一、填空题（29分）
1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57
.115)
35.1(倍-。
1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；
电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；
电力晶体管的图形符号是 。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180o 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。
6、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极，以 以电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。
7、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有 快速熔断器 ； 电路串电抗器 ； 过流时快速移相 ；和 直流快速开关 等几种。
8、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等到参数有关。
1、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零电压电路 与 零电流电路 两大类。
2、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有 恒压频控制、 转差频率控制、矢量控制、 直接转矩控制 等四种。
3、PWM 逆变电路的控制方法有 计算法 、 调制法 、 跟踪控制法 三种。其中调制法又可分为 异步调控法 、 同步调控法 两种。
4、通常变流电路实现换流的方式有 器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。
5、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是π→0 ，负载是阻感性时移相范围是 π?→ 。
6、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； 阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 和 整流式阻容吸收 等几种。
7、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 几种。
8、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTO 、 GTR 、 MOSFET 、 IGBT 几种。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，
晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电
流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来
限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种
即可）
1电流型逆变器中间直流环节贮能元件是___电感______
2正弦波脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，当改变____调制比（或调制度__ 可改变逆变器输出电压幅值；改变＿调制波频率＿可改变逆变器输出电压频率；改变＿载波频率＿可改变开关管的工作频率。
3根据对直流输入设置的储能元件和负载无功能量处理方式的不同，逆变器和变频器可以分为__电压源型___和__电流源型_两种类型。
4逆变可分为有源逆变和无源逆变两种.其中,我们_把直流电转变成和电网同频率的交流电并反馈给电网的这样一种逆变__为有源逆变,__ 把直流电转变成某一频率或频率可调的交流电并供给供具体的用电设备使用的这样一种逆变__为无源逆变6根据输入直流电源特点，可以将无源逆变分为＿电压型无源逆变＿和＿电流型无源逆变＿。
8180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在_同一相_的上、下二个开关元件之间进行
9变频电路种类繁多，从其过程可分为两大类，一类为＿交交＿变频；一类为＿交直交＿变频
11全控器件出现以后，逆变电路的结构大为简化，控制上由原来的相位控制技术改为PWM调制
1电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所可能承受的最大正向电压UFm等于_U2 ，设U2为相电压有效值。
2三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___2π／3_____
3对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值____下降____。
4单相全控桥式整流电路接反电动势负载。当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=__π-δ-α_______
5实现有源逆变要有两个基本条件，其外部条件是＿变流器的直流侧要有一极性和晶闸管导通方向相一致的直流电源且大小大于变流器直流侧输出平均电压＿；内部条件是＿控制角α<90°(或逆变角β>90°)使其输出一和整流时极性相反的电压＿．6三相全控桥式整流电阻性负载，控制角α在__60°～120°___范围内变化时负载电流断续。
7三相半波可控整流电路电阻性负载时负载电流断续时控制角α变化范围为__30°～150°__。
8单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是_0°～90°__
9单相全控桥式整流电路，若输入电压sinωtV，电阻性负载，设控制角α=60°,那么输出电压Ud＝_67.5V ___．10晶闸管在一个周期内导通的电角度称为＿导通角＿＿。
11＿＿三相半波可控＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
12三相全控桥式整流电路，若输入电压u2=100sinωt，电阻性负载，设控制角α=30°,那么输出电压Ud＝＿143V ．α=90°,那么输出电压
1、阴极K 、和门极G ，双向晶闸管的图形符号是
2、阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。
3、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√2U2 。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。（电源电压为U2）
4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。
5、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240o；正弦波触发电路的理想移相范围可达180o，实际移相范围只有150o。
6、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
7、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
