1、单管共射放大电路中，若静态工作点设置过低，将出现失真，若设
置过高，则将出现失真。
2、场效应管属于控制型器件，而晶体三极管属于控制型器件。
3、集成运放的输入级采用差分放大电路的目的是为了克服问题。
4、为了判断正、负反馈，可以采用法；负反馈对放大电路性能
的影响是：提高了；减小了；展宽了；改变了。
5、对功率放大电路的要求主要是能向负载提供较大的，同时应具
有较高的和较小的。
6、为了放大直流信号或变化缓慢的信号，多级放大电路之间应采用耦
合方式，为了实现阻抗变换，则应采用耦合方式。
7、一般直流电源的组成包括、、和四
个部分。
8、设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若采用乙类OCL（即双电源）互补
对称功放电路，则应选P
CM
至少为 W的功率管两个。
9、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带将变。1、放大电路中三极管工作在放大区时，发射结需加电压，集电结需
加电压。
2、分析基本放大电路的方法有和两种。
3、放大器的输入阻抗高，说明它对前级或信号源的影响；放大器输
出阻抗高，说明它的带负载能力。
4、在反馈电路中，若|1+F
A |>1，则表示引入的是反馈，若|1+F
A |<1，
则表示引入的是反馈，若|1+F
A |=0，则表示产生了现象。
5、对功率放大电路的要求主要是能向负载提供较大的，同时应具
有较高的和较小的。
6、理想运放的理想化参数是：开环差模放大倍数A Od= ，R id= ，
Ro= 。
7、在一个三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地的电位分别为：U
1
=12V、
U 2=3.7V、U
3
=3V，则三极管对应的电极是：1为极、2为极、3
为极，三极管属于型三极管。
8、输入与输出电压反相是单管组态放大电路的特点。
9、场效应管的工作原理是利用栅源之间的来控制漏极。
1、集成运放电路有以下四部分组成：，，，。
2、在本征半导体中掺入五价的磷元素，就形成型半导体，其中多数载流
子为 ，少数载流子为 ；PN 结的主要特性
为 。
3、三极管工作在放大区时，发射结 ，集电结 。
4、乙类功放会产生 失真，消除该失真的方法是 。
5、在反馈电路中，若|1+AF|>1，则表示引入的是 反馈，若|1+AF|<1，
则表示引入的是 反馈。
6、直流稳压电源由电源变压器、 电路、 电路和 电路组成。
7、理想运放的理想化条件是：开环差模放大倍数A Od = ，输入电阻
R id = ，输出电阻Ro= ，共模抑制比K CMR = ，通频
带 ，零漂、失调电流和失调电压均为 。
8、在一个三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地的电位分别为：U 1=12V 、
U 2=3.7V 、U 3=3V ，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、3
为 极，三极管属于 型三极管。
8、输入与输出电压反相是单管 组态放大电路的特点。
9、场效应管的工作原理是利用栅源之间的 来控制漏极 。
1、三极管工作在放大区，发射结需 偏置，集电结需 偏置。
2、双极型三极管是 控制器件，场效应管是 控制器件，结型
场效应管的栅源极之间必须加 偏置电压，才能正常放大工作。
3、三极管放大电路中，测得三极管三个管脚对地电位分别为：V U 51-=、
V U 82-=、V U 2.53-=，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、
3为 极，该三极管属 型三极管。
4、单相桥式整流电路中，若输入电压V U 302=，则输出电压=)(AV O U V ，
若负载电阻Ω=100L R ，整流二极管电流=)(AV D I A ，二极管承受的最
大反向电压为 V 。
5、在反馈电路中，若11>+AF ，则为 反馈，11<+AF ，则为 反馈，
01=+AF ，则产生 现象。
1.集成运算放大电路通常包含四个基本组成部分 、
和 。
2.为了提高输入电阻应引入 负反馈，为了减小输出电阻应引入 负反馈。
3.一般直流电源的组成包括、、和四个部分。
1. 随着温度升高，二极管的反向电流将。
2. PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位__________。
3. 某放大状态的晶体三极管，当I B=20μA时，I C=1mA，当I B=60μA时，I C=3mA。则该管的电流放大系数β值为__________。
4. 在三种基本组态的晶体三极管放大电路中，具有电压放大作用，且u0与u i同相关系的是__________组态放大电路。
5. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的问题。
6. 某放大器的开环放大倍数为A=1000，负反馈系数为F=0.009，则闭环反馈放大器的放大倍数A F= 。
7. 集成运算放大器的输出电路一般采用电路结构。
8. 甲类功率放大电路效率比乙类功率放大电路的效率。
9. 放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数
