关于物理气相沉积工艺及原理调研报告
一、PVD技术简介：
1、PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
PVD技术出现于二十世纪七十年代末，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。
二、PVD工艺的特点：
物理气相沉积具有金属汽化的特点，与不同的气体发应形成一种薄膜涂层。今天所使用的大多数PVD 方法是电弧和溅射沉积涂层。这两种过程需要在高度真空条件下进行。Ionbond 阴极电弧PVD 涂层技术在20 世纪70 年代后期由前苏联发明，如今，绝大多数的刀模具涂层使用电弧沉积技术。典型的PVD 涂层加工温度在250 ℃—450 ℃之间，但在有些情况下依据应用领域和涂层的质量，PVD 涂层温度可低于70 ℃或高于600 ℃进行涂层，适合多种材质，涂层多样化，减少工艺时间，提高生产率；较低的涂层温度，零件尺寸变形小；对工艺环境无污染。当前物理气相沉积分为三类，射频直流溅射、PLD、ion beam。缺点，由于不同粒子溅射速率不同，所以物理气相沉积薄膜组分控制比较困难。
三、PVD技术的发展：
目前国内PVD技术的发展更具多元性及创新性，归纳起来有以下几种类型：①阴极电弧法（Cathode Arc Deposition ）国内已由小圆型阴极电弧技术发展到大面积阴极电弧技术及柱型靶阴极电弧技术，主要用于TiAlN等薄膜的制备。②热阴极法（Hot Cathode Plating ）源于Balzers的技术，主要用于TiN等薄膜的制备。③磁控溅射法（Magnetron Sputter Plating ）近年来，磁控溅射技术一直是国内涂层业的重点发展方向，先后出现了非平衡磁控溅射技术、磁控溅射加辅助离子源技术等，可制备各类薄膜。④磁控溅射附加阴极电弧法目前国内已较多采用的技术，可用于多种薄膜的制备。⑤空心阴极附加磁控溅射及阴极电弧法空心阴极在国内是一项传统技术，其应用市场仍旧存在。为了充分发挥此技术的特点，国内的研究者将空心阴极与磁控溅射技术、阴极电弧技术结合在一起，用于多元薄膜的制备，且这种全新的尝试已对市场产生了影响。归纳起来，国内刀具涂层技术开发的目的仍以TiAlN薄膜为主，上述各类技术已可在切削刀具上制取多种膜层，包括TiAlN薄膜，但目前所欠缺的是应用基础的研究及工业化生产工艺稳定性的保障。
1、增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场
的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。
2、过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒，因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。
3、磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。
4、离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。
四、物理气相沉积技术原理：
物理气相沉积技术中最常用的两种方法是真空蒸发和溅射。在薄膜淀积技术发展的最初阶段，由于蒸发法相对于溅射法具有很多优势，包括较高的淀积率，相对高的真空度，以及较高的薄膜质量等。但蒸发法固有的缺点限制了它在当今工艺中的应用，其一是台阶覆盖能力差，其二是淀积多元化合金薄膜时，组分难以控制。而溅射法具有很多优于蒸发法的特点，包括在淀积多元化和金膜时，化学成分容易控制，淀积的薄膜与衬底附着性好。另外，高纯靶材、高纯气体和制备技术的发展，也是溅射具备的薄膜质量得到了很大的改善，进一步提高了溅射法制备薄膜的质量，因此，溅射法和CVD技术已经基本是取代了真空蒸发法。
五、真空法制备薄膜
1、基本原理:
在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到硅片表面，凝结形成固态薄膜。因为真空蒸发法的主要物理过程是通过加热蒸发材料，使其原子或分子蒸发，所以又称热蒸发。
真空蒸发法具有一些明显的优点，主要包括设备比较简单，操作容易，所制备的薄膜纯度比较高，厚度控制比较精确，成膜速度快，生长机理简单等。其主要缺点是形成的薄膜与衬底附着力小，工艺重复不够理想，台阶覆盖能力差等。
2、真空蒸发设备及制膜过程：
设备：真空系统，为蒸发过程提供真空环境；蒸发系统，放置蒸发源的装置，以及加热和测温装置；基板及加热系统，该系统用来放置硅片，对衬底加热及测温。
加热蒸发过程：对蒸发源加热，使其温度达到蒸发材料的熔点，则固态源表面的原子容易逸出，转变为蒸气。
气化原子或分子输运过程：原子或分子在真空中由源飞向硅片，飞行过程中可能与杂质气体分子碰撞，碰撞的次数取决于真空度及源和硅片间的距离。
淀积过程：飞到衬底的原子在凝结、成核、生长和成膜过程。由于衬底温度低，同时被蒸发的原子能力也极低，在衬底表面不具有移动的能力，因此在硅片表面很快凝结。
3、蒸发源：
a、电阻加热源：利用电流通过加热源时所才产生的焦耳热来加热蒸发材料。由于结构简单，价廉易操作，得到了广泛应用。
对材料要求：蒸发材料熔点要高，饱和蒸汽压要低，化学性能要稳定。
b、电子束蒸发源：是基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于样机的蒸发材料，是蒸汽材料加热气化。在以电子束作为蒸发源的蒸发设备上，将蒸发材料放在冷的坩埚中，直接利用电子束加热，是蒸发材料气化蒸发凝结在衬底表面形成薄膜。
C、激光加热源：利用高功率的连续或脉冲激光束作为能源对蒸发材料进行加热。优点，功率高可以蒸发任何高熔点的材料;激光束光斑小，防止了坩埚材料对蒸发材料的污染；能力密度高，淀积不同熔点材料的化合物薄膜可以保证成分的比例；真空室内装置简单，容易获得高真空。
六、溅射法
1、气体辉光放电：
直流辉光放电基本原理：无光放电区，汤生放电区，辉光放电这些称为正常辉光放电。反常辉光放电，当整个阴极成为有效放电区域后，只有增加功率才能增加阴极的电流密度，从而增大电流，此时进入反常辉光放电状态。
2、基本原理：
溅射法是利用电邮电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向预备溅射的靶电极。在离子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中使靶原子溅射出来。这些被溅射出来的原子将带有一定的动能，并沿一定的方向射向衬底，从而实现了在衬底上的薄膜淀积。相比之下，溅射法比蒸发法原子获得的能量大，提高了溅射原子在淀积表面上的迁移能力，改善了台阶覆盖和薄膜与衬底之间的附着力。
3、溅射特性：
a、溅射阈值：对于每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于之歌阈值就不会发生溅射现象阈值能力一般在10-30ev范围内，其值主要取决与靶材本身的特性。
b、溅射率：溅射率也称溅射产额，它表示正离子轰击作为阴极的靶材时平均每个正离子从靶材上打出的原子数目，就是溅射出来的原子数与入射离子数之比，用S表示。溅射率的大小与入射离子的能量、种类、靶材的种类、入射离子的入射角有关。
C、溅射离子的能量和速度：重原子有较高的逸出能量，轻原子的逸出速度大；不同的靶材具有不同的逸出能量，溅射率高的靶材，原子平均逸出能通常较低；在相同轰击能量下，原子逸出能随入射离子质量线性增加；在倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能。
4、溅射方法：
