第２９卷第３期半导体学报ｖ０１．２９Ｎｏ．３２００８年３月ＪＯＵＲＮＡＬＯＦｓＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴｏＲＳＭａｒ．，２００８
ＡＮｏｖｅｌＩｍｐｅｄａｎｃｅＭａｔｃｈｉｎｇＡｐｐｒｏａｃｈｆｏｒＰａｓｓｉｖｅ
ＵＨＦＲＦＩＤＴｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｓ’
●
ＣｈｅｎＬｉｙｉｎｇ，Ｍａ０Ｌｕｈｏｎｇ＋，ＷｕＳｈｕｎｈｕａ，ａｎｄＺｈｅｎｇＸｕａｎ
（ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｉａｎｆｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｆｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓａｎｏｖｅｌｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈｆｏｒｐａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｓ，ｗｈｉｃｈａｒｅｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００－６Ｂｓｔａｎｄａｒｄａｎｄｏｐｅｒａｔｅｉｎｔｈｅ９１５ＭＨｚＩＳＭｂａｎｄ．ＴｈｅｐａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎ．ｄｅｒｗｉｔｈｃｏｍｐｌｅｘｉｍｐｅｄａｎｃｅｓｉｓｐｏｗｅｒｅｄｂｙｒｅｃｅｉｖｅｄＲＦｅｎｅｒｇｙ．ＴｈｅａｐｐｒｏａｃｈｕｓｅｓｔｈｅｐａｒａｓｉｔｉｃｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｏｉｍｐｌｅｍｅｎｔＡＳＫｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉｔｉｖｅｒｅａｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ，ｗｈｉｃｈｃｈａｎｇｅｓｗｉｔｈｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ．Ｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｃｈｉｅｖｅｓｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｆｅｒｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅａｄｅｒ，ａｎｔｅｎｎａ，ａｎｄｔｒａｎ．ｓｐｏｎｄｅｒ．ＴｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣ，ｗｈｏｓｅｏｐｅｒａｔｉｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｉｓｍｏｒｅｔｈａｎ４ｍｗｉｔｈｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈ。ｉｓｆａｂｒｉｃａ．ｔｅｄｕｓｉｎｇａＣｈａｒｔｅｒｅｄ０。３５“ｍｔｗｏ－ｐｏｌｙｆｏｕｒ．ｍｅｔａｌＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｔｈａｔｓｕｐｐｏｒｔｓＳｃｈｏｔｔｋｙｄｉｏｄｅｓａｎｄＥＥＰＲｏＭ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｉｍｐｅｄａｎｃｅ
ＰＡＣＣ：８６３０；７２８０Ｃ；
ＣＬＣｎｕｍｂｅｒ：ＴＮ４０２１Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｍａｔｃｈｉｎｇ；ＲＦＩＤ；ｐａｓｓｉｖｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ；ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ
７２３０
Ｄｏｃｕｍｅｎｔｃｏｄｅ：ＡＡｒｔｉｃｌｅＩＤ：０２５３．４１７７（２００８）０３．０５１６．０５
Ｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ（ＲＦＩＤ）ｉｓａｒａｐ．ｉｄｌｙｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇａｕｔｏｍａｔｉｃｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｔｈａｔｉｓｕｓｅｄｔｏｉｄｅｎｔｉｆｙｏｂｊｅｃｔｓｗｉｔｈｒａｄｉｏｗａｖｅｓｃ¨．Ｉｔ
ｉｓｒｅｐｌａｃｉｎｇｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｂａｒｃｏｄｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｅｎ－ｃｏｄｅｓｄａｔａｉｎｔｏａｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃｍｉｃｒｏｃｈｉｐｉｎｔａｇｓｆｏｒｉｄｅｎｔｉｆｙｉｎｇ，ｇａｔｈｅｒｉｎｇ，ａｎｄｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｐｒｏｄｕｃｔｉｎｆｏｒ—ｍａｔｉｏｎｏｒｔｒａｃｋｉｎｇａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［１’引．ＲＦＩＤｈａｓ
ｇａｉｎｅｄａｔｔｅｎｔｉｏｎｂｅｃａｕｓｅｉｔｃａｎｒｅａｌｉｚｅｕｂｉｑｕｉｔｏｕｓｃｏｍｐｕｔｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［３１．’
ＲＦＩＤｓｙｓｔｅｍｕｓｅｓＬＦ（１２５ｋＨｚ，１３５ｋＨｚ），ＨＦ（１３．５６ＭＨｚ），ＵＨＦ（８６０～９６０ＭＨｚ）ｏｒｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２．４５ＧＨｚ）．ＴｈｅＵＨＦｂａｎｄｉｓｕｓｅｄｗｏｒｌｄｗｉｄｅｆｏｒｉｔｓｌｏｎｇｒｅａｄｒａｎｇｅａｎｄｌｏｗｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｃｏｓｔｉｎｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｆｉｅｌｄ．ＩｎＮｏｒｔｈａｎｄＳｏｕｔｈＡｍｅｒｉｃａ，ｔｈｅｃｅｎｔｅｒｆｒｅｑｕｅｎｃｙｉｓ９１５ＭＨｚ，ｗｈｅｒｅａｓＥｕｒｏｐｅ，ＭｉｄｄｌｅＥａｓｔ，ａｎｄＲｕｓｓｉａｎＦｅｄｅｒａｔｉｏｎｍａｉｎｌｙｕｓｅ８６６ＭＨｚ．Ａ—ｓｉａａｎｄＡｕｓｔｒａｌｉａｕｓｅｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓｗｉｔｈｉｎｔｈｅｂａｎｄｆｒｏｍ８６６ｔｏ９５４ＭＨｚ．Ｋｏｒｅａｍａｄｅａｎａｌｌｏｃａｔｉｏｎｆｒｏｍ９０８．５ｔｏ９１４ＭＨｚ（ｂａｎｄｗｉｄｔｈ５．５ＭＨｚ）Ｌ１’４１．
ＡｔｙｐｉｃａｌｐａｓｓｉｖｅＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｃｏｎｓｉｓｔｓｏｆａｎａｎｔｅｎｎａａｎｄａｎｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ（ｃｈｉｐ）．Ｔｈｅｃｈｉｐｉｓｕｓｕａｌｌｙｐｌａｃｅｄａｔｔｈｅｔｅｒｍｉｎａｌｓｏｆｔｈｅｔａｇａｎｔｅｎｎａ，ａｎｄｂｏｔｈｔｈｅｃｈｉｐａｎｄａｎｔｅｎｎａｈａｖｅｃｏｍｐｌｅｘｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｓ．Ｔｈｅｃｈｉｐｃｏｎｔａｉｎｓｔｈｅａｎａｌｏｇｆｒｏｎｔｅｎｄ（ＡＦＥ）ａｎｄｔｈｅｃｏｎｔｒｏｌ１０９ｉｃ．ＴｈｅＲＦＩＤｒｅａｄｅｒｔｒａｎｓ．
ｍｉｔｓａｎＲＦｓｉｇｎａｌ，ｗｈｉｃｈｉｓｒｅｃｅｉｖｅｄｂｙ
ａｎａｎｔｅｎｎａ
ｏｆｔｈｅＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ．Ｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｒｅｃｅｉｖｅｄｏｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｅｒｍｉｎａｌｓｐｏｗｅｒｓｕｐｔｈｅｃｈｉｐ，ｗｈｉｃｈｓｅｎｄｓｔｈｅｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｂａｃｋｂｙｖａｒｙｉｎｇｉｔｓｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅａｎｄｔｈｕｓｍｏｄｕｌａｔｉｎｇｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄｓｉｇｎａｌＥ５］．Ｐｒｏｐｅｒ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｔｈｅｃｈｉｐｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔｉｎＲＦＩＤｔａｇｓｂｅｃａｕｓｅｉｔｄｅ．ｔｅｒｍｉｎｅｓｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅＲＦＩＤｔａｇｓ。ｓｕｃｈａｓｔｈｅｔａｇｒｅａｄｉｎｇｒａｎｇｅ［６］．Ｈｉｇｈ—ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．１０ｗ—ｃｏｓｔｉｍ?ｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｔｈｅｃｈｉｐｉｓｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｇｏａｌｉｎｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｔｈｅＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ．
Ｔｈｒｅｅｍｅｔｈｏｄｓｏｆｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇ，ｗｈｉｃｈ
ａｒｅｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｍａｔｃｈｉｎｇ，Ｌ—ｔｙｐｅｍａｔｃｈｉｎｇ，ａｎｄｓｈｕｎｔｉｎｄｕｃｔｏｒｔｕｎｉｎｇ，ｃａｎｂｅｕｓｅｄｔｏｉｍｐｌｅｍｅｎｔｈｉｇｈＲＦｔｏ
ＤＣｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｍａｔｃｈｉｎｇｉｓ
ｃｏｓｔｐｒｏｈｉｂｉｔｉｖｅｆｏｒｔｈｅｒｅｔａｉｌＲＦＩＤｔａｇｔａｒｇｅｔｅｄｆｏｒｏｎｌｙａｆｅｗｃｅｎｔｓＥｌ，７］．ＴｈｅＬ．ｔｙｐｅｍａｔｃｈｉｎｇｕｓｅｓａｓｅ．ｒｉｅｓｉｎｄｕｃｔｏｒｔｏｒｅｓｏｎａｔｅｏｕｔｔｈｅｉｎｐｕｔｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｃｈｉｐ．Ｔｈｉｓｔｙｐｅｏｆｍａｔｃｈｃａｎｐｒｏｖｉｄｅｖｏｌｔａｇｅｂｏｏｓｔｉｎｇｉｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｉｍｐｅｄａｎｃｅｉｓｌｏｗａｎｄｔｈｅｒｅｃｔｉｆｉｅｒｉｍｐｅｄａｎｃｅｉｓｈｉｇｈ．ＴｈｅｓｈｕｎｔｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｔｕｎｉｎｇｍｅｔｈｏｄｒｅｑｕｉｒｅｓａｓｔｒａｐｉｎｄｕｃｔｏｒＬ７｜．ＦｏｒＲＦＩＤａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ?ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｉｎｔｈｅＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｉｓｖｅｒｙｅｘｐｅｎｓｉｖｅａｎｄｈａｓｌｏｗｅｒａｃｃｕｒａｃｙ．ＴｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓａｎｏｖｅｌｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈｆｏｒｐａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｓｗｉｔｈｌｏｗｅｒｐｏｗｅｒａｎｄｌｏｎｇｅｒｒａｎｇｅ．Ｔｈｉｓａｐｐｒｏａｃｈｕｓｅｓｔｈｅｐａｒａｓｉｔｉｃｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｏｉｍｐｌｅ．ｍｅｎｔＡＳＫｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉｔｉｖｅｒｅ－ａｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ，ｗｈｉｃｈｃｈａｎｇｅｓｗｉｔｈｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ．Ａｌｓｏ。ｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇ
＊ＰｒｏｊｅｃｔｍｐｐｏｒｔｅｄｂｙｔｈｅＮａｔｉｏｎａｌＨｉｇｈＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＰｒｏｇｒａｍｏｆＣｈｉｎａ（Ｎｏ．２００６ＡＡ０４Ａ１０９）
ｔＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇａｕｔｈｏｒ．Ｅｍａｉｌ；ｔｊｕ＿ｒｆｉｄ＠１６３．ｃｏｒｎ
Ｒｅｃｅｉｖｅｄ１８Ａｐｒｉｌ２００７，ｒｅｖｉｓｅｄｍａｎｕｓｃｒｉｐｔｒｅｃｅｉｖｅｄ１６Ｊｕｌｙ２００７＠２００８ＣｈｉｎｅｓｅＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ 万方数据
第３期ＣｈｅｎＬｉｙｉｎｇ
ｅｔ
ａ１．：ＡＮｏｖｅｌＩｍｐｅｄａｎｃｅ
ＭａｔｃｈｉｎｇＡｐｐｒｏａｃｈｆｏｒＰａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤＴｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｓ
５１７
Ｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ
Ｆｉｇ．１
ＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔ
ａｃｈｉｅｖｅｓｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｆｅｒｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅａｄ．ｅｒ，ａｎｔｅｎｎａ，ａｎｄｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ．Ｔｈｅ
ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ｉｓ
ａ
０．３５“ｍｔｗｏ．ｐｏｌｙ
ｆｏｕｒ．ｍｅｔａｌ（２Ｐ４Ｍ）ＣＭＯＳ
ｐｒｏｃｅｓｓ
ｗｉｔｈＥＥＰＲＯＭａｎｄ
Ｓｃｈｏｔｔｋｙｄｉｏｄｅｓ
ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ．Ｔｈｅ
ｏｐｅｒａｔｉｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｗｉｔｈｔｈｅｉｍ．ｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈｉｓｍｏｒｅｔｈａｎ４ｍ．
２Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ
２．１
Ｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇ
Ａｎｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｌｕｍｐｅｄｃｉｒｃｕｉｔｏｆ
ａｎ
ＲＦＩＤｔｒａｎ—
ｓｐｏｎｄｅｒｉｓｓｈｏｗｎ
ｉｎ
