ENIPIG工艺介绍及其优点
ENIPIG-An advanced surface finish
黄辉祥陈润伟
(广东东硕科技有限公司，广州，510288)
Huang Hui-xiang，Chen Run-wei
(GUANGDONG Toneset Science & Technology co.,LTD,Guanzhou,510288)
摘要：
本文介绍了ENIPIG的工艺流程，与其他最终表面处理相对比，阐述了其优点。并通过试验测试，进一步说明了ENIPIG的钯层能有效防止金和镍相互迁移，高温后仍具有良好的邦定和焊锡性能，能耐多次回流焊。
Abstract：
关键词：
镍钯金、ENIPIG、邦定、黑镍
Key words:
Ni/Pd/Au、ENIPIG、Bonding、black pad
0、前言
电子产品趋向于厚度薄、体积细小、重量轻，同时包含更多功能和高速的运行速度。因此，电子封装工业便发展出多样化及先进的封装技术及方法，使之能在同一块线路版上增加集成电路(IC)的密度，数量及种类。
增加封装及连接密度推动封装方法从通孔技术(THT)到面装配技术（SMT）的演化，它导致了更进一步的应用打线接合的方法(Wire bonding)。缩小了的连接线间距和应用芯片尺寸封装技术(CSP)，使得装置的密度增大。目前的化银、化锡、OSP和化镍金等均无法满足无铅组装工艺的所有需求。
本文章介绍了一种适用于集成电路的ENIPIG工艺及其优点，并进行了邦定、可焊性等测试。
1、ENIPIG工艺介绍及其优点
1.1 表面处理的比较
ENIPIG在镍层和金层之间沉上一层钯，能防止镍和金之间的相互迁移，不会出现黑pad . 具有打线接合能力，焊点可靠度好，能耐多次回流焊和有优良耐储时间等，能够对应和满足多种不同组装的要求.下表是不同表面处理的性能比较：
项目OSP 化锡化银ENIG ENIPIG
热超声焊- - - + +
超声楔焊- - - - +
导电性- - + + +
可靠性+ + + + ++
润湿平衡+ + + + +
平整性+ + + + +
坚固性+ + - ++ +++
多次回流焊+ + + + ++
耐储时间+ - + ++ ++
1.2 ENIPIG的优点
n金镀层很薄即可打金线, 也能打铝线；
n钯层把镍层和金层隔开，能防止金和镍之间的相互迁移；不会出现黑镍现象；
n提高了高温老化和高度潮湿后的可焊性 ,可焊性优良，高温老化后的可焊性同样很好；
n成本很低，金厚为0.03~0.04um，钯厚平均约0.025~0.03um；
n钯层厚度薄，而且很均匀；
n镍层是无铅的；
n能与现有的设备配套使用；
n镀层与锡膏的兼容性很好。
1.3 ENIPIG工艺流程
除油微蚀预浸活化后浸沉镍浸钯浸金
1.4 测试结果
1.4.1邦定测试
邦定设备 : Hughes 2460II
测试设备 : Dages Series 4000
打金线：K & S Mod. 4129, 焊线压力: 5cN
键合时间:5 sec
拉力约30 cN
未老化/老化后打金线
序号镍厚是否沉钯金厚（um) 老化温度
( 150℃)
邦定测试
(断开率)
1 5 no 0.06 - 0
2 5 no 0.06 1 h 0
3 5 no 0.06
4 h 20%
4 5 yes 0.05 - 0
5 5 Yes 0.05 1 h 0
6 5 Yes 0.05 4 h 0 经过高温老化（155℃/4小时）后进行邦定测试：
经过高温老化（155℃/20小时）后进行邦定测试：
1.4.2可焊性测试
设备: Metronelec Menisco ST 60;
焊料: BalverZinn Typ Sn100C ( 99,4% 锡, 0,5% 铜, 0,1% 镍) 焊接温度： 265 °C
流程高温老化焊料零交时间（秒）ENIG 没有高温老化Kolophonium 0.67
ENIG 老化155℃/4h Kolophonium 1.93
ENIG 没有高温老化Actiec 2 0.33
ENIG 老化155℃/4h Actiec 2 1.47
ENIPIG 没有高温老化Kolophonium 0.77
ENIPIG 老化155℃/4h Kolophonium 1.69
ENIPIG 没有高温老化Actiec 2 0.34
ENIPIG 老化155℃/4h Actiec 2 0.98
高温老化后，ENIPIG的润湿性比ENIG好.
高温老化(4 hours/ 155 ℃)前后可焊性比较：
ENIG没有经过高温老化 ENIG经过高温老化(4 hours/ 155 ℃)
ENIPIG没有经过高温老化 ENIPIG经过高温老化(4 hours/ 155 ℃)
1.4.3钯层防止金和镍相互迁移的有效性
设备：SERA-Methode
取经过不同老化时间的ENIPIG测试板，用SERA 方法进行测试
钯层能有效防止镍层和金层之间的离子迁移。
1.4.4回流焊测试
回流温度曲线
多次回流焊后的推力测试结果，经过5次回流焊后仍保持良好的邦定性能
所有的失效模式都是焊料中间断裂：
2、结论
ENIPIG主要具有以下优点：
2.1有优良的打金线结合性；
2.2能防止金和镍之间的相互迁移，不会出现黑镍现象；
2.3 能抵挡多次无铅再流焊循环
2.4 高温老化后仍保持良好的焊锡可靠性
参考文献：
[1]
[2] Palladium as diffusion barrier-a wany to a multifunctional printed circuit board finish
[3]
