1. Features (2)
2. Applications (2)
3. Dimension and construction (2)
4. Power Derating Curve (2)
5. Rating (3)
6. Part Number (3)
7. Resistance Marking / Soldering (4)
8. Reliability Performance (5)
9. Packing (6)
9.1 Peel Strength of Top Cover Tape (6)
9.2 Tape Packaging Dimensions (6)
9.3 Reel Dimensions (7)
10. Storage / Handling (7)
1. Features
High power rating to 3W and compact size.
High reliability and high precision (1%).
Suitable for lead free soldering.
RoHS compliant & Halogen Free.
2. Applications
Power supply.
Automotive industry.
Digital meter, Consumer electronics, M/B.
LED Lighting.
Industry control board.
3. Dimension and Construction
Unit：mm Type L W C D T FPF25…3W 6.40±0.20 3.10±0.20 0.45±0.25 1.80±0.25 1.10±0.20
4. Power Derating Curve
Operating Temperature Range: -55 to +155 deg.C
5. Rating
Type Size Power Rating
at 70℃
Max.
RCWV
Max.
Overload
Voltage
Resistance
Tolerance
Temperature
Coefficient
( ppm/℃)
Resistance
Range
Standard
Resistance
Values
Min. Max.
FPF25
3W
2512 3W 250V 500V ±1%(F) ±100ppm 1Ω 1MΩE96 FPF25
3W
2512 3W 250V 500V ±5%(J) ±200ppm 1Ω 10MΩE24
FPF25 3W 2512 3W
1652
mV
3695
mV
±1%(F) ±100ppm 0.1Ω 0.91ΩE24
FPF25 3W 2512 3W
1652
mV
3695
mV
±5%(J) ±200ppm 0.1Ω 0.91ΩE24
Type Size Description Max. Rated Current Resistance
FPF25 3W 2512 Zero Ohm，Jumper≦ 12A＜20m?
Note：RCWV＝(P×R)1/2 or Max. RCWV listed above, whichever is lower.
RCWV：Working Voltage (V)，P：Rated Power (W)，R：Resistance Value (?)
2512 Solder-pad and trace size should be >300 mm2 and board surface temperature should not exceed 105℃when applying full rated power.
6. Part Number
Type Size Tolerance
Packing Watt R
Value
TCR Special Code
FPF 25 :2512 J :±5%
F :±1% Q :
Plastic
Tape.
3Kpcs
K:
3W
5%：
□□□_
1%：
□□□□
N:
100ppm
L:
200ppm
” Null ” :
Standard
Example：
FPF25JQK473_L
→2512 size, tolerance 5%, plastic tape, 3W, 47KΩ, 200PPM, Standard. FPF25FQKR390N
→2512 size, tolerance 1%, plastic tape, 3W, 390mΩ, 100PPM, Standard.
7.Marking/Soldering
Resistance value identify ：
E24 ±5%：3 Digits marking to identify the resistance value
→ 30 x 101
= 300Ω
E24/E96 ±1%：4 Digits marking to identify the resistance value → 154 x 102
= 15.4 K Ω
Below 1Ω E24 ±1%,±5%：4 Digits marking to identify the resistance value
100m Ω，R390=390m Ω
Soldering Reference ：
Recommend Solder Pad Dimensions ：
Unit:mm
Type W D L FPF25
3.70 2.45 7.60
8. Reliability Performance Test Item Specification
Test Method
DC Resistance F ：±1%
J ：±5%
IEC 60115-1 / JIS C 5201-1 , Clause 4.5 Measure the resistance Value.
Resistance to Solder Heat ≦J:?R ±(1%＋0.5m ?) ≦F:?R ±(0.5%＋0.5m ?)
No mechanical damage IEC 60115-1, Clause 4.18
Solder dipping @ 260±℃5 ℃for 10sec.±1sec. Solder Ability Over 95% of termination must be covered with solder.
IEC 60115-1, Clause 4.17
After immersing flux, dip in the
245±2℃ molten solder bath for 3±0.5 sec.
Board Flex
J ：≦?R ±(1%＋1m ?) F ：≦?R ±(0.5%＋1m ?) No mechanical damage
IEC 60115-1, Clause 4.33 Resistance change after bended on the 90mm PCB. Bending 2mm Short
Time Overload ≦J:?R ±(2%＋0.5m ?)
≦F:?R ±(1%＋0.5m ?) IEC 60115-1, Clause 4.13 5 × Rated power for 5 seconds Temperature Coefficient of Resistance (TCR) Within the spec. IEC 60115-1, Clause 4.8 T 1 T 2 Test temperature ： 25~℃ 155℃ TCR(ppm/)℃ = (R 2-R 1)/R 1×1 / (T 2-T 1)×106
Load Life
J ：≦?R ±(3%＋0.5m ?) F ：≦?R ±(1%＋0.5m ?)
IEC 60115-1, Clause 4.25
Rated voltage for 1.5 hours for followed by a pause 0.5 hour at 70±2℃. Cycle repeated 1000 hours.
Load Life Humidity
J ：△R ≦ ±(3%+0.5m ?) F ：△R ≦ ±(1%+0.5m ?)
IEC 60115-1, Clause 4.24 40±2 with relative humidity ℃ 90% ~ 95% D.C. rated voltage for 1.5 hours ON 30 minutes OFF. Cycle repeated 1000 hours.
Temperature Cycling
J ：?R ≦ ±(1%＋0.5m ?) F ：?R ≦ ±(0.5%＋0.5m ?) No mechanical damage.
IEC 60115-1 Clause 4.19
Repeat 5 cycles as follows -55℃(30min.)→25℃(2~3min.)→155℃(30min.)→25℃(2~3min.) Continue 5 cycles.