Ｆｉｇ．１阳１．Ｚ。＝Ｒ。＋ｊＸ。ｉｓ
ｔｈｅ
ｃｏｍｐｌｅｘｃｈｉｐｉｍｐｅｄａｎｃｅ，ｗｈｉｃｈｄｏｅｓ
ｎｏｔ
ｃｏｎｔａｉｎｔｈｅ
ｐａｒａｓｉｔｉｃｃａｐａｃｉｔａｎｃｅａｎｄｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｂｏｎｄｉｎｇｐａｄｓａｎｄ
ｗｉｒｅｓ
ｂｅｃａｕｓｅ
ｔｈｅｙ
ａｒｅ
ｌｅｓｓｔｈａｎｓｅｖｅｒａｌ
ｆｅｍｔｏｆａｒａｄｓａｎｄ
ｏｎｅ
ｎａｎｏｈｅｎｒｙ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ａｎｄＺ。
２
Ｒ
ａ＋ｊＸ。ｉｓ
ｔｈｅｃｏｍｐｌｅｘａｎｔｅｎｎａｉｍｐｅｄａｎｃｅ．Ｔｈｅｖｏｌｔａｇｅ
ｓｏｕｒｃｅ
ｒｅｐｒｅｓｅｎｔｓ
ａｎ
ｏｐｅｎｃｉｒｃｕｉｔＲＦｖｏｌｔａｇｅ
ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ
ｏｎ
ｔｈｅｔｅｒｍｉｎａｌｓｏｆｔｈｅｒｅｃｅｉｖｉｎｇａｎｔｅｎｎａ．
ＢｏｔｈＺ。ａｎｄＺ。ａｒｅｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄｅｐｅｎｄｅｎｔ．Ｉｎａｄｄｉｔｉｏｎ，ｃｈｉｐ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅＺ。ｍａｙ
ｖａｒｙ
ｗｉｔｈｔｈｅ
ｐｏｗｅｒ
ｃｏｎ－
ｓｕｍｐｔｉｏｎｏｆｔｈｅｃｈｉｐ．Ｔｈｅａｎｔｅｎｎａｉｓｕｓｕａｌｌｙｍａｔｃｈｅｄ
ｔｏ
ｔｈｅｃｈｉｐａｔｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍｔｈｒｅｓｈｏｌｄｐｏｗｅｒｌｅｖｅｌ
ｎｅｅ。
ｅｓｓａｒｙｆｏｒｔｈｅｃｈｉｐｔｏｒｅｓｐｏｎｄＥ５１．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ。ｔｈｅｉｍ．ｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐｍｕｓｔｂｅｃｏｎｊｕｇａｔｅ
ｍａｔｃｈｅｄｉｎｏｒｄｅｒｔｏ
ａｃｈｉｅｖｅｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓ．
ｆｅｒ．
Ｉｆ
ａｎ
ａｎｔｅｎｎａ
ｈａｓｍｉｎｉｍｕｍｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ，ｔｈｅａｍｐｌｉ．
ｔｕｄｅｏｆｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄｐｏｗｅｒｉｓ：
氏２器Ａ
Ｄ
４＇ｒｒ一
４Ｒ：
Ｒ。＋ｊＸ。｜｜Ｒ。Ｊ
２
（１）
ｗｈｅｒｅＰＥＩＲＰｉｓｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｉｓｏｔｒｏｐｉｃｒａｄｉａｔｅｄｐｏｗｅｒ，Ｒ
ａ
ｉｓｔｈｅａｎｔｅｎｎａｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，Ｒ。ｉｓｔｈｅｃｈｉｐｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，ａｎｄ
Ａ。ｉｓ
ｔｈｅ
ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ
ｒａｄａｒ．ｃｒｏｓｓ．ｓｅｃｔｉｏｎ（ＲＣＳ）
ａｒｅａ。Ｔｈｅｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｉｓｇｉｖｅｎｂｙ
ｓ＝套苦
Ｔｈｅｐｏｗｅｒｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｉｓｚｃ—ｚ：Ｚ。＋Ｚ。
（２）
ｇｉｖｅｎｂｙ
２
（３）
ｒ一一ＩＪＩ
Ｉ圪
ＩＩｌ
Ｌ一一Ａｎｔｅｎｎａ
Ｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ
Ｃｈｉｐ
ｌＩｌ
互：
ＩＩＩ
Ｆｉｇ．２
ＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈ
Ｌ－ｔｙｐｅ
ｍａｔｅ－
ｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ
Ｉｎｔｈｅ
ｃａｓｅ
ｏｆＡＳＫｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅ
ｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｉｓｒｅａｌ（Ｘ》Ｒ）ａｎｄｉｓｍｏｄｕｌａｔｅｄ
ｂｙｔｈｅｄａｔａｓｉｇｎａｌｂｅｔｗｅｅｎｔｗｏｖａｌｕｅｓ（１０９ｉｃ０ａｎｄ１）．
Ｗｈｅｎ
ｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐｉｓ
ｃｏｎ．ｊｕｇａｔｅｍａｔｃｈｅｄ，ｔｈｅ
ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｗｉｌｌｂｅ
ｚｅｒｏ
ａｎｄｔｈｅｒｅｃｅｉｖｅｄｅｎｅｒｇｙｗｉｌｌａｃｈｉｅｖｅｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓｆｅｒ．Ｉｆ
ｔｈｅ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆ
ｔｈｅ
ｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ
ｉｓ
ｃｈａｎｇｅｄ，ａｐａｒｔｏｆｔｈｅｅｎｅｒｇｙｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｄｂｙｔｈｅｒｅａｄ—
ｅｒ
ｗｉｌｌｂｅｒｅｆｌｅｃｔｅｄ，ｗｈｉｃｈｉｓｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＡＳＫ
ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ．２．２
Ｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ
ｃｉｒｃｕｉｔ
Ｆｏｒｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓｆｅｒａｎｄｈｅｎｃｅｂｅｔｔｅｒ
ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ，ｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅ
ａｎｔｅｎｎａ
ｓｈｏｕｌｄｂｅｍａｔｃｈｅｄｗｉｔｈｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅ
ｃｈｉｐ，ａｎｄ
ａｎ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｉｓ
ｕｓｕａｌｌｙ
ｎｅｃｅｓｓａｒｙｔｏｏｂｔａｉｎ
ａｎ
ａｐｐｒｏｐｒｉａｔｅｍａｔｃｈ．Ｉｎｐｒａｃｔｉｃａｌ
ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ａｒｅａｓｏｎａｂｌｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｍｕｓｔ
ｂｅ
ａｃｈｉｅｖｅｄ．ＴｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｉｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ．２．Ｓｉｎｃｅ
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｉｎｔｈｅ
ＣＭＯＳ
ｐｒｏｃｅｓｓｉｓｅｘｐｅｎｓｉｖｅａｎｄｈａｓｌｏｗｅｒａｃｃｕｒａｃｙ，ｉｎｏｒｄｅｒ
ｔｏ
ｒｅｄｕｃｅｔｈｅｃｈｉｐｓｉｚｅａｎｄｆａｃｉｌｉｔａｔｅｔｈｅｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ，
ｔｈｅｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｉｎｄｕｃｔａｎｃｅＬ
ｍ
ｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｉｓｐｕｔｉｎ—
ｔｏ
ｔｈｅＬ?ｔｙｐｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋ．
Ｔｈｅｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｉｓ
ｄｅｓｉｇｎｅｄｔｏｂｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ７３＋２４７ｊ．ＡＳＫｍｏｄｕｌａ－
ｔｉｏｎｄｅｐｅｎｄｓｏｎ
ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｓ，ｗｈｉｃｈ
ｒｅ—
ｐｒｅｓｅｎｔ
ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ
ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ．Ａｓｓｕｍｉｎｇ
ｔｈａｔｔｈｅｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｓ
ａｒｅ
Ｚ１ａｎｄＺ２，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅ—
ｌｙ?ｔｈｅｉｎｐｕｔｐｏｗｅｒｉｓｇｉｖｅｎｂｙ［８］
ＰＲＦ。ｉｎ，ｌ，２＝÷Ｒｅ（ｖ盎ｆｉｎ）
＝丢Ｒｅ［瓜毫蛩稳‰］
＝丧×１一Ｉ
Ｚ１＇２－ｚ＝ｔ
１）
㈤
ａｖａｉｌａｂｌｅｒａｔｉｏｏｆ
ｐｏｗｅｒ
ｐｏｗｅｒ
ｒｃｆｌｅｃｔＨｌ
ｗｈｅｒｅ
Ｐｉｎｉｓｔｈｅｐｅａｋｖｏｌｔａｇｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ，ｉｉｎｉｓ
ｔｈｅｐｅａｋｃｕｒｒｅｎｔｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐ，ａｎｄｙｏｉｓ
ｔｈｅｐｅａｋｖｏｌｔａｇｅｏｆｔｈｅｖｏｌｔａｇｅ
ｓｏｕｒｃｅ
Ｖａ，ｗｈｅｎｔｈｅ
ａｎｔｅｎｎａ
ｉｓｏｐｅｎ．ＩｆｔｈｅｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅＺｉｎ
『，Ｉ，●ｌ
一
＝
乏一
一×
１—２
ＩＩ
万方数据
５１８半导体学报第２９卷
０
Ｆｉｇ．３ＩｍｐｅｄａｎｃｅＳｍｉｔｈｃｈａｒｔｏｆｃｏｎｊｕｇａｔｅｍａｔｃｈｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐ
ｏｆｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｉｓ７３—２４７ｊ，ｔｈｅｉｍｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐｗｉｌｌｂｅｃｏｎｊｕｇａｔｅｍａｔｃｈｅｄｔｏａｃｈｉｅｖｅｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｆｅｒ．Ｉｆｔｈｅｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｉｓ３０％，ｔｈｅｖａｌｕｅｏｆＺｉｎｗｉｌｌｂｅ５１＋３２ｊ．
３Ｃｉｒｃｕｉｔｄｅｓｉｇｎ
Ｔｈｅｉｎｐｕｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅｃｈｉｐｗｉｔｈｏｕｔｔｈｅ
ｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｃｉｒｃｕｉｔｉｓａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ２００—４００ｊｗｉｔｈｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍｉｎｐｕｔｐｏｗｅｒ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ。ｉｆｔｈｅｉｎ．ｄｕｃｔａｎｃｅＬ。ａｎｄｃａｐａｃｉｔａｎｃｅＣｍｏｆｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔ?ｗｏｒｋｃｉｒｃｕｉｔａｒｅ４４ｎＨａｎｄ２８０ｆＦ，ｔｈｅｉｍｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐｗｉｌｌｂｅｃｏｎｊｕｇａｔｅｍａｔｃｈｅｄｔｏａ—ｃｈｉｅｖｅｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｆｅｒｗｉｔｈｔｈｅｒｅｃｔｉｆｉｅｒｃｉｒｃｕｉｔ，ｗｈｉｃｈｕｓｅｓｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆａＤｉｃｋｓｏｎｃｈａｒｇｅｐｕｍｐＥｇ，１０３．ＴｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅＳｍｉｔｈｃｈａｒｔｏｆｔｈｅｃｏｎｊｕ．ｇａｔｅ
ｍａｔｃｈｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐｉｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ。３，ｗｈｅｒｅＰ。砒１ｉｓ２００—４００ｊ，Ｐｏｉｎｔ２ｉｓ７３—２４７ｊ，ａｎｄＰ。ｉｎｔ３ｉＳ７３Ｑ．Ｐ咖３ｉＳｍａｔｃｈｅｄｔｏｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｏｆｔｈｅ
Ｏ
Ｆｉｇ．４ＩｍｐｅｄａｎｃｅＳｍｉｔｈｃｈａｒｔｏｆ３０％ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄｃｈｉｐ
ａｎｔｅｎｎａ．Ｉｆｔｈｅｉｎｄｕｃｔａｎｃｅａｎｄｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋｃｉｒｃｕｉｔａｒｅ４４ｎＨａｎｄ４００ｆＦ。ｔｈｅｖａｌｕｅｏｆＺｉ。ｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ．４ｗｉｌｌｂｅ５１＋３２ｊｗｉｔｈａｒｅ．ｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆ３０％，ｗｈｅｒｅＰ础１ｉＳ２００—４００ｊ，Ｐｏｉｎｔｚｉｓ５１—２２０ｊ，ａｎｄＰ。ｉｎｔ３ｉｓ５１＋３２ｊ．Ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｔｌｙ，ＡＳＫｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｂｙｃｈａｎｇｉｎｇｔｈｅｉ．ｍａｇｉｎａｒｙｐａｒｔｏｆｔｈｅｃｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎ２８０ａｎｄ４００ｆＦ．Ｉｎｏｔｈｅｒｗｏｒｄｓ，ｔｈｅｖａｌｕｅｏｆＺｉｎｉｓｍｏｄｕｌａｔｅｄｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉｔｉｖｅｒｅａｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ．ＢｙｃｈａｎｇｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｏｆｔｈｅＭＯＳｖａｒａｃ．ｔｏｒ，ｔｈｅｂｉ．ｓｔａｔｅａｍｐｌｉｔｕｄｅｍｏｄｕｌａｔｅｄｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄ．ＷｉｔｈｔｈｅｓｔａｎｄａｒｄＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓ。ｔｈｅＭＯＳｖａｒａｃｔｏｒｉｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｃａｐａｃｉｔｏｒｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅＭＯＳｇａｔｅａｎｄｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ａｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ．５［１１’１引．Ｗｉｔｈｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ，ｈｉｇｈｐｏｗｅｒｅｆ．ｆｉｃｉｅｎｃｙｆｏｒＤＣｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎａｎｄｈｉｇｈｍｏｄｕｌａｔｅｄｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｐｏｗｅｒｆｏｒｔｈｅｂａｃｋｗａｒｄｌｉｎｋａｒｅａｃｈｉｅｖｅｄｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ。ＴｈｅｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｃｉｒｃｕｉｔｉｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ．６［９３．