8、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以电力晶体管的集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
13、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在电路中加电抗器来限制。为了减
小环流一般采用α大于β工作方式。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为
2
2U
2
。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电
压为6
U2。（电源相电压为U2）
3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60o小于120o的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 240o度；实际移相才能达 0o-180 o度。
6、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。
8、逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥、而不流经负载的电流，环流可在电路中加采用串联电抗器来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
10、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
DC－DC变换电路的3个基本元件是＿电感＿，＿电容＿，和＿功率开关管＿．
开关型DC－DC变换器的Boost电路在连续工作状态下时，输入电压Ui＝10.0V，占空比D＝0.6输出Uo＝＿25V＿．
设Buck--Boost变换器电路中，电感电流连续，若Ui＝10.0V，D＝0.7，则输出电压大小Uo＝＿23V＿
二、判断题（２0分）对打（√），错打（×）
1、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。（√）
2、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。（√ ）
3、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。（√）
4、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流方式，无需专门换流关断电路。（√）
5、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（×）
6、三相半波可控整流电路，不需要用大于60o小于120o的宽脉冲触发，也不需要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。（√）
7、变频调速装置是属于无源逆变的范畴。（√）
8、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。（√ ）
9、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。（√）
10、用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发脉冲与晶闸管主电路实现同
步。（×）
1、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×）
2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×）
4、逆变角太小会造成逆变失败。（√）
5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。（√）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
7、在半控桥整流电路中，大电感负载不加续流二极管，电路出故障时可能会出现失控现象。（√）
8、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×）
9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压的波形脉动频率为300Hz。（×）
1、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。 ( √ )
2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统，供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。（×）
4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。（×）
5、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。（√）
6、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用（×）
7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。（×）
8、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为
2倍相电压U2。（×）
9、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。（×）
10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度，达到改变输出转速的目的。（√）
1、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，电路出故障时可能会出现失控现象。（√）.
2、采用两组反并联晶闸管变流桥的可逆系统，供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×）
4、逆变角太大会造成逆变失败。（×）
5、并联谐振负载的逆变器负载必须是呈电容性电路。（√）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×）
8、在单相全控桥电路中晶闸管的额定电压选取相电压U2。（×）
9、在三相半波可控整流电路中，输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×）
10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度，达到改变输出转速的目的。（√）
1、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。（×）
2、晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。（×）
3、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。也会引起逆变失败。（√）
4、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。（√）
5、用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，使它更接近正弦波。（√）