________(大，小)。
10. 乙类互补对称功率放大器的输出波形会出现________失真。
1、三极管的三个电极分别称为极、极和极，其工作
在放大区的条件是发射结加电压，集电结加电压。
2、放大电路的实质是的放大，分析放大电路的方法有
和两种。
3、集成运算放大电路通常包含四个基本组成部分、
和。
4、为了提高输入电阻应引入负反馈，为了减小输出电阻应引入
负反馈，为了稳定静态工作点应引入负反馈。
5、对功率放大电路的要求主要是能向负载提供较大的，同时应具
有较高的和较小的。
6、理想运放的两个重要结论是和。
7、一般直流电源的组成包括、、和
四个部分。
8、输入与输出电压反相是单管组态放大电路的特点。
1、本征半导体的导电性能具有以下3个特点：①；
②；③。
2、本征半导体掺入价元素的原子就成为N型半导体，其多数载流
子为。
3、二极管的主要特性是，即加电压时，二极管呈导通
状态，加电压时，二极管呈截止状态。二极管的等效结电容越小，
则其最高工作频率越。
4、三极管有三个工作区，分别称为区、区和区。
5、分析放大电路的方法有分析法和分析法。
6、放大器按三极管的公共端不同，可分为共、共、共三种
组态；其中输入与输出电压反相是单管共组态放大电路的特点，输入电阻最大的是共组态。
7、直流稳压电源由、、和四
部分组成。
8、多级放大器中各级之间的耦合方式包括耦合、耦
合和耦合、耦合。
9、集成运算放大器一般由输入级、、和四
部分组成。
10、和的概念是分析理想运放电路的基本法则。
11、某收音机的末级采用乙类功放结构，其中每个功放管的导通角为度，
这种结构的缺点是存在失真现象。
12、负反馈对放大电路性能指标的影响是：提高的稳定性；展宽
了；减小了；改变了和。
1、二极管的主要特性是单向导电性，即加正向电压时，二极管呈导通状态，
加反向电压时，二极管呈截止状态。
2、杂质半导体可分为型和型半导体两大类。
3、稳压二极管实现稳压时必须工作在区。
4、直流稳压电源由变压器、、和四部
分组成。
5、三极管的三个电极分别称为极、极和极，两个
PN结分别称为结和结。
6、三极管工作在放大区的条件是发射结加电压，集电结加
电压，工作在放大区时I C与I B的关系是。
7、放大电路的实质是的放大，它的主要性能指标
有、
和三个。
8、放大器按三极管的公共端不同，可分为共、共、共三种
组态；如果某放大器的信号源内阻比较大，应采用其中的共组态。
9、放大电路的分析方法有和。
10、共射放大器的特点是。
11、放大器中，如果静态工作点Q位置过高，将引起失真，Q位置过
低，将引起失真。
12、多级放大器的级联方式有耦合、耦合以及
耦合。
13、功率放大器要考虑的主要问题是尽可能地增大，提
高，减小。
14、集成运算放大器一般由输入级、、和四部
分组成。
15、和的概念是分析理想运放电路的基本法则。
16、乙类功放的缺点是存在现象。
1、二极管的主要特性是；三极管工作在放大区的条件是发射结加电压、集电结加电压，半导体器件受影响较大。
2、采用差分放大电路的目的是为了。
3、场效应管是控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的来
控制漏极的。
5、集成运放的内部电路通常包含四个基本组成部分，即级、级、级和电路。
6、在共射、共集、共基三种基本放大电路的组态中，输入电压与输出电压反相的是
组态；频率响应最好的是组态；输入电阻最大的是组态。
1、杂质半导体可分为型和型半导体两大类。本征半导
体材料的导电特点有（1）；（2）；
（3）。
2、二极管的主要特性是，即加电压时，二极管呈导通
状态，加
电压时，二极管呈截止状态。
3、双极型三极管有三个工作区，分别称为区、放大区和区，
其中工作在放大区的条件是发射结加电压、集电结加电压。
4、场效应管的三个电极分别称为极、极和极，场效应管是
控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的来控制漏极的。
5、放大电路最常用的基本分析方法有分析法和分析法。
6、集成多级放大电路中，一般级间采用耦合方式，各级之间前一级的
负载电阻就是后一级的。
一、填空（每空1.5分，共45分）
1、本征半导体的导电性能除了导电能力介于导体和绝缘体之间外，还有以下导电特点：、、。
2、在本征半导体中掺入元素的原子就成为N型半导体，其特点是多数载流子为。
3、二极管具有特性，二极管的结电容越小，则其最高工作频率。
4、三极管处于放大状态的条件是发射结，集电结。
5、放大电路的主要指标有、、、、、
、、。
6、多级放大器的主要耦合方式有：、、和。放大直流信号用耦合方式，该种耦合方式有两个特殊问题：（1），
（2）。
7、温度对三极管的以下三个参数1、2、3、有影响，造成放大电路的不稳定。
8、场效应管的跨导g m的物理意义是，场效应管输入
电阻比三极管的。
1、杂质半导体可分为型和型半导体两大类。半导体器
件的特点是受影响较大。
2、二极管的主要特性是，即加电压时，二极管呈导通
状态，加
电压时，二极管呈截止状态。
3、双极型三极管有三个工作区，分别称为区、放大区和区，
其中工作在放大区的条件是发射结加电压、集电结加电压。
4、场效应管的三个电极分别称为极、极和极，场效应管是
控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的来控制漏极的。
5、放大电路最常用的基本分析方法有分析法和分析法。
6、多级放大电路中第一级采用差分放大结构的目的是为了。