a、直流溅射：直流溅射又称为阴极溅射或直流二级溅射。如下图所示，在直流溅射过程中，常用Ar气作为工作气体。低压电子的自由程较长，电子在阳极上消失的几率大，而离子在阴极上溅射的同时发射二次电子的几率又由于气压较低二相对较小。这使得低压下的原子电离成为离子的几率很低，在低于1pa时甚至不易发生自持放电。这些均导致低压条件下溅射率很低。随着气压的升高，电子的平均自由程减小，原子电离几率增加，溅射电流增大，溅射速率提高。但气压过高时，溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到过多的散射，因而气淀积到衬底上的几率反而下降。因此随着气压的变化，溅射淀积的速率会出现一个极值，如图所示，一般来讲，淀积速率与溅射功率成正比，与靶材和衬底之间的间距。一般来讲，淀积速率与溅射功率成正比，与靶材和衬底之间的间距成反比。
溅射气压较低时，入射到衬底表面的原子没有经过很多次碰撞，因而能量较高，这有利一提高淀积时原子的扩散能力，提高淀积薄膜的致密度。而溅射气压的提高使得入射的原子能量降低，不利于薄膜的致密化。
b、射频溅射：
对于导电性很差的非金属材料的溅射，我们需要一种新的溅射。射频溅射就是一种能适用于各种金属和非金属材料的一种溅射淀积方法。设想在图中的两个电极之间接上高频电场时，因为高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入淀积室，而不必再要求电极一定是导体。射频方法可以被用来产生溅射效应的另一个原因是它可以在靶材上产生自偏效应，即在射频电场起作用的同时，靶材会自动地处一个负电位，这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。
在射频溅射中，所加的交流平率频率不能太低，在负半周非金属表面因获得电荷而使辉光放电停止的时间只要1—10us。在实际应用中，交流辉光放电是在13.56MHz下进行，因为它是电磁能量可以不被其他信号干扰的辐射射频之一。
c、磁控溅射:
磁控溅射原理如图所示，这种磁场设置的特点是在靶材的部分表面上方是磁场与电场方向垂直，从而进一步将电子的轨迹限制到靶面附近，提高电子的碰撞和电离的效率，而不让它去轰击作为阳极的衬底。实际的做法可将永久磁体线圈放置在靶的后方，从而造成磁力线先传出靶面，然后变成与电场方向垂直，最终返回靶面的分布。因为这种方法淀积速率可以比其他溅射方法高出一个数量级，
薄膜质量又好，因此目前应用最广泛。
又
d、反应溅射：
利用化合物直接作为靶材可以实现多组分的薄膜淀积，但有些情况下，在化合物的溅射过程中会发生分解，这时得到的薄膜往往与靶材的化学组分有很大的差别。一般认为，化合物是在薄膜淀积的同时形成的，这种在淀积的同时形成化合物的溅射技术被称为反应溅射方法。
N2分压对Ta的溅射物电阻率的影响
e、偏压溅射：
偏压溅射就是在一般溅射的基础上，在衬底与靶材之间施加一定大小的偏置电压，以改变入射到衬底表面的带电粒子的数量的方法。一方带电粒子的轰击可以清除衬底表面的吸附气体原子，减少薄膜中的气体含量，另一方面，某些气体原子又可能因为偏压下的高能量离子轰击而被深埋在薄膜材料之中，另外也可能诱发各种缺陷。总之，偏压溅射是改善溅射淀积形成的薄膜组织及性能的最常用，而且也是最有效的手段之一。
f、接触孔中薄膜的溅射淀积：
随着集成电路特征尺寸的缩小，接触孔的孔径也随之缩小，由此可能使接触孔的深宽比大于一，对这类接触孔的填充就会更加困难。在集成电路工艺中，溅射淀积薄膜的重要应用是形成金属互连线，对薄膜的要求是，即使覆盖的、在高深度宽比的结构上，各种的薄膜也都应当保持适当的厚度，以保证互连的结果。为了达到这一要求，可以采用带有准直器的溅射淀积方法。采用带有准直器的溅射方法，虽然可以改善接触孔底部的覆盖效果，然而它是一降低淀积速率为代价的。而且，随着溅射次数的增加，淀积在准直器孔径侧壁上的薄膜变厚，准直器的孔径变小，被截获原子的百分比增大，因而淀积的速率又随溅射次数的增加而减小。另外，溅射原子对准直器孔径的填塞呈辐射状，即中间孔比边孔更快的堵塞。由于上述原因，准直器必须经常更换，增加了成本，同时准直器也增加了污染，因为淀积在准直器上的易碎的介质膜最后可以剥落并且淋向下面的硅片。
物理气相沉积技术的新进展
。
1、应用对象不断扩展
美国Balzers Too l Coat ing 公司1994 年评估了用PVD 法制取的薄膜在2000 年前的市场发展前景[1 ] , 认为, 1980 年PVD 镀层95% 用于改善切削工具寿命, 在2000 年50%PVD 镀层将用于提高切削工具性能, 另50% 将用于改善冲压模、磨损零件部等的寿命。由于大量采用新技术和新工艺, 使物理气相沉积技术近10 年在模具和磨损零部件的应用上迈进了一大步, 正在改变那种PVD 就是刀
具上镀T iN 的传统概念。物理气相沉积法用于零件防蚀抗磨损镀层越来越多,
取得非常好的效果。德国Do rrenberg Edelstah l 公司开发了一种在压模上使用电弧蒸发镀沉积、具有高附着力的CrN 涂层的PVD法[2 ] , 镀层性能高于T iN 或T iCN层,可用于铝件的加工模具上。英国Cambridge 和Tecvac 公司完善了在加工黄铜、T i 和A l的加工模具上的CrN 沉积法[3 ] , 镀层厚度3～20 L m, 镀层具有良好的附着性, 镀层显示了较好的使用效果(包括挤压, 成型以塑料加工模具)。M ult iA rc (U K) L td 在伯明翰Too ling ’95 展览会上介绍了该公司一种用于提高冲模寿命PVD 工艺, 6～8 L m厚的沉积层提高冲压4 mm 厚钢质变速箱壳的冲
模寿命, 由冲压500 次增大到20 400 次, 且不需要再抛光。日本在活塞环等零件表面采用离子镀法镀覆具有CrN 或Cr2N 成分、附着力强的耐磨膜[4 ] , 膜层中
氮浓度由基体向表面膜层表面不断增大。镀层在不断变更氮分压情况下用蒸发源铬和反应气体N 2 成, 镀膜层厚度10～60 L m, 硬度1 500～ 2 000HV , 远高于电镀Cr 和氮化。它的耐粘着性能约是电镀Cr 的1. 倍, 且其实际耐久性是电镀Cr 的4～10 倍, 具有运行平稳、无拉缸、抱缸现象, 效果十分理想, 是一种无的、可取代电镀Cr处理的表面处理手段。但离子镀时, 工件温度在400～500 ℃便导致活塞环类零件的应力松驰弹性下降, 可能会影响其广泛应用。装饰镀也是新的应用对象之一, 德国的L eybo ld 是老牌的PVD 设备和技术公司, 近年来推出了一些金属或非金属构件装饰处理的PVD 沉积技术, 其中较引入注意的是磁控溅沉积新型ZrN 技术。它具有青铜色外表, 极低的电化学电位, 耐蚀性极好, 同时也很耐磨, 是一种非常好的表面处理方法。新的专利和研究报告表明[4, 6～7 ] , 寻找PVD 沉积T iA lN、CrN、WC?C 等镀层的新应用领域是各国研究人员努力的方向,并已取得一定进展。
2、沉积的基体温度更低
由于应用对象的扩展, PVD 处理的材料也由原来较单一的HSS、硬质合金等材料不断向中低合金结构钢、模具钢, 乃至有色金属等其他材料类型拓宽。为保证PVD 表面处理后被处理件整体材料的性能不下降, 降低PVD 处理温度, 在较低的温度下获得性能优良的沉积层, 已成为一个主要的技术问题[8～10 ]。磁控溅射技是PVD 技术中的一大主流技术, 被称为低温沉积最有效的方法。在磁控溅射时, 电子被暗场罩或专门附加的阳极吸收掉, 所以, 基体的温度比传统的溅射要低。而且研究表明[11, 12 ] , 通过一些特殊手段可以使基体的度降低到接近室温,而使塑料或其他温度敏感材料可作为基体进行沉积处理。1998 年Teel Coat ing L td 提出, 在低温下采用磁控溅射沉积高质量T iN、T iCN 镀层技术。根据制件的用途, 在沉积过程中制
件的加热温度可降到小于70 ℃, 从而扩大类似镀层可能的使用范围[13, 17 ]。美国No rthw estern 大学的研究表明, 利用磁控溅射PVD 技术可以在基体低温(不改变其温度敏感性) 情况下得到新的镀层,它们用于摩擦工程和微电子(工程) 是有广阔前途的[14 ]。BonmasH. 等在350 ℃下采用磁控溅射对高速工具钢和滚珠轴承沉积T iN 层[5 ]。日本专利466659[16 ]推荐一种采用PVD 法生成T iN 涂层材料的方法, 其温度为20～600 ℃, 气压力为1. 33 ×101～33×10- 2 Pa, A
