题图2-14
解：（1）静态工作点依据题意有 <
()()V V R R R V CC b b b BQ 1.2127
.4227.4211
-=-?+=-+=
mA R V V R V I e
BEQ
BQ e
EQ EQ 9.110
12
.01.23
-=?+-=
-=
=
A I I EQ
BQ
μβ4642
109.113
-≈?-=+=- mA I I BQ CQ 84.110
46406
-=??-==-β
V R I R I V V e EQ c CQ CC CEQ 5.519.15.284.112-=?+?+-=---= （2）电压增益
因为
()()Ω===
68.139
.126
26mA I mV r EQ e
()2.11668
.134130010254013
001-≈?+??-=++-='e b b c r r R A ββυ
当放大器输出端外接4k Ω的负载时，由于R L ＝4k Ω，
—
()Ω=?+??=='k R R R C L L 538.110
45.21045.2//3
6
所以 ()46.7168
.134130010538.14013
002-=?+??-=++'-='e b b L r r R A ββυ
2-14
题图2-14所示电路，属于何种组态若输入信号波形为正弦波，试定性画出
BE E C CB i i υυ、、、及o υ的波形，并说明o υ与i υ的相位关系。
解：该电路属于共基组态
2-24 由N 沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如题图2-24，设静态值V GS ＝－，g m ＝V ，试求：
（1）静态值I D 和V DS ；
（2）电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和输出电阻R o 。 解：（1）求静态值I D 和V DS 由该电路的直流通路可求得： ]
V V R R R V DD G G G G 42
12
=+=
题
又 V G －V GS ＝I D R S
所以 mA k R V V I S GS G D 42.0102
.04=Ω
+=-=
题图2-24 V DS ＝V DD －I D R S ＝
（2）计算电压放大倍数A υ，输入电阻R i 和输
出电阻R o
先画出微变等效电路如图所示
！
由微变等效电路可得
()()86.0//1//1=+='+'='+'=+==L S m L S m L m L m L
gs m gs L gs m o gs o i o R R g R R g R g R g R g R g A υυυυυυυυυ
R i ＝R g ＋
R g1
Ω==+=
-=
-=
k
g
R g R g R I I R m
S o
m S
o
o gs
m S
o
o D
R o
o S 77.01
//
υυυυυυυmA R V V I EE EE BE 04.10=--=
mA I I I CQ CQ 52.02
021=≈=995.422
=+=i ic ic υυυd
A υ2
5
C I ()
Ω=+='M I V r CQ T
e b 8.911
11β()Ω
=+='M r R R e b id 6.192115
.23911
11331133
121-=+-≈?++?
==''''e b c e b c e b e b d r R R
r R r R r A A A ββββυυυ
mA
R R V I on BE C 2604
2)(2=
+
+-=
mA I R
R
I C C 13.121==
mA R R I I C C 33.33
2
2
3==()Ω
≈??????++++≈'k R r R r R R r R e e b ce o 1016//1224333
33β()Ω
==Ω==Ω=+='k I V r I V r I V r C A ce C T
e C T e b 36,13,78013
32233
βd
A υmA
R V I on BE C 113
)
(5=-=
mA I I I C C 5.02
21==
=()
Ω=+==='''k I V r r r C T
e b e b e b 25.511
421βΩ
=='k r R e b id 5.1021()Ω
≈??????++++='k R r r r R R r R e ce e b ce o 2960//1131422
44βΩ
==
==k I V r r r C A ce ce ce 2001
421Ω==
521
3C T
e I V r Ω
≈=k R r R o ce od 180//42()
7.182//2
==
'e b od L d r R R A βυA 增大输入电阻 B 增大电流放大系数 C 展
宽频带
（3）电路采用超β管能够________B________.