7、集成运放的内部电路通常包含四个基本组成部分，即级、级、级和电路。
1、二极管的主要特性是，当加正向电压时，二极管呈状态，当加反向电压时，二极管呈状态。
2、三极管的三个电极分别称为极、极和极，两个PN结分别称为结和结。三极管工作在放大区的条件是结加
电压、结加电压。
3、场效应管是控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的来控制漏极的。
4、放大电路最常用的基本分析方法有分析法和分析法。
5、放大电路的幅频特性中，规定当电压放大倍数下降到0.707A um时对应的低频频率和高频频率分别称为放大电路的频率和频率。
6、集成运放的内部电路通常包含四个基本组成部分，即级、
级、级和电路。
7、在共射、共集、共基三种基本放大电路的组态中，输入电压与输出电压反相
的是 组态；频率响应最好的是 组态；输入电阻最大的是 组
态。
7、功率放大器要考虑的主要问题是尽可能地增大 ，提
高 ，
减小 。
8、集成运算放大器一般由输入级、 、 和 四部
分组成。
9、 和 的概念是分析理想运放电路的基本法则。
10、某收音机的末级采用乙类功放结构，其缺点是存在 现象。
二、选择题（每小题2分，共14分）
一、填空题（每空1分，共39分）
1、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对
同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下，测得A 放大器的
输出电压小，这说明A 的（ ）
A 、输入电阻大
B 、输入电阻小
C 、输出电阻大
D 、输出电阻小
2、共模抑制比CMR K 越大，表明电路（ ）
A 、放大倍数越稳定
B 、交流放大倍数越大
C 、抑制温漂能力越强
D 、输入信号中的差模成分越大
3、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ ）
A 、变宽
B 、变窄
C 、不变
D 、与各单级放大电路无关
4、在放大电路的幅频波特图（即对数幅频特性图）中，当信号频率恰好为
上限频率和下限频率时，实际的电压增益比中频段的电压增益下降（ ）
A 、0d
B B 、3dB
C 、10dB
D 、20dB
5、某仪表放大电路，要求i R 大，输出电流稳定，应选（ ）
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
6、某双端输入、双端输出差动放大电路，已知静态时，021=-=C C O u u u ，设差模电压放大倍数100=d A ，共模电压放大倍数0=C A ，mV u i 101=，
mV u i 52=，则输出电压o u 为（ ）
A 、125mV
B 、250mV
C 、500mV
D 、1000mV
7、单管共射放大电路如图，则：（1）在该电路中（ ）
A 、只存在交流负反馈
B 、只存在直流负反馈
C 、存在交、直流负反馈
D 、无反馈
（2）该电路电压放大倍数为（ ）
A 、be
C u r R A β-= B 、e be C
u R r R A )1(ββ++-=
C 、e be C
u R r R A +-=β
D 、[]e be b b C u R r R R R A )1(////21ββ++-=
8、与乙类功率放大电路相比，甲乙类功放的主要优点是（ ）
A 、不用输出变压器
B 、不用输出端大电容
C 、效率高
D 、无交越失真
1、共模信号是（ ）信号，差模信号是（ ）信号。
A 、大小相等，相位相反的
B 、大小相等，相位相同的
C 、大小不等，相位相反的
D 、大小不等，相位相同的
2、要稳定输出电压，引入（ ），增大输入电阻引入（ ），稳定静态工作
点，引入（ ）。
A 、电流负反馈
B 、电压负反馈
C 、串联负反馈
D 、并联负反馈
E 、交流负反馈
F 、直流负反馈
3、放大器的三种组态中输入电阻最小的是（ ），输出电阻最小的是（ ），
功率放大倍数最大的是（ ）。
A 、共基极放大器
B 、共集电极放大器
C 、共发射极放大器
4、在OTL 甲乙类功放电路中，在理想情况(即忽略饱和管压降)下，电路的最大
效率η为（ ）
A 、50%
B 、70%
C 、78.5%
D 、100%
1、放大电路中若静态工作点设置得过高，会产生（ ）。
A 、截止失真
B 、饱和失真
C 、交越失真
D 、线性失真
2、以下（ ）不是负反馈对放大电路性能的影响。
A 、提高放大倍数的稳定性
B 、减小非线性失真
C 、展宽通频带
D 、提高电压放大倍数
3、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真的
情况下，负载上可能获得的最大（ ）
A 、交流功率
B 、直流功率
C 、平均功率
D 、瞬时功率
4、某传感器产生的是电压信号（几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电
压与信号成正比，这放大电路应选（ ）
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
5、在OCL甲乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中三极管的集电
约为（）
极最大功耗P
CM
A、1W
