1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
2.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是。
3.半导体具有特性、特性和特性。
4.PN结正偏时，p区接电源的极，N区接电源的极；此时，PN结；PN
结反偏时，p区接电源的极，N区接电源的极；此时，PN结。
5.PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结。
二、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“X”）
1.半导体随温度的升高，电阻会增大。（）
2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（）
三、选择题
1.PN结的最大特点是具有（）。
A. 导电性
B.绝缘性
C.单向导电性
2.半导体受光照，导电性能（）。
A. 增强
B.减弱
C.不变
3.最常用的半导体材料是（）。
A. 铜
B.硅
C.铝
D. 锗
四、综合题
什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？
1.正向接法是接电源的正极，接电源的负极；反向接法相反。
2.硅二极管导通时的正向管压降约V，锗二极管导通时的正向管压降约V。
3.使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
4.电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会，如果加在二极管两端的反向电压
过高，二极管将会。
5.有一锗二极管正反向电阻均接近于0，表明该二极管已；有一硅二极管正反向电
阻均接近于无穷大，表明该二极管已。
6.在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常于锗二极管的反向饱和电流，
所以硅二极管的热稳定性较。
7.发光二极管将信号转换成信号，光电二极管将信号转换成信号。
8.变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变来自动调节本机振荡频率。
二、判断题
1.二极管是线性元件。（）
2.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。（）
3.不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。（）
4.二极管具有单向导电性。（）
5.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）
6.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压
时，其反向电流迅速增加。（）
7.二极管加正向电压时一定导通。（）
8.二极管加反向电压时一定截止。（）
9.有两个电极的元件都叫二极管。（）
10.二极管一旦反向击穿就一定损坏。（）
11.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（）
12.光电二极管可以作为电路通断和指示用。（）
13.发光二极管可以接收可见光线。（）
14.若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。（）
1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。
A：立即导通B：到0.3V才开始导通
C：超过死区电压时才开始导通D：不导通
2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A：基本正常B：将被击穿
C：将被烧坏D：电流为0
3.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。
A：很小的电阻B：很大的电阻
C：短路D：电阻
4.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）.
A：约等于150V B：略大于150V
C：等于75V D：等于300V
5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。
A：增大B：减小
C：不变D：先变大，后变小
6.测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（）
A：RX100 B：RX1K
C：RX1 D：RX10K
7.用万用表RX100Ω档来测试二极管，如果二极管（），说明管子是好的。
A：正反向电阻均为0 B：正反向电阻均为无穷大
C：正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D：正反向电阻均为几百欧
8.用万用表的电阻档判断小功率二极管的管脚时，应选用（）。
A：RX1ΩB：RX100Ω
C：RX1kΩD：RX10Ω
9.测量二极管正向电阻时，若把两手把管脚捏紧，电阻值将会（）
A：变大B：变小
C：不变D：不能确定
10.变容二极管工作时，应加（）
A：反向电压B：正向电压
C：正向电压或反向电压
11.发光二极管工作时，应加（）
A：正向电压B：反向电压
C：正向电压或反向电压