A 增大输入级耐压值
B 增大放大能力
C 增大带负载能力 （4）T 1与T 2管的静态管压降V CEQ 约为_________A___________
A . B. C. 不可知
3-20 在题图3-20中，已知V CC ＝15V ，R 4＝R 5＝Ω，R L ＝8Ω，三极管的饱和压降均为2V ，在输入电压足够大时，求：
\
（1）最大不失真输出电压的有效值V om ； （2）负载电阻R L 上的电流的最大值I L max 。 （3）最大的输出功率P omax 和效率η。 解：（1）题图3-20所示电路中， V V R R R V V V L
CES CC R 76.05.08
5.02
15444=?+-=
?+-=
故有
V V V V V V R CES CC om 65.8414.176
.02152
4
≈--=
--=
（2）A A R V V V I L
R CES CC L 53.18
76
.02154
max ≈--=
--=
（3）()
()W W R V V V
P L
R CES CC
om 36.98
276.021522
2
4
≈?--=--=
()
()%6415
476.01314.344
≈?-?=
--=
CC
R
CES CC V V V V πη
！
3-22 在题图3-22所示电路中，已知二极管的导通电压V D(on)＝，三极管导通时的V BE
＝，T 2和T 3管发射极静态电位V EQ ＝0。试问：
（1）T 1、T 3和T 5管基极的静态电位各为多少
（2）设R 2＝10 k Ω，R 3＝100Ω。若T 1和T 3管基极的静态电流可忽略不计，则T 5管集电极静态电流约为多少静态时υi 为多少
（3）若静态时I B1＞I B3，则应调节哪个参数可使I B1＝I B3 如何调节
（4）电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗你认为哪个最合适为什么
—
题图3-22
解：（1）在题图3-22所示电路中，V EQ ＝0，故有V B1＝V BE1＋V BE2=＋V=，V B3＝－，V B5
＝V BE5＋（－V CC ）＝（－18）V ＝－
！
（2）mA mA R V V I B CC C 66.110
4
.118215≈-=-=
V V B i 3.175-=≈υ
（4） 若静态时i B1＞i B3，则可以向电阻增大方向调节电阻R 3使i B1＝i B3。
（5） 在电路中采用题图3-22的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体管T 1与T 3之间刚好有三个PN 结。
、
：
第4章
4-1 试求题图4-1所示框图的 】
增益i o f S S A =（或i o vf A υυ=）。
解：对于题图4-1（a ）可列出
()[]()222112121121B A A B A A A B B A A o i o o o i ++=?=--υυυυυυ 所以，闭环增益为 2
22112
11B A A B A A A A i o f
++==
υυυ 对于题图4-1（b ）由A 1、B 1构成的闭环增益A f1＝
1
11
1B A A +因此，总闭环增益
2
21112
12212111B A A B A A A B A A A A S S A f f i o f ++=
?+== 对于图题4-1（c ），设A 1、A 2的净输入信号分别为1i S '、2i S '，
^
则 ???
??-'-=''=-'='o i i i i o o i i S
B S B S S S A S S B S A S 3211
2
22112
3
212211
2
1
1B A A B A B A A A S S A i o f +++==
4-2 判断题图4-2中的反馈放大器是什么类型的反馈电路哪些是负反馈的哪些是正反馈的标出反馈支路。并说明其特点（仅说明负反馈放大器的）。
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之
第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =? = 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz f ≈ = = 0.70114k Ω ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω/465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C -- = ==?=????