化学镍与浸镀金之考量 概说（General） 『化学镍金』是一种通俗说法，正确的名词应称为『化镍浸金』（Electroless Nickel and Immersion Gold: EN/IG）。化学镍层的生成无需外加电流，只靠高温槽液中（约88℃）还原剂（如次磷酸二氢钠NaH2PO2等）的作用，针对已活化的待镀金属表面，即可持续进行『镍磷合金层』的不断沉积。 至於『浸镀金』的生长，则是一种无需还原剂的典型『置换』（Replacement）反应。也就是说当『化学镍表面』进入浸金槽液中时，在镍层被溶解抛出两个电子的同时，其『金层』也随即自镍表面取得电子而沉积在镍金属上。一旦镍表面全被金层所盖满後，金层的沉积反应逐渐停止，很难增加到相当的厚度。至於另一系列的『厚化金』，则还需强力的还原剂方可使金层逐渐加厚。 一般而言，化镍层厚度几乎可以无限增长，实用规格以150~200微寸为宜，而浸镀金层的厚度则只2~3微寸而己，厚化金有时可达20~30微寸，当然价格也就另当别论了。後表1即为化学镍（美式说法称为无电镍）之一般物性。 表1.化学镍（无电镍）镀层之重要物理
事实上板面化镍金所形成的焊点（Solder Joint），其对零件之焊接（Soldering）强度（Strength）几乎全都建筑在镍层表面上，镀金之目的只是让镍面在空气中受到保护不致钝化或氧化，维持起码的焊 性（Solderability）而已。金层本身完全不适合焊接，其焊点强度也非常不好。 在高温焊接的瞬间，黄金早已与 组成不同形式的『介面合金共化物』（IMC,如AuSn,AuSn2,AuSn4等）而逸走，因而真正的焊点基础都是著落在镍面上，焊点的强弱与金无关。也就是说焊 （Solder）中的 纯 （Tin），会与纯镍形成Ni3Sn4的IMC（Intermstallic
序号样板能力（交货面积＜5㎡） 中小批量制作能力（交货面积≥5㎡） 1普通Tg FR4 生益S1141(不推荐用于无铅焊接工艺）生益S1141(不推荐用于无铅焊接工艺）2普通Tg FR4（无卤）生益S1155生益S11553高Tg FR4（无卤）生益S1165 生益S1165 4HDI板使用材料类型LDPP（IT-180A 1037和1086）、普通106与1080LDPP（IT-180A 1037和1086）、普通106与10805高CTI 生益S1600 生益S1600 6高Tg FR4 Isola：FR408、FR408HR、IS410、FR406、GETEK、PCL-370HR；联茂：IT-180A、IT-150DA； Nelco：N4000-13、N4000-13EP、N4000-13SI、N4000-13EP SI；松下:R-5775K（Megtron6）、R-5725（Megtron4）；台光：EM-827；宏仁：GA-170；南亚：NP-180；台耀：TU-752、TU-662；日立：MCL-BE-67G（H）、MCL-E-679（W）、MCL-E-679F（J）；腾辉：VT-47；IT180A、GETEK、PCL-370HR、N4000-13、N4000-13EP、N4000-13SI、N4000-13EP SI 7陶瓷粉填充高频材料Rogers：Rogers4350、Rogers4003;Arlon:25FR、25N; Rogers：Rogers4350、Rogers4003;Arlon:25FR、25N; 8聚四氟乙烯高频材料Rogers系列、Taconic系列、Arlon系列、Nelco系列、泰州旺灵F4BK、TP系列Arlon：Diclad、AD系列；Taconic：TLX、TLF、TLY、RF、TLC、TLG系列9PTFE半固化片Taconic：TP系列、TPG系列、TPN系列、HT1.5(1.5mil)、Fastrise系列/ 10材料混压Rogers、Taconic、Arlon、Nelco与FR-4 Rogers、Taconic、Arlon、Nelco与FR-411产品类型刚性板 背板、HDI、多层埋盲孔、埋电容、埋电阻、厚铜板、电源厚铜、半导体测试板背板、HDI、多层埋盲孔、电源厚铜、背钻12多次压合盲埋孔板同一面压合≤3 同一面压合≤2 13HDI板类型 1+n+1、1+1+n+1+1、2+n+2、3+n+3(n中埋孔≤0.3mm)，激光盲孔可以电镀填孔 1+n+1、1+1+n+1+1、2+n+2、3+n+3(n中埋孔≤0.3mm)，激光盲孔可以电镀填孔14表面处理类型（无铅）电镀铜镍金、沉金、镀硬金（有/无镍）、镀金手指、无铅喷锡、OSP、化学镍钯金、镀软金（有/无镍）、沉银、沉锡、ENIG+OSP、ENIG+G/F、全板镀金+G/F、沉银+G/F、沉锡+G/F 电镀铜镍金、沉金、镀硬金（有/无镍）、镀金手指、无铅喷锡、OSP、化学镍钯金、镀软金（有/无镍）、沉银、沉锡、ENIG+OSP、ENIG+G/F、全板镀金+G/F、沉银+G/F、沉锡+G/F 15表面处理类型（有铅）有铅喷锡 有铅喷锡 16厚径比10：1（有铅/无铅喷锡，化学沉镍金，沉银，沉锡，化学镍钯金）；8：1（OSP）10：1（有铅/无铅喷锡，化学沉镍金，沉银，沉锡，化学镍钯金）；8：1（OSP）17 加工尺寸(MAX)有铅喷锡22"*39"；无铅喷锡22"*24"；镀金手指24"*24"；镀硬金24"*28"；化学沉金21"*27"；图镀铜镍金21"*48"；沉锡16"*21"；沉银16"*18"；OSP24"*40"； 有铅喷锡22"*39"；无铅喷锡22"*24"；镀金手指24"*24"；镀硬金24"*28"；化学沉金21"*27"；图镀铜镍金21"*48"；沉锡16"*21"；沉银16"*18"；OSP24"*40"； 18加工尺寸(MIN) 有铅喷锡5"*6"；无铅喷锡10"*10"；镀金手指12"*16"；镀硬金3"*3"；图镀铜镍金8"*10"；沉锡2"*4"；沉银2"*4"；OSP2"*2"；有铅喷锡5"*6"；无铅喷锡10"*10"；镀金手指12"*16"；镀硬金3"*3"；图镀铜镍金8"*10"；沉锡2"*4"；沉银2"*4"；OSP2"*2"；19加工板厚 