Insulation Resistance Between termination and coating must over 1000M ?IEC 60115-1, Clause 4.6
Test voltage ：100±15V
9. PACKAGING
9.1 Peel Strength of Top Cover Tape
The peel speed shall be about 300 mm/min
The peel force of top cover tape shall between 0.1 to 0.7N
9.2 Tape Packaging Dimensions
unit:mm Size A B W F E P1 P2 P0 D
2512 3.50±0.20 6.70±0.2012.00±0.30 5.50±0.05 1.75±0.10 4.00±0.10 2.00±0.05 4.00±0.10 1.50+0.10/-0
unit：mm
9.3 Reel Dimensions
unit:mm
Size Packaging
Q’ty
per Reel
A N C D
B G T
2512 3
kpcs 178.0±2.0
60.0±0.513.0±0.520(Min.) 2.0±0.513.8±1.5 16.7max.
10. Storage &. Handling
… Products are recommended to be used up within one year as ensured shelf life.
Check solder ability in case shelf life extension is needed.
… To store products with following condition:
Temperature:5 to 40℃；Humidity: 20 to 70% relative humidity.
※All product specification and data are subject to change without notice.
薄膜电阻和厚膜电阻的区别 （捷比信）薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 捷比信薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是： 一、膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm； 二、制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，捷比信薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和捷比信薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差，10%，5%，1%是常见精度，而捷比信薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度，0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的，捷比信薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，如5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以捷比信薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器：
1.碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 2.金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 3.金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。 大品牌有保证---捷比信精密电阻！欢迎来电来函索取资料，样品及查货等。 业德薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 业德薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是： 一、膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm； 二、制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，业德薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和业德薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差，10%，5%，1%是常见精度，而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度，0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，同样的，薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，如 5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表，医疗器械，电源，电力设备，电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器： 1.碳膜电阻器