Ｆｉｇ。５ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅＭＯＳｖａｒａｃｔｏｒ
Ｂｉａｓｖｏｌｔａｇｅ／Ｖ
万方数据
第３期
ＣｈｅｎＬｉｙｉｎｇ
ｅｔ
ａ１．：ＡＮｏｖｅｌＩｍｐｅｄａｎｃｅＭａｔｃｈｉｎｇＡｐｐｒｏａｃｈｆｏｒＰａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤＴｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｓ
５１９
Ｆｉｇ．６
Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ
４
Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓ
矿
Ａｎｏｖｅｌｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈｆｏｒ
ａ
ｐａｓ－
ｓｉｒｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒＩＣｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｔｈｉｓａｐ．ｐｒｏａｃｈ
ｕｓｅｓ
ｔｈｅｐａｒａｓｉｔｉｃｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｏ
ｉｍｐｌｅｍｅｎｔＡＳＫｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉ－
ｔｉｖｅ
ｒｅａｃｔａｎｃｅ
ｏｆ
ｔｈｅ
ｍａｔｃｈｉｎｇ
ｎｅｔｗｏｒｋ，ｗｈｉｃｈ
ｉｓ
ｃｈａｎｇｅｄ
ｗｉｔｈｔｈｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，
ｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒｔｒａｎｓｆｅｒｉｓａｃｈｉｅｖｅｄｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅａｄｅｒ，ａｎｔｅｎｎａ，ａｎｄｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ．Ｔｈｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓ
ａ
Ｃｈａｒｔｅｒｅｄ０．３５ｕｍｔｗｏ．ｐｏｌｙｆｏｕｒ．ｍｅｔａｌＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈＥＥＰＲＯＭａｎｄＳｃｈｏｔｔｋｙｄｉｏｄｅｓｓｕｐｐｏｒｔｅｄ．
ＡｄｉｅｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｏｆｔｈｅｃｈｉｐｉｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｇ．７．
Ｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｎｅｔｗｏｒｋａｎｄｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔｓ
ａｒｅ
ｌａ．
ｂｅｌｅｄ．Ｉｎｎｏｒｍａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ｏｎｌｙｔｗｏｂｏｎｄｉｎｇｗｉｒｅｓ
ａｒｅ
ｒｅｑｕｉｒｅｄｔｏｃｏｎｎｅｃｔｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｏｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎ—
ｄｅｒ．ＴｈｅｏｔｈｅｒｂｏｎｄｉｎｇＰＡＤＳｉｎＦｉｇ．７
ａｒｅ
ｕｓｅｄｆｏｒｔｈｅ
ｔｅｓｔｉｎｇｐｕｒｐｏｓｅｓ．ＴｈｅｄｉｅｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｏｎｌｙｓｈｏｗｓｔｈｅＡＦＥｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒａｎｄ
ａ
ｓｍａｌｌｐａｒｔｏｆｔｈｅｌｏｇｉｃ
ｃｏｎｔｒｏｌｃｉｒｃｕｉｔｒｙ．Ｔｈｅｒｅｓｔ，ｗｈｉｃｈ
ｉｓｎｏｔｓｈｏｗｎｈｅｒｅ，
ｃｏｎｔａｉｎｓｔｈｅｏｔｈｅｒｌｏｇｉｃｃｉｒｃｕｉｔｓａｎｄＥＥＰＲＯＭ．Ｆｉｇｕｒｅ８ｓｈｏｗｓｔｈｅｔｅｓｔｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｗｉｔｈｔｈｅ
ｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐｐｒｏａｃｈ．Ｔｈｅ
ｄｅｍｏｄｕｌａｔｅｄ
ｗａｖｅｆｏｒｍｉｓｓｈｏｗｎ
ｗｉｔｈ
ａｎ
Ａｇｉｌｅｎｔ５４６４２Ａｏｓｃｉｌｌｏ—
ｓｃｏｐｅｂｙｔｈｅＵＨＦＲＦＩＤｒｅａｄｅｒｏｆＭｏｄｅｌＴＨＭ６ＢＣｌ．
９１５（ＴｏｎｇｆａｎｇＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＣｏｍｐａｎｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ），
ｗｈｉｃｈ
ｉｓ
ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ
ｗｉｔｈ
ｔｈｅ
ＩＳｏ／ＩＥＣ
１８０００．６Ｂ
ｓｔａｎｄａｒｄ．Ｗｉｔｈ４Ｗ
ＥＩＲＰａｔ
９１５ＭＨｚａｎｄ０ｄＢ
ｔｒａｎ．
ｓｐｏｎｄｅｒａｎｔｅｎｎａｇａｉｎ，ｔｈｅｏｐｅｒａｔｉｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｏｆｔｈｅ
ｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｉｓｍｏｒｅｔｈａｎ４ｍ．
。
Ｆｉｇ．７
ＤｉｅｐｈｏｔｏｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｏｆｔｈｅＡＦＥ
Ｆｉｇ．８
（ａ）Ｄｅｍｏｄｕｌａｔｅｄ
ｗａｖｅｆｏｒｍ
ｏｆ
ｔｈｅ
ｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ；（ｂ）
Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄｓｉｇｎａｌｗａｖｅｆｏｒｍｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒ
５Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ
Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｐｒｅｓｅｎｔｓ
ａ
ｎｏｖｅｌｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇ
ａｐｐｒｏａｃｈｆｏｒｐａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｓ，ｗｈｉｃｈ
ａｒｅ
ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００．６Ｂｓｔａｎｄａｒｄ
ａｎｄｏｐｅｒａｔｅ
ａｔ
ｔｈｅ９１５ＭＨｚＩＳ．Ｍｂａｎｄｗｉｔｈ
ｌｏｗｅｒ
ｐｏｗｅｒａｎｄｌｏｎｇｅｒｒａｎｇｅ．Ｔｈｉｓａｐｐｒｏａｃｈｕｓｅｓ
ｔｈｅｐａｒａ－
ｓｉｔｉｃｉｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅａｎｔｅｎｎａｔｏ
ｉｍｐｌｅｍｅｎｔＡＳＫ
ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｃａｐａｃｉｔｉｖｅｒｅａｃｔａｎｃｅｏｆ
ｔｈｅ
ｍａｔｃｈｉｎｇ
ｎｅｔｗｏｒｋ，ｗｈｉｃｈ
ｉｓ
ｃｈａｎｇｅｄ
ｗｉｔｈ
ｔｈｅ
ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ
ｃｉｒｃｕｉｔ．Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ，ｍａｘｉｍｕｍｐｏｗｅｒ
ｔｒａｎｓｆｅｒｉｓａｃｈｉｅｖｅｄｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｒｅａｄｅｒ，ａｎｔｅｎｎａ，ａｎｄｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｃｏｎｊｕｇａｔｅｍａｔｃｈ
ｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅａｎｔｅｎｎａａｎｄ
ｃｈｉｐ．Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ
ａｎａｌｙｓｉｓ
ｕｓｅｄ
ｆｏｒ
ｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｈａｓｂｅｅｎｐｒｏｐｏｓｅｄ．Ｔｈｅｗｈｏｌｅｃｈｉｐｈａｓ
ｂｅｅｎｆａｂｒｉｃａｔｅｄ
ｗｉｔｈ
ａ
Ｃｈａｒｔｅｒｅｄ０．３５ｕｍ
ｔｗｏ—ｐｏｌｙｆｏｕｒ．ｍｅｔａｌＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈＳｃｈｏｔｔｋｙｄｉ—ｏｄｅｓａｎｄＥＥＰＲＯＭｓｕｐｐｏｒｔｅｄ．Ｔｈｅｏｐｅｒａｔｉｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｗｉｔｈｔｈｅｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇａｐ－ｐｒｏａｃｈｉｓ
ｍｏｒｅ
ｔｈａｎ４ｍ
ｗｉｔｈ
４Ｗ（３６ｄＢｍ）ＥＩＲＰ
ｂａｓｅ．ｓｔａｔｉｏｎｔｒａｎｓｍｉｔ
ｐｏｗｅｒ
ａｔ
９１５ＭＨｚ，ａｎｄｔｈｅ
ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｍｅｅｔｔｈｅｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐｒｏ．ｐｏｓｅｄｓｙｓｔｅｍ。
ＡｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔｓＴｈｅａｕｔｈｏｒｓ
ｗｏｕｌｄｌｉｋｅｔｏ
ｔｈａｎｋＬｉ
Ｙａｎｍｉｎｇａｎｄ
Ｗａｎｇ
Ｒｕｉｆｏｒ
ｔｈｅｉｒ
ｈｅｌｐ
ｉｎｔｈｅ
ｐｒｏｃｅｓｓｏｆｄｅｓｉｇｎａｎｄ
ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ．
万
方数据
５２０半导体学报第２９卷
Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ
［１］ＦｉｎｋｅｎｚｅｌｌｅｒＫ．ＲＦＩＤｈａｎｄｂｏｏｋ．２ｎｄＥｄ．ＮｅｗＹｏｒｋ；ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ．２００３．［２］ＨｏｒｎｂｙＲＭ．ＲＦＩＤｓｏｌｕｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｅｅｘｐｒｅｓｓｐａｒｃｅｌａｎｄａｉｒｌｉｎｅｂａｇｇａｇｅｉｎｄｕｓｔｒｙ．ＰｒｏｃＩＥＥＣｏｌｌｏｑｕｉｕｍＲＦＩＤＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９９：２／１
［３］ＲｙｕＨＫ，ＷｏｏＪＭ．ＳｉｚｅｒｅｄｕｃｔｉｏｎｉｎＵＨＦｂａｎｄＲＦＩＤｔａｇａｎｔｅｎ，ｎａｂａｓｅｄＯｉｌｃｉｒｃｕｌａｒｌｏｏｐａｎｔｅｎｎａ．ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ０１１Ｅ—ｌｃｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｓａｎｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２００５：１
［４］ＥＰＣＧｌｏｂａｌ．ＲｅｇｕｌａｔｏｒｙｓｔａｔｕｓｆｏｒｕｓｉｎｇＲＦＩＤｉｎｔｈｅＵＨＦｓｐｅｃ－ｔｒｕｍ２０．２００６：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｐｃｇｌｏｂａｌｃａｎａｄａ．ｏｒｇ／ｄｏｃｓ／ＲＦＩＤａ—ｔＵＨＦＲｅｇｕｌａｔｉｏｎｓ２００５０７２０．ｐａｌ
［５］ＲａｏＫＶＳ，ＮｉｋｉｔｉｎＰＶ，ＬａｍＳＦ．ＩｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｃｏｎｃｅｐｔｓｉｎＲＦＩＤｔｒａｎｓｐｏｎｄｅｒｄｅｓｉｇｎ．ＦｏｕｒｔｈＩＥＥＥＷｏｒｋｓｈｏｐｏｎＡｕｔｏ－ｍａｔｉｃＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＡｄｖａｎｃｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，２００５＝３９
［６］ＦｏｓｔｅｒＰＲ，ＢｕｒｂｅｒｒｙＲＡ．ＡｎｔｅｎｎａｐｒｏｂｌｅｍｓｉｎＲＦＩＤｓｙｓｔｅｍｓ．１ＥＥＣｏｌｌｏｑｕｉｕｍｏｎＲＦＩＤＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，１９９９：３／１［７］ＢａｒｎｅｔｔＲ，ＬａｚａｒＳ，ＬｉｕＪ．Ｄｅｓｉｇｎｏｆｍｕｌｔｉｓｔａｇｅｒｅｃｔｉｆｉｅｒｓｗｉｔｈｌｏｗ．ＣＯＳｔｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｆｏｒｐａｓｓｉｖｅＲＦＩＤｔａｇｓ．ＩＥＥＥＲａｄｉｏＦｒｅ－
ｑｕｅｎｃｙＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓＳｙｍｐｏｓｉｕｍ，２００６
［８］ＧｅｒｒｉｔｓＦＭＪ，ＨｕｔｔｅｒＡＡ，ＡｙａｄｉＪ，ｅｔａ１．ＭｏｄｅｌｉｎｇａｎｄｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆａｄｉｐｏｌｅａｎｔｅｎｎａｆｏｒＵＷＢａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｕｓｉｎｇｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓｐｉｃｅ
ｃｉｒｃｕｉｔｓ．ＩＥＥＥＡｎｔｅｎｎａｓａｎｄＰｒｏｐａｇａｔｉｏｎＳｏｃｉｅｔｙＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，２００４
［９］ＫａｒｔｈａｎｓＵ，ＦｉｓｃｈｅｒＭ．ＦｕｌｌｙｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｐａｓｓｉｖｅＵＨＦＲＦＩＤｔｒａｎ－ｓｐｏｎｄｅｒＩＣｗｉｔｈ１６．７ｐＷｍｉｎｉｍｕｍＲＦ
ｉｎｐｕｔ
ｐｏｗｅｒ．ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ?ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ，２００３，３８（１０）：１６０２
［－１０］ＫｉｔａｙｏｓｈｉＨ，ＳａｗａｙａＫ．ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆａｐａｓｓｉｖｅＲＦＩＤ—ｔａｇｗｉｔｈ