r?N 2 1?15～1?30。把低温T iN 涂层作为专利方法提出。德国BAM 与日本东京技术研究所合作, 在200 ℃用非平衡磁控溅射沉积多层T iN 2CrA lN 和CrN
2CrA lN 复合涂层[24～26 ]。1997 年Slovenia 的N avinsek B [42 ]等提出,
150 ℃下在软金属上溅射沉积T iN ?C rN 的技术。英国的Loughbo rough 大学近来成功地在室温条件下用磁控溅射过程中的基体温度(由350～500 ℃降低至150 ℃左右) ,成功地将T iN、CrN 涂层用于人工牙齿模具表面和铜焊接触头表面, 其使用寿命提高了5～10 倍。F raunhofer 研究所, 对现有的类金刚石膜DLC 技术进行改造, 在200 ℃以下用PVD 方法生成多晶金刚石膜, 它既有很小的摩擦系数又同时具有极高的硬度, 因而称之为摩擦学功能薄层(T ribo logically effect ive th in coat ign) , 可以使用在机械零部件上, 并在无润滑或少润滑条件下正常
工作[45 ]。虽然文献中一般都只介绍研究结果, 很少介绍工艺, 但是可以肯定,
利用磁控溅射方法在低温下实现耐磨涂层表面沉积是可能的, 也是有前途的。
3、走向新型、复合及多层化
PVD 沉积技术应用于模具和摩擦副零件比用于切削刀具的摩擦学系统要求高, 为此, 沉积层的类型进一步改进, 以满足更高的性能要求。选用新型镀层、复合镀层(多元镀层) 以及多层镀层是进一步如结合强度、基体承载能力以及基体和涂层匹配性等性能的有效途径[12, 18～22 ] , 从而极大地改善其可靠性和
使用寿命。捷克采用加Sc 靶的磁控溅射技术获得含Sc 的T iC 和T iN镀层, 因Sc 的固溶强化提高了T iC和T iN 镀层硬度。英国Monaghan D P 等以不平衡磁控溅射镀膜工艺T iA lN、T iZrN、T iCrN、T iN bNCrZrN、CrMoN 和CrCN 薄膜, 这些工艺可以获得硬度4 000 HV , 600～800 ℃时热稳定性好、附强度高的涂层, 并开发出总厚度小于10 nm、硬度很高的多层薄镀层的工艺。例如T iC 类金刚石碳系列点阵结构的厚5 nm 的多层镀层硬度达3 500 HV , 摩擦系数0. 2, 而T iN
?N 系列厚10 nm 的多层镀层, 度达5 000 HV。Huang Ch i2Tung 等人[43 ]通过改变r. f. 磁控溅射靶, 将复合元素和靶元素实行靶表面面和分布的合理匹配, 可得到T i?A l比不同的沉积层。如将A l 面积从0 增至117. 8mm2, 则涂层成分由T iN 变成T i0. 5A l0. 5N , 厚度基本不变的前提下, 硬度升高约60% , 其他性能亦有改善。Hammer P 等人[44 ]将BN 均匀弥散于T i 靶中, 通过改变B 和T i 的浓度比获得具有不同成分的T i2B2N的化合物涂层。当其组成相T iB2 和T iN 共存并具有等浓度时,最高硬度可达5 500 HV 以上, 但必须解涂层和基体的结合力问题, 以提高其实用性。美国No rthw estern 大学的研究表明,MoNX、CrNX 和N bNX镀层呈现良好的摩擦工艺性能, B2Mo2N 镀层能提高接触疲劳,T iN ?NbN
多层多晶镀层具有高达5 200 HV 的硬度[39～40 ]。英国的Teer Coat ing L td 研制了用不平衡磁控溅射沉积制备MoS?金属复合层的设备和工艺方法, 这种复合沉积层在金属切削和成型加工的应用中均取得很好的效果, 甚优于普通T iN 涂层[15 ]。德国Hermann A. J ehn 研究了多源(多靶) 法沉积多组分PVD 硬质涂层(T i、A l)N、(T i、W )N、(Cr、A l)N 等, 比较了单独靶源, 双靶或4 个以上多靶设备。指出, 多组分复合层有助于提高PVD 层性能, 多源(多靶) 技术易于控制PVD 层的化学成分, 满足对多层复合层(多组分层) 的特殊要求。美国专利54233923 用T ia Sib 靶反应沉积T i2Si2N 复合材料硬膜[23 ] [ 其中75% (at) ≤a ≤85% (at) , 15% (at ) ≤b ≤25%(at) , a+ b= 100% (at) ], 反应气体N 2 分压处于恒定式连续或阶梯式的变化。用这样的方法溅射沉积, 所得的涂层含有T iN
微细晶粒, T iN 晶粒均匀分布在非晶态T i2Si 合金沉积层中, 弥散在基体中的
微细结晶颗粒T iN 呈连续的或阶梯式的沿涂层横向长大。德国专利4405477 推荐采用不平衡磁控溅射和阴极电弧蒸发方法进行复合镀[24 ] , 此法可得到双层
镀层。第一层借助不平衡磁控溅射沉积, 然后在一定的时间间隔内沉积第二层, 镀层材料可以采用T i、Zr、Hf 的氮化物, 碳氮化物或它们的含铝合金。日本也在多层PVD 技术研究方面投入很大, 丰田技术研究院研制了T iN 2Cr2A lN 以
及CrN 2CrA lN 多层沉积层, 性能很好。用新型镀层、复合镀层或多层镀层来改善PVD 沉积层的性能以适应不同需要是PVD 技术的发展方向之一。
4、改变制备工艺提高摩擦学性能
英国近期的研究表明[25, 26 ] , 为了提高物理气相沉积方法处理工具的耐磨性, 应注意底层的制备即机加工和热处理、工具几何形状以及表面质量, 这对于T iCN 镀层具有很大意义。英国V ijgen R O E 等在不锈钢环上采用非平衡磁控溅射沉积T iN 镀膜的研究表明[27 ] , 沉积T iN 膜的工艺参数对膜内残余应力有
明显影响, 负偏压增大将导致压应力由4. 2M Pa 增大至7. 2M Pa。俄罗斯采用离
子氮化加离子镀工艺给40 Cr 结构钢沉积
T iN 层[28 ] , 研究了其结构与理化性能。表明, 预先进行离子氮化,使T iN 镀层与基材之间形成硬质过渡层是比较有效的。在大负荷条件下, 这样的复合镀层耐磨性相当于只镀T iN 层(无底层)的4 倍。Shen2Ch in L ee 等人[41 ]对HSS 材料不同辉光离子氮化处理后, 溅射沉积CrN 以研究离子氮化处理工艺对复合层性
能的影响, 并和HSS 及仅沉积CrN 进行了比较。结果显示, 离子氮化处理的化合物层对复合层的硬度有贡献, 且当形成单相C2Fe4N 时硬度最高, 但就整体性能而言, C2Fe2～3N 化合物能够获得最理想的综合性能。Doong J C 等人[29 ]研究了在低碳钢上化学镀N i2P 合金对沉积T iN 的影响, 从T iN 层和基体结合强度、摩学性能、硬度角度分析了N i3P 的作用, 得出了N i2P 化学镀层能够显著改善其耐磨性能, 并延缓T iN 层在滑动过程中的早期剥落。南斯拉夫U niv. of Novi Sad 研究了在钢试样上预先进行等离子氮化(气氛为N 2+ H2, 温度为
450 ℃, 1h) , 然后磁控溅射的工艺, 在无润滑滚滑条件下对磁控溅射T iN和(T i、A l)N 层摩擦性能的试验证明, 对钢预先等离子氮化能增大T iN 和(T i、A l)N层的附着强度, 减小摩擦系数和摩擦温度, 在很大程度上改善了镀层的摩擦学性能[30 ]。磁控溅射靶的研究和反应气体供气方式的研究也是较为活跃的研究内容。磁控溅射中大都采用A r 作为放电气体,N 2 作为反应气体。为维持气体放电,A r 必须有一定的浓度。从靶材上溅射下来的粒子会与气体分子碰撞消耗许多能量, 气体也会夹入沉积层中, 从而引起沉积层性能的变化。作为摩擦学用途的沉积层要求附着力好、表面光洁平整, 因此, 希望放电气体压力越小、真空度越高越好。近年来国外有两类新的专利技术, 其一是把反应气体直接导入基体附近, 避免进入靶材的粒子轰击区, 减小反应气体的压力, 减少靶材附近的靶材与反应气体的反应, 从而减小其对降低成膜率以及影响成膜质量的用[31, 32 ]; 其二是把放电