B、0.5W
C、0.2W
D、0.1W
6、集成运算放大电路中，各个放大级之间采用（）耦合方式。
A、直接
B、阻容
C、变压器
D、电阻
7、直流电源的整流电路中，整流的目的是（）
A、将交流变为直流
B、将高频变为低频
C、将正弦波变为方波
D、将电压变小
8、在功率放大电路中，输出级采用的电路结构为（）
A、复合管
B、镜像电流源
C、有源负载
D、互补对称电路
6. 某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。
A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏
C. 反偏，正偏
D. 反偏，反偏
7.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=6V，U2=5.4V，U3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。
A. E、B、C
B. B、E、C
C. B、C、E
D. C、B、E
8.共集电极放大电路的特点是( )。
A.输入电阻很小，输出电阻很大
B.输入电阻很大，输出电阻很小
C.电压放大倍数很高
D.可用作振荡器
9.下图所示电路是( )。
A.加法运算电路
B.减法运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
10.下图的放大器输出Ｕo为( )。
A. U o=-U i R f/R i
B. U o=U i R f/R i
C. U o=(1+R f/R i)U i
D. U o=- (1+R f/R i)U i
11.测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值U o=4V,当接上负载电阻R L=6kΩ时，输出电压下降为U o=3V，则交流放大器的输出电阻R o是( )。
A.6kΩ
B.4kΩ
C.2kΩ
D.1kΩ
12.在开环放大电路中引入( )负反馈，可使输入电阻增大。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
13.单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V，则整流二极管承受的最大反压为( )。
A.5V
B.7V
C.10V
D.14V
14.在双端输入的差动放大电路中，输入信号u i1和u i2分别为60mv和40mv，则其共模输入信号u ic和差模输入信号u id为( )
A.100mv和20mv
B.50mv和10mv
C.100mv和10mv
D.50mv和50mv
15.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为20V(有效值)，则滤波后的输出直流电压为( )
A.9V
B.20V
C.24V
D.40V
5.两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，|Au1|=100,|Au2|=1000，则两级总的电压放大倍数用分贝表示为( )
A.60dB
B.80dB
C.100dB
D.120dB
6.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为( )
A．1W B．0.5W C．0.2W D. 0.0W
7.若要求放大电路输入电阻低，且稳定输出电流，在放大电路中应引入的负反馈类型为( )
A.电流串联
B.电流并联
C.电压串联
D.电压并联
8.在功率放大电路中，输出级采用的电路结构为（）
A、复合管
B、镜像电流源
C、有源负载
D、互补对称电路
9.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为20V(有效值)，则滤波后的输出直流电压为( )
A.9V
B.20V
C.24V
D.40V
10.下左图所示的电路（）
A.反向求和运算电路
B.同相求和运算电路
C.积分运算电路 C.滤波电路
题10图 ` 题11图
A. ()I f o u R R u +=1
B.I f o u R R u ?-=)(
C. ()
I f o u R R u +-=1 D. I f o u R R u ?=)(
13.下左图中，二极管1D 和2D 的作用是( )
A.消除截止失真
B. 消除饱和失真
C. 消除交越失真
D.无作用
题13图 题14图 14.上右图是( )
A.OCL 电路
B.OTL 电路
C.BTL 电路
D.变压器耦合功放电路
15. 为增大放大倍数，集成运放的中间级多采用( )
A.共射放大电路
B. 共集放大电路
C. 共基放大电路
D. 差分放大电路
1、放大电路的静态工作点设置得过高，会产生（ ）。
A 、截止失真
B 、饱和失真
C 、交越失真
D 、线性失真
2、以下（ ）不是负反馈对放大电路性能的影响。
A 、提高放大倍数的稳定性
B 、减小非线性失真
C 、展宽通频带
D 、提高电压放大倍数
3、乙类功放的特点是三极管的导通角为（ ）
A 、>180。
B 、≤180。
C 、360。
D 、0。
4、场效应管的工作原理是利用栅源之间的（ ）来控制漏极电流。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、电阻