12.变容二极管常用在（）电路中。
A：高频B：低频
C：直流D：中频
13.交通信号灯采用的是（）管。
A：发光二极管B：光电二极管
C：变容二极管D：整流二极管
四、综合题
1.从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
2.在图1—1所示电路中，哪一个灯泡不亮？
图1—1
3.在图1—2所示电路中，设二极管是理想二极管，判断二极管是导通还是截止？并求U AO。
图1—2
4.在图1—3所示的两个电路中，设V1和V2均为理想二极管，试根据表1—1a和表1—1b
所给输入值，判断二极管的工作状态。确定uo的值，并将结果填入表中。
表1—1a
表1—1b
5．电路如图1—4所示，已知输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出uo的波形。
图1—4
一、填空题
1.三极管有三个电极，即极、极和极，分别用符号、和
＿或、和表示。
2.半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符
号是。
3.在三极管中，I E与I B、I C的关系是，由于I B的数值远小于I C，如忽略I B，
则I C I E。
4.某晶体三极管的U CE不变，基极电流I B=30uA，I C=1.2mA，则发射极电流I E= mA；
如果基极电流I B增大到50uA时，I C增加到2mA,三极管的电流放大倍数β= 。
5.三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的大变化，这说明三极管具有作
用。
6.当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性。
7.硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管的死区电压约V。晶体三极管处于
正常放大时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
8.三极管工作在放大状态时，其结必反偏，结必正偏，集电极电流与基极电
流的关系是。
9.当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结
时，工作在饱和区；发射结、集电结时，工作在截止区。
10.三极管的穿透电流I CEO随温度的上升而；硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
11.三极管的极限参数分别是、和。
12.三极管的电流放大系数太小，电流放大作用，电流放大系数太大，会使放大器的性
能。
13.工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为
＿器件。
二、判断题
1.三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（）
2.三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。（）
3.三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所以集电极和发射极
可以调换使用。（）
4.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（）
5.发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。（）
6.测得正常放大电路中，晶体管三个管脚的电位分别是-9V、-6V和-6.3V，则这个晶体三极管是
PNP锗管（）
7.某晶体三极管的I B=10uA时，I C=0.44mA；当I B=20uA时，I C=0.894mA ，则它的电流放大系数
为45。. （）
三、选择题
1.三极管放大的实质是（）。
A：将小能量换成大能量B：将小电压放大成大电压
C：将小电流放大成大电流D：用较小的电流控制较大的电流
2.在一块正常的放大板上，测得三极管1、2、3脚电位分别为-10V、-10.3V、-14V，下列符合该
三极管的叙述是（）。
A：管型是PNP B：材料是硅
C：1脚是发射极D：2脚是基极
3.用直流电压表测量NPN型三极管仲各极电位是U B=
4.7V，U C=4.3V，U E=4V，则该管的工作状
态是（）。
A：截止B：饱和
C：放大D：击穿
4.用万用表测得电子线路中的晶体三极管U E=-3V，U CE=6V，U BC=-
5.4V，则该三极管是（）型，
处于（）状态。
A：PNP 放大B：NPN 放大
C：PNP 截止D：NPN 截止
5.在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）。
A：NPN管的集电极B：PNP管的集电极
C：NPN管的发射极D：PNP管的基极
6.三极管各极电位如图2—1所示，处于饱和状态的三极管是（），
A：B: C:
7.满足I C=βI B的关系时，三极管工作在（）。
A：饱和B：放大
C：截止D：击穿
8.晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。
A：随基极电流的增加而增加B：随基极电流的增加而减小
C：与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc
9.三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于（）
A：I CM B：I CBO C：I CEO D：0
10.三极管是一种（）的半导体器件。
A：电压控制B：电流控制
C：既是电压又是电流控制D：功率控制
11.三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A：电流放大B：电压放大
C：功率放大D：电压放大和电流放大
12.NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。
A：U C>U E>U B B：U C>U B>U E
C：U C
13.三极管的伏安特性是指它的（）。
A：输入特性B：输出特性
C：输入特性和输出特性D：正向特性
14.三极管的输出特性曲线是簇曲线，每一条曲线都与（）对应。
A：I C B：U CE C：I B D：I E
15.如图2—2所示电路，电源电压为9V，三极管CE两极间电压为4V，e极电位1V，说明该三极
管处于（）状态。
A：放大B：截止C：饱和D：短路
图2—2
16.在三极管的输出特性曲线中，当I B减少时。它对应的输出特性曲线（）。
A：向下平移B：向上平移C：向左平移D：向右平移
17.有三只晶体三极管，除β、I CEO不同外，其他参数一样，用作放大器时，
应选用（）。
A：β=50 I CEO=0.5mA B：β=140 I CEO=2.5mA
C：β=10 I CEO=0.5mA
18.某晶体三极管的P CM=100mW，I CM=20mA，U BR（CEO）=30V，如果将它接到Ic=15mA，U CE=20V
的电路中，则该管（）
A：被击穿B：工作正常
C：功耗太大过热甚至烧坏D：截止
19.用万用表RX1KΩ档测量一只正常的三极管，用红表笔接触一只管脚，黑表笔分别接触另外两
只管脚时，测得的电阻都很大，则该三极管是（）。
A：PNP型B：NPN型C：无法确定
20.用万用表的电阻档测得三极管任意两管脚间的电阻均很小，说明该管（）。
A：两个PN结均击穿B：两个PN结均开路
C：发射结击穿，集电结正常D：发射结正常，集电结击穿
四、综合题
1.三极管的主要功能是什么？三极管放大的外部条件是什么？
2.测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图2—3所示，在图中标出各管脚的电极名
称，并说明三极管是NPN还是PNP型？
3.根据图2—4所示的各晶体三极管电位数据，分析各管的情况，说明是放大、截止、饱
和或者哪个结已经开路或者短路。
4.若测得放大电路中的几个三极管三个引脚电位U1、U2、U3分别为下述数值，并判断它
们是硅管还是锗管，是NPN还是PNP型？并确定三个电极。
1)U1=2.5V，U2=6V，U3=1.8V
2)U1=-2.5V，U2=-6V，U3=-1.8V
3)U1=-6V，U2=-3V，U3=-2.8V
4)U1=-4.8V，U2=-5V，U3=0V
5.测得某放大电路中三极管各管脚间电压如图所示，问①②③各脚分别是什么电极？该
管是硅管还是锗管，是NPN还是PNP型？
6.已知某三极管P CM=100mW，I CM=20mA，U（BR）CEO=15V。试问下列哪种情况能正常工
作？哪种情况不能正常工作？为什么？
1)U CE=3V，I C=10mA
2)U CE=2V，I C=40mA
3)U CE=10V，I C=20mA
4)U CE=15V，I C=10mA
一、填空题
1.放大电路按三极管连接方式可分为、和；放大器
按放大信号的频率可分为、和等。
2.放大电路设置静态工作点的目的是。
3.放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。
4.放大电路工作在动态时，u CE、i B、i C都是由和分量两部分组成。
5.在共射极放大电路中，输出电压uo和输入电压ui相位。
6.为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值电压Uim 。并且要
大于发射结的。
7.画放大电路的直流通路时，把看成开路；
8.画放大电路的交流通路时，把和看成短路；
9.利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估
算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。
10.从放大电路输入端看进去的等效电阻称为放大器的，近似等于；从
放大器输出端看进去的等效电阻称为放大电路的，近似等于。
11.小功率三极管的输入电阻rbe= 。
12.对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电
阻些，以增大带负载的能力。
13.放大电路中，静态工作点设置得太高，会使ic的半周和uce的半周失真，称
为失真；静态工作点设置得太低，会使ic的半周和uce的半周失真，
称为失真。基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。
14.放大电路产生非线性失真的根本原因是。
15.如果放大电路的电源电压Ucc增大，其他条件不变，则放大器的静态工作点将移。
16.如果晶体三极管放大电路中Rc减小，其他条件不变，则晶体三极管负载线变。
17.共射极基本放大电路中，若R B=240KΩ，Rc=3KΩ，Ucc=12V，β=40，若忽略U BEQ，
则I BQ= ；I CQ= ；U CEQ= ，Au= 。