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
思考题与习题 2-1列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1 2-2已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。 取kHz B 10=， 2-3试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 题图2-1 图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =,当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q
值为o Q ，则：R L Q o o ω= 值，则： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q R R R R Q R R R L Q L s L ++=++=1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q 由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为 由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。因此并联谐振回路适于恒流源。 2-6已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。 V1=V2? 题图2-2题图2-3 2-7已知调谐电路如题图2-3所示，回路的谐振频率为465kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）L 无损耗时回路的通频带； （3）L 有损耗（Q L =100）回路的通频带宽度。 左侧电路的接入系数： 25.040120401=+= T T T p 右侧电路的接入系数：25.040120402=+= T T T p 等效电源： s s i p i 1' = 等效阻抗：Ω=Ω + Ω+Ω= k k p k k p R p 67.265.21601 101 2 221 等效容抗：2 22 1' 16?10p pF p pF C ?++?= 电容值未知 2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应如何减小这一损耗？ 由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了，这就是插入损耗。增大回路本身的Q 值可以减小插入损耗。 2-9已知收音机某中放的负载回路如题2-4所示，回路的f 0=465kHz ，电感的Q 0=100，要求回路的带宽B=20kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）回路插入损耗；
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
关于《通信电子线路》课程的习题安排： 第一章习题参考答案： 1-1 1-3 解： 1-5 解： 第二章习题解答： 2-3 解： 2-4 由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ 答：减小Q 值或减小并联电阻 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？ 答： 1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值） 如式 通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式 为空载时的品质因数 为有载时的品质因数 Q Q Q Q L L <可见 结论： 串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。 2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响 o o Q R L Q ==ωL S L R R R L Q ++=0ωL p s p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++= ==故ωω同相变化。 与L S L R R Q 、Θ性。 较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴
2-8 回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？ 答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ， g p = 0则为无损耗。 有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的L g Q 0p 01ω= ，而 L g g g Q 0L p s L )(1 ω++= 。 2-11 2-12 解： 2-13 时，电路的失调为：66.65 5 .0*23.33f f 2Q p 0 ==?=ξ 2-14 解： 又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=，折合后c0’=p2*c0=,R0’=R0/ p2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=,回路谐振频率fp=，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=Ω，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/ 11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s s L 201g g g I g V P ????? ??+==L 2 p L s s L 211g g g g I g V P ?? ??? ??++=='2 0L 1 111?? ? ? ?? ??-='=Q Q P P K l