有铅喷锡0.6-4.0mm；无铅喷锡0.6-4.0mm；镀金手指1.0-3.2mm；镀硬金0.1-5.0mm；化学沉 金0.2-7.0mm；图镀铜镍金0.15-5.0mm；沉锡0.4-5.0mm；沉银0.4-5.0mm；OSP0.2-6.0mm； 有铅喷锡0.6-4.0mm；无铅喷锡0.6-4.0mm；镀金手指1.0-3.2mm；镀硬金0.1-5.0mm；化学沉金0.2-7.0mm；图镀铜镍金0.15-5.0mm；沉锡0.4-5.0mm；沉银0.4-5.0mm；OSP0.2-6.0mm； 20金手指高度最大 1.5inch 1.5inch 21金手指间最小间距 6mil 8mil 22分段金手指最小分段间距7.5mil 7.5mil 23喷锡2-40um（有铅喷锡大锡面最薄厚度0.4um，无铅喷锡大锡面最薄厚度1.5um）2-40um（有铅喷锡大锡面最薄厚度0.4um，无铅喷锡大锡面最薄厚度1.5um）24OSP 膜层厚度：0.2-0.6um 膜层厚度：0.2-0.6um 25化学沉镍金金厚0.05-0.10um，镍厚3-8um 金厚0.05-0.10um，镍厚3-8um 26化学沉银银厚0.2-0.4um 银厚0.2-0.4um 27化学沉锡 锡厚≥1.0锡厚≥1.028电镀硬金金厚0.10-1.5um（干膜图镀工艺），金厚0.10-4.0um（非干膜图镀工艺）0.1-0.54（干膜图镀工艺）；0.1-2.0（非干膜图镀工艺）；29电镀软金 金厚0.10-1.5um（干膜图镀工艺），金厚0.10-4.0um（非干膜图镀工艺）金厚0.10-1.5um（干膜图镀工艺），金厚0.10-4.0um（非干膜图镀工艺）30化学镍钯金 金厚0.05-0.10um，镍厚3-8um，钯厚0.05-0.15um 金厚0.05-0.10um，镍厚3-8um，钯厚0.05-0.15um 31电镀铜镍金金厚0.025-0.10um，镍厚≥3um，基铜厚度最大1OZ 金厚0.025-0.10um，镍厚≥3um，基铜厚度最大1OZ 32金手指镀镍金金厚0.25-1.5um(要求值指最薄点)，镍厚≥3um 金厚0.25-1.5um(要求值指最薄点)，镍厚≥3um 33碳油10-50μm 10-50μm 34绿油铜面盖油(10-18um)、过孔盖油（5-8um）、线路拐角处≥5um（一次印刷、铜厚48um以下）铜面盖油(10-18um)、过孔盖油（5-8um）、线路拐角处≥5um（一次印刷、铜厚35 蓝胶 0.20-0.80mm 0.2-0.4mm 表面镀层（覆盖层）厚度兴森快捷公司刚性板工艺能力参数表（2014.1更新） 技术中心产品开发部整理编制 表面处理项目名称 材料类型 叠层方式
. .镍钯金工艺（ENEPIG）详解 一、镍钯金工艺（ENEPIG）与其他工艺如防氧化（OSP）,镍金（ENIG）等相比有如下优点： 1. 防止“黑镍问题”的发生–没有置换金攻击镍的表面做成晶粒边界腐蚀现象。 2. 化学镀钯会作为阻挡层，不会有铜迁移至金层的问题出现而引起焊锡性焊锡差。 3. 化学镀钯层会完全溶解在焊料之中，在合金界面上不会有高磷层的出现。同时当化学镀钯溶解后会露出一层新的化学镀镍层用来生成良好的镍锡合金。 4. 能抵挡多次无铅再流焊循环。 5. 有优良的打金线（邦定）结合性。 6. 非常适合SSOP、TSOP、QFP、TQFP、PBGA等封装元件。 二、镍钯金工艺（ENEPIG）详解： 1. 因为普通的邦定（ENIG）镍金板，金层都要求很厚基本上0.3微米以上，ENEPIG板只需钯0.1微米、金0.1微米左右就可以满足（钯是比金硬很多的贵金属，要钯层的原因就是因为单纯的金、镍腐蚀比较严重，焊接可靠性差。钯还有个作用是热扩散的作用，整体来说ENEPIG可靠性比ENIG高）。 2. 化学镍钯金属这个制程已经提出好几年了，但是现在能量产的不多，也就是比较大的厂才有部分量产。流程和化学沉金工艺基本相似，在化学镍和化学金中间加一个化学钯槽（还原钯）ENEPIG制程：除油--微蚀--酸洗--预浸--活化钯--化学镍（还原）--化学钯（还原）-- 化学金（置换）。 3. 现在说自己能做的供应商人很多，但是真正能做好的没有几家。控制要主要点钯槽和金槽，钯是可以做催化剂的活性金属，添加了还原剂后，控制不好自己就反应掉，（就是俗话说的翻槽），沉积速度不稳定也是一个问题，很多配槽后速度很快，过不到几天速度就变慢很多。这不是一般公司能做好的。 4. 化学沉金目前有很多有黑镍问题，以及加热后的扩散，中间添加一层致密的钯能有效的防至黑镍和镍的扩散。 5. 该表面处理最早是由INTER提出来的，现在用在BGA载板的比较多载板一面是需要邦定金线，另一面是需要做焊锡焊接。这两面对金镀层的厚度要求不一样，邦定是需要金层厚一点，大概在0.3微米以上，而焊锡只需要0.05微米左右。金层厚了邦定好却焊锡强度有问题，金层薄焊锡OK邦定却打不上。所以之前的制程都是用干膜掩盖，分别作两次不同规格的镀金才能满足。现在用镍钯金（ENEPIG）两面同样的厚度规格即可以满足邦定又可以满足焊锡的要求。目前规格钯和金膜厚大概在0.08微米以上上就可以满足邦定和焊锡焊接的要求。 目前广泛在应用此工艺的公司有：微软microsoft、苹果apple、英特尔INTER 等！ 单位转换：1um(微米)=39.37uinch(微英寸） 1cm(厘米)=10mm(毫米) 1mm=1000um 1ft(英尺)=1000mil(密尔)=1000000uinch(微英寸) 1ft(英尺)=12inch(英寸) 1inch=25.4mm 1ft=0.3048m 1mil=25.4um=1000uinch u inch如上所说,是念mai.有些电镀厂的膜厚报告上用u'' 来表示.