测定铜丝的电阻温度系数 ［实验仪器与器材］ 加热、控温、测温装置，漆包线绕制的铜线电阻（R ~25Q ）, 2个滑线电阻（1750 Q 、100Q ），直流电流表（25?100mA 、0.5级），2个电阻箱（0.1级、1/4W ），烧 杯，导线等。 ［提示与要求］ 1、关于电阻温度系数 任何物质的电阻都与温度有关，多数金属的电阻随温度升高而增大，有如下关系： Rt R0（1 Rt ） ，式中R t ,、R o 分别是t C 、O C 时金属的电阻值，R 是电阻温度系数， 其单位是C -1 。 R 一般与温度有关，但对于实验用的纯铜材料来说，在 -50C ?100C 的 范围内，R 的变化非常小，可当作常数，即 R t 与t 呈线性关系。 2、实验要求 （1） 实验前，按实验目的、实验室提供的仪器、器材，结合前面的提示，设计出实验 方案。 ① 画出装置示意图，标明各仪器名称， ② 设计出测量方法，拟定实验步骤和数据记录表格。 实验方案经教师认可，连线后请老师检查，无误后才能进行实验。 注意：水温不能超过80 C 。 （2） 数据处理 ①先用作图法计算R 。 ② 再用最小二乘法进行直线拟合（参阅第四章§ 4），算出R ，并求出相关系数r 0 ③ 要充分考虑仪器的安全，不可因电流过大而烧坏所用仪器。 注意：本实验不要求计算不确定度。 在■刃?150C 的温度范围内，洞电阻与温度戚线怔关系，其电阻与温度关系的表达式为r fl = h/ Rt=RO （l+at ） （2-3）^^, 度氓时的电阻值；氏0划蛊度0T 时的电阻值；口值黃铜的电阻温度系飙 约为 0.0043O 在加热座椅，后窗热线等純电阻电路中-尤其要注意低温时电珥的下降，从而导歡电流过大的影呱 温度（C ）阻值（Q ）温度（C ）阻值（Q ）温度（C ）阻-200 18.49 -200 7.95 -200 17.28 -190 22.80 -190 9.96 -190 21.65 -180 27.08 -180 11.95 -180 25.98 -170 31.32 -170 13.93 -170 30.29 -160 35.53 -160 15.90 -160 34.56 -150 39.71 -150 17.85 -150 38.80 -140 43.87 -140 19.79 -140 43.02 -130 48.00 -130 21.72 -130 47.21 P t100 BA 1 BA2
3.5.2 用热敏电阻测量温度 （本文内容选自高等教育出版社《大学物理实验》） 热敏电阻是由对温度非常敏感的半导体陶瓷质工作体构成的元件。与一般常用的金属电阻相比，它有大得多的电阻温度系数值。根据所具有电阻温度系数的不同，热敏电阻可分三类：1．正电阻温度系数热敏电阻；2．临界电阻温度系数热敏电阻；3．普通负电阻温度系数热敏电阻。前两类的电阻急变区的温度范围窄，故适宜用在特定温度范围作为控制和报警的传感器。第三类在温度测量领域应用较广，是本实验所用的热敏元件。热敏电阻作为温度传感器具有用料省、成本低、体积小、结构简易，电阻温度系数绝对值大等优点，可以简便灵敏地测量微小温度的变化。我国有关科研单位还研制出可测量从-260℃低温直到900℃高温的一系列不同类型的热敏电阻传感器，在人造地球卫星和其他有关宇航技术、深海探测以及科学研究等众多领域得到广泛的应用。本实验旨在了解热敏电阻-温度特性和测温原理，掌握惠斯通电桥的原理和使用方法。学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理 1． 半导体热敏电阻的电阻——温度特性 某些金属氧化物半导体（如：Fe 3O 4、MgCr 2O 4等）的电阻与温度关系满足式（1）： T B T e R R ∞= （1） 式中R T 是温度T 时的热敏电阻阻值，R ∞是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值，B 是热敏电阻的材 料常数，T 为热力学温度。 金属的电阻与温度的关系满足（2）： )](1[1212t t a R R t t -+= （2） 式中a 是与金属材料温度特性有关的系数，R t1、R t2分别对应于温度t 1、t 2时的电阻值。 根据定义，电阻的温度系数可由式（3）来决定： dt dR R a t t 1= （3） R t 是在温度为t 时的电阻值，由图3.5.2-1（a ）可知，在R-t 曲线某一特定点作切线，便可求出该温度时的半导体电阻温度系数a 。 由式（1）和式（2）及图3.5.2-1可知，热敏电阻的电阻-温度特性与金属的电阻-温度特性比较，有三个特点： （1） 热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的（呈指数下降），而金属的电阻-温度特性是线性的。
厚膜片式电阻器硫化机理及失效原因分析 摘要：随着经济的发展，电源产品的应用逐渐广泛，而其中密封和散热问题是 电源产品在生产时需要考虑的重要问题。目前，通过DC/DC模块来进行电源散热 的应用较为广泛，但此种防抖会刀子厚膜片式电阻阻值增大，导致出现故障。在 本文中，笔者将利用DC/DC模块对电阻进行硫化实验，从而分析出电源失效的原因，并且利用扫描电镜以及能谱的分析，从而深入探析导致电阻器的硫化的原因。 关键词：厚膜片式；电阻器；硫化机理；失效原因 对存在故障的DC/DC模块进行分析发现，在故障元件中，很多是因为厚膜片 式电阻器由于过压或者过功率导致的电阻阻值增大，最终导致开路问题。在本文中，在进行电路的分析和计算中发现，电阻的电压额降和功率额降能够满足设计 要求，同时存在着很大的富余，但这样仍然使得厚膜片式电阻器的损坏程度较高。一些研究人员认为这是由于厚膜片式电阻器的本身质量存在缺陷，在投入使用后 会发生老化现象，但是在进行可靠性实验的过程中没有将这一缺点暴露出来，当 投入使用后为什么会出现诸多的问题呢，因此说，厚膜片式电阻器的失效原因仍 然有待探索 1、电阻硫化产生的原因探析 对于电阻硫化的部位，仅仅出现与厚膜片式电阻器上，而对于其他的电阻器 例如轴向引线和膜片式电阻器的影响几乎为零。 对出现问题的厚膜片式电阻器进行分析，其中常见的问题是阻值变大或者出 现开路问题。通过利用电镜和能谱对其进行分析，从中发现厚膜片式电阻器的电 极存在硫或者硫的化合物，电阻端电极处的能谱分析如下图所示：在DC/DC使用的模块中应用到的硅胶按照A与B的混合比例为1:1进行混合，其中基础 的聚合物为含乙烯基的聚二甲基硅氧烷，交联剂选取的是具有较低的分子质量的含氢硅油， 在反应中选取的催化剂为铂系催化剂，当两者开始发生交联反应后，便会发生固化，同时在 进行交联反应的过程中加入高温条件，能够极大的缩短固化时间，促进反应的进行。 将上述反应产生的硅胶利用微电子材料和元器件分析中心进行分析发现此种方法产生的 硅胶成分中没有硫成分的出现，但是这种硅胶存在着多孔问题。这种结构使得硅胶在投入使 用后能够有效的吸附空气中硫化物分子，同时此种结构的硅胶不论是单组分结构或者双组份 结构硅胶性质类似，都对硫化物具有吸附特性。 从上述中可以看出，由于空气中的硫化物导致的灌封硅胶中的DC/DC电池中的电阻相互 作用，由于硅胶中对于硫化物具有较强的吸附作用，使得当厚片式电阻器在投入使用后在电 阻端和二次保护层之间形成缝隙，同时不同的焊接工艺对于缝隙产生的影响状况不同，影响 也有所差异。在硅胶中存在着大量的微孔结构，因此当硅胶吸附硫化物的浓度越来越高的时候，就会使得硫化物通过二次保护层和硅胶中的缝隙建进入到电阻电极当中，使得在厚膜片 式电阻电极间产生电导率较低的硫化银，最终导致厚膜片式电阻的电导率降低，电阻的阻值 出现开路问题。 2、针对上述问题的预防和解决措施 2.1使用防硫化电阻 要想有效避免厚膜片式电阻出现硫化问题，最佳的方式是应用防硫化电阻，或者应用全 薄膜工艺电阻或者电阻插件来防止厚膜片式电阻发生硫化问题。 应用防硫化电阻需要合理的设计二次保护覆盖层的大小，这样能够有效的对底层的电极 进行有效的保护，同时这样做能够使得保护层较弱的边缘部位不用直接暴露在与空气接触的 环境中，这样做能够有效的提高厚膜片式电阻的防硫化的性能。 对于防硫化电阻的另外一种设计理念是从材料本身的角度进行考虑，提升钯在银钯浆料 中的含量，将质量分数加以提升，从百分之零点五提升至百分之十，这样大幅度提升钯的质