气体A r 直接送到等离子体的辉光放电区, 而不是较远的溅射沉积室进气口, 这样使得放电气压可以维持在0. 133 Pa, 大大提高了磁控溅射过程的真空度, 改善了成膜质量[33～35 ]。通过改变靶结及供气方式是制备满足低回火温度材料耐磨表面处理沉积层的有效方法之一[36～38 ]。
5、结束语
以改善机械摩擦副的摩擦学性能为主要目的的新型PVD技术已成为物理气相沉积技术的新发展趋势。由于机械工业中的摩擦副零件主要是中、低合金钢、碳钢等低回火温度材料, 通过新型PVD 技术可实现沉积过程的低温化、复合化和多层化, 有利于开发的工艺技术在此类材料上应用, 同时此技术的应用可以改善摩副的运动可靠性和寿命。此外, 原来需要用高合金材料的场合, 由于采用该技术进行表面减摩耐磨处理, 可用低成本材料替代, 而达到同等甚至更高的使用效果, 最终实现节能、节材及提高效率的目的, 并产生较大的社会经济效益。新型PVD 技术具有很大的发展潜力, 但尚有许多未完善的领域, 有必要加大研究投入。
什么是新中式家具 新中式风格诞生于中国传统文化复兴的新时期，伴随着国力增强，民族意识逐渐复苏，人们开始从纷乱的“摹仿”和“拷贝”中整理出头绪。在探寻中国设计界的本土意识之初，逐渐成熟的新一代设计队伍和消费市场孕育出含蓄秀美的新中式风格。在中国文化风靡全球的现今时代，中式元素与现代材质的巧妙兼柔，明清家具、窗棂、布艺床品相互辉映，再现了移步变景的精妙小品。 新中式风格是目前把中国传统风格揉进现代时尚元素的一种流行趋势。这种风格既保持了中国的传统，又有时代感，突破了中国传统风格中沉稳有余，活泼不足等常见的弊端。新中式风格不是纯粹的元素堆砌，而是以现代人的审美需求来打造富有传统韵味的事物，让传统艺术的脉络传承下去。区别于传统中式风格，新中式家具既符合现代家具的时代气息，又带有浓郁的中国特色、新中式家具在造型上既摆脱了中国传统明清家具的雏形，又饱含着中国传统文化的风韵，反映出中华民族朴实无华、温情大气的文化特征。 中国风并非完全意义上的复古明清，而是通过中式风格的特征，表达对清雅含蓄、端庄丰华的东方式精神境界的追求。 新中式风格主要包括两方面的基本内容，一是中国传统风格文化意义在当前时代背景下的演绎；一是对中国当代文化充分理解基础上的当代设计。新中式风格不是纯粹的元素堆砌，而是通过对传统文化的认识，将现代元素和传统元素结合在一起，以现代人的审美需求来打造富有传统韵味的事物，让传统艺术在当今社会的到合适的体现。 中式风格要点：中国风的构成主要体现在传统家具(多为明清家具为主)、装饰品及黑、红为主的装饰色彩上。室内多采用对称式的布局方式，格调高雅，造型简朴优美，色彩浓重而成熟。中国传统室内陈设包括字画、匾幅、挂屏、盆景、瓷器、古玩、屏风、博古架等，追求一种修身养性的生活境界。中国传统室内装饰艺术的特点是总体布局对称均衡，端正稳健，而在装饰细节上崇尚自然情趣，花鸟、鱼虫等精雕细琢，富于变化，充分体现出中国传统美学精神。 中国传统居室非常讲究空间的层次感。这种传统的审美观念在“新中式”装饰风格中，又得到了全新的阐释：依据住宅使用人数和私密程度的不同，需要做
物理气相沉积(PVD)技术 第一节概述 物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术。，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。 物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。 溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤： (1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。 (2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。 (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光
1 第二章 物理气相沉积 一、物理气相淀积（Physical Vapor Deposition, PVD ）的第一类 1、电阻热蒸发（thermal vaporization ） 蒸发材料在真空室中被加热时，其原子或分子就会从表面逸出，这种现象叫热蒸发。 A 、饱和蒸气压P V 在一定温度下，真空室中蒸发材料的蒸汽在与固体或液体平衡过程中所表现出的压力称为该温度下的饱和蒸汽压。 () L G V V V T H dT dP -?= ?H ：mol 汽化热，T ：绝对温度。 V G 、V L ：分别为汽相和液相mol 体积。 RT H C P V ?- =ln R ：气体普适常数 T B A P V - =ln 下图给出了以lgP V 和lgT 为坐标而绘制的各种元素的饱和蒸汽压曲线。 图2-1 某些元素的平衡蒸气压
2 饱和蒸汽压随着温度升高而迅速增加。由上图1曲线知， a. 达到正常薄膜蒸发速率所需的温度，即P V =1Pa 时温度； b. 蒸发速率随温度变化的敏感性； c. 蒸发形式：蒸发温度高于熔点，蒸发状态是熔化的，否则是升华。 下表是几种介质材料的蒸汽压与温度的关系 B 、蒸发粒子的速度和能量 C T KT E M RT m KT v kT mv E m m 2500~1000 2 3 332122 === === 平均速度105cm/s ，eV E 2.0~1.0= C 、蒸发速率和淀积速率 ()[] mkT P P dt A dN h V e πα2/Re -=?= （个/米2 ·秒） dN ：蒸发粒子数，α e ：蒸发系数，A ：面积 P V ：饱和蒸汽压；P h ：液体静压，m ：原子量， K ：玻耳兹曼常数。 设α e =1， P h =0 mkT Pv π2/Re = 质量蒸发速率：
家具市场调研报告 目前，我国软体家具是一个成长迅速、潜力巨大的市场，市场销售额已占据家具行业的半壁江山。随着科技含量增加，软体家具将利用更少的自然资源、提供更长使用期，为人类创造舒适惬意的生活环境，这契合了全社会发展低碳经济的潮流。按照主要使用材料和加工工艺不同，家具可分为木质家具、金属家具和软体家具，软体家具主要包括布艺家具和皮制家具。在人们越来越重视生活品质的今天，软体家具因色彩清雅、线条简洁，适合置于各种风格居室，显示出独特魅力。据介绍，软体家具更换率一般在7年左右，比一般家具的使用时间要长。 欧式软体家具备受欢迎 欧式软体家具备受欢迎经过走访各大家具城，店长告诉我们欧式沙发给人的整体感觉是十分庄重欧式沙发是一种品位的象征。它追求庄严、宏大。强调理性的和谐、宁静，追求浪漫主义的华丽性、装饰性，要么追求非理性的无穷幻想，富有戏剧性、激情性。通常，欧式沙发的轮廓和各个转折部分则由对称、富有节奏感的曲线或曲面构成，并装饰镶嵌镀金铜饰。欧式沙发给人的整体感觉是十分庄重，它的特点是结构简练、线条流畅、艺术性强、色彩鲜艳。其中最具代表性欧式沙发神韵是法国风格的沙发。简约家居风格盛行的今天，主打奢华风格的沙发在家居用品世界中可谓凤毛麟角，这一特点今年将继续“保持”。以外观吸引人的奢华沙发一般都有炫目的造型，让人一眼望去便可知其珍贵：无论是极富欧式风格的大型沙发，还是中式传统雕梁画柱的酸枝木、红木家具，都是各有各的磅礴气势和极为考究的。 欧式家具是欧式古典风格装修的 重要元素，以意大利、法国和西班牙 风格的家具为主要代表。其延续了 17世纪至19世纪皇室贵族家具的特 点，讲究手工精细的裁切雕刻，轮廓 和转折部分由对称而富有节奏感的 曲线或曲面构成，并装饰镀金铜饰， 结构简练，线条流畅，色彩富丽，艺 术感强，给人的整体感觉是华贵优 雅，十分庄重。从营造氛围的角度来讲，欧式家具要么追求庄严宏大，强调理性的和谐宁静，要么追求浪漫主义的装饰性，追