深圳市裕维电子有限公司 YuWei Electrontics CO。，Ltd. T O：市场部/李生FM：技术部/杨延荣 Date:2010-9-16 SUB:镍钯金对比沉金的优点 一：目的，针对镍钯金使用方面做一个简要的说明与对比， 二工艺流程 镍钯金：除油--微蚀--酸洗--预浸--活化钯--化学镍（还原）--化学钯（还原）--化学金（置换）沉金：除油--微蚀--酸洗--预浸--活化钯--化学镍（还原）--化学金（置换） 三：优点对比 因为化学沉金目前有很多有黑镍问题，以及加热后的扩散， 中间添加一层致密的钯能有效的防至黑镍和镍的扩散。 该表面处理最早是由inter提出来的， 现在用在bga载板的比较多 载板一面是需要打金线，另一面是需要做焊锡焊接。 这两面对金镀层的厚度要求不一样， 打线是需要金层厚一点，大概在0.4微米以上，而焊锡只需要0.05微米左右。 金层厚了打线ok焊锡强度有问题，金层薄焊锡ok打线打不上。 所以之前的制程都是用干膜掩盖，分别作两次不同规格的镀金才能满足。 现在用镍钯金两面同样的厚度规格即可以满足打线又可以满足焊锡的要求。 目前规格钯和金膜厚大概在0,08um以上上就可以满足打线和焊锡焊接的要求。 因为钯价格是沉厚金价格的大概二分之一，所以也是很多costdown的好方法。 四：厚度控制 沉厚金一般按6-8微英寸，镍钯金：镍厚4微英寸，金厚4微英寸。 五：建议 在我司沉金线制作生产的，目前有美国APPLE，INTEL，思科等公司的帮定板，此镍钯金已被许多世界级跨国公司所采用，效果良好，尤其是改善黑PAD及脱焊这一现象。故推荐市场部各位同仁若有客户需要做帮定板时请首选做镍钯金，即可减少客户成本，也可提升PCBA的良率。
镍钯金工艺（ENEPIG）详解 一、镍钯金工艺（ENEPIG）与其他工艺如防氧化（OSP）,镍金（ENIG）等相比有如下优点： 1. 防止“黑镍问题”的发生–没有置换金攻击镍的表面做成晶粒边界腐蚀现象。 2. 化学镀钯会作为阻挡层，不会有铜迁移至金层的问题出现而引起焊锡性焊锡差。 3. 化学镀钯层会完全溶解在焊料之中，在合金界面上不会有高磷层的出现。同时当化学镀钯溶解后会露出一层新的化学镀镍层用来生成良好的镍锡合金。 4. 能抵挡多次无铅再流焊循环。 5. 有优良的打金线（邦定）结合性。 6. 非常适合SSOP、TSOP、QFP、TQFP、PBGA等封装元件。 二、镍钯金工艺（ENEPIG）详解： 1. 因为普通的邦定（ENIG）镍金板，金层都要求很厚基本上微米以上，ENEPIG板只需钯微米、金微米左右就可以满足（钯是比金硬很多的贵金属，要钯层的原因就是因为单纯的金、镍腐蚀比较严重，焊接可靠性差。钯还有个作用是热扩散的作用，整体来说ENEPIG 可靠性比ENIG高）。 2. 化学镍钯金属这个制程已经提出好几年了，但是现在能量产的不多，也就是比较大的厂才有部分量产。流程和化学沉金工艺基本相似，在化学镍和化学金中间加一个化学钯槽（还原钯）ENEPIG制程：除油--微蚀--酸洗--预浸--活化钯--化学镍（还原）--化学钯（还原）--化学金（置换）。 3. 现在说自己能做的供应商人很多，但是真正能做好的没有几家。控制要主要点钯槽和金槽，钯是可以做催化剂的活性金属，添加了还原剂后，控制不好自己就反应掉，（就是俗话说的翻槽），沉积速度不稳定也是一个问题，很多配槽后速度很快，过不到几天速度就变慢很多。这不是一般公司能做好的。 4. 化学沉金目前有很多有黑镍问题，以及加热后的扩散，中间添加一层致密的钯能有效的防至黑镍和镍的扩散。 5. 该表面处理最早是由INTER提出来的，现在用在BGA载板的比较多载板一面是需要邦定金线，另一面是需要做焊锡焊接。这两面对金镀层的厚度要求不一样，邦定是需要金层厚一点，大概在微米以上，而焊锡只需要微米左右。金层厚了邦定好却焊锡强度有问题，金层薄焊锡OK邦定却打不上。所以之前的制程都是用干膜掩盖，分别作两次不同规格的镀金才能满足。现在用镍钯金（ENEPIG）两面同样的厚度规格即可以满足邦定又可以满足焊锡的要求。目前规格钯和金膜厚大概在微米以上上就可以满足邦定和焊锡焊接的要求。 目前广泛在应用此工艺的公司有：微软microsoft、苹果apple、英特尔INTER 等！
镍钯金详细介绍 1. 因为普通的邦定(ENIG)镍金板，金层都要求很厚基本上0.3微米以上，ENEPIG板只需钯0.1微米、金0.1微米左右就可以满足(钯是比金硬很多的贵金属，要钯层的原因就是因为单纯的金、镍腐蚀比较严重，焊接可靠性差。钯还有个作用是热扩散的作用，整体来说ENEPIG可靠性比ENIG高)。 2. 化学镍钯金属这个制程已经提出好几年了，但是现在能量产的不多，也就 是比较大的厂才有部分量产。流程和化学沉金工艺基本相似，在化学镍和化学金中间加一个化学钯槽(还原钯) 3. 现在说自己能做的供应商人很多，但是真正能做好的没有几家。控制要主 要点钯槽和金槽，钯是可以做催化剂的活性金属，添加了还原剂后，控制不好自己就反应掉，(就是俗话说的翻槽)，沉积速度不稳定也是一个问题，很多配槽后速度 很快，过不到几天速度就变慢很多。这不是一般公司能做好的。 4. 化学沉金目前有很多有黑镍问题，以及加热后的扩散，中间添加一层致密 的钯能有效的防至黑镍和镍的扩散。 5. 该表面处理最早是由INTER提出来的，现在用在BGA载板的比较多载板 一面是需要邦定金线，另一面是需要做焊锡焊接。这两面对金镀层的厚度要求不一样，邦定是需要金层厚一点，大概在0.3微米以上，而焊锡只需要0.05微米左右。金层厚了邦定好却焊锡强度有问题，金层薄焊锡OK邦定却打不上。所以之前的制程都是用干膜掩盖，分别作两次不同规格的镀金才能满足。现在用镍钯金(ENEPIG)两面同样的厚度规格即可以满足邦定又可以满足焊锡的要求。目前规格 钯和金膜厚大概在0.08微米以上上就可以满足邦定和焊锡焊接的要求。 镍钯金厚度 化学镍钯金,它是在焊盘铜面上先后沉积镍、钯和金，镍钯金镀层厚度一般为 镍2.00μm～5.00μm、钯0.10μm～0.20μm和金0.03μm～0.05μm 镍钯金工艺特色 与化学沉镍金制程原理相近，在化学沉镍后，增加化学沉钯工艺，利用钯层隔绝沉金药水对镍层的攻击;同时钯层比金层具有更高的强度和耐磨性，利用薄的钯 层和薄的金层即可达到化学沉厚金的效果，同时有效杜绝了黑垫的发生。 镍钯金工艺优点 镍钯金工艺(ENEPIG)与其他工艺如防氧化(OSP),镍金(ENIG)等相比有如下有点： 1. 防止“黑镍问题”的发生–没有置换金攻击镍的表面做成晶粒边界腐蚀现象。 2. 化学镀钯会作为阻挡层，不会有铜迁移至金层的问题出现而引起焊锡性焊 锡差。