片式固定电阻器： 是从Chip Fixed Resistor直接翻译过来的，也就是我们俗称的贴片电阻（SMD Resistor），是金属玻璃铀电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。耐潮湿，高温，温度系数小。 贴片电阻的特点： 1.体积小，重量轻； 2.适应再流焊与波峰焊； 3.电性能稳定，可靠性高； 4.装配成本低，并与自动装贴设备匹配； 5.机械强度高、高频特性优越。 1．尺寸系列贴片电阻系列一般有7种尺寸，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。不同尺寸的电阻，其功率额定值也不同。7种电阻尺寸的代码和功率额定值。 2．阻值系列标称阻值是按系列来确定的。各系列是由电阻的允差来划分的(允差越小则阻值划分得越多)，其中最常用的是E-24(电阻值的允差为±5％)，如表2所示。贴片电阻表面上用三位数字来表示阻值，其中第一位、第二位为有效数，第三位数字表示后接零的数目。有小数点时用“R”来表示，并占一位有效位数。标称阻值代号表示方法。 3．允差贴片电阻(碳膜电阻)的允差有4级，即F级，±l％；G级，±2％；J级，±5％；K级，±10％。 4．温度系数贴片电阻的温度系数有2级，即w级，±200ppm／℃；X级，±lOOppm／℃。只有允差为F级的电阻才采用x级，其它级允差的电阻一般为w级。 5．包装主要有散装及带状卷装两种。贴片电阻的工作温度范围为-55--+125℃，最大工作电压与尺寸有关：0201最低，0402及0603为50V，0805为150V，其它尺寸为200V。
电阻选型：厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较 薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为50 ? 至250 ? 的金属沉积层组成（采用真空或溅射工艺）。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或Bulk Metal? 金属箔电阻，而且更为便宜。在需要高阻值而精度要求为中等水平时，薄膜电阻更为经济并节省空间。 它们具有最佳温度敏感沉积层厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此，采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变最佳薄膜厚度还会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。
由于金属量少，薄膜电阻在潮湿的条件下极易自蚀。浸入封装过程中，水蒸汽会带入杂质，产生的化学腐蚀会在低压直流应用几小时内造成薄膜电阻开路。改变最佳薄膜厚度会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。 如前所述，受尺寸、体积和重量的影响，线绕电阻不可能采用晶片型。尽管精度低于线绕电阻，但由于具有更高的电阻密度（高阻值/小尺寸）且成本更低，厚膜电阻得到广泛使用。与薄膜电阻和金属箔电阻一样，厚膜电阻频响速度快，但在目前使用的电阻技术中，其噪声最高。虽然精度低于其他技术，但我们之所以在此讨论厚膜电阻技术，是由于其广泛应用于几乎每一种电路，包括高精密电路中精度要求不高的部分。 厚膜电阻依靠玻璃基体中粒子间的接触形成电阻。这些触点构成完整电阻，但工作中的热应变会中断接触。由于大部分情况下并联，厚膜电阻不会开路，但阻值会随着时间和温度持续增加。因此，与其他电阻技术相比，厚膜电阻稳定性差（时间、温度和功率）。 由于结构中成串的电荷运动，粒状结构还会使厚膜电阻产生很高的噪声。给定尺寸下，电阻值越高，金属成份越少，噪声越高，稳定性越差。厚膜电阻结构中的玻璃成分在电阻加工过程中形成玻璃相保护层，因此厚膜电阻的抗湿性高于薄膜电阻。 金属箔电阻 将具有已知和可控特性的特种金属箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成热机平衡力对于电阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工艺光刻电阻电路。这种工艺将低、长期稳定性、无感抗、无感应、低电容、快速热稳定性和低噪声等重要特性结合在一种电阻技术中。
FEATURES GENERAL CHIP FIXED RESISTOR RoHS TYPE DESIGNATION Example GENERAL CHIP FIXED RESISTOR Miniature and light weight. Suit for reflow and wave flow solder.Stable electrical capability,high reliability. Low assembly cost,suit for automatic SMT equipment.Superior mechanical and frequency characteristics. RoHS compliant
CONSTRUCTION AND DIMENSION L a W t b unit:mm