班级学号姓名分数 2015-2016学年第2学期电子专业 《电子线路CAD》试卷 一、选择题（共30分，每题2分） 1. 在进行电原理图编辑时，双击“Schematic Document”图标后，在“Document”文档下自动创建一个文件，其名为A A、Sheet B、Sheet C、Sheet D、Sheet 2. 原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 A、Design Team B、Recycle Bin C、Documents 3. 在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是B A、移动元件 B、使选定对象沿逆时针方向旋转90度 C、左右对称 D、上下对称 4. 在画电原理图时，用于连线的只能用A工具栏中的导线 A、Wiring Tools B、Drawing Tools C、 Main Tools 5. 多层板的顶层或底层通过 B 与内部的导电层相连 A、导线 B、过孔 C、网络标号 6. 单面板中用来放置元件的工作层是A A、顶层（ Top Layer） B、底层（Bottom Layer） C、禁止布线层（Keep Out Layer） D、多层（Multilayer） 7. Protel99 SE在初次启动时没有以下 C菜单 A、File B、View C、Design 8. 在Preferences对话框的Schematic选项卡中，如果取消选择Auto-Junction复选框，当原理图中出现T字形连接的时候，表面上连在一起的导线实际上并没有电气意义上的连接，需要用C命令才能将交叉的导线连接起来 A、Place菜单下的Bus Entry命令 B、Place菜单下的Wire命令 C、Place菜单下的Junction命令 D、Place菜单下的Text Frame命令 9. 执行 B命令操作，元件将按顶端对齐 A、Align Right B、Align Top C、Align Left D、Align Bottom
高频电子线路（第 4 版）课后习题答案高等教育出版社 第 2 章小信号选频放大器 2.1 填空题 (1)LC 并联谐振回路中， Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄 ,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路 ,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接 近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2已知并联谐振回路的 L 1 μH, C20 pF, Q100, 求该并联回路的谐振频率 f0、谐振电阻 R p及通频带 BW0.7。 [ 解]f01 2π 10-6 H 10.0356 109Hz35.6 MHz 2π LC20 10 12 F R p Q10010 6 H22.4 k22.36 10322.36 k 2010 12 F f 35.6 106 Hz104 Hz BW0.735.6356 kH z Q100 2.3并联谐振回路如图 P2.3所示，已知： C300 pF, L390 μH, Q 100, 信号源内阻 R s100 k , 负载电阻 R L200 k , 求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。[ 解] f011465 kHz 2π 390 μH300 PF 2π LC R p Q100390 μH114 kΩ 300 PF R e R s // R p // R L 100 kΩ//114. kΩ//200 kΩ=42 kΩ Q e R e42 kΩ42 kΩ 390 μH/300 PF 37 1.14 kΩ BW 0.7 f 0 / Q e 465 kHz/37=12.6 kHz 2.4 已知并联谐振回路的f010 MHz, C=50 pF, BW0.7150 kHz, 求回路的L和Q以及 f600 kHz 时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻 ? [ 解]L11510 6H5μH (2π f0 )2 C(2π 10106 )2 50 10 12
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