二、判断题
1.放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非
线性，会产生失真。（）
2.放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。（）
3.在共射极基本放大电路中，R B的作用一是提供合适的直流电压，二是通过它将集电极
电流的变化转化为电压的变化，以实现电压放大。（）
4.在共射极放大电路中，输出电压和输入电压同相。（）
5.放大器具有能量放大作用。（）
6.变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器，（）
7.信号源和负载不是放大器的组成部分，但它们对放大器有影响。（）
8.放大器在工作时，电路同时存在有直流分量和交流分量。（）
9.放大电路的电压放大倍数随负载RL而变化，RL越大，电压放大倍数越大。（）
10.放大电路的输出端不接负载，则放大器的交流负载线和直流负载线重合。（）
11.放大器的交流负载线比直流负载线陡。（）
12.放大器静态工作点过高时，在Ucc和Rc不变情况下，可增加基极电阻R B。（）
三、选择题
1.三极管构成放大器时，根据公共端的不同，有（）种连接方式。
A： 1 B： 2 C： 3 D： 4
2.放大器的静态是指（）。
A：输入信号为0 B：输出信号为0
C：输入、输出信号均为0 D：输入输出均不为0
3.表征放大器静态工作点的参数主要指（）。
A：I BQ B：I EQ C: U CEQ D: I CQ
4.放大器的静态是指输入信号（）三极管的工作点。
A：为零时B：为正时C：为负时D：很小时
5.低频放大电路放大的对象是电压、电流的（）。
A：稳定值B：变化量C：平均值D：直流量
6.放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常
为（）。
A：直流分量大B：交流分量大C：直流分量和交流分量相等D：以上均可
7.在共射极低频电压放大电路中，输出电压应视为（）。
A：u o=icRc B：u o=-βi B Rc C：u o=-i C R L’D：u o=-icRc
8.放大器输出信号的能量来源是（）。
A：电源B：晶体三极管C：输入信号D：均有作用
9.在单管共射极放大电路中，其输出电压uo输入电压（）。
A：频率相同B：波形相似C：幅度相同D：相位相反
10.放大器的交流通路是指（）。
A：电压回路B：电流通过的路径C：交流信号流通的路径D：直流信号流通的路径
11.放大器的电压放大倍数在（）时增大。
A：负载增加B：负载减小C：负载电阻不变D：电压升高
12.某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）。
A：衰减B：uoui同相C：放大D：Uoui反相
13.放大器的直流负载线是指（）条件下的负载线。
A：R L=Rc B：R L=0 C：R L无穷大D：R L=R B
14.当放大器设置合适的静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）。
A：沿直流负载线移动B：沿交流负载线移动C：不移动D：沿坐标轴移动
15.在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图2—6的
（）。
16.已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）。A：增大电阻R B B：减小电阻R B C：电阻R B不变
17.在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。
A：集电极电压U CE上升B：集电极电压U CE下降C：基极电流不变D：基极电流随着增大
18.共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平
顶失真，则这种失真为（）失真。
A：截止B：饱和C：非线性D：频率
19.共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现失
真，应采取（）的办法。
A：减小R B B：增大R B C：减小R C D：增大R C
20.NPN晶体三极管放大电路输入正弦波时，输出波形如图2—7所示，则引起波形失真
的原因是（）
A：Q点太高B：Q点太低C：Q点合适，但输入信号太大
21.能正常调整Q点的电路是图2—8中的（）。
图2—8
四、综合题
1、判断图2—9所示电路有无正常的电压放大作用。
2、画出图2—10所示电路的之流通路和交流通路。
直流通路交流通路
直流通路交流通路
直流通路交流通路图2—10
3、图2—11所示为共射极基本放大电路，其中Ucc=12V，Rc=3KΩ，U BE忽略不计。（1）若RB=400KΩ，β=50，试求静态工作点Q。
（2）若要把UCEQ调到2.4V，RB应调到多大阻值？
（3）若要把ICQ调到1.6mA，RB应调到多大阻值？
图2—11
4、如图2—11所示，在电路中，Ucc=15V，RB=300KΩ，RC=3KΩ，RL=6KΩ，β=50.求：
（1）放大电路的输入电阻、输出电阻；
（2）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数。
5、图2—11所示为NPN型三极管组成的单管放大电路，已知Ucc=12V，RB=400 KΩ，RC=4KΩ，
β=40.