1、FPC/PCB布局设计 （1）普通定位孔直径=Holder定位柱尺寸+定位柱上公差+0.05mm，公差为+/-0.05mm。 如果把定位孔做成沉铜孔，则沉铜孔直径=Holder定位柱尺寸+定位柱上公差+0.05mm 公差为+/-0.08mm。 （2）普通定位孔间距的公差为0.05mm； 沉铜孔的间距公差为0.08mm。 （3）COB单片PCB板上必须有DIEBOND标识，压焊标识，且整版上必须有SMT标识； 对于Socket结构的整版PCB，无论是CSP还是COB的都需要加防呆标识。
（4）PCB和FPC的贴片PAD与邦线PAD之间的走线距离要大于0.3mm,避免SMT贴片的时候锡膏回流到邦线PAD上去。 OK：Failed： （5）邦线PAD内边缘距离芯片0.1mm与0.35 mm之间,邦线PAD外边缘距离Holder在0.1mm以上。 （6）电容距离芯片和Holder内壁必须保证在0.1mm以上。 电容要靠近芯片滤波PAD。 （7）金手指连接的FPC需要把整个金手指开窗出来；对于双面金手指，顶层和底层一定要错开开窗，错开的距离保证在0.25mm以上。
（8）FPC银箔接地的开窗形状为椭圆形，且双面开窗的位置一定要错开，不允许有重合部分，错开距离保证在0.5mm以上。 对于受控图纸中表明FPC有弯折要求的，在样品的制作要求中必须标示弯折的位置和角度，并在技术标准明确的体现出来，禁止在弯折处开窗，对满足“几”字形特殊弯折要求的，必须标示出来。 （9）FPC压焊PAD下面不允许有网络。 OK Failed
2、FPC/PCB线路设计 为了能够让摄像头模组能够正常地工作，并且能够有效地预防EMC，EMI等问题，可以采取磁珠，电感，共模线圈进行隔离；加电容进行滤波，并四处铺铜，采用屏蔽地线、屏蔽平面来切断电磁的传导和辐射途径。以下是模组线路设计时的要求和规范： （1）网络距离外框的边缘距离大于0.15mm,，即要大于外框公差+0.1mm。 （2）一般信号线推荐线宽0.1mm，最小线宽0.08mm；电源线和地线推荐线宽0.2mm，最小线宽0.15mm。 （3）电源线要经过电容滤波后进入芯片，其他需要电容滤波的网络，从连接器上引出来的线路要经过电容再连接到芯片，电容要靠近芯片滤波PAD。 （4）避免走环形线，且线路上不允许有直角出现。 （5）线路空白区域打过孔铺通，起屏蔽，散热作用，同时增加DGND网络之间连接性。
电镀钯镍合金 发布日期：2013-04-06 浏览次数：89 核心提示：代金材料的选用在国外已引起了人们的重视，如采用电镀银、锡、铅锡合金、锡镍合金、钯、钯镍合金等镀层代替金或部分代金镀层。而且，有的替代镀层已用于生产。如对镀层质量要求较高的接插件，用钯或钯镍合金镀层代替金镀层，已在工业生产中得到应用。 金镀层广泛应用于电子工业、首饰和钟表工业。随着电子工业的发展、人民生活水平的提高，需要的金量越来越大，为了节省资源，降低产品成本，世界各国都采取了很多措施节省黄金。代金材料的选用在国外已引起了人们的重视，如采用电镀银、锡、铅锡合金、锡镍合金、钯、钯镍合金等镀层代替金或部分代金镀层。而且，有的替代镀层已用于生产。如对镀层质量要求较高的接插件，用钯或钯镍合金镀层代替金镀层，已在工业生产中得到应用。 我国对钯镍合金代金镀层于20世纪70年代末开始研究。 镀层中含钯80％(质量分数)的钯镍合金镀层，其主要性能均已接近或达到硬金性能，见表4—7—1。 表4—7—1钯镍合金与硬金镀层性能对比 钯镍合金镀层与纯金镀层相比，成本可降低20％～80％(钯价通常为金价的l／3)，是一种较理想的代金镀层。近年来，国内外电镀工作者对钯镍合金镀层的性能测试和电镀工艺等方面作了大量工作，并取得一定效果。人们还发现，在钯镍合金镀层上再闪镀一薄层软金(0．1μm～0．2μm)或硬金，其镀层性能大大改善，并且符合消费者需要金色外观的心理。 一、电镀钯镍合金镀液及工艺条件 (一)镀液组成及工艺条件 电镀钯镍合金镀液是由钯和镍的可溶性化合物，相应的导电盐及缓冲剂组成，通常在室温下工作。已用于生产的镀液及工艺规范见表4—7—2。
ENIPIG工艺介绍及其优点 ENIPIG-An advanced surface finish 黄辉祥陈润伟 (广东东硕科技有限公司，广州，510288) Huang Hui-xiang，Chen Run-wei (GUANGDONG Toneset Science & Technology co.,LTD,Guanzhou,510288) 摘要： 本文介绍了ENIPIG的工艺流程，与其他最终表面处理相对比，阐述了其优点。并通过试验测试，进一步说明了ENIPIG的钯层能有效防止金和镍相互迁移，高温后仍具有良好的邦定和焊锡性能，能耐多次回流焊。 Abstract： 关键词： 镍钯金、ENIPIG、邦定、黑镍 Key words: Ni/Pd/Au、ENIPIG、Bonding、black pad