一、单选题 １、Proｔｅｌ99SE就是用于（ B )得设计软件. A、电气工程 B、电子线路 C、机械工程 D、建筑工程 2、Pｒoｔel９9 SE原理图文件得格式为（ C )。 A、*、Ｓchlib B、＊、SｃhＤoc Ｃ、＊、ScｈD、＊、Sｄf 3、Protel9９ SE原理图设计工具栏共有（ C ）个。 A、 5 B、 6 C、7 D、 8 ４、执行（Ｃ)命令操作,元器件按水平中心线对齐。 A、Ｃenter B、Ｄｉstrｉbute Horiｚontallｙ Ｃ、Cｅnｔeｒ Horizontaｌ D、Ｈｏrizoｎtal 5、执行( B )命令操作,元器件按垂直均匀分布。 A、ＶerｔicalｌｙＢ、Distｒｉbute Vertｉcaｌly C、Ceｎtｅｒ Verticａlly Ｄ、Ｄisｔribｕte 6、执行(Ｂ）命令操作，元器件按顶端对齐. Ａ、Alｉｇn Ｒiｇht B、Ａlign Toｐ C、Ａlｉgn Leｆｔ D、Align Bottom ７、执行（D )命令操作,元器件按底端对齐。 A、Aｌigｎ Rigｈt Ｂ、Aliｇn Top Ｃ、Align Left D、Ａｌｉｇn Bottom 8、执行(C )命令操作，元器件按左端对齐. Ａ、Aｌｉｇn Right B、Align Top C、Alｉgｎ Left D、Ａｌign Botｔｏm风嗯
9、执行(A)命令操作，元气件按右端对齐。 A、Aliｇn Ｒight Ｂ、Aｌｉgｎ Top C、AligｎＬｅft D、Align Bottoｍ 10、原理图设计时,按下(B )可使元气件旋转90°。 A、回车键 B、空格键 C、X键 D、Y键 1１、原理图设计时，实现连接导线应选择（Ｂ）命令。 A、Ｐｌace/Drawing Tools/Lｉne B、Plaｃe/Wire C、WｉrｅＤ、Line 12、原理图编辑时,从原来光标下得图样位置，移位到工作区中心位置显示，快捷键就是( C )。 A、Pagｅ Uｐ B、Ｐaｇe Down C、Hｏｍe D、Eｎd 13、在原理图设计图样上放置得元器件就是( A）. A、原理图符号 B、元器件封装符号 C、文字符号Ｄ、任意 14、进行原理图设计，必须启动（Ｂ）编辑器. Ａ、PCB B、Sｃhemａｔic C、ScｈematｉｃＬiｂrarｙ D、PCB Ｌibrary 1５、使用计算机键盘上得（ B）键可实现原理图图样得缩小. A、Pａｇe Up Ｂ、Page Dｏwn Ｃ、Hoｍe D、End １6、往原理图图样上放置元器件前必须先(B )。 Ａ、打开浏览器 B、装载元器件库 Ｃ、打开PCＢ编辑器 D、创建设计数据库文件
XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。
第一章作业参考解答 1.7给出调制的定义。什么是载波？无线通信为什么要用高频载波信号？给出两种理由。 答：调制是指携带有用信息的调制信号去控制高频载波信号。载波指的是由振荡电路输出的、其频率适合天线发射、传播和接收的射频信号。采用高频信号的原因主要是： （1）可以减小或避免频道间的干扰；而且频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大。 （2）高频信号更适合天线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。 1.11巳知某电视机高放管的f T=1000MHz，β0=100，假定要求放大频率是1MHz、10MHz、100MHz、200MHz、500MH的信号，求高放管相应的|β|值。 解： f工作= 1MHz时，∵f工作< < f T /β0∴|β| =β0 =100（低频区工作） f工作= 10MHz时，∵f工作= f T /β0∴|β| =0.7β0 =70 （极限工作） f工作= 100MHz时，∵f工作>> f T /β0∴|β| ≈f T / f工作=1000/100 =10 f工作= 200MHz时，∵f工作>> f T /β0∴|β| ≈f T / f工作=1000/200 = 5 f工作= 500MHz时，∵f工作>> f T /β0∴|β| ≈f T / f工作=1000/500 = 2 1.12将下列功率：3W、10mW、20μW，转换为dBm值。如果上述功率是负载阻抗50Ω系统的输出功率，它们对应的电压分别为多少V？转换为dBμV值又分别为多少？ 3W 34.77dBm 17.32V 144.77 dBμV 10mW 10 dBm 1.0 V120 dBμV 20μW -17 dBm 0.047V 93 dBμV 1.17某卫星接收机的线性部分如题图1.20所示，为满足输出端信噪比为20dB的要求，高放Ⅰ输入端信噪比应为多少？ 解： 1 3 2 1 123 1 1.0689 1 1 1.0788 10lg10lg()() ()10lg()20.33 e a a a i i o o i o T NF T NF NF NF NF G G G SNR NF SNR dB SNR dB SNR SNR dB NF SNR dB dB =+= - - =++= ==- ∴=+= 1.20接收机带宽为3kHz，输人阻抗为70Ω，噪声系数为6dB，用一总衰减为6dB，噪声系数为3dB的电缆连接到天线。设各接口均已匹配，则为使接收机输出信噪比为10dB，其最小输人信号应为多少?如果天线噪声温度为3000K，若仍要获得相同的输出信噪比，其最小输人信号又该为多少? 解：系统如框图所示： G1= –6dB NF1=3dB BW=3KHz NF2=6dB R
5-2.图题4-10所示是实用晶体振荡线路，试画出它们的高频等效电路，并指出它们是哪一种振荡器。晶体在电路中的作用分别是什么？ K 20 K6.5 (a) (b) 图题4-10 解：两个晶体振荡电路的高频等效电路如图4-22所示。 图(a)为并联型晶体振荡器，晶体在电路中的作用是：晶体等效为电感元件； 图(b)为串联型晶体振荡器，工作在晶体的串联谐振频率上，晶体等效为短路元件。 20 Hμ7. H (a) (b) 图4-22 高频等效电路
5-5晶体振荡电路如图P4.12所示，试画出该电路的交流通路；若1 f 为1 1C L 的谐振频率， 2f 为22C L 的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指出振荡频率与1f 、2 f 之间的关系。 图 P4.12 解：该电路的简化交流通路如图P4.12(s)所示， 图P4.12(s) 电路可以构成并联型晶体振荡器。若要产生振荡，要求晶体呈感性， 11C L 和22C L 呈容性。必须满足12f f f osc >>。