（1）求静态工作点的值；
（2）若将原三极管换成β=90的另一个同类型三极管，电路能否正常工作？
一、填空题
1.影响放大电路Q点稳定的因素有的波动、因老化而发生变化
和变化等，其中的影响最大。
2.温度升高时，放大电路的Q点会上升，可能引起失真，为使工作点稳定，通常采
用电路。
3.在分压式偏置电路中，已知R B1=20KΩ，R B2=10KΩ，Rc=2 KΩ，R E=2 KΩ，Ucc=12V，β
=50，R L=2KΩ，忽略U BE，则I CQ= ，I BQ= ，Au= 。
二、判断题
1.造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。（）
2.固定偏置放大器的缺点是Q点不稳定。（）
3.放大电路的Q点一经设定后，不会受外界因素的影响。（）
4.稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流。（）
5.实际放大电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大。（）
6.分压式偏置电路中，为使工作点稳定，R E的值应足够小，R B1和R B2应足够大。
三、选择题
1.影响放大器工作点稳定的主要因素是（）。
A：β值B：穿透电流C：温度D: 频率
2.当温度升高时，会造成放大器的（）。
3.在分压式偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻R E的自动调节，会使（）。
A：U BE降低B：I B降低C：I C降低D: I C升高
四、综合题
在图2—13所示电路中，R B1=60KΩ，R B2=20KΩ，R,C=3KΩ，R,E=2KΩ，R,L=6KΩ，Ucc=16V，
β=50.求：
（1）Q点
（2）输入电阻和输出电阻。
（3）空载和带负载两种情况下的电压放大倍数。
（4）若将三极管换成一只β=30的同类晶体三极管，判断该放大器能否正常工作。（5）分析电路在环境温度升高时稳定Q点的过程。
图2—13
一、填空题
1.多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和光电耦合。
2.多级放大器中每一级放大电路的电压放大倍数分别为Au1、Au2……Aun，则总的电压放大
倍数为Au= 。
二、判断题
1.采用阻容耦合的放大电路。前后级的静态工作点互相影响。（）
2.采用变压器耦合的放大电路。前后级的静态工作点互不影响。（）
3.采用直接耦合的放大电路。前后级的静态工作点互相牵制。（）
4.分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。（）
5.多级放大器总的放大倍数等于各级放大倍数之和。（）
三、选择题
1.某多级放大电路由三级基本放大电路组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数
为（）。
A：3Au B：Au3C：Au
2.变压器耦合多级放大器中，下列说法错误的是（）。
A：放大直流信号B：放大缓慢的信号C：便于集成化D: 各级Q点互不影响3.阻容耦合多级放大器的输入电阻等于（）。
A：第一级输入电阻B：各级输入电阻之和C：各级输入电阻之积
4.一个三级放大器，工作时测得Au1=100，Au2=-50，Au3=1，则总的电压放大倍数是（）。
A：51 B：100 C：-5000 D: 1
5.多级放大器常见的耦合方式有（）。
A：直接耦合B：阻容耦合C：变压器耦合D: 光电耦合
6.阻容耦合多级放大器（）。
7.直接耦合多级放大器（）。
电子技术应用专业人才培养方案 烟台汽车工程职业学院 2011年6月
目录 一、专业名称 0 二、教育类型及学历层次 0 三、招生对象 0 四、学制 0 五、人才培养目标 0 六、服务面向与人才培养规格 0 七、教学进度安排 (2) 八、专业核心课程简介 (3) 九、典型工作任务 (6) 十、实践环节安排 (6) 十一、毕业条件 (8) 十二、教学团队保障 (9) 十三、教学条件保障 (11) 十四、机制与制度保障 (12)
一、专业名称 电子技术应用专业 二、教育类型及学历层次 教育类型：中等职业教育 学历层次：中专 三、招生对象 应届初中毕业生 四、学制 三年 五、人才培养目标 电子技术应用专业坚持育人为本，德育为先，培养德、智、体、美全面发展，掌握电子技术应用的理论知识，具有较高的综合职业能力，胜任电子产品和电子设备的生产、检测、维修与管理以及电子产品采购、销售与服务等电子及相关行业生产、建设、服务和管理第一线岗位的技能型专门人才。 六、服务面向与人才培养规格 （一）服务面向