APPEARANCE , The surface of resistor is covered with Protective Coating which hard to fade,and the surface of coating should avoid unevenness. The terminal part is covered equable ,the plating is hard to fade,and should avoid unevenness,flaw,pinhole and discoloration. With a clear mark ,the resistor body is crack-free. REFERENCE STANDARD GB/T 5729-2003GB/T 9546-1995 DERATING CURVE 70 () For resistors operated in ambient over 70,rated load (power rating or current rating)shall be derated in accordance with the above figure. 100 755025Operating Temperature Range -55 125 Ambient temperature ( ) P e r c e n t r a t e d l o a d GENERAL CHIP FIXED RESISTOR
片式电阻的主要失效机理与失效模式 1．什么是片式电阻，片式电阻的概念。 片式电阻器又称为片式电阻，也叫表面贴装电阻，它与它片式元器件（SMC 及SMD）一样，是适用于表面贴装技术（SMT）的新一代无引线或短引线微型电子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。片式电阻在电路内的主要作用是降低电压，分担一部分电压即分压，限流保护电路，分流等，也可以用做时间电路元件和传感器等。 2.片式电阻的特性及分类。 表面组装的电阻器是表面组装元气件的组成之一，它属于无源元件，其作用主要供厚膜、薄膜电路作外贴元件用。它一般按两种方式进行分类。按特性与材料分类分为：厚膜电阻、薄膜电阻。按外形结构分类分为：矩形片式电阻、圆柱片式电阻、异形电阻。矩形片式电阻的结构如下图（a）： （a）矩形片式电阻结构示意图 2.1矩形片式电阻结构介绍： 矩形片式电阻由基板、电阻膜、保护膜、电极四大部分组成。 基板：基板材料一般使用96％的Al2O3（三氧化二铝）陶瓷。基本应具体有
良好的电绝缘性，在高温下具有良好的导热性、电性能和一定强度的机械性能。电阻膜：电阻膜是用具有一定电阻率的电阻浆料印刷在陶瓷基本上的，在经过烧结而形成厚膜电阻。电阻浆料一般用RuO2（二氧化钉）。近年来开始使用贱金属系的电阻浆料，比如氧化系（TaN-Ta）、碳化系(WC-W)和Cu系材料，目的是降低成本。 保护膜：将保护膜覆盖在电阻膜上，保护膜的主要作用是保护电阻。它一方面起机械保护作用，另一方面使电阻体表面具有绝缘性，避免电阻与邻近导体接触而产生故障。保护膜一般是低熔点的玻璃浆料，进过印刷烧结而成。 电极：电极是为了保证电阻器具有良好的可焊性和可靠性，一般采用三层电极结构：内层电极、中间电极、外层电极。内层电极作用：连接电阻体的内部电极。中间电极是镀镍层，其阻挡作用，提高电阻散热，缓冲焊接的热冲击。外层电极是锡铅层，主要作用是使电极具有可焊性。 3片式电阻常见的失效模式与失效机理。 图（1）线绕电阻失效总比例图（2）非线绕电阻失效总比例 片式电阻的主要失效模式与失效机理为： 1) 开路：主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体受力发生断裂，引线帽与电阻体发生脱落。
电阻温度系数的测定 一、实验目的 1.了解电阻温度系数的测定原理； 2. 了解测量电阻温度系数的方法。 二、实验仪器 DZW 型电阻温度特性测定仪 三、实验原理 大多数物质的电阻率会随温度的变化而变化，在设计电子元件及电路时需考虑温度对电阻和元件的影响。为反应电阻率随温度的变化特征，常用电阻温度系数来表示： d dT ραρ= (1) 部分情况下在温度变化不大的范围内常用平均电阻温度系数表示： 21121() R R R T T α-=- （2） 即：温度每升改变一度电阻的相对变化率。 四、实验内容及步骤 1.试样安装：将试样两引线端与两测试探头连接好，紧固连接螺丝，然后将盖板盖上。 2.温度设置：打开电源开关，确定AL810表自动状态已关闭，PV 口显示温度情况下。先按下温控表AL810面板上的“PAR ”键不松，立即再按住“▼”键（3秒不动），PV 栏显示“LC ”时松开两键，然后按“▲”或“▼”键将其设置为“1”；
再次按“PAR”键PV口显示r1，按“▲”或“▼”键将第一段升温速度设置为2.00（℃/分钟）；再次按“PAR”键PV口显示L1，按“▲”或“▼”键将第一段目标温度设置为100（℃）；再次按“PAR”键PV 口显示d1，按“▲”或“▼”将第一段保温时间设置为2（分钟）。再次按“PAR”键PV口显示r2，此时可设置第二温度控制阶段，设置方法同第一阶段相同，本实验只需第一段升温过程，第二段升温速度r2设置为“END”即可。 3.升温操作：在PV显示温度时，按住“PAR”键3秒，PV口显示“PROG”时松开，按“▲”或“▼”键选择“run”，再次按“PAR”键确认，即进入自动升温状态。开始升温后PV口显示炉膛内部实际测量温度。 4.电阻值测试：测量电阻仪器为内嵌于设备的万用表。打开试验开关，根据试样电阻值选择合适的电阻量程档位，温度到达30℃时开始记录样品的电阻值，从30℃至100℃每隔10℃记录一次，共8组数据。 5.实验完成后关闭试验开关和电源开关。 五、数据处理
第一节常用的元器件电阻器 电阻器是组成电路的基本元件之一。在电路中，电阻器用来稳定和调节电流、电压、作分流器和分压器，并可作为消耗能量的负载电阻。 1.1电阻器的分类 一般根据电阻器的工作特性及电路功能，可分为固定电阻器、可变电阻器、敏感电阻器三大类。 （1）固定电阻器这种电阻器的阻值是固定不变的。固定电阻器 主要用于阻值固定而不需要变动的电路中，起限流、分流、分压、降压、负载或匹配等作用。 （2）可变电阻器这种电阻器的阻值可以在一定范围内变化，又 称为变阻器或电位器。在电路中，用来调节音量、音调、电压、电流等。 （3）敏感电阻器这种电阻器是指其电阻值对于某种物理量（如 温度、电压、光通、机械力、磁通、湿度以及气体浓度等）表现敏感的元件。它是一某种材料对这些外界物理量作用的敏感特性为基础而制成的。由于他们所用的材料几乎都是半导体材料，这类电阻器页称为半导体电阻器。 敏感电阻器根据所对应的表现敏感的物理量的不同，可分