物理气相沉积(PVD)技术 第一节 概述 物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术。，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。 物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。 溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤： (1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。 (2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。 (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。随着高科技及新兴工业发展，物理气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点，如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术，大型矩形长弧靶和溅射靶，非平衡磁控溅射靶，孪生靶技术，带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术，条状纤维织物卷绕镀层技术等，使用的镀层成套设备，向计算机全自动，大型化工业规模方向发展。 第二节 真空蒸镀
实验指导书-化学气相 沉积
化学气相沉积技术实验 一、实验目的 1.了解化学气相沉积制备二硫化钼的基本原理； 2.了解化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料的基本流程及注意事项； 3.利用化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料。 二、实验仪器 该实验中用到的主要实验仪器设备以及材料有：干燥箱、CVD生长系统、电子天平、超声清洗机，去离子水机等，现将主要设备介绍如下： 1.CVD生长系统 本实验所用CVD生长系统由生长设备，真空设备，气体流量控制系统和冷却设备四部分组成，简图如下 图1 CVD设备简图 2.电子天平 本实验所用电子天平采用电磁力平衡被称物体重力原理进行称量，特点是称量准确可靠、显示快速清晰并且具有自动检测系统、简便的自动校准装置以及超载保护等装置。在本实验中电子天平主要用于精确称量药品，称量精度可精确到小数点后第五位。 三、实验原理
近年来，各国科学工作者对化学气相沉积进行了大量的研究，并取得一定的显著成果。例如，从气态金属卤化物（主要是氯化物）还原化合沉积制取难熔化合物粉末及各种涂层（包括碳化物、硼化物、硅化物、氮化物）的方法。其中化学沉积碳化钛技术已十分成熟。化学气相沉积还广泛应用于薄膜制备，主要为Bchir等使用钨的配合物Cl4 (RCN)W(NC3H5)作为制备氮化钨或者碳氮共渗薄膜的原料—CVD前驱体；Chen使用聚合物化学气相沉积形成的涂层提供了一个有吸引力的替代目前湿法化学为主的表面改善方法。同时，采用CVD方法制备CNTS的研究也取得很大的进展和突破，以及通过各种实验研究了不同催化剂对单壁纳米碳管的产量和质量的影响，并取得了一定的成果。 一、化学气相沉积法概述 1、化学沉积法的概念 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD）。 化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。 2、化学气相沉积法特点 (1) 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点 物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。 溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤： (1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。 (2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。 (3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。 物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。 随着高科技及新兴工业发展，物理气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点，如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术，大型矩形长弧靶和溅射靶，非平衡磁控溅射靶，孪生靶技术，带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术，条状纤维织物卷绕镀层技术等，使用的镀层成套设备，向计算机全自动，大型化工业规模方向发展。 化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。 化学气相沉积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，化学气相
家具设计调研报告 姓名：马斌 班级：建筑112 学号：201100503066 指导老师：陈群
目录 一、家具设计现状简析··································· 二、调研时间······································· 三、调研地点······································· 四、调研目的······································· 五、调研内容······································ 1、家具设计的材料与工艺························· 2、装修风格·········································· 3、品牌产品介绍·····································
六、家具流行趋势简析····························· 七、结束语······································· 一、家具设计现状简析： 通过对红星美凯龙家具市场的调研，我们会发现，现代人们在生活中越来越注重简洁、大方以及时尚的便捷式风格，更多的注重家具的使用功能性、安全性以及绿色环保性。很多大型的家具品牌融合了各种设计元素于一身，符合现代人的需求心理。家具的发展应该与时俱进以人为本。 二、调研时间： 2014年6月15日 三、调研地点： 广西柳州红星美凯龙全球家居生活馆 四、调研目的： 对家具的风格、品牌、材料、价格和尺度等方面有更全面更直观的了解，实际结合理论，使我们对家具设计有一个全方面的了解，为以后的家具设计作业做好充分的准备。