6、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150HZ。（×）
7、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。（√）
8、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。（×）
9、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。（√）
10、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网。（×）
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（√）
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×）
4、逆变角太大会造成逆变失败。（×）
5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×）
8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×）
9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×）
10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。（√）
三、选择题（每题3分，15分）
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30o-35o，
B、10o-15o，
C、0o-10o，
D、0o。
1、三相半波带电阻性负载时，α为（C）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度。
B、60度。
C、30度。
D、120度。
2、在晶闸管触发电路中，改变( B ) 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压器变比。
3、能够实现有源逆变的电路为( B ) 。
A、三相桥式全控整流电路，
B、三相半控桥整流电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
4、下面哪种功能不属于变流的功能（C）
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
5、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A、交流相电压的过零点；
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
1、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种B；C；D。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C 、单相全控桥接续流二极管电路。
D 、单相半控桥整流电路。
2、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选 B 为最好。
A 、β=90o∽180o，
B 、β=35o∽90o，
C 、β
=0o∽90o，
3、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U 相换到V 相时）的输出电压等于 C 。 A 、U 相换相时刻电压uU ， B 、V 相换相时刻电压uV ，
C 、等于uU+uV 的一半即： 4、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选
择 B 。
5、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变 C 的大小，可使直流电动机负载电压Ud=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A 、同步电压，
B 、控制电压，
C 、偏移调正电压。
1、α为 B 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A 、0度。
B 、60度。
C 、30度。
D 、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变 C 的大小，使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A 、同步电压，
B 、控制电压，
C 、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 A 。
A 、三相半波可控整流电路，
B 、三相半控整流桥电路，
C 、单相全控桥接续流二极管电路，
D 、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压应为（ A D ）
A 、700V
B 、750V
C 、800V
D 、850V
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A 、90°
B 、120°
C 、150°
D 、180°
1、单相半控桥整流电路的二组触发脉冲依次相差 A 度。
A 、180°，
B 、60°， c 、360°， D 、120°
2、α为 C 度时，三相半波可控整流带电阻性负载，输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。
A 、0度，
B ，60度，
C ，30度，
D ，120度，
3、在晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A 、同步电压，
B 、控制电压，
C 、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为 A 。
A 、单相半波可控整流电路，
B 、三相半波可控整流桥带续流二极管电路，
C 、单相全控桥接续流二极管电路，
D 、三相半控桥整流电路。
5、一般可逆电路中的βmin 选 A 合理。
A 、30o-35o，
B 、10o-25o，
C 、0o-10o，
D 、0o。
1单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
2单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( C ) A. U2 B.2U2
C. U2
D. U2
3单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( A )
A.0°～90°
B.0°～180°
C.90°～180°
D.180°～360°
4单相半控桥整流电路，带大电感负载，直流侧并联续流二极管的主要作用是（ A ）。
A ．防止失控现象
B ．提高输出电压平均值
C ．减小输出电流的脉动
D ．直流侧过电压保护
6在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种 BCD 。
A 、三相半波可控整流电路。
B 、三相半控整流桥电路。
C 、单相全控桥接续流二极管电路。
D 、单相半控桥整流电路。
7三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选择 B 。