5、一个OCL 甲乙类功放电路，电源为正负8V ，负载R L 为8Ω，忽略三极管的
饱和导通压降，则最大输出功率为（ ）
A、1W
B、2W
C、4W
D、8W
6、集成运算放大电路中，各个放大级之间采用（）耦合方式。
A、直接
B、阻容
C、变压器
D、电阻
7、桥式整流电路中，电源电压U
2=20V（有效值），R
L
=40Ω，则输出电压U
O
为（）
A、9V
B、18V
C、24V
D、28V
8、在功率放大电路中，输出级采用的电路结构为（）
A、复合管
B、镜像电流源
C、有源负载
D、互补对称电路
1、放大电路的静态工作点设置得过高，会产生（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、线性失真
2、以下（）不是负反馈对放大电路性能的影响。
A、提高放大倍数的稳定性
B、减小非线性失真
C、展宽通频带
D、提高电压放大倍数
3、乙类功放的特点是三极管的导通角为（）
A、>180。
B、≤180。
C、360。
D、0。
4、场效应管的工作原理是利用栅源之间的（）来控制漏极电流。
A、电压
B、电流
C、功率
D、电阻
5、稳压二极管的稳压区是其工作在（）区。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、正向恒流
6、集成运算放大电路中，各个放大级之间采用（）耦合方式。
A、直接
B、阻容
C、变压器
D、电阻
7、桥式整流电路中，电源电压U
2=20V（有效值），R
L
=40Ω，则输出电压U
O
为（）
A、9V
B、18V
C、24V
D、28V
8、在功率放大电路中，输出级采用的电路结构为（）
A、复合管
B、镜像电流源
C、有源负载
D、互补对称电路
1、放大电路的静态工作点设置得过高，会产生（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、线性失真
2、稳压二极管的稳压区是其工作在（）区。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、正向恒流
3、集成运算放大电路中，各个放大级之间一般采用（）耦合方式。
A、直接
B、阻容
C、变压器
D、光电
4、放大电路的基本特征是（）的放大，实质是（）的控制与转换。
A、电压
B、电流
C、功率
D、能量
5、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）
A、增大
B、不变
C、减小
6、整流电路中，整流的目的是（）
B、将交流变为直流 B、将高频变为低频
C、将正弦波变为方波
D、将电压变小
1、放大电路的静态工作点设置得过高，会产生（）。
A、截止失真
B、饱和失真
C、交越失真
D、线性失真
2、稳压二极管的稳压区是其工作在（ ）区。
A 、正向导通
B 、反向截止
C 、反向击穿
D 、正向恒流
3、引入（ ）负反馈可以降低输出电阻，引入（ ）负反馈可以提高
输入电阻。
A 、电压
B 、电流
C 、串联
D 、并联
4、放大电路的基本特征是（ ）的放大，实质是（ ）的控制和转换。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、能量
1、二极管的作用很多，但以下（ ）不是它的功能。
A 、整流
B 、稳压
C 、电流放大
D 、检波
2、在放大电路的中频交流通路中，电容、电源V CC 分别相当于（ ）
A 、开路、短路
B 、短路、短路
C 、开路、开路
D 、短路、开路
3、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）失真。
A 、饱和
B 、截止
C 、幅频
D 、相频
4、放大电路的基本特征是（ ）的放大。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、能量
5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
A 、变窄
B 、基本不变
C 、变宽 6、V u GS 0 时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）
A 、结型管
B 、增强型MOS 管
C 、耗尽型MOS 管 7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）
A 、增大
B 、不变
C 、减小
1、既能放大电压，也能放大电流的是（ ）组态放大电路。
A 、共射
B 、共基
C 、共集
D 、不一定
2、二极管的作用很多，但以下（ ）不是它的功能。
A 、整流
B 、稳压
C 、电流放大
D 、检波
3、在放大电路的中频交流通路中，电容、电源V CC 分别相当于（ ）
A 、开路、短路
B 、短路、短路
C 、开路、开路
D 、短路、开路
4、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）失真。
A 、饱和
B 、截止
C 、幅频
D 、相频
5、集成运放中采用两个三极管组成的复合管的目的是为了（ ），采用差分放大电路的目的是为了（ ）。
A 、克服零点漂移
B 、稳定静态工作点Q
C 、减少输出电阻
D 、提高电压放大倍数
6、单级共射放大电路带负载时的电压放大倍数比空载时的电压放大倍数（ ）