物理气相沉积真空镀膜设备介绍 （上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444） 摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备。五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。介绍了相关设备的原理，优缺点等。其中，着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬-Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500oC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。 Abstract:It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article.Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment, advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around. 关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置 Keyword :Resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device
原理：金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 优缺点：MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点：（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。（2）反应室中气体流速较快。因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。（3）晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。（4）通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。较快的生长速率适用于批量生长。（5）使用较灵活。原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。（6）由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。（7）随着检测技术的发展，可以对MOCVD 的生长过程进行在位监测。 MOCVD技术的主要缺点大部分均与其所采用的反应源有关。首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危险性，并且，反应后产物需要进行无害化处理，以避免造成环境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要对反应过程进行仔细控制以避免引入非故意掺杂的杂质。 基本结构和工作流程：通常MOCVD生长的过程可以描述如下：被精确控制流量的反应源材料在载气（通常为H2，也有的系统采用N2）的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室，在衬底上发生表面反应后生长外延层，衬底是放置在被加热的基座上的。在反应后残留的尾气被扫出反应室，通过去除微粒和毒性的尾气处理装置后被排出系统。MOCVD工作原理如图所示。
家具设计调研报告 ：淑君 班级：11环艺班 学号： 指导老师：
目录 一、家具设计现状简析······························· 二、调研时间······································· 三、调研地点······································· 四、调研目的······································· 五、调研容········································ 1、家具设计的材料与工艺·························· 2、装修风格·················· 3、品牌产品介绍··················
六、家具流行趋势简析······························· 七、结束语·········································一、家具设计现状简析：通过对居然之家家具市场的调研，我们会发现，现代人们在生活中越来越注重简洁、大方以及时尚的便捷式风格，更多的注重家具的使用功能性、安全性以及绿色环保性。很多大型的家具品牌融合了各种设计元素于一身，符合现代人的需求心理。家具的发展应该与时俱进以人为本。 二、调研时间：2012年月日—2012年月日 三、调研地点： 四、调研目的：对家具的风格、品牌、材料、价格和尺度等方面有更全面更直观的了解，实际结合理论，使我们对家具设计有一个全方面的了解，为以后的家具设计作业做好充分的准备。 五、调研容： 1、家具设计的材料与工艺： 按照主要使用材料和加工工艺不同，家具可分为木质家具、金属家具和
化学气相沉积设备与装置 化学气相沉积设备与装置 136 化学工程与装备 ChemicalEngineering&Equipment 2011年第3期 2011年3月 化学气相沉积设备与装置 韩同宝 (中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司敦煌经理部,甘肃敦煌736200) 摘要:本文介绍了化学气相沉积设备的系统组成与典型装置,讨论了几种典型装置特点对化学气相沉积 过程的影响,分析和总结了典型装置的维护对沉积参数控制精度及沉积过程的 影响. 关键词:化学气相沉积;设各:装置 前言 化学气相沉积(CvD)技术是一种新型的材料制备方法, 它可以用于制各各种粉 体材料,块体材料,新晶体材料,陶瓷纤维,半导体及金刚石薄膜等多种类型的材料,广泛应用于宇航工业上的特殊复合材科,原子反应堆材料,刀具材料, 耐热耐磨耐腐蚀及生物医用材料等领域.同传统材料制各技术相比,Cv1)技术具有以下优点:(1)可以在远低于材科熔点的温度进行材料合成:(2)可以控制合成材料的元素组成, 晶体结构,微观形貌(粉末状,纤维状,技状,管状,块状 等):(3)不需要烧结助剂,可以高纯度合成高密度材料;(4) 可以实现材料结构 微米级,亚微米级甚至纳米级控制:(5) 能够进行复杂形状结构件及图层的制备;(6)能够制备梯度复合材料及梯度涂层和多层涂层:(7)能够进行亚稳态物质
及新材料的合成.目前,CVD己成为大规模集成电路的铁电材料,绝缘材料,磁性 材料,光电子材料,高温热结构陶瓷基复合材料及纳米粉体材料不可或缺的制备技术. 关于CVD技术的热力学,动力学,各种新型CVD方法及制各粉体,薄膜,纤维,块体,复合材料的研究已经有了大量的报道.然而,关于CVD设备与装置的系统报道却 很少见. 本文对CVD设备的系统组成,典型装置与仪器及其维护进行了分析和总结. 1CvD设备系统的构成 任何一种CVD系统都需要满足以下四个最基本的需求: 传输和控制先驱体气体,载气和稀释气体进入反应室:提供激发化学反应的能量源:排除和安全处理反应室 的副产物废气:精确控制反应参数,温度,压力和气体流量.对于大规模的生产,还 必须考虑一些其它的需求,如生产量,经济, 安全和维修等. 基于以上的这些要求.CVD设备系统通常要包括一些一些子系统: (1)气体传输系统.用于气体传输和混合:(2)反应 室,化学反应和沉积过程在其中进行:(3)进装科系统,用于装,出炉和产品在反 应室内的支捧装置;(4)能量系统, 为激发化学反应提供能量源;(5)真空系统.用于 捧除反应废气和控制反应压力,包括真空泵,管道和连接装置;(6) 工艺自动控制系统,计算机自动控制系统用于测量和控制沉积温度,压力,气体流量和沉积时间:(7) 尾气处理系统. 用于处理危害和有毒的尾气和柱子,通常包括冷阱,化学阱, 粉尘阱等. 2CvD设备系统的典型装置 2.I反应气体传输装置 CVD的反应物有气体,固体和液体三种形态.反应物为 气态的直接通入或通过载气传送近反应室内.反应物为固体的通过加热变为气 态或溶于无污染溶剂中变为液态经载气传输进反应室内.反应物为液态的可通过直 接蒸发,载气携带和鼓泡方式载入反应室内.气态反应物可通过气体减压器和流量