8电源中由交流电初次获得直流电大多是以二极管整流加电容滤波的形式获得。若输入电压电流有效值为分别为U ，I 。电流的
基波分量有效值为I1,基波电压的有相位差为φ，那么功率因数为：B 2v U u u +
E t T U off =0E t T U off =0 A COS φ、 B (I1/I)* COS φ、 C I1/I 、 D 以上都不正确
三、问答题（21分）
1、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？
2、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？
3、实现正确触发的同步定相的方法步骤有哪些？
1、 直流侧必需外接与直流电流Id 同方向的直流电源E ，其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud ，才能提供逆变能量。逆变器必需工作在β<90o（α>90o）区域，使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
2、A ：触发信号应有足够的功率。
B ：触发脉冲应有一定的宽度，脉冲前沿尽可能陡，使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
C ：触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。
3、A ：根据不同触发电路与脉冲移相范围的要求，确定同步信号电压us 与对应晶闸管阳极电压之间的相位关系。
B ：根据整流变压器TS 的接法与钟点数，以电网某线电压作参考矢量，画出整流变压器二次侧也就是晶闸管阳极电压的矢量。再根据A 确定同步信号US 与晶闸管阳极电压的相位关系，画出对应的同步相电压矢量和同步线电压的矢量。
C ：根据同步变压器二次线电压矢量位置，定出同步变压器TS 的钟点数和接法。只需把同步变压器二次电压Usu 、Usv 、Usw 分别接到VT1，VT3，VT5管的触发电路；Us(-U)、Us(-v)、Us(-w)分别接到VT4、VT6、VT2的触发电路，与主电路的各个符号完全对应，即能保证触发脉冲与主电路同步。
1、 在晶闸管两端并联R 、C 吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻R 的作用是什么？
2、单结晶体管的特性曲线可以分为哪几段？如果用一个二极管和两个电阻接成如下方式，请按对单结晶体管特性曲线进行研究的相同做法，设计试验电路，并作出它的Ie-Ue 特性曲线。
1、R 、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，
动态均压作用。R 的作用为：使L 、C 形成阻尼振荡，不会产生振
荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。、
2、单结晶体管特性曲线可分为：截止区、负阻区、饱和导通区。
1、根据下图简述升压斩波电路的基本工作原理。（图中设：电感L 、与电容C 足够大）
1、 当V 处于通态时，电源E 向电感L 充电，设充电电流为I1，
L 值很大，I1基本恒定，同时电容C 向负载供电，C 很大， 使电容器电压U0基本不变，设V 处于通态的时间为ton ， 在ton 时间内，电感L 上积蓄的能量为EI1ton ；当V 处于断态时，
E 与L 同时向电容充电，并向负载R 提供能量。设V 处于断态的时间为toff ，在toff 时间内L 释放的能量为（U0-E ）I1toff ，在一周期内L 积蓄的能量与释放的能量相等。可求得： 分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。
1、 三相半波整流电路，将整流变压器的二次绕组均分为两段，每段的电动势相同，接成曲折接法。其分段布置及矢量图如图所示，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么？
解：三相半波可控整流电路，当变压器二次绕组分成两组，按本题图示曲折接线，及矢量图所示。变压器二次绕组中，同一相的两个绕阻的电流，方向相反大小相等，因而形成的磁通，方向也相反、磁通量大小也会相等。这样变压器铁心中就不会存在直流磁通，自然就不会被直流磁化了。
2、PWM 逆变电路的控制方法主要有哪几种？简述异步调制与同步调制各有哪些优缺点？
解：PWM 逆变电路的常用控制方法有两种，一是计算法；二是调制法。其中调制法又可分为两种，一是异步调制法；二是同步调制法。通常异步调制法是保持载波频率不变，信号频率根据需要而改变时，载波比是变化的。优点是：信号频率较低时载波比较大，一周期内脉冲数较多，输出较接近正弦波。缺点是：正负半周脉冲数不相等，对称性差。因此，希望采用较高的载波频率，以克服在信号频率较高时仍能保持较大的载波比。同步调制时，保持载波比为常数，并在变频时使载波和信号波保持同步变化。优点是：信号波一周内输出的脉冲数是固定的，脉冲相位也是固定的，对称性好。缺点是：当逆变频率较低时，载波频率也很低，造成调制谐波不易滤除；逆变频率较高时，调制载波频率也过高，使开关器件的开关频率过高而难以承受。
3、什么是逆变失败？逆变失败后有什么后果？形成的原因是什么
解：逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败，该关断的器件末关断，该导通的器件末导通。从而使逆变桥进入整流状态，造成两电源顺向联接，形成短路。逆变失败后果是严重的，会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流，损坏开关器件。产生逆变失败的原因：一是逆变角太小；二是出现触发脉冲丢失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等。
1、 实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）
1、 实现有源逆变必须外接一直流电源，其方向与晶闸管电流方向相同，其数值要稍大于逆变桥电压，才能提供逆变能量。另外变流器必须工作在β<90o，（α>90o）区域，使Ud<0，才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。（7分）
2、 第一种调制方式为：保持开关周期不变，改变开关导通时间ton 称为脉宽调制。简称“PWM ”调制。第二种调制方式为：保持开关导通时间ton 不变，改变开关周期，称为频率调制。简称为“PFM ”调制。第三种调制方式为：同时改变周期T 与导通时间ton 。使占空比改变，称为混合调制。
3、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？（7分）
3、 电压型逆变器当交流侧为阻感性负载时，需要向电源反馈无功功率。直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂开关器件都反并联了反馈二极管。
而对电流型逆变器来说，当交流侧为阻感负载时，也需要提供无功能量反馈，但直流侧电感起缓冲无功能量的作用，因反馈无功能
1试分析实现有源逆变的条件是什么？
1实现有源逆变要有两个基本条件，其外部条件是变流器的直流侧要有一极性和晶闸管导通方向相一致的直流电源且大小大于变流器直流侧输出平均电压；内部条件是控制角α<90°(或逆变角β>90°)使其输出一和整流时极性相反的电压，同时要控制电路正常工作，且最小逆变角要有一定的限制。
2设换相重叠角γ=10°,晶闸管关断时间折算的电角度δ=8°,若取逆变角β=15°,问逆变能否成功?为什么?