0、前言 电子产品趋向于厚度薄、体积细小、重量轻，同时包含更多功能和高速的运行速度。因此，电子封装工业便发展出多样化及先进的封装技术及方法，使之能在同一块线路版上增加集成电路(IC)的密度，数量及种类。 增加封装及连接密度推动封装方法从通孔技术(THT)到面装配技术（SMT）的演化，它导致了更进一步的应用打线接合的方法(Wire bonding)。缩小了的连接线间距和应用芯片尺寸封装技术(CSP)，使得装置的密度增大。目前的化银、化锡、OSP和化镍金等均无法满足无铅组装工艺的所有需求。 本文章介绍了一种适用于集成电路的ENIPIG工艺及其优点，并进行了邦定、可焊性等测试。 1、ENIPIG工艺介绍及其优点 1.1 表面处理的比较 ENIPIG在镍层和金层之间沉上一层钯，能防止镍和金之间的相互迁移，不会出现黑pad . 具有打线接合能力，焊点可靠度好，能耐多次回流焊和有优良耐储时间等，能够对应和满足多种不同组装的要求.下表是不同表面处理的性能比较： 项目OSP 化锡化银ENIG ENIPIG 热超声焊- - - + + 超声楔焊- - - - + 导电性- - + + + 可靠性+ + + + ++ 润湿平衡+ + + + + 平整性+ + + + + 坚固性+ + - ++ +++ 多次回流焊+ + + + ++ 耐储时间+ - + ++ ++ 1.2 ENIPIG的优点 n金镀层很薄即可打金线, 也能打铝线； n钯层把镍层和金层隔开，能防止金和镍之间的相互迁移；不会出现黑镍现象； n提高了高温老化和高度潮湿后的可焊性 ,可焊性优良，高温老化后的可焊性同样很好； n成本很低，金厚为0.03~0.04um，钯厚平均约0.025~0.03um； n钯层厚度薄，而且很均匀； n镍层是无铅的； n能与现有的设备配套使用； n镀层与锡膏的兼容性很好。 1.3 ENIPIG工艺流程 除油微蚀预浸活化后浸沉镍浸钯浸金
电子产品一直趋向体积细小及轻巧，同时包含更多功能而又有更快速的运作效率。为了达到以上要求，电子封装工业便发展出多样化及先进的封装技术及方法，使之能在同一块线路版上增加集成电路(IC)的密度，数量及种类。 增加封装及连接密度推动封装方法从通孔技术(THT)到面装配技术（SMT）的演化，它导致了更进一步的应用打线接合的方法(Wire bonding)。缩小了的连接线间距和应用芯片尺寸封装技术(CSP)，使得装置的密度增大，而多芯片组件(MCM)及系统级封装技术(SiP)使得在同一芯片上嵌入更多功能从不可能变成现实。 至今，当半导体工业多年来从缩小线宽来致力于增进装置的性能时，很少有涉及这样的想法，也就是在一个电子系统中，装置间应该通过包含这个系统的封装来传递信息。大量的I/O需求及讯号传送质量已成为半导体工业重要考虑的因素，无论在IC内部的连接或把装置封装在线路版上，为了达到可靠的连接，封装过程的要求及线路版最终表面处理技术同样重要。 本文章描述影响连接可靠性的主要因素，尤其侧重在打金线接合的应用中表面处理的性能。 表面处理打线接合的选择 虽然电镀镍金能提供优良的打金线接合的性能，它有着三大不足之处，而每一不足之处都阻碍着它在领先领域中的应用。 较厚的金层厚度要求使得生产成本上升。 在通常所用的厚的金层情况下，由于容易产生脆弱的锡金金属合金化合物(IMC)，焊点之可靠性便下降。而为了增加焊点之可靠性，可在需要焊锡的地方使用不同的表面处理，然而却会造成生产成本上升。 电镀工艺要求使用导线连通每个线路，这样就限制了封装载板的最高线路密度。 因为这些限制，使用化学镀的优势表露出来。化学镀的技术包括化学镀镍浸金(ENIG)，化学镀镍化学镀金(ENEG)及化学镀镍钯浸金(ENEPIG)。 在这三种选择中，ENIG是基本上不用考虑的，因为它不具备提供高可靠性打金线接合的工 艺条件（尽管它被用在不重要的消费产品的应用中），而ENEG具有和电镀镍金同样高的生产成本，在制程方面亦充满了复杂性的挑战。 当化学镀镍钯浸金（ENEPIG）在90年代末出现时，但因为2000年时，钯金属价格被炒卖到不合理的高位，使ENEPIG在市场上的接受延迟了。但是，ENEPIG能够解决很多新封装的可靠性问题及能够符合ROHS的要求，因此在近年再被市场观注。 除了在封装可靠性的优势上， ENEPIG的成本则是另一优势。当近年金价上升超过US$800/oz，要求厚金电镀的电子产品便很难控制成本。而钯金属的价格(US$300/oz)则相对于金价来说远低于一半，所以用钯代替金的优势便显露出来。 表面处理的比较 在现在的市场，适合用在线路板上细小引脚的QFP/BGA装置，主要有4种无铅表面处理 化学浸锡(Immersion Tin) 化学浸银(Immersion Silver) 有机焊锡保护剂(OSP) 化学镀镍浸金(ENIG) 下表列举出这4种表面处理跟ENEPIG的比较。在这4种表面处理中，没有一种表面处理能满足无铅组装工艺的所有需求，尤其是当考虑到多重再流焊能力、组装前的耐储时间及打线接合能力。相反，ENEPIG却有优良耐储时间，焊点可靠度，打线接合能力和能够作为按键触碰表面，所以它的优势便显示出来。而且在置换金的沉积反应中，化学镀钯层会保护镍层防止它被交置换金过度腐蚀。
PCB镍钯金技术 电子产品一直趋向体积细小及轻巧，同时包含更多功能而又有更快速的运作效率。为了达到以上要求，电子封装工业便发展出多样化及先进的封装技术及方法，使之能在同一块线路版上增加集成电路(IC)的密度，数量及种类。增加封装及连接密度推动封装方法从通孔技术(THT)到面装配技术（SMT）的演化，它导致了更进一步的应用打线接合的方法(Wire bonding)。缩小了的连接线间距和应用芯片尺寸封装技术(CSP)，使得装置的密度增大，而多芯片组件(MCM)及系统级封装技术(SiP)使得在同一芯片上嵌入更多功能从不可能变成现实。至今，当半导体工业多年来从缩小线宽来致力于增进装置的性能时，很少有涉及这样的想法，也就是在一个电子系统中，装置间应该通过包含这个系统的封装来传递信息。大量的I/O需求及讯号传送质量已成为半导体工业重要考虑的因素，无论在IC内部的连接或把装置封装在线路版上，为了达到可靠的连接，封装过程的要求及线路版最终表面处理技术同样重要。本文章描述影响连接可靠性的主要因素，尤其侧重在打金线接合的应用中表面处理的性能。 表面处理打线接合的选择 虽然电镀镍金能提供优良的打金线接合的性能，它有着三大不足之处，而每一不足之处都阻碍着它在领先领域中的应用。 较厚的金层厚度要求使得生产成本上升。