A 、小
B 、大
C 、不变
D 、不一定
1、二极管的作用很多，但以下（ ）不是它的功能。
A 、整流
B 、稳压
C 、电流放大
D 、检波
1、放大电路的静态工作点设置得过高，会产生（ ）。
A 、截止失真
B 、饱和失真
C 、交越失真
D 、线性失真
2、稳压二极管的稳压区是其工作在（ ）区。
A 、正向导通
B 、反向截止
C 、反向击穿
D 、正向恒流
3、集成运算放大电路中，各个放大级之间一般采用（）耦合方式。
A、直接
B、阻容
C、变压器
D、电阻
1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）
A．本征半导体B．温度
C．杂质D．掺杂工艺
2. PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D. 都不是
3．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（） A．共射组态 B．共基组态
C．共集组态 D．都不是
4．若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（）
A．电流串联 B．电压串联
C．电流并联 D．电压并联
5．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（）
A．10V B．0V
C．15V D．20V
6. 下列哪个不是直接耦合放大电路克服零点漂移的方法( )
A. 补偿法
B. 差动放大电路
C. 采用调制式直流放大器
D. 采用射极跟随器
7. 功率放大电路的转换效率是指( )。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
D. 输出功率与电源提供的平均功率之比
8．两个三极管构成的复合管如下图，则复合管的放大倍数是 ( )。
A.β≈β1β2
B. β=β1+β2
C. β=β1-β
2 D. β≈β1/β2
9.为了稳定静态工作点，放大电路应引入（）负反馈。
A、直流
B、交流
C、串联
D、并联
10.甲类功放的特点是三极管的导通角为（）
A、>180。
B、≤180。
C、360。
D、0。
11.场效应管的工作原理是利用栅源之间的（）来控制漏极电流。
A、电压
B、电流
C、功率
D、电阻
12.集成运算放大电路中，各个放大级之间采用（ ）耦合方式。
A 、直接
B 、阻容
C 、变压器
D 、电阻
13.在功率放大电路中，输出级采用的电路结构为（ ）
A 、复合管
B 、镜像电流源
C 、有源负载
D 、互补对称电路
14.整流电路中，整流的目的是（ ）
C 、 将交流变为直流 B 、将高频变为低频
C 、将正弦波变为方波
D 、将电压变小
15.对于典型差动放大电路，在（ ）情况下，可以使得Re 无反馈作用。
A 、共模输入、电路对称
B 、差模输入、电路对称
C 、共模输入、电路不对称
D 、差模输入、电路不对称
4、放大电路的实质是（ ）的放大。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、能量
2、在放大电路的中频交流通路中，电容、电源V CC 分别相当于（ ）
A 、开路、短路
B 、短路、短路
C 、开路、开路
D 、短路、开路
3、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）失真。
A 、饱和
B 、截止
C 、幅频
D 、相频
4、放大电路的基本特征是（ ）的放大。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、能量
5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
A 、变窄
B 、基本不变
C 、变宽
6、V u GS 0 时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）
A 、结型管
B 、增强型MOS 管
C 、耗尽型MOS 管
7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）
A 、增大
B 、不变
C 、减小
1、三极管放大电路的三种基本组态中 的输入电阻最大， 的功率放大倍数最大。
（1） 共发射极电路 （2）共集电极电路 （3）共基极电路
2、放大器的输入电阻大，说明 ，输出电阻小说明 。
（1） 放大器对前级的影响大 （2）放大器对前级的影响小
（3）放大器带负载能力强 （4）放大器带负载能力弱
二、选择题（每小题2分，共22分）
1、由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=8V 时，输出电压
Uo 为( )。
A 、0.7V
B 、6V
C 、8V
D 、14V
2、二极管的作用很多，但以下（ ）不是它的功能。
A 、整流
B 、稳压
C 、电流放大
D 、检波
3、在放大电路的中频交流通路中，电容、电源V CC 分别相当于（ ）
A 、开路、短路
B 、短路、短路
C 、开路、开路
D 、短路、开路
4、场效应管的转移特性如题4图，则该管为( )
A 、P 沟道增强型FET
B 、P 沟道耗尽型FET
C 、N 沟道增强型FET
D 、N 沟道耗尽型FET