2实现有源逆变最小逆变角要有一定的限制。题目中逆变不能成功。因为最小逆变角βmin=δ+γ+θ′（θ′为安全逆变角）,正常工作时逆变角应不小于此值，而题中逆变角β＜δ+γ，会造成换流时该关断的晶闸管不能可靠的截止而继续导通，而该导通的晶闸管不能导通，换流失败。
3单相全控桥式整流电路中若有一只晶闸管损坏变为短路会引起什么样的结果？若该晶闸管被烧成开路那？
3如果有一只晶闸管变成短路，分引起其他晶闸管因对电源短路而烧毁，严重时使输入变压器因过流而损坏; 如果该晶闸管变成开路，单相全控桥式整流电路变成单相半波可控整流电路
4电感性负载时，单相全控桥式整流电路的续流二极管和单相半控桥式中的续流二极管各有什么作用？
4 单相全控桥式整流电路感性负载加续流二极管主要是为了提高整流输出电压的平均值，同时改善负载电流的连续性；.单相半控桥式整流电路感性负载加续流二极管主要是为了防止失控现象的产生。
5反电势负载的特点是什么？
5反电势负载有如下特点：
1）当晶闸管全部阻断时，输出平均电压为反电势E ；
2）反电势负载能使电路导电角减小。反电势越大，导电角越小，电流出现断续现象越严重。
3）相同控制角时，同一电路，电流断续时的输出平均电压要比蒂娜流连续时的输出平均电压大；
4) 在反电势负载中加入平波电抗器可改善导电情况，增大导电角。
1 作出升压式(Boost 型)斩波器基本结构图并简述其工作原理。
1 注：图中开关为电力电子开关器件，通常为全控型
工作原理：斩波开关导通时，二极管VD 截止，直流电源Ud 让电感储能，电感上电压极性左正右负，同时电容C 原先储存的电能维持负载上的电压；斩波开关断开时，电感电流不能突变，感应电动势维持原电流流通，电感上电压左负右正（与图中相反），此时二极管VD 导通，直流电源和电感同时向负载和电容C 供电，使负载上电压高于电源电压。（简要写出即可）。
2带隔离变压器的直流变换器中隔离变压器的作用是什么？
2答：1）使变换器的输入电源与负载之间实现电气隔离，2）可匹配电源电压与负载所需的输出电压，3）可以设置多个二次绕组输出几个大小不同的直流电压
3 电力电子器件按驱动电路加电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质来划分，电力电子器件可分为那两种类型？各有什么特点？
3电压驱动型器件和电流驱动型器件.
电压驱动型器件特点:输入阻抗高,所需动功率小,驱动电路简单,工作频率高; 电流驱动型器件特点:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但工作频率较低,所需驱动功率大,驱动电路也比较复杂
4作出单端反激式DC/DC 变换器的主电路并解释什么是单端,什么是反激.(6分)
4单端是指变压器仅有单一方向的磁通,仅工作在其磁滞回线的第一象限.反激是指在开关管VT 导通时变压器没有能量传递到负载,此时变压器原边作为电感存储能量,能量时在开关管VT 断开时由变压器传递给负载的.
5下面是非隔离型逆向变换器的基本拓补电路。试分析：
1）能量传递元件是什么？ 2）Uo/Ui 与占空比之间的数量关系。 电感: 2）Uo/Ui=D/(1-D),D 为脉宽调制信号的占空比.