序号就业岗位 1 电子产品生产、检测、维修、管理 2 电子产品的设计与制作 3 电子产品技术咨询与服务 4 电子设备维护、使用、检测 5 电子产品采购、销售 （二）人才培养规格 1.社会能力 （1）具有诚信品质、敬业精神和责任意识、遵纪守法意识； （2）具有较强的口头与书面表达能力、人际沟通能力和社会能力； （3）具有对新技术与新知识的学习能力和解决问题的方法能力； （4）适应市场竞争能力，具备较强的竞争实力和承受压力的能力； （5）具有良好的人际交流能力、团队合作精神；具有实践能力、创新能力、就业能力和创业能力； （6）加强素质教育，进行外语、计算机方面的能力培养，取得国家承认的相关证书。 2.专业能力 （1）掌握计算机应用的基本知识和能力； （2）掌握计算机软、硬件基础知识； （3）掌握电子信息技术专业的基本理论和专业能力； （4）掌握生产第一线的设备管理与技术管理知识； （5）正确掌握电子线路的分析与设计方法； （6）具备电子信息产品的安装、调试、检测和维护的能力； （7）具备熟练应用电子电路常用的辅助设计软件的能力； （8）具备用传感器及传感技术对参数检测的能力； （9）能够识别和绘制电路原理图和零器件图； （10）具备分析电路，设计和实现简单电路的能力； （11）能够熟悉应用整流、稳压、放大、振荡电路与可控整流电路； （12）具备对常用模拟电路进行分析、调试能力；
一、 选择题（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1、下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 2、硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时，工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用，c 、b 、e 三个电极的电位必须符合：（ ） A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题（（本题共5小题，每空2分，共20分） 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体，掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极，N 区接电源 极，称正向偏置，二极 管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是：发射结加 电压，集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安 时，集电极电流从1毫安变为2.2毫安，则该三极管的β约为 。 三、计算题（本题共5小题，共70分） 1、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电 路的输出电压AB U 。（设二极管为硅管，导通压降为0.7V ） （15分） 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=，基极电流A I B μ40=，求集电极电流C I 的数值。 （10分）
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。 年份总产值 (亿元) 增长 率 (%) 投资类消费类元器件类 总产值 (亿元) 增长率 (%) 总产值 ( 亿元) 增长率 (%) 总产值 (亿元) 增长率 (%) 三大类产品总 产值比例(%) 表2 电子工业发展速度与占全国工业总产值的比重 职教中心电子技术应用专业调研报告 中等职业学校电子技术应用专业主要培养面向电子产品制造一线的电子产品装配、调试、维修、检验及生产设备操作人员。根据教育部制定的重点建设专业目录所规定的内涵，它包括了电子声像 设备、电子产品营销等若干个专门化课程。 一、电子技术应用专业人才需求分析 电子信息产业是我国国民经济的支柱产业，从电子工业总产值看，平均每年的增长率达到了 30%( 表1)，预计在今后的五年内将保持20%以上的增长率，电子工业总产值占全国工业总产值的比 例也在逐年增加(表2)，反映出电子信息产业蓬勃发展、欣欣向荣的良好势头。 表1 电子工业总产值统计表 1995 2 470.7 662.0 947.7 861.0 26.8 38.4 34.8 1996 3 042.5 23.1 1 016.7 53.6 1 081.2 14.1 944.6 9.68 33.4 35.6 31.0 1997 4 001.5 31.5 1 238.3 21.8 1 496.1 38.4 1 267.1 34.1 30.9 37.4 31.7 1998 5 482.3 37.0 2 013.8 62.6 2 045.1 36.7 1 423.4 12.3 36.7 37.3 26.0 年份1980 1985 1990 1995 1998 电子工业总产值(亿元) 100.2 286.4 698.1 2 470.9 5 482.4 占全国工业总产值(%) 2.02 3.45 4.9 4.2 7 我国的电子产品制造业主要是以加工业或制造业为主，行业的发展在最近几年里出现了一些新 的势头，一是合资企业的比例正在不断地增大，根据电子工业2000 年实现工业总产值7 000 亿元的目标，预计“九五”期间新增利用外资至少要在30 亿美元以上；二是电子整机产品加快国产化；三 是各企业都向专业化发展，以求取得规模效益；四是企业为技术改造投入的资金大幅度增长。 