在通常所用的厚的金层情况下，由于容易产生脆弱的锡金金属合金化合物(IMC)，焊点之可靠性便下降。而为了增加焊点之可靠性，可在需要焊锡的地方使用不同的表面处理，然而却会造成生产成本上升。 电镀工艺要求使用导线连通每个线路，这样就限制了封装载板的最高线路密度。因为这些限制，使用化学镀的优势表露出来。化学镀的技术包括化学镀镍浸金(ENIG)，化学镀镍化学镀金(ENEG)及化学镀镍钯浸金(ENEPIG)。 在这三种选择中，ENIG是基本上不用考虑的，因为它不具备提供高可靠性打金线接合的工艺条件（尽管它被用在不重要的消费产品的应用中），而ENEG 具有和电镀镍金同样高的生产成本，在制程方面亦充满了复杂性的挑战。 当化学镀镍钯浸金（ENEPIG）在90年代末出现时，但因为2000年时，钯金属价格被炒卖到不合理的高位，使ENEPIG在市场上的接受延迟了。但是，ENEPIG能够解决很多新封装的可靠性问题及能够符合ROHS的要求，因此在近年再被市场观注。 除了在封装可靠性的优势上， ENEPIG的成本则是另一优势。当近年金价上升超过US$800/oz，要求厚金电镀的电子产品便很难控制成本。而钯金属的价格(US$300/oz)则相对于金价来说远低于一半，所以用钯代替金的优势便显露出来。 表面处理的比较 在现在的市场，适合用在线路板上细小引脚的QFP/BGA装置，主要有4种无铅表面处理 化学浸锡(Immersion Tin) 化学浸银(Immersion Silver) 有机焊锡保护剂(OSP)
CAT9554A 广州致远电子有限公司 类别 内容 关键词 I/O 口扩展芯片、I 2C 、SMBus 摘 要 CAT9554A 是一款将I 2C/SMBus 接口扩展成8位并行输入/输出I/O 口的器件
1. 概述 CAT9554A是一款基于CMOS工艺的总线扩展芯片，可以将I2C和SMBus扩展成8位并行输入/输出I/O口。当在应用中需要额外的I/O口来连接传感器、电源开关、LED、按钮和风扇等的时候，可使用此类I/O扩展器件实现简单的解决方案。 CAT9554A包含一个输入寄存器、一个输出寄存器、一个配置寄存器、一个极性反转寄存器和一个兼容I2C/SMBus的串口。 8个I/O口的输入或输出状态可任意配置，系统主控制器可以通过操作极性反转寄存器来对CAT9554A的输入数据取反。 CAT9554A的特性是低电平有效中断输出，该中断可以用来向系统主控制器指明输入端口状态的改变。 当在应用中用到CAT9554/CAT9554A的时候，最多允许8个器件共用一个总线。CAT9554A与CAT9554的区别在于固定I2C从机地址的不同，这样最多允许16个器件(CAT9554A与CAT9554各8个)连接到同一个I2C总线上。 2. 特性 z兼容400kHz的I2C总线； z工作电源电压：2.3V~5.5V； z低待机电流； z I/O口可承受5V电压； z8个I/O口，上电时默认为8个输入口； z高驱动能力； z I/O口可分别配置； z极性反转寄存器； z低电平有效中断输出； z内部上电复位； z上电时无干扰脉冲信号； z SCL/SDA输入的噪声滤波器； z最多扩展8个器件； z工业级温度范围； z提供3种不同的封装：与RoHS兼容的16引脚的SOIC和TSSOP封装，16引脚的TQFN封装。 3. 定制信息 表3.1 定制信息 型号封装工艺CAT9554AWI-G SOIC 镍钯金 CAT9554AWI-GT2 SOIC 镍钯金 CAT9554AYI-G TSSOP 镍钯金
1、IC封装技术的发展 随着IC芯片向高集成化、布线细微化、芯片大型化、薄型化方向的发展，IC电路的封装技术已经由SMT(表面贴装技术)取代了双列直插技术，现行占主导潮流的封装技术主要是BGA（球栅阵列封装）和CSP（芯片尺寸大小封装）。 从封装技术发展的历程来看，按封装技术的发展顺序，先后出现了DIP、PGA、QFP、BGA、CSP等几大类。20世纪50～60年代是TO型封装的时代，70年代是DIP的时代，80年代是QFP的时代，而90年代后则是BGA 和CSP时代。 2、当前的主流技术 （1）SOP封装技术 SOP是一种很常见的封装形式，它被称作小外形塑料封装。SOP封装是目前产量最多的封装方式，由机器在PCB 板上焊接，技术要求比较高。高频率的IC控制芯片多数采用SOP封装技术。SOP封装的应用范围很广，像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。SOP封装技术如下图4所示： SOP封装产品 （2）QFP/ TQFP封装技术 QFP/ TQFP封装形式已经大规模使用，美国JEDEC制定了一系列1.4mm厚的薄形四边有引线扁平封装（TQFP）标准，尺寸从5mm-28mm见方，引线数32－256个。由于其小、薄、轻等特点，该封装形式在笔记本电脑、PDA、手提式消费产品、PCMCIA卡和磁盘驱动器等中的应用日渐普遍。这些领域的应用，要求芯片尺寸大、功率耗散大、