5-6 图示为三回路振荡器的等效电路，设有以下四种情况： ①332211C L C L C L >>； ②332211C L C L C L <<； ③332211C L C L C L >=； ④332211C L C L C L =<。 试分析上述四种情况是否可能振荡？振荡频率0f 与回路谐振频率有何关系？ 1 L 2 L 3 L 图题4-5 解：设11C L 回路谐振频率为11011C L = ω,22C L 回路谐振频率为2 2021C L =ω,33C L 回路谐振频率为3 3031 C L = ω。 能满足振荡的相位条件是be ce X X ,同电抗性质，cb X 与be ce X X ,反性质。 ①332211C L C L C L >> 可知321f f f f osc <<< 若振荡频率满足321f f f f osc <<<条件，则11C L 回路等效为容抗、 22C L 回路等效为容抗，而33C L 回路等效为感抗，满足相位条件，可能振荡。为电容三点式振荡器。 ②332211C L C L C L <<
电子线路CAD复习题 一、选择题 1、Computer Aided Design简称为（A） (A) CAD（B）CAM（C）EDA（D）PLD 2、运行Protel99 SE所要求的最低分辨率是（C） （A）800＊600（B）1000＊1000（C）1024＊768（D）1024＊678 3、在进行电原理图编辑时，双击”Schematic Doc u ment”图标后，在”Document”文档下自动创建一个文件，其名为（A） （A）Sheet n.Sch (B)Sheet n.Prj (C)Sheet n.Pcb (D)Sheet n.Doc 4、原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 （A）Design Team （B）Recycle Bin （C）Documents 5、原理图编辑好后，为了获得较好的打印效果，应将图纸方向设置为（B） （A）Landscape（水平）（B）Portrain（垂直）（C）两种方向均可 6、设置SCH的工作环境时，”Visible”、”Snap”、”Electrical Grid”三者的取值大小要合理，否则连线时会造成定位困难或连线弯曲的现象。一般来说，可视栅格大小与锁定栅格大小相同，而“电气格点自动搜索”半径范围要A锁定栅格距离的一半。 （A）略小于（B）略大小（C）等于 7、在放置元件操作过程，按下键盘上的Tab键，其作用是（A） （A）修改元件属性（B）旋转（C）空一格 8、在元件属性设置窗中，元件的序号应在哪设置（B） （A）Footprint（B）Designator（C）Part(第一个) 9、在元件属性设置窗中，元件的型号或大小应在哪设置（C） （A）Footprint（B）Designator（C）Part(第一个) 10、在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是（B） （A）移动元件（B）使选定对象沿逆时针方向旋转90度（C）左右对称（D）上下对称 11、在画电原理图时，用于连线操作的只能用A工具栏中的导线 （A）Wiring Tools（B）Drawing Tools（C）Main Tools 12、A既可用于同一张电路图内任何两个引脚之间的电气连接关系，也可用于表示同一电路系统中各分电路图之间元件引脚的连接关系。 （A）I/O端口（B）网络标号（C）导线（D）总线 13、要删除多个对象时，可执行”Edit”菜单下的B命令后，将光标移到待删除的对象上，单击鼠标左键即可。 （A）Clear（B）Delete（C）Cut 14、对多个对象进行标记后，执行”Edit”菜单下的A命令即可一次性地删除已标记的多个对象。 （A）Clear（B）Delete（C）End 15、下面哪一项不是原理图电气检查的内容（D） （A）没有连接的网络标号（B）悬空的输入引脚（C）没有连接的电源及地线（D）没有标明元件的封装 16、下面哪一项不是网络表文件中的元器件基本信息（） （A）元件的序号（B）元件封装形式（C）注释信息（D）各元器件的连接关系
第6章 角度调制与解调电路 6.1 已知调制信号38c o s (2π10)V u t Ω=?，载波输出电压6 o ()5c o s (2π10)V u t t =?，3 f 2π10rad/s V k =? ，试求调频信号的调频指数f m 、最大频偏m f ?和有效频谱带宽B W ， 写出调频信号表示式 [解] 3 m 3 m 2π108 810H z 2π2πf k U f Ω???= ==? 3 m 33 6 3 2π1088rad 2π10 2(1)2(81)1018kH z ()5cos(2π108sin 2π10)(V ) f f o k U m B W m F u t t t Ω??= = =Ω ?=+=+?==?+? 6.2 已知调频信号72()3cos[2π105sin(2π10)]V o u t t t =?+?，3f 10πrad/s V k = ，试：(1) 求该调频信号的最大相位偏移f m 、最大频偏m f ?和有效频谱带宽B W ；(2) 写出调制信号和载波输出电压表示式。 [解] (1) 5f m = 5100500Hz =2(+1)2(51)1001200Hz m f f m F BW m F ?==?==+?= (2) 因为m f f k U m Ω=Ω ，所以3 52π1001V π10 f m f m U k ΩΩ??= = =?，故 27 ()cos 2π10(V )()3cos 2π10(V ) O u t t u t t Ω=?=? 6.3 已知载波信号m c ()cos()o u t U t ω=，调制信号()u t Ω为周期性方波，如图P6.3所示，试画出调频信号、瞬时角频率偏移()t ω?和瞬时相位偏移()t ??的波形。 [解] FM ()u t 、()t ω?和()t ??波形如图P6.3(s)所示。