１０?ｍｒｅａｄｉｎｇｄｉｓｔａｎｃｅｕｎｄｅｒＲＣＲＳＴＤ一１ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ．Ｐｒｏｃ
ＩＳＡＰ，２００４：９６９
［１１］ＭｏｌｎｄｒＫ，ＲａｐｐｉｔｓｃｈＧ，ＨｕｓｚｋａＺ，ｅｔａｌ。ＭＯＳｖａｒａｃｔｏｒｍｏｄｅｌｉｎｇｗｉｔｈａｓｕｂｃｉｒｃｕｉｔｕｔｉｌｉｚｉｎｇｔｈｅＢＳＩＭ３ｖ３ｍｏｄｅｌ．ＩＥＥＥＴｒａｎｓＥｉｅｃ－
ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ，２００２，４９（７）：１２０６
Ｅ１２］ＳｏｎｇＳＳ。ＳｈｉｎＨ．ＡｎｅｗＲＦｍｏｄｅｌｆｏｒｔｈｅａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ．ｍｏｄｅＭＯＳｖａｒａｃｔｏｒ．ＩＥＥＥＭＴＴ－ＳＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｙｍｐｏｓｉｕｍ
Ｄｉｇｅｓｔ，２００３
一种用于无源ＵＨＦＲＦＩＤ应答器的阻抗匹配方法
陈力颖毛陆虹’吴顺华郑轩
（天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２）
摘要：提出了一种可以在９１５ＭＨｚＩＳＭ频带下工作的、符合ＩＳｏ／ＩＥＣ１８０００—６Ｂ标准的无源ＵＨＦＲＦＩＤ应答器的阻抗匹配方法．该ＵＨＦＲＦＩＤ应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能量．该阻抗匹配方法利用天线的寄生电感，通过调整反向散射电路的电容来改变匹配网络的容抗，从而实现ＡＳＫ调制．而且，该阻抗匹配方法在阅读器、天线与应答器之间达到了最大的功率传输．采用该阻抗匹配方法的应答器芯片通过支持肖特基二极管和ＥＥＰＲＯＭ的Ｃｈａｒｔｅｒｅｄ０．３５弘ｍ２Ｐ４ＭＣＭＯＳ工艺进行流片，经测试其工作距离约为４ｍ．
关键词：阻抗匹配；ＲＦＩＤ；无源应答器；反向散射电路
ＰＡＣＣ：８６３０；７２８０Ｃ；７２３０
中图分类号：ＴＮ４０２文献标识码：Ａ文章编号：０２５３．４１７７（２００８）０３．０５１６．０５
＊国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：２００６ＡＡ０４Ａ１０９）
，通信作者．Ｅｍａｉｌ：ｔｊｕ＿ｒｆｉｄ＠１６３．ｃｏｍ
２００７－０４—１８收到，２００７．０７－１６定稿④２００８中国电子学会 万方数据
一种用于无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法
作者：陈力颖， 毛陆虹， 吴顺华， 郑轩， Chen Liying， Mao Luhong， Wu Shunhua， Zheng Xuan
作者单位：天津大学电子信息工程学院,天津,300072
刊名：
半导体学报
英文刊名：CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
年，卷(期)：2008，29(3)
被引用次数：0次
参考文献(12条)
1.Finkenzeller K RFID handbook 2003
2.Hornby R M RFID solutions for the express parcel and airline baggage industry 1999
3.Ryu H K.Woo J M Size reduction in UHF band RFID tag anten-na based on circular loop antenna 2005
4.EPCGIobal Regulatory status for using RFID in the UHF spec-trum 20 2006
5.Rao K V S.Nikitin P https://www.doczj.com/doc/517658107.html,in S F Impedance matching concepts in RFID transponder design 2005
6.Foster P R.Burberry R A Antenna problems in RFID systems 1999
7.Barnett https://www.doczj.com/doc/517658107.html,zar S.Liu J Design of multistage rectifiers with low-cost impedance matching for passive RFID tags 2006
8.Gerrits F M J.Hurter A A.Ayadi J Modeling and simulation of a dipole antenna for UWB applications using equivalent spice circuits 2004
9.Karthaus U.Fischer M Fully integrated passive UHF RFID tran-sponder IC with 16.7μW minimum RF input power 2003(10)
10.Kitayoshi H.Sawaya K Development of a passive RFID-tag with 10-m reading distance under RCR STD-1 specification 2004
11.Molnar K.Rappitsch G.Huszka Z MOS varactor modeling with a subcircuit utilizing the BSIM3v3 model 2002(07)
12.Song S S.Shin H A new RF model for the accumulation-mode MOS varactor 2003
相似文献(10条)
1.学位论文张明涛用于RFID系统的天线设计2007
作为一种非接触式的自动识别技术，射频识别(RFID)技术利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别的目的。同其它识别技术相比，射频识别技术具有很多优点，尤其是随着电子技术的迅猛发展和制造技术水平的不断提高，采用无线电和雷达技术实现的射频识别技术的发展非常迅速，在诸如货物采购与分配、商业贸易、生产制造、防盗技术、识别技术和医学应用等领域中，具有巨大的发展和应用潜力。这使得作为RFID系统关键部件的天线的设计和研究变得十分紧要和迫切。实际上，RFID天线技术的发展对RFID技术的成熟和广泛应用具有理论意义和实用价值。
本文首先简要地介绍了RFID技术的相关知识，说明了RFID系统的工作原理和分类，并对系统中所采用的天线进行了分析和讨论。作者的主要工作包括以下几个方面：首先根据阻抗匹配理论，绘出了天线与芯片连接的等功率传输阻抗匹配圆图，在具体应用中，设计了一种新型的UHF频段透射式RFID系统，进行了系统测试；提出了一种用于RFID的双圆极化天线设计方案，对天线性能作了分析和设计，根据分析结果，通过修改结构完成了性能改进，并对所得的天线实物进行了测量，结果表明，该天线可应用于双圆极化调制的RFID系统，也验证了所采用的设计方法的有效性；本文还对标签天线进行了分析和设计，讨论了标签天线中经常遇到的问题，特别是设计出了一种工作在微波频段的双频的标签天线，对该天线进行了仿真计算和测量，天线性能满足了应用的要求，该天线结构具有小尺寸、低成本，机械强度好等优点。本文中还对RFID系统应用中出现的一些问题进行了分析和天线设计。
2.会议论文段艳敏.廖成UHF频段RFID标签天线的小型化分析与设计2009
随着RFID系统的进一步发展及应用，其标签天线小型化成为一个研究热点，本文设计了一种小型化对称结构UHF频段RFID标签天线，天线采用弯折偶极子天线型式，与传统小型化偶极子天线相比更加具有小型化优势，并且具有结构简单，制造成本较低等优点。仿真结果表明，该构型的天线具有良好的阻抗匹配特性和天线辐射特性，满足了标签芯片对天线的要求。
3.期刊论文武岳山.WU Yueshan阻抗匹配的种类及其在RFID系统中的应用研究-现代电子技术2008,31(20)
端口阻抗匹配在电路设计中具有重要的作用,采用归纳分析的方法系统分析端口阻抗匹配的一般概念,给出可能的端口匹配模式及其典型应用情况的简要分析.结合RFID系统中无源电子标签和读写器与天线接口问的端口阻抗匹配问题进行详细深入的分析,明确共轭匹配依然是无源电子标签和读写器与天线接口间的最佳阻抗匹配模式.这里所做的归纳总结与分析结论具有重要的理论与实践意义.