电性能参数高。目前发展趋势是较JEDEC中1.4mm厚更大的薄形四边引线扁平封装，如32mm和40mm见方的封装，以适应更多的引脚数和更大芯片尺寸的封装要求。 （3）BGA封装产品与技术 BGA（球栅阵列封装）它最早由摩托罗拉公司开发，曾称为OMPAC（over model pad array carrier）或bump grid array。BGA是在PGA 和QFP的基础上发展而来：取前者端子平面阵列布置，将插入式针脚改换成键合用的微球；取后者可采用SMT等由一次回流焊完成实装等优点。 PBGA（塑料焊球阵列）封装是BGA中最重要的一种，如下图所示： BGA基板依使用材料不同，可归纳出陶瓷（Ceramic）、塑料（Plastic）、金属（Metal）和卷带（Tape）等几类，相对应的简称分别是CBGA、PBGA、MBGA与TBGA。MBGA基板的封装相当少见。CBGA基板在CPU、芯片组等高附加价值商品的应用不少。TBGA则多用于各型驱动IC的封装上，最常见的便是TFT LCD的驱动IC。PBGA （塑料基板）的成本最低且销量最大，加上近年技术上突破，使得CPU、芯片组、绘图芯片等高阶IC多转用塑料基板，俨然成为主流产品。就狭义的BGA基板而言，又分为单层、双层、四层的PBGA，以及强调高散热的EBGA （Enhanced BGA）、Cavity等BGA封装基板品种。 P-BGA（plastic ball grid array ，塑料球栅阵列封装）封装是目前BGA封装形式中使用最多的一种形式。它是采用焊料球代替导线引脚，焊料球在封装外壳底面上采用矩阵方式排列。由于在BGA的焊料球在器件的底面上呈阵列排列，与PLCC等封装形式的周边引线方式相比，具有更高的输入和输出（I/O）密度。其突出的优点是互连间距大幅度缩短，基板与IC电路的连线距离小于焊球的直径（约20-60um）, 甚至更短；另外，由于焊料球与基板的接点面积大，因而引线间电容、电感特性良好，使器件的电气性能得到大幅度提高。 2002年起，FC—BGA（倒装芯片式塑料球栅阵列封装）封装开始在使用上增多。特别是美国Intel公司CPU产品开始大量的转向使用FC—BGA封装形式。
化镍金简介 化学镍金工艺具有高度的平整性、均匀性、可焊性或耐腐蚀性等，正日益受到广大客户的青睐，本文就实际生产中遇到一些常见品质问题的原因及对策进行探讨。 一、前言 化学镍金（ENIG）也叫化学浸金、浸镍或无电镍金，线路板化学镍一般P 含量控制在7～9%（中磷），化学镍磷含量分为低磷（亚光型）、中磷（半光型）及高磷（光亮型），磷含量越高抗酸腐蚀性越强。化学镍分为铜上化镍、铜上化镍金和上化镍钯金工艺。化镍常见问题有“黑垫”（常称为黑盘，镍层被腐蚀呈灰色或黑色不利于可焊性）或者“泥裂”（破裂）。化学金分为薄金（置换金，厚度1～5u〃）及厚金（还原性金，沉金厚度可以达25微英寸以上且金面不发红）。我司主要生产化学薄金。 二、工艺流程 前处理（刷磨及喷砂）→酸性除油剂→双水洗→微蚀（过硫酸钠硫酸）→双水洗→预浸（硫酸）→活化（Pd触媒）→纯水洗→酸洗（硫酸）→纯水洗→化学镍（Ni/P）→纯水洗→化学金→回收水洗→纯水洗→过纯热水洗烘干机。 三、工艺控制 1. 除油缸 PCB化镍金通常采用的是酸性除油剂作前处理，其作用在于去除铜面之轻度油脂及氧化物，达到铜面清洁及增加润湿效果的目的，不伤油墨低泡有机酸型易清洗板面。 2. 微蚀缸（SPS+H 2SO 4 ） 微蚀的目的在于去除铜面氧化层及前工序遗留残渣，保持铜面新鲜及增加化 学镍层的密着性，常用微蚀液为酸性过硫酸钠溶液（Na 2S 2 O 8 ：80～120g/L；硫酸： 20～30ml/L）。由于铜离子对微蚀速率影响较大（铜离子越高会加速铜面氧化，如水洗不充足易污染下一道药水槽，铜离子的浓度控制是根据所生产品质要求而定，以保证微蚀深度在0.5～1.0μm，换缸时往往保留1/5缸母液（旧液），以保持一定的铜离子浓度。 3. 预浸缸 预浸缸只是维持活化缸的酸度以及使铜面在新鲜状态（无氧化物）下进入活 化缸，硫酸钯预浸缸采用硫酸（H 2SO 4 ）作预浸剂，其浓度与活化缸一致。 4. 活化缸 活化的作用是在铜面析出一层钯（Pd），作为化学镍起始反应之催化晶核。
目录 0 版本修改记录02 1. 目标和目的03 2. 有效性或范围03 3. 职责03 4. 技术术语和缩略语03 5. 程序描述04 6 系统更新10 7 其他相关文件10 8 表单10 9 文件存档 版本修改记录
1. 目标和目的： 明确公司PCB物料的检验规范、贮存要求、使用方法和管理流程；确保PCB严格的接受、有效的存储、正确的使用，保证PCB之产品焊接质量。 2. 有效性或范围： 本规定所订定标准，适用于本公司所有参与PCB的验收、存储及使用的部门。3. 职责： 仓库负责PCB的验收、存储及发放； 生产人员负责PCB的领用； 质量人员负责PCB使用的过程监督； 工程人员负责文件的定义与修订。 4. 技术术语和缩略语： PCB（Printed Circuit Board）：中文名称为，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体； 喷锡（HAL）板：是在PCB表面涂覆熔融锡（铅）焊料并用加热压缩空气整（吹）平的工艺，使其形成一层既抗铜氧化，又可提供良好的可焊性的涂覆层； OSP板：是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜，这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生 锈（氧化或硫化等）； 镀镍金板：是在PCB表面导体先镀上一层镍后再镀上一层金，镀镍主要是防止金和铜间的扩散。现在的电镀镍金有两类：镀软金（纯金，金表面看起来 不亮）和镀硬金（表面平滑和硬，耐磨，含有钴等其他元素，金表面看起 来较光亮）； 化金（沉金）板：是在铜面上包裹一层厚厚的、电性良好的镍金合金，可以长期保护PCB； 化锡（沉锡）板：由于目前所有的焊料都是以锡为基础的，所以锡层能与任何类型的焊料相匹配。沉锡工艺可以形成平坦的铜锡金属间化合物，这个特 性使得沉锡具有和热风整平一样的好的可焊性而没有热风整平令人头痛的 平坦性问题；沉锡板不可存储太久，组装时必须根据沉锡的先后顺序进行； 化银（沉银）板：沉银工艺介于有机涂覆和化学镀镍、沉金之间，工艺比较简单、快速；即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持良好的可 焊性，但会失去光泽。沉银不具备化学镀镍/沉金所具有的好的物理强度因 为银层下面没有镍；