通信电子线路 (侯丽敏) 习题 绪论 0-1 什么是载波？什么是调制信号和基带信号？给出调制的定义。 解：由振荡电路输出的、其频率可保证天线的长度大大下降到实际能发射的高频信号称为载波。待发射的有用的模拟信号为调制信号；有用的模拟信号转换为数字信号称为基带信号；调制是指携带有用信息的调制信号去控制高频载波信号。 0-2 为什么要进行调制？给出两种理由。 解：根据天线理论，天线的长度与电信号的波长需可比拟，发射的电信号必须是高频信号；而且，直接发射调制信号会导致信道混叠。 0-3 给出无线广播的中波和短波的各自频率范围。 解：中波(MF)：0.3~3MHz 短波(HF)：3~30MHz 0-4 给出中国移动通信GSM 的载波频率范围。 解：GSM 的频段：GSM900：上行880~915MHZ ， 下行925~960MHZ ； GSM1800：上行1710~1785MHZ ， 下行1805~1880MHZ ； GSM1900：1850~1910MHZ ，1930~1990MHZ ； 上行和下行组成一频率对, 上行就是手机发射、机站接收；下行就是基站到手机。 0-5将下列功率转换为dBm 值。 ＷＷＷＷμ25)4(;0001.0)3(;001.0)2(;1)1(2222====P P P P
解：(1) 30dBm; (2) 0dBm; (3)－10dBm; (4)－41.9dBm ０-6 一通信系统的电压为 2.15V ，负载阻抗50Ω，转换为dBm(50)值。 解：19.66dBm(50) 第一章 习题一 1-1. 某单级中频放大器的调谐频率为465kHz ，调谐回路包含一电容为200pF 与一电感并联，电感的品质因数Q 0=100，不考虑任何负载影响。试计算此放大器的电压增益和通频带，如果回路两端并联一负载阻抗R L =40k ，那么电压增益和通频带变为多少？ 解：(1) Ω=????== -k 17110 20010465π2100 12 300p C Q R ω, A V0=R p =171000， ,dB 104)171000log(200==V A kHz 65.4100 10465BW 3 00=?==Q f (2) , 32400, k 4.3240 17140 171//'p 'V0L p ' p ==Ω=+?= =R A R R R ,dB 90)32400log(20' V0==A kHz 5.2495 .18465BW , 95.18171 4 .32100,L 0'L p 'p 0L === =?= ∴=Q f Q R R Q Q 1-2. 如题图E1.1所示，场效应管的转移导纳g m =3mA/V ，漏级输 出阻抗R ds =120k ，如果电感线圈损耗r =2.0 ，调谐回路的调谐 频率为850kHz 。试求：
电子线路试题及参考答案 试 题 一、单项选择题（在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。本大题共35小题，每小题2分，共70分） 1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ） A ．掺杂工艺 B ．温度 C ．杂质浓度 D ．晶体缺陷 2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ） A ．P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。 B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 C ．N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。 3．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A 、B 两端的电压为（ ） A ．–12V B ．+6V C ．–6V D ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ） A ．饱和状态 B ．放大状态 C ．截止状态 D ．倒置状态 5．对于图3所示复合管，设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻，则复合管的输入电阻r be 为（ ） A ．r be =r be1 B ．r be =r be2 C ．r be =r be1+(1+ )r be2 D ．r be =r be1+r be2 6．在图4电路中，设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。当输入f =1kHz 的正弦电压信号后，用示波器观察V i 和V o ，则二者相位关系为（ ） A ．相差90° B ．相差45° C ．同相 D ．相差180° 7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） A ．共射电路 B ．差分放大电路 C ．OCL 电路（互补对称电路） D ．共集电路 8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了（ ） A ．提高共模电压放大倍数 B ．提高差模电压放大倍数 C ．提高差模输入电阻 图 1 图 2 图 3 图4