4.学位论文谭娟娟宽频带RFID标签天线设计2009
作为一种非接触式的自动识别技术，射频识别(RFID)技术利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别的目的。同其它识别技术相比，射频识别技术具有很多优点，尤其是随着电子技术的迅猛发展和制造技术水平的不断提高，射频识别技术的发展非常迅速，在诸如货物采购与分配、商业贸易、生产制造、防盗技术、识别技术和医学应用等领域中，具有巨大的发展和应用潜力，这使得作为
RFID系统关键部件的天线的设计和研究变得十分紧要和迫切。实际上，RFID天线技术的发展对RFID技术的成熟和广泛应用具有理论意义和实用价值。
本文首先简要地介绍了RFID技术的相关知识，说明了RFID系统的工作原理和分类，并对系统中所采用的天线进行了分析和讨论。本文的主要工作包括以下几个方面：首先根据阻抗匹配理论，绘出了天线与芯片连接的等功率传输阻抗匹配圆图；在具体应用中，对一款双T网络标签天线的性能做了分析；根据分析结果，提出了一种新型的UHF电感耦合标签天线，采用双U网络可以有效的展宽阻抗带宽约28％，同时保持天线增益不变。建立天线集中参数等效电路模型，说明天线宽频带工作原理。这两款天线通过调节T型匹配网络，即可适用于阻抗实部值在(35～87)Ω之间，虚部值在(158～247)Ω之间的芯片，从而加速标签天线设计周期；本文中还对RFID系统应用中出现的一些问题进行了分析和天线设计。
论文来自科技部863重大项目“RFID标签天线设计技术的研究”的支持。
5.学位论文章理频率可调RFID天线的研究和设计2009
射频识别技术(Radio Frequency Identification，以下简称RFID)是现代信息技术高速发展的产物。利用射频信号的空间耦合实现的RFID技术是一种无线的、非接触方式的自动识别技术，是近几年发展起来的前沿科技项目。随着科技的不断进步，无线射频识别技术得到了极快的发展，产品种类日益丰富，应用也越来越广泛，己涉及到人们日常生活的各个方面。
天线是RFID系统中至关重要的装置，RFID系统通过射频天线来实现发射、接收电磁波，从而实现阅读器(Reader)对电子标签(Tag)的识别。因此，标签天线在RFID应用中扮演着至关重要的角色，对其详细研究具有重要意义。
本文通过理论分析、建模仿真等研究方法，做了下面的工作：
1.全面而系统地阅读了关于天线和电磁场理论的书籍理论，并与射频识别(RFID)技术结合，初步完成了分析天线和辐射场所需的理论基础研究。
2.本文以天线理论为基础，对射频识别系统中的标签天线做了深入研究，主要针对于标签天线小型化以及标签天线的阻抗匹配两个问题进行分析
，并且相应的提出国内外的讨论以及研究成果，相关的经典天线结构进行说明。
3.本文详细介绍了针对于以上几个方面所做的设计与仿真，以及部分加工结果。文中的设计以偶极子天线为基础，首先仿真分析弯折是实现小型化的有效途径，然后介绍了平面螺旋天线的特点。结合这两种天线的特点，设计了谐振频率可调方形弯折偶极子天线，该天线能通过天线结构尺寸的改变实现谐振频率在840MHz～960MHz之间改变从而适应于不同国家的RFID标准，并且在这个变化当中始终保持带宽稳定。天线尺寸为78mm*50mm，平均增益为1.76dBi。文中通过仿真详细说明了天线的特点，并且有加工后的测量结果比较。
4.本文还详细介绍了近场标签天线的特点，提出了远近场天线同时满足远场和近场需要的解决方案。并且相应的设计一款UHF远近场蝶形偶极子天线，这款天线的电感环路耦合部分主要是影响天线电抗，对其调整能使天线匹配阻抗从15-j*100到15-j*300之间变化。天线带宽约为50MHz，平均增益
2.2dBi。通过仿真结果详细描述天线的特点，并且详细研究利用天线结构实现阻抗匹配的可调节。
6.期刊论文张有志.张颖.夏凤仙.闫凡勇.ZHANG You-zhi.ZHANG Ying.XIA Feng-xian.YAN Fan-yong巴伦在
RFID系统中的应用研究-信息技术2010(7)
巴伦在天线发射与接收电路设计系统中具有重要作用,分析了巴伦的原理并探讨了巴伦的两大作用--频带宽度和阻抗匹配,并设计一款微型巴伦,应用于基于CC2500射频芯片的2. 45GHz RFID有源标签,提高了2. 45GHz RFID有源标签的性能.
7.学位论文谈国祥RFID标签天线技术研究2005
近年来射频设别技术的应用越来越广泛，市场前景非常看好。射频识别技术中，标签天线的设计是关键技术之一。标签天线与标签IC电路的阻抗匹配是标签天线设计的重要环节，要做好天线和标签电路的阻抗匹配我们首先必须获得标签IC电路的实际输出阻抗，本文详细介绍了标签IC射频阻抗的测试，对标签IC阻抗测试我们采用了两种测试方法，制作了两种不同的测试装置，给出了两组测试数据，为标签天线的设计提供了输入条件。本文详细介绍了印刷振子天线的设计，特别是天线的阻抗匹配技术，进行了大量计算仿真，并在915MHz设计了采用T匹配技术的印刷振子天线实物，进行了系统测试，达到了预期的目标。对作为标签天线使用的矩形微带天线设计也做了详细介绍，并给出了仿真计算结果。
8.期刊论文李强.赖声礼.朱海龙.LI https://www.doczj.com/doc/517658107.html,I Sheng-li.ZHU Hai-long一种小型化圆形UHF频段RFID标签天线的
设计-科学技术与工程2008,8(1)
为满足 UHF 频段 RFID 标签小型化的要求,在电容式耦合圆弧标签天线的基础上,提出了一种小型化圆形 UHF 频段RFID 标签天线的设计方案.仿真结果表明,该标签天线与标签芯片之间具有良好的阻抗匹配特性、良好的天线辐射特性.其构形可以很好地满足 UHF 频段标签天线的具体要求.
9.学位论文许秋月射频识别系统天线的仿真和设计2009
近十几年来，无线通信技术得到了广泛应用，极大地推动了社会的发展。射频识别(RFID)技术，是一种利用无线通信实现的非接触式自动识别技术，被认为是21世纪最有前途的IT技术之一。在RFID系统中，射频标签和读卡器中都包含有天线，天线是保证RFID系统正常工作非常重要的一部分。本论文以软件仿真为手段，全面研究了RFID系统天线领域的关键技术，其主要内容为：
1.偶极子天线是RFID标签天线中应用最广泛的一类天线，本文对半波偶极子天线及弯折偶极子天线进行仿真，并比较了弯折偶极子天线的形状参数对匹配阻抗的影响。结果表明，弯折偶极子天线有很好的尺寸缩减特性，且易调节达到阻抗匹配。
2.平面倒F天线理论是天线多频化和小型化设计的有力工具。本文在查阅国内外相关文献资料的基础上，仿真了一种新型两层介质开U型槽和L型槽相结合的多频RFID天线。将平面倒F天线用到RFID标签天线设计中，达到天线结构尺寸缩减、增大带宽、适合金属物体表面的目的。
3.仿真了一种小型微带圆极化天线，中心谐振频率为2.45GHz。设计中以文献为依据，采用三层复合介质，仿真结果显示，天线的性能良好，与理论期望吻合，达到了实际应用的标准。
10.期刊论文靳钊.庄奕琪.袁冰.杜永乾.刘伟峰.李小明.JIN Zhao.ZHUANG Yiqi.YUAN Bing.DU Yongqian.LIU
Weifeng.LI Xiaoming无源UHF RFID标签的低成本阻抗匹配网络设计-固体电子学研究与进展2009,29(2)
提出了一种符合ISO/IEC 18000-6C标准的无源RFID(射频识别)标签的低成本阻抗匹配网络.该设计基于复功率波反射系数的概念,修正芯片输入阻抗,在片内添加阻抗匹配电路.通过变化芯片阻抗和天线共轭匹配及失配间切换,有效完成信号的调制反射.提出的电路结构简单,易于实现,在读写器、标签天线和芯片之间实现了功率传输的最大化,提高了芯片输入电压以及读写器对标签反射信号的识别率.采用该阻抗匹配网络的芯片基于chartered 0.35
μm CMOS工艺实现.测试结果表明,在923 MHz频带下,倍压电路输出可达1.47 V,标签满足系统设计要求.
本文链接：https://www.doczj.com/doc/517658107.html,/Periodical_bdtxb200803021.aspx
授权使用：中国地质大学(zgdzdx)，授权号：4a340543-7b04-4a32-8dfb-9e6a00ca8cc3
下载时间：2011年1月13日