5、基本放大电路中，如果静态工作点过高，容易引起（ ）失真。
A 、饱和
B 、截止
C 、幅频
D 、相频
6、放大电路的基本特征是（ ）的放大。
A 、电压
B 、电流
C 、功率
D 、能量
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
A 、变窄
B 、基本不变
C 、变宽
D 、不确定 8、V u GS 0 时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ） A 、结型管 B 、增强型MOS 管 C 、耗尽型MOS 管
9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）
A 、增大
B 、不变
C 、减小
D 、不确定
10、共集电极放大电路的特点是( )。
A 、.输入与输出电压反相
B 、带负载能力强
C 、电压放大倍数很高
D 、通频带宽很宽
11、测得某交流放大电路的输出端开路电压的有效值U o =4V ,当接上负载电阻
R L =6k Ω时，输出电压下降为U o =3V ，则交流放大器的输出电阻R o 是
( )。
A 、6k Ω
B 、4k Ω
C 、2k Ω
D 、1k Ω
1、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A 、10K Ω
B 、2K Ω
C 、4K Ω
D 、3K Ω
2、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
A 、共射电路
B 、共基电路
C 、共集电路
D 、都可以
4、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）。
A 、饱和失真
B 、截止失真
C 、交越失真
D 、线性失真
5、共模抑制比K CMR 越大，表明电路（ ）
A 、放大倍数越稳定
B 、交流放大倍数越大
C 、抑制温漂能力越强
D 、输入信号中的差模成分越大
6、单级共射放大电路带负载时的电压放大倍数比空载时的电压放大倍数（ ）
A、小
B、大
C、不变
D、不一定
7、二极管电路如图所示，处于导通工作状态的二极
管是（）；
A、D1导通
B、D1、D2均不导通
C、D2导通
D、D1、D2均导通
考虑二极管的正向导通压降为0.7V，输出电压U O为
（）。
A、-14.3V
B、-0.7V
C、-12V
D、
-15V
8、稳压二极管的稳压区是其工作在（）区。
A、正向导通
B、反向截止
C、反向击穿
D、正向恒流
三、是非题（每空2分，共12分）
1、放大器输入阻抗越高，对前级的影响越小。（）
2、放大电路引入负反馈后通频带变窄。（）
3、串联负反馈电路的信号源一般采用电压源。（）
4、差动电路发射极加电阻R E，是为了提高K CMR。（）
5、所谓“虚断路”是指集成运放的输入端电流无穷接近于零，但又不是真正断
路的特点。（） 6、功率放大器与电流、电压放大器的区别是后者没有功率放大作用（）
1、放大器想提高输入阻抗，可引入并联负反馈。（）
2、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变窄。（）
3、与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是无交越失真。（）
4、共模抑制比K CMR越大，表明电路抑制温漂能力越强。（）
5、所谓“虚短路”是指集成运放的两个输入端电位无穷接近，但又不是真正短
路的特点。（） 6、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路
电容的存在。（）
1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
2、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（）
3、U GS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
（）
4、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它只能放大交流信号。（）
5、有源负载可以增大放大电路的输出电流。
（）
6、集成运放电路的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。
（）
1、可以说任何放大电路都有功率放大作用。（）
2、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它不能放大直流信号。（）
3、功放中的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。（）
4、放大器的输入电阻高，说明它对前级或信号源的影响大。（）
1、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）
2、可以说任何放大电路都有功率放大作用。（）
3、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它不能放大直流信号。（）
4、功放中的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。（）