为热敏、压敏、光敏、力敏、磁敏、湿敏和气敏这七种主要类型。 电阻器的图形符号如图1-1所 示。 1.2电阻器的命名方法 根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定，电阻器和电位器的型号由以下四个部分组成。 第一部分用字母表示产品的主称。 R——电阻器 W——电位器 第二部分用字母表示产品的材料。 H——合成膜 I——玻璃釉膜 J——金属膜 N——无机实芯 S——有机实芯 T——碳膜 X——线绕 Y——氧化膜 第三部分一般用数字表示分类，个别类型也用字母表示。 1——普通 8——高压 2——普通 9——特殊 3——超高频 G——大功耗 4——高阻 T——可调 5——高温 D——多圈
? 用热敏电阻测量温度 5 - 实验目的 ● 了解热敏电阻的电阻-温度特性和测温原理； ● 掌握惠斯通电桥的原理和使用方法； ● 学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理 热敏电阻是利用半导体陶瓷质工作体对温度非常敏感的特性制作的元件，与一般常用的金属电阻相比，它有大得多的电阻温度系数值。本实验所用的热敏元件是普通负电阻-温度系数热敏电阻。 1. 半导体热敏电阻的温度特性 某些金属氧化物半导体的电阻与温度关系满足 T B T e R R ∞= （1） （R T 是温度T 时的阻值，∞R 是T 趋于无穷时的阻值，B 是其材料常数，T 为热力学温度）。 而金属的电阻与温度的关系满足 )](1[1212t t a R R t t -+= （2） （a 是与材料有关的系数，R t1、R t2是温度分别为t 1、t 2时的电阻值）。 定义电阻的温度系数是 dt dR R t t 1= α （3） （Rt 是在温度为t 时的电阻值）。 比较金属的电阻-温度特性，热敏电阻的电阻-温度特性有三个特点： ① 热敏电阻的电阻-温度曲线是呈指数下降的，而金属的电阻-温度曲线是线性的。 ② 热敏电阻的阻值随温度的升高而减小，因此温度系数是负的（2 T B ∝ α）。金属的温度系数是正的（dt dR ∝ α）。 ③ 热敏电阻的温度系数约为1410)60~30(--?-K ，铜的温度系数为14104--?K 。 相比之下，热敏电阻的温度系数大几十倍，所以，半导体电阻对温度变化的反应比金属电阻灵敏得多。
室温下，半导体的电阻率介于良导体（约cm ?Ω-610）和绝缘体（约cm ?Ω221410~10）之间，通常是cm ?Ω-9210~10。其特有的半导电性，一般归因于热运动、杂质或点阵缺陷。温度越高，原子的热运动越剧烈，产生的自由电子就越多，导电能力越好，（虽然原子振动的加剧会阻碍电子的运动，但在300℃以下时，这种作用对导电性能的影响可忽略）电阻率就越低。所以温度上升会使半导体的电阻值迅速下降。 2. 惠斯通电桥的工作原理 如工作原理图所示，电阻R 0、R 1、R 2、R x 组成电桥的四臂，其中R x 就是待测电阻。在A-C 之 间接电源E ，在B-D 之间接检流计○ G 。当B 和D 两点电位相等时，○G 中无电流，电桥便达到了平衡，此时，021R R R R x = （R 1/R 2和R 0都已知）。2 1R R 称电桥的比例臂，用一个旋钮调节，分0.001、0.01、0.1、1、10、100、1000七挡。R 0为标准可变电阻，是有四个旋钮的电阻箱，最小改变量为1Ω，阻值有四位有效数字。 因02 1 R R R R x = 是在电桥平衡的条件下推导出来的，电桥是否平衡由检流计有无偏转来判断，而检流计的灵敏度是有限的。假设电桥在R 1/R 2=1时调到平衡，则有R x =R 0 ，这时若把R 0改变一个微小量ΔR 0，电桥便失去平衡，从而有电流I G 流过检流计，如果I G 小到检流计察觉不出来，那么人们仍会认为电桥是平衡的，因而00R R R x ?+=，测量误差ΔR 0就是因流计灵敏度引起的，定义电桥灵敏度为 x x R R n S /??= （4） 式中ΔR x 指电桥平衡后R x 的微小改变量（实际上待测电阻R x 若不能改变，可通过改变标准电阻R 0来测电桥灵敏度），Δn 越大，说明电桥灵敏度越高，带来的测量误差就越小。另外，电阻R 1、R 2
电子产品常用标准（国标） 信息技术类产品 GB/T 9813-2000 微型计算机通用规范 GB/T 18220-2000 手持式个人信息处理设备通用规范 GB/T 18240-2000 电子收款机通用规范 SJ/T 10360-1993 家用电子游戏机通用技术条件 GB/T 17541-1998 学习机通用规范 SJ/T 11193-1998 微型数字电子计算机多媒体性能规范 GB/T 9313-1995 数字电子计算机用阴极射线管显示设备通用技术条件 GB/T 9314-1995 串行击打式点阵打印机通用技术条件 GB/T 17540-1998 台式激光打印机通用规范 GB/T 17974-2000 台式喷墨打印机通用规范 GB/T 14714-1993 微小型计算机系统设备用开关电源通用技术条件 GB/T 14715-1993 信息技术设备用不间断电源通用技术条件 GB/T 4967-1995 电子计算器通用技术条件 GB/T 15279-1994 自动电话机技术条件 YD/T 718-1994 录音电话机技术要求及测量方法 GB/T 17113-1997 无绳电话机进网技术要求和测试方法 GB/T 16891-1997 无绳电话系统设备总规范 YD/T 696-1993 无绳电话机进网要求 音视频类产品： GB/T 10239-1994 彩色电视广播接收机通用技术条件 GB/T 9372-1988 电视广播接收机测量方法 GB/T 17309.1-1998 电视广播接收机测量方法第一部份: 一般考虑射频和视频电性能测量以及显示性能的测量 (IEC107-1:1995) SJ/T 11157-1997 电视广播接收机测量方法第二部份: 伴音通道的电性能测量一般测量方法和单声道测量方法 GB/T 14859-1993 黑白电视广播接收机总技术条件 GB/T 9382-1988 彩色电视广播接收机可靠性验证试验贝叶斯方法 GB/T 14127-1993 黑白电视接收机可靠性验证试验贝叶斯方法
FEATURES GENERAL THICK FILM CHIP FIXED RESISTOR RoHS TYPE DESIGNATION Example GENERAL THICK FILM CHIP FIXED RESISTOR Miniature and light weight. Suit for reflow and wave flow solder.Stable electrical capability,high reliability. Low assembly cost,suit for automatic SMT equipment.Superior mechanical and frequency characteristics. RoHS compliant