家居装修设计调研报告 调研背景 中国装修市场规模 近几年，中国城市化率平均以1%的速度逐年增加，每年进入城镇生活人口高达8000 万以上。2010年70大中型城市新房销售接近300 万套；同时，截至2011年我国城市住宅存量达到150 亿平方米以上。按照《国家建筑装饰行业“十一五”发展规划纲要》的预测，预计到2011 年，中国建筑装饰行业的年度产值将达到 2.1 万亿元，其中公共建筑装饰装修8000 亿元，住宅装饰装修13000 亿元。 中国家庭装修市场规模的大幅扩大拉动了相关产业高速发展，包括国内外的多家品牌家装产品企业、家装电子商务网站、装饰装修公司等，活跃了广大的装修市场，扩大了就业。同时在激烈竞争中，各种新型装饰材料不断涌现，低碳、环保、节能、智能等概念也是得到广泛关注。 中国家庭装修特征 1、家庭装修设计、产品需求多样化 家居生活环境的改善，人们对家居的装饰装修有着更高的要求，几年前，人们在家装风格上千篇一律，随着审美水平和装修水平的进一步提高，彰显个性、简洁大方、节能环保、中式欧式等多样的装修风格已遍布千家万户。而适合不同风格的家居产品也随之走入百姓家。 整个家居装饰的趋势跟着80 后的特点而改变， 在2011 年的家居装饰流行趋势中，“个 性化装修”、“新型材料”等都将成为市场主体。 2、家装由重视品牌转向考查用料环保、低碳性等环保指标 人文环保意识一直是装修过程中重点关注的环节。随着人们对家居用品各种理化指标的深入理解，从而对环保型产品、低碳性产品、节能型产品情有独钟，并在房屋装修规划中将环保性材料的应用给与重点考核。 3、家装设计重视颜色、立体，空间充分利用等享受、功能性 家装设计过程中逐步注重居室之间、家居用品之间的色调搭配，家居和房屋的功能性补 充等。通过颜色、用料、家居产品来提升房屋的居住舒适度和功能性。在家庭装饰方面，则会比较流行纯粹、清淡、轻快的特点，这就需要在装修材料的选材上注重“轻”、“薄”。 4、2011 家居装修厨房流行趋势：设计主室概念兴起 所谓主室概念从房间格局，如卧室、客厅、书房等不进行分割延伸。2011 年橱柜产品 将有着五大流行趋势，即标准设备化、色调趋向沉稳大气、设计主室概念兴起。
家具设计专业调研报告 家具设计与制造专业是我校唯一的广东省重点建设专业，该专业是基于厚街家具产业迅速发展这一实情而创办的。自1996年东莞市挂牌我校为厚街专业技术学校至今，家具专业的创办已走过10多个年头。本专业以其广泛的市场需求、鲜明的办学特色和过硬的办学质量赢得了企业、学生和家长的认可，近年考生报名踊跃。然而经过10多年的办学总结，就专业开设方向、就业岗位等存在一些问题。在上级领导的关怀下，我校承担了广东省中等职业技术学校家具设计专业教学指导方案的编写任务。借此机会，我校决定对家具专业进行改造。为了使专业的改造更加顺应市场需求，学校安排我们家具教研组对东莞厚街家具市场进行调研。现将调研情况简要整理，并做出调研报告。 一、家具产业发展状况 1、中国家具产业发展现状 近年来，中国家具产业发展迅速，家具出品贸易呈现不断上升的趋势，2008 年 1-9 月我国家具出口数量为 18.9 亿件，同比增长 13.55%；出口金额为195.5亿美元，同比增长 17.85%。而近期，受金融海啸持续冲击，世界经济下行，外需明显减弱，直接导致订单萎缩，出口受阻。2009年经济复苏，2009年1—9月份全国家具主要产品产量累计达430882292件，累计同比增长0.33%。2009年1—12月，我国家具制造业销售产值达到两位数较快增长，出口当月同比有所增长，累计仍然呈现下降。家具制造业工业销售产值当月同比增长18.78%，累计增长13.36%；当月产销率99.32%，同比增长0.55%，累计产销率97.94%，同比减少0.1%；家具产量当月同比增加16.9%，累计增加4.9%。（中国轻工业网https://www.doczj.com/doc/5e18913302.html,/） 根据中国轻工业信息中心的统计数据，2008年中国家具产量51867.19万件，比 2007 年下降 1.91%；2007 年家具产量 48480.55 万件，比 2006 年增长 16.45%；家具制造业累计创造产值 2416 亿元，同比增长 27.81%。
中国电子科技集团公司第四十八研究所 M82200-3/UM型 等离子体增强化学气相淀积设备 使 用 说 明 书 中国电子科技集团公司第四十八研究所
目录 1 概述 2 结构特征与工作原理 3 主要性能指标 4安装与调试 5使用与操作 6常见故障分析与排除 7保养与维修 8安全防护及处理 9运输、贮存与开箱检查 10重量与外形安装尺寸 11文件资料
1 概述 PECVD设备的特点 1.1.1 利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离 子体增强CVD。电子和离子的密度达109~1012个/cm3，平均电子能量可达1~10ev。1.1.2 成膜过程在真空中进行，大约在5~500Pa范围内。 1.1.3 由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的 生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃~500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。 1.1.4 PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。 1.1.5 如果用于刻蚀可以刻蚀0.3μm以下的线条。 1.1.6 由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度，一般 可达（30-300）nm/min以上。 1.2PECVD设备的主要用途 1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。这样厚度的膜与光 发生各种作用，具有光学功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。 由于这种性质的存在，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。 1.2.2 用于集成光电子器件介质Si Y N X膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布 线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。 1.2.3 在医用生体材料的表面改性，功能性薄膜的制备等。 1.2.4 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。 1.2.5 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3 μm以下的线条。 PECVD设备的品种规格 C1M82200-1/UM （适用156×156以下方片，70片/批，适合科研和教学用） C3M82200-2/UM (156×156以下方片，适合科研和教学以及小规模生产线用) C3M82200-3/UM (156×156以下方片，适合大规模生产线用)