交—交变频后的频率比原频率是高还是低？为什么？
比原频率低，交—交变频器是正组整流器和反组整流器反复工作多次后得到一个
周期的，其周期是原周期的N 倍，频率是原频率的1/N 。
什么是交流调压？主要应用在哪些场合？主要采用哪几种控制方式？
交流调压是指交流电压幅值的变换（其频率不变）。交流调压在交流调压、交流调功和交流开关三种交流电力控制器中广泛应用。可以采用相位控制或通断控制。
交－交变频电路的优缺点是什么？
答：优点是：1、只有一次变流，且使用电网换流，提高了变换效率，2、可以很方便地实现四象限工作，3、低频时输出波形接近正弦波。
缺点是：1、接线复杂，使用的晶闸管数目较多，2、受电网频率和交流电路各脉冲数的限制，输出频率低，3、采用相控方
I U
oo V
式，功率因数低。
1简述什么是SPWM及正弦波脉宽调制技术的工作原理。
1按正弦规律变化又和正弦波等效的脉宽调制波形称为正弦脉宽调制（SPWM）。正弦波脉宽调制技术（SPWM）是通过对变流装置输出电压波形进行可变脉宽的多脉冲调来调节输出电压，并改变变流装置性能的方法。这种技术多用于逆变器中，就是把逆变器每半个周期分割成若干个周期相同的等幅不等宽的脉冲，并使这些脉冲的宽度按照与逆变工作同频率的正弦函数分布。
2简述PWM技术。
2 脉宽调制简称PWM，PWM技术就是在所需的频率周期内，将直流电压调制成等幅不等宽的系列交流（直流）输出电压脉冲，以达到控制（交流中）频率，电压，电流和抑制谐波的目的，是通过控制半导体功率开关元件的导通和关断时间比，调节脉冲宽度或周期来控制输出电压的一种控制技术。
3什么是有源逆变,什么无源逆变?
3有源逆变是指把直流电转换成和电网同频率的交流电，得到的交流电输送给交流电网。
无源逆变指把直流电转换成某一频率或频率可调的交流电，并将得到的交流电供给具体的用电设备。
4有源逆变与无源逆变有何异同点？
4相同之处：二者都是逆变的过程，都把直流电变成了交流电。
不同之处：有源逆变是将直流电逆变成与交流电网同频率的交流电，并输送给电网，是一种恒频变换，不能变频。无源逆变是将直流电变换成交流电后供给具体的用电设备，与电网无关。并且可以恒频也可以变频。
5简述单极性PWM逆变器和双极性逆变器PWM的区别。PWM逆变器的优点是什么？电压型逆变电路的特点是什么？
SPWM中，同步调制和异步调制各有什么优缺点
6单极性PWM逆变器是指逆变器输出的半个周期中，被调制成的脉冲输出电压只有一种极性，正半周为＋Ud和零，负半周为－Ud和零，其工作特点为输出的每半个周期内，逆变器同一桥臂的两个功率开关器件中，只有一个器件时通时断地工作，而另一个器件完全截止; 而双极性PWM输出的每半个周期脉冲输出电压都被调制成在±Ud之间变化的等幅不等宽脉冲列，其工作特点为在任半个周期内，同一桥臂上的两个功率开关器件互补交替导通。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库
第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
电力电子技术 试题（A ） 注：卷面 85分，平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。（8分） 选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶 闸管的额定电压是700V 。（ ） 第 1 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名：
（2） 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。（ ） （3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势” 负载，已知60β=o ，2100U V =， 50E V =,电路处于可逆变状态。 （ ） 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。（6分） 第 2 页 （共 8 页） 试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：
二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下， 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图 （要标明反电势极性）。（5分） 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。（5分） 第 3 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名： u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连 续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。（5分） i VT10
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。 2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。 3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分 别为22U 和22U ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波 电抗器。 5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角 时，晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于 不导电角时，晶闸管的导通角= π-2。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ，晶闸管控制角α的最大移相 范围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路角的移相范围是0-120o ，u d 波形连续的条件是α≤60°。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降_ 9.滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为__22U _，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC≥1.5-2.5 T ，此时输出电压为Ud ≈1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 的增大而 增大，当从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随的增大而减小。 11.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路；对于单相全波电路，当控制角 0< <时，电路工作在整流状态；时，电路工作在逆变状态。 12.在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全波、三相桥式整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值。 13.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组平行的直线，当电流断续时，