CONSTRUCTION AND DIMENSION L a W t b unit:mm
APPEARANCE , The surface of resistor is covered with Protective Coating which hard to fade,and the surface of coating should avoid unevenness. The terminal part is covered equable ,the plating is hard to fade,and should avoid unevenness,flaw,pinhole and discoloration. With a clear mark ,the resistor body is crack-free. REFERENCE STANDARD GB/T 5729-2003GB/T 9546-1995 DERATING CURVE 70 () For resistors operated in ambient over 70,rated load (power rating or current rating)shall be derated in accordance with the above figure. 100 7550-55-50 -25 25 50 75 100125 175 Ambient temperature ( ) P e r c e n t r a t e d l o a d GENERAL THICK FILM CHIP FIXED RESISTOR 150
涿州市长城教学仪器厂 DCR-1型 传感器电阻温度系数测定仪 使用说明书 1：金属电阻传感器： 金属的电阻R 一般随温度t 上升而增大，可用 () ++++=3201rt t t R R t βα 表示：式中R t 和R O 是处于0℃和t ℃时的电阻值，α、β、r 是电阻的温 度系数。对纯金属在温度范围较小时，电阻和温度的 关系近似线性。即，R t =R O （1+αt ） ，分别测出R t 及t ℃,以R 为纵坐标，t ℃为横坐标作图. 如曲线1 我国标准规定，对工业用铂电阻3109687.3-?=α℃1- 2：热敏电阻传感器： 热敏电阻是指阻值随温度改变而发生显著变化热敏感原件，在工作温度范围内、阻值随温度升高而增加的是正温度系数热敏电阻。阻值随温度升高而减少的叫负温度系数热敏电阻。热敏电阻有如下特点： 1：负温度系数的热敏电阻温度系数很大，大约变化1℃时阻值变化1-6%，若热 敏电阻为3K ，温度变化1℃，阻值变化约100Ω，这样用来作测量灵敏度高。 2：体积小，例如一个珠形热敏电阻尺寸约φ0.2～1mm 。因此热容量小，升温一 降温迅速，对被测物的温度影响小。可作点温度计及表面温度计及快速测量。 3：阻值高、一般为102-105欧姆，可忽略引线阻值。 4：制造工艺简单，价格便宜。 热敏电阻的缺点是：测量温度范围狭窄，一致性、稳定性差。 2-1:负温度系数热敏电阻传感器： 这种电阻的特征方程为t b t e R R 0=——① 式中，R O 和b 与热敏电阻材料和形 状有关的常数如图中曲线2，对一给定的热敏电阻如何测定R O 及b 呢？从数学上看， 只要测定t 1和t 2时的电阻R 1及R 2代入①式即可求解，但是这二组数据均有误差，那 么，用这二组数据求出的结果，误差可能很大，另外，可测出多组关于R-t 的数 据，据此作曲线，再由曲线形状确定R O 及b 的值，但直接从曲线上定这二个值仍困 难。为此，我们设法将曲线转化为直线，即对①两边取自然对数、于是有： 01R l t b R l n t n +?=--②可以看出，若以自变量t 1为横坐标，t n R l 为纵坐标，则②式图象是一直线，斜率为b ，纵坐标上截距为0R l n ，由于从直线上求斜率及截距均比 较容易，所以常数Ro 及b 也就容易确定，而且这二个常数是从多组实验数据中得到的，含有平均意义也较可靠。 （1）
厚膜电阻硫化 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998
空气中的硫---电阻杀手 有一批现场仪表在某化工厂使用一年后，仪表纷纷出现故障。经分析发现仪表中使用的厚膜贴片电阻阻值变大了，甚至变成开路了。把失效的电阻放到显微镜下观察，可以发现电阻电极边缘出现了黑色结晶物质，进一步分析成分发现，黑色物质是硫化银晶体。原来电阻被来自空气中的硫给腐蚀了。 （电极边缘的硫化银晶体光颉供图） 那么这个过程是怎样发生的呢。通常厚膜电阻的结如下：
（图片来源：风华高科） 其中面电极是连接二氧化钌电阻体和焊接端头用的内部电极。这种电极一般是银钯合金。由于电阻表面的二次保护层和焊接端头不是严丝合缝的。导致面电极部分暴露在空气中。因此当空气中含有大量硫化气体时，银被硫化物反应成硫化银。由于硫化银不导电，所以随着电阻被硫化，电阻值逐渐增大，直至最终成为开路。 实际上，并非只有用在化工厂的电阻会被硫化，在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险，甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化。因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的硫化。 为了防止电阻的硫化人们开始进行抗硫化电阻的研制。一般说来，薄膜电阻是由镍铬合金或氮化钽制成，这种薄膜电阻中不含银，所以天生就具有良好的抗硫化能力。所以一般而言，抗硫化电阻常常指的是厚膜电阻。厚膜电阻的抗硫化设计一般采用调整面电极成分和调整厚膜电阻结构的方法进行。
面电极是银钯合金，提高钯的含量可以增强抗硫化性能。但是增加钯后银钯合金的熔点会升高，会对工艺产生一定影响。所以目前主要生产抗硫化电阻的厂家都在调整电阻结构上下足了功夫。 防止面电极直接暴露在空气中是目前通过调整电阻结构来实现抗硫化设计的主要方法。这种方法是在面电极上再使用一种不易被腐蚀的材料做成一个保护性中间层。中间层填补了二次保护膜和焊接端头之间的空隙，以避免面电极直接暴露。最常见的一种结构是采用金质材料做中间层。如下为AAC公司出品的抗硫化电阻结构。 如图所示，在内部的面电极（图中为Inner Electrode）外部使用了金质导电层作为面电极的保护层。由于金属于贵金属所以这种抗硫化电阻的成本比较高。 为了降低成本，电阻厂商在这层中间保护层成分上开始想办法，比如而Rohm公司的抗硫化电阻是用特殊的树脂材料代替金，另外一些公司则根据自己技术、工艺的特点使用镍铬作为金的替代品。 而风华高科在结构上不仅采用了中间层保护面电极，而且还改进工艺，将焊接端头包裹住二次保护膜的边缘，以防止内部电极的暴露。目前抗硫化电阻价格较普通厚膜电阻要昂贵，一般抗硫化电阻用于前文所述的化工、矿业、火力发电、汽车电子外，还用于某些对可靠性要求严格的高端应用中，如电信等行业。