实验十五化学气相沉积技术实验 一、实验目的 1.了解化学气相沉积制备二硫化钼的基本原理； 2.了解化学气相沉积方法制备二硫化钼薄膜材料的基本流程及注意事项； 3.对实验数据进行合理正确的分析。 二、实验仪器 该实验中用到的主要实验仪器设备以及材料有：干燥箱、CVD系统、电子天平、超声清洗机，去离子水机等，现将主要设备介绍如下： 1.CVD生长系统 本实验所用CVD生长系统由生长设备，真空设备，气体流量控制系统三部分组成，简图如下 图1 CVD设备简图 2.电子天平 本实验所用电子天平采用电磁力平衡被称物体重力原理进行称量，特点是称量准确可靠、显示快速清晰并且具有自动检测系统、简便的自动校准装置以及超载保护等装置。在本实验中电子天平主要用于精确称量药品，称量精度可精确到小数点后第五位。 三、实验原理 近年来，各国科学工作者对化学气相沉积进行了大量的研究，并取得一定的显著成果。例如，从气态金属卤化物（主要是氯化物）还原化合沉积制取难熔化合物粉末及各种涂层（包括碳化物、硼化物、硅化物、氮化物）的方法。其中化学沉积碳化钛技术已十分成熟。化学气相沉积还广泛应用于薄膜制备，主要为Bchir等使用钨的配合物Cl4 (RCN)W(NC3H5)作为制备氮化钨或者碳氮共渗薄
膜的原料—CVD前驱体；Chen使用聚合物化学气相沉积形成的涂层提供了一个有吸引力的替代目前湿法化学为主的表面改善方法。同时，采用CVD方法制备CNTS的研究也取得很大的进展和突破，以及通过各种实验研究了不同催化剂对单壁纳米碳管的产量和质量的影响，并取得了一定的成果。 一、化学气相沉积法概述 1、化学沉积法的概念 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD）。 化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。 2、化学气相沉积法特点 (1) 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 (2) 可以在常压或者真空条件下负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好 (3) 采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行 (4) 涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 (5) 可以控制涂层的密度和涂层纯度。 (6) 绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。 (7) 沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。 (8) 可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
家具市场调查报告 家具在人们的衣，食，住，行的日常生活中扮演着非常重要的角色。家具是造物设计中的一个重要种类，在现代设计的发展里程中，家具设计常常走在时代的前列。引导设计的走向。一个优秀的家居设计，不仅要有时尚而协调的主体风格，一些起着点睛作用的小家品也不可忽略，而椅子和桌子就是客厅中最重要的配角。所以，购买椅子的时候，除了考虑它的款式外，也要充分考虑它的实用性。下面是小编整理的竹制家具市场调查报告，欢迎来参考！ 木制桌子和椅子的不同材质和种类及作用： 材质 特点特色搭配 玻璃材质桌子和椅子 玻璃质地的桌子和椅子在近年来有了很大的发展，特别是整体塑型的钢化玻璃桌子，更加充满流线感，好像有水在客厅中流淌。由于是玻璃质地，这样的桌子也就具有了明澈、清新的透明质感，经过光影的空透，富于立体效果，能够让空间变大，更有朝气。 与玻璃桌子相配的椅子有很多种，藤编布艺椅子、木制椅子等，都适合搭配玻璃桌子。而雕花玻璃和铁艺结合的桌子则更适合古典风格的空间和宽大的美式休闲椅子相配也不错。 木制材质桌子和椅子 木质的桌子和椅子能给人带来温暖、平和的感觉。而红木桌子和椅子、木质雕花或拼花的桌子和椅子，则高贵富丽，更适合营造欧式古典或者中式古典氛围。一般来说，欧式古典家具
中的桌子还会以金属材质包边，显得更加华丽。 简约式的原木桌子非常适合和目前流行的浅淡色泽的真皮沙发或布艺沙发相配。而纯红木的茶几，则属于中式风格，搭配也应该和明清式桌椅对应而木制椅子也是一种古典，一种生活的习惯用途。 石制材质桌子和椅子 石质的桌子主要突出其纹理，在石头上自然生成的花纹，能够让人感受到一种气魄和自然美 大理石制造的桌子适合摆放在空间很大的客厅中，与奢华的真皮沙发或者极具质感的红木家具搭配。 而椅子还是实用范围比较少的，一般在公共场所用到。 现代家具应该把功能性作为设计的、主要因素，利用现代先进技术和多种新材料，加工工艺，如冲压，模铸，注塑，热固成型，镀硌，喷漆，烤漆等。新材料如不锈钢，铝合金板材，管材，玻璃钢，硬质塑料，皮革，尼龙，胶合板，弯曲木，适合于工业化大量生产要求。要充分发挥材料性能及其构造特点，显示材料固有的形，色，质的本色。结合使用要求，注重整体结构形式简捷，排除不必要的无谓装饰。不受传统家具的束缚和影响，在利用新材料，新技术的条件下，创造出了一大批前所未有的新形式，取得革命性的伟大成就，标志着崭新的当代文化，审美理念。家具产品本身是为人使用的，所以，家具设计中的尺度，造型、色彩及其布置方式都必须符合人体生理、心理尺度及人体各部分的活动规律，以便达到安全、实用、方便、舒适、美观之目的。现代家具的设计还要特别强调与人体工程学相结合。 一、关于家具的流行趋势与风格
钨化学气相沉积系统简介 前言 钨化学气相沉积（WCVD）工艺因其优异的空隙填充能力成为铝工艺通孔和接触的主要金属化技术。钨在集成电子学中通常被用作高传导性的互连金属、金属层间的通孔（Via）和垂直接触的接触孔（Contact）以及铝和硅间的隔离层（图1）。 虽然钨可以通过蒸发的方法来沉积，不过物理溅射（PVD）和化学气相沉积（CVD）还是首选的技术。化学气相沉积薄膜相比物理溅射薄膜有很多优势：低电阻率、对电迁移的高抵抗力，以及填充小通孔时优异的平整性。 另外，化学气相沉积工艺的阶梯覆盖能力先天地超过物理溅射工艺，垂直接触和通孔可以很容易地被填充且没有空缺。化学气相沉积的钨还可以在金属和硅上进行选择性沉积。化学气相沉积方法的钨可以由氟化钨（WF6）制备而成。最常见的WCVD工艺主要反应气体有六氟化钨（WF6）以及氢气（H2）或甲硅烷（SiH4）。 钨化学气相沉积系统（WCVD SYSTEM）是半导体集成电路制造设备中常用来生成钨金属连接的化学气相沉积系统。它结合高温，真空环境，通过化学气体参与反应，在晶圆表面产生工艺性能优异的钨金属薄膜，该金属薄膜经过化学机械研磨系统（CMP）研磨后，即得到钨金属连接线。钨化学气相沉积（WCVD）是热化学气相沉积（HIGH TEMPERATURE CVD）的一种，其沉积发生的激活能量是由高温衬底提供的，反应气体先在混合器里面混合，然后流入工艺腔内发生化学反应，并在晶圆表面形成纯钨薄膜。 系统介绍 钨化学气相沉积系统一般由主机和工艺腔组成。 主机是传送芯片的机构，由机械手将芯片传送到各腔。传送方式由工艺模式决定，工艺模式一般有单片单腔和单片多腔两种。单片单腔是指单个晶圆在单一工艺腔完成所有工艺反应。单片多腔是指单个晶圆在多个工艺腔参加反应，即在每个工艺腔完成部分反应。两种模式各有所长，单片单腔模式每个工艺腔相互独立，将生产中不可控因素对晶圆的影响减到最低并有利于工艺腔维护。单片多腔模式可以提高生产效率。使用者可以灵活的根据不同的工艺模式来选择不同的工艺顺序和传送方式。 机械手是主机的重要部件，一般由直流电机驱动外部磁极，通过磁耦合驱动内部机械手臂动作。这种设计能保证机械手高速稳定的运行。 工艺腔功能与结构 工艺腔是进行化学气体反应的场所。工艺腔体构成一个高温，真空的适合工艺反应的密闭环境。晶圆由背压吸附在电阻加热器表面均匀加热至高温400摄氏度以上，化学反应气体经过流量控制器调节流量后在工艺腔体内均匀分布并进行化学反应，腔体内部气体压力由节流阀控制调节并保持稳定以达到工艺气体反应要求。 下面简单介绍一下工艺腔主要部件。 ●工艺腔 每台主机可以外挂多个工艺腔。工艺腔由腔体和腔盖组成，腔体内部主要装载电阻加热器及工艺组件。由于电阻加热器温度很高，为保持腔体表面温度不致过高，腔体内部有循环水路降低并保持温度，腔体一般保持特定的工艺温度，由循环冷却液保持温度，冷却液由各50％