5、放大器的输入电阻高，说明它对前级或信号源的影响大。（）
1、场效应管比双极型三极管的热稳定性好。（）
2、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它不能放大直流信号。（）
3、功放中的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。（）
4、放大器的输入电阻高，说明它对前级或信号源的影响大。（）
5、放大器中输入级采用差分放大电路结构是为了克服零点漂移现象。（）
1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
2、可以说任何放大电路都有功率放大作用。（）
3、场效应管是电压控制器件。（）
4、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它不能放大直流信号。（）
5、有源负载可以增大放大电路的输出电流。（）
6、集成运放中的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。（）
7、放大器的输入电阻高，说明它对前级或信号源的影响小。（）
四、分析题（共29分）
1、试说明如何用万用表判二极管的好坏以及二极管的P、N端。（10分）
2、分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如下，试判断它们的管脚e、b、
c，并判断是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。（10分）
（1）+12V、+12.7V、+15V （2）-11V、-6V、-6.3V
1、一个晶体三极管处于正常放大状态的电路中，看不出它的型号，也无其他标志，测得它的三个电极对地电位为1脚5.8v，2脚6v，3脚12v。试判断三极管的类型（是PNP还是NPN型），分析出e、b、c三个电极及三极管材料。
三、分析题（共22分）
1、能否将1.5V的干电池以正向接法直接接到二极管两端？为什么？（6分）
3、直流电源中的变压器电路及桥式整
流电路如图，（1）试问四个二极管起什么作用？（2）若D1极性接反，将产生什么现象？（3）若D1虚焊，会出现什么现象？（8分）
六、请分析下列电路的反馈类型，假设该电路满足深度负反馈条件，并估算电压放大倍数。（10分）
3、分别测得放大电路中两个三极管的各极电位为：①5V，0.7V，1.4V；
② -8V，-3V，-3.3V；试识别它们的管脚e、b、c，NPN型还是PNP型，
硅管还是锗管。（10分）
1、画出单相桥式整流、电容滤波电路（提供元件：一个电源变压器、四个二极管、一个电容、一个负载电阻、若干导线）
3、测得工作在放大电路中的两个三极管的两个电极电流如图，试（1）求另一
个电极电流，并在图中出实际方向；（2）判断它们的管型，并标出e、b、c 三个极；（3）估算它们的β。（10%）
2.02mA
0.02mA
1、二极管电路如图所示：（1）说明两个二极管的状态（导通还是截止）；（2）若二极管的正向导通压降为0.7V，则输出电压U0为多少？（7分）
1.电路如图所示：（8分）
(1)分析图中级间交流反馈的极性与反馈组态；
1.2mA
电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V；若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模 输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情 况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小
C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压
模拟电路测验试题10套 1 / 34
————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 2 / 34
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 1 / 34
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
模拟电路测验试题套和答案 1 / 29
————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 2 / 29
坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 1 / 29
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V； 若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小 C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。 2
模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载 流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。