电阻器选择 1．固定电阻器的选用固定电阻器有多种类型，选择哪一种材料和结构的电阻器，应根据应用电路的具体要求而定。高频电路应选用分布电感和分布电容小的非线绕电阻器，例如碳膜电阻器、金属电阻器和金属氧化膜电阻器等。 高增益小信号放大电路应选用低噪声电阻器，例如金属膜电阻器、碳膜电阻器和线绕电阻器，而不能使用噪声较大的合成碳膜电阻器和有机实心电阻器。 线绕电阻器的功率较大，电流噪声小，耐高温，但体积较大。普通线绕电阻器常用于低频电路或中作限流电阻器、分压电阻器、泄放电阻器或大功率管的偏压电阻器。 精度较高的线绕电阻器多用于固定衰减器、电阻箱、计算机及各种精密电子仪器中。 所选电阻器的电阻值应接近应用电路中计算值的一个标称值，应优先选用标准系列的电阻器。一般电路使用的电阻器允许误差为±5%~±10%。精密仪器及特殊电路中使用的电阻器，应选用精密电阻器。 所选电阻器的额定功率，要符合应用电路中对电阻器功率容量的要求，一般不应随意加大或减小电阻器的功率。若电路要求是功率型电阻器，则其额定功率可高于实际应用电路要求功率的1~2倍。 电阻分类 电阻器有不同的分类方法。按材料分，有碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻和线绕电阻等不同类型；按功率分，有 1/2W、 1/4W、 1/8W、1/16W 、1W、2W等额定功率的电阻；按电阻值的精确度分，有精确度为± 5%、± 10%、± 20%等的普通电阻，还有精确度为± 0.1%、± 0.2%、± 0.5%、± l%和± 2%等的精密电阻。电阻的类别可以通过外观的标记识别。电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻，可变电阻，特种电阻。在电子产品中，以固定电阻应用最多。而固定电阻以其制造材料又可分为好多类，但常用、常见的有RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻，还有近年来开始广泛应用的片状电阻。型号命名很有规律，第一个字母R代表电阻；第二个字母的意义是：T－碳膜，J－金属，X－线绕，这些符号是汉语拼音的第一个字母。在国产老式的电子产品中，常可以看到外表涂覆绿漆的电阻，那就是RT型的。而红颜色的电阻，是RJ型的。一般老式电子产品中，以绿色的电阻居多。为什么呢？这涉及到产品成本的问题，因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好，但制造成本也高，而碳膜电阻特别价廉，而且能满足民用产品要求。 电阻器当然也有功率之分。常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”，它是电子产品和电子制作中用的最多的。当然在一些微型产品中，会用到1/16瓦的电阻，它的个头小多了。再者就是微型片状电阻，它是贴片元件家族的一员，以前多见于进口微型产品中，现在电子爱好者也可以买到了国产产品用来制作小型电子装置。 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻
铅酸钡厚膜电阻 前言：不同稀土元素或过渡元素，而用半导体化金属BaPbO3和碱性玻璃粉料制作的厚膜电 阻成本很低。利用指数等式估算玻璃含量与电阻率间的关系。提出三种导电隧道组成的导电 模型来解释掺杂曲线和电阻温度系数特性。原材料中P含量较高时可从根本上避免由字湿度 而引起的电阻器性能的降低。银是TCR调节剂，能够提高BaP6O3电阻的稳定性。 关键词：厚膜电阻，导电隧道，掺杂曲线-简介 大部分厚膜电阻浆料由下列材料组成：钯、Pa、钌Ru、铑Rn、铱Ir等元素的化合物或者氧 化物。这些系列的电阻有很好的性能，但这些元素如Pd、Ru、Rn、Ir不仅价格昂贵而且也很 稀少，因此人们把注意力转回了其他非过渡性金属化合物上，如BaP6O3、BaP6O3系钙钛矿 结构，其正交晶格为a=6.024A、b=6.065A、C=8.506A,尽管BaP6O3是标准的原子价化合物， 但他仍有金属的某些特性，电阻率低且是正温度系数。BaP6O3和RuO2常作为半导化金属，BaP6O3在TC=0.38K时具有低温超导性，加入适量的铋，Tc可升高至13k，除此之外，它还 被作为陶瓷电极、导体浆料、防腐颜料及烧结体电阻等。 本文将利用陶瓷合金的导电原理来制作铅酸钡陶瓷电阻器和厚膜电阻。如果铅酸钡作为厚膜 电阻的功能相，将测量和研究他们的特性。加入少量Ag2O来调整其电阻温度系数，并提出 了相应的导电模型来解释掺杂曲线和TCR特性。 二实验 A:BaPbO3粉末预制 将高纯度BaCO3，PbO(99%纯度)粉料以合适的比例混和，湿磨5h，在880℃氧气氛中干燥和 烧结4h，然后粉碎并在220Kg/㎝2压力下压制成小圆片，这些成型片子置于氧化锆托盘上，在空气中940℃烧结7h，然后把这些烧结体（BaP6O3陶瓷）粉碎、研末，过220钼丝网筛，获得BaP6O3粉末。 B：BaP6O3陶瓷电阻的制作 自制碱玻璃（71%SiO2-18%Na2O-8%CaO-3%Al2O3）粉，同BaP6O3粉料以合适比例混合，玻 璃料含量从15%到5%WT，用丙酮作溶剂湿磨5h,然后干燥并在400kg/㎝2条件下压制成条（0.5*0.5*2㎝3），把这些成型物置于氧化锆托盘上，空气气氛中烧结，峰值温度范围在 760-810℃约10分钟，传统的银导体作为烧结体陶瓷电阻的电。 C：BaP6O3厚膜电阻的制作 适当量的BaP6O3粉末和碱玻璃料不加或者加2%wtAg2O混合后作为电阻浆料的固体相，这 些粉料然后同适量的有机载体混合，如乙基纤维素、丁基熔汗剂，萜品醇等，制成厚膜浆料。用200目的丝网印制BaP6O3厚膜电阻，基片是清洗后预烧过并烧好Ag-Pd电极的氧化铝基片，干燥后，在空气气氛中烧结，烧结条件和前面烧结体电阻的条件一样。 对样品用数字万用表测量了电阻率和表面电阻率，在温度箱中测得高温TCR（25-125℃）和 低温TCR（25-55℃），在40℃下将样品置于相对湿度为95%的湿度箱中100h已检验其湿度 稳定性，并测得了阻值漂移5时间的关系曲线。 三结果讨论 烧结体BaP6O3陶瓷是黑色的，在室温下其电阻率约是3mΩ/㎝，电阻温度系数为 1350PPm/℃。