产业的发展必然带来对人才需求的增长，技术的进步必然要求人员素质的提高。许多企业一方面为了提高人员效率而精简缺乏专业技能的冗余人员，另一方面又大量引入急需的专业技术人员。从近几年 毕业生的就业情况看，各个行业中，电子信息行业的毕业生就业率一直处在前列。 电子产品制造业是一个高技术产业，它对人才的需求具有明显的两方面特点，一是具有高学历 的开发、研究、创造性人才，二是具有较熟练操作技能的中等职业技术人员。以江苏的苏州工业园 区为例，整个园区内具有大专以上学历的专业人员约占17%，这些人员主要是从事电子产品的开发、 研究以及高层次的生产管理，而70%以上员工是职业学校的毕业生，这些人员主要从事装配、调试、维修及生产一线的管理工作。 二、电子技术应用专业的现状 技工学校、职业高中或职教中心办的 3 年制电子技术应用专业，这些学校总体上看在职业教育 方面有自己的特色，比较强调技能训练，特别是技工学校，与企业结合比较紧密，有相当多的教师 直接来自企业或从企业聘请，这些教师从事一线工作的时间长，经验较丰富，比较适合职业教育。 三、电子技术应用专业教学指导方案研究 《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性. (10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 重庆市黔江区民族职业教育中心 电子技术应用专业技能考核标准 一、目前学校技能训练目标实现情况 我们招收的学生绝大多数是初中毕业生，技能基础处于同一起跑线，大多数学生对技能训练兴趣很浓，喜欢动手去做，是学校老师的共识，但学生缺乏自觉性，学校又缺乏这方面的严格管理，缺乏对老师严格的考核制度和考核标准。不像普通教育那样，同一年级同一学科的成绩可以比较，一个学期结束，或者一个课题完成，仍然以理论成绩考核为主，不重视操作成绩的考核，既无纵向比较又没有横向比较，奖惩机制不健全，让绝大多数学生没有达到预期技能训练目标，一个人会做和二十个会做是一个心太，只看技能训练任务的完成，不重视结果的考核，结果老师和学生都没有压力，这与我们学校没有制订严格的技能训练目标的量化考核制度、考核标准有直接的关系。 二、建立合理的奖惩制度，提高技能训练指导老师的积极性 实现“模块”技能训练的高目标，我们的技能训练指导老师是要付出很多的心血，牺牲很多的休息时间，加大了工作力度和工作量,同时对指导教师提出更高的要求，不但是理论教学老师，实习指导老师，而且还要有丰富的实践经验，较强的组织能力，我们学校的专业老师面临向“双师型”老师过渡。我们老师应立足学校现有的实验实习设备和场地制订各“模块”技能训练任务、目标、量化考核标准，建立合理的奖惩制度、激励机制，酝造好的教学氛围，当我们的指导老师完成各“模块”技能训练教高目标并达到规定的量化考核标准时，我们应该给予适当的物质奖励和精神奖励，如“优秀实习指导教师”和相应的“技能训练目标实现班级”等称号，如没有达到规定的技能训练目标，应给予适当的物质惩罚，设立模块技能训练量化考核达标奖，以提高老师的教学积极性、主动性，增强其技能训练教学中老师的动力。做到奖惩分明，体现能者多劳多得，这样既给老师动力又有压力。 三、制订合理的“学期”或“月”技能训练目标 我们每个专业各“模块”的技能训练目标，有的是一个月可以完成，有的是 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 ★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 电子技术应用专业人才培养方案 时间：2013-08-28 13:11:59 来源：作者： 前言 电子产业是一项新兴的高科技产业，一直被称为产业。目前我国已成为世界电子产业大国，包括电子产品设备的制造、电子元器件的制造、IC设计与制造、封装测试、消费类电子的生产等。近些年中国电子设备制造业每年以10％－20％的速度增长，生产规模已经据世界第三位，电子设备制造企业对不同层次的人才需求也越来越大。 “十二五”期间，省将巩固发展电子产业链，相继落户的中芯国际项目和项目是建国以来可与神龙项目相媲美的重大战略性投资项目。根据项目规划，产业园将总共吸纳15—20万各类人员就业。省信息产业人才自今年起每年的需求将达到3万人，到2015年，全省信息产业人才总量将由去年的12万人增长至24万人，其中电子技术应用行业的技术蓝领需求最旺，为本专业的发展提供了新的历史机遇。 市作为鄂中重镇，下辖一市二县三区，常驻人口380万人，经济总量在省位居第7名，电子及相关产业是本市支柱产业之一，肩负着推进经济增长和人民就业的重要历史使命，也是解决三农问题的重要推手。 经过多年的建设和发展，我校电子专业在省外中职学校中享有一定的知名度，在省、市级电子技能竞赛获得各级各类奖项40余人次。在师资队伍建设、实训基地建设、课程及教材、“校企融合、教产一体”的工学结合人才培养模式建设等方面在同类学校中处于领先水平，是省重点专业和品牌专业。 一、指导思想 本人才培养方案以科学发展观为指导，以市场需求为导向，以能力为本位，以岗位需求和职业标准为依据，以培养学生综合职业能力为目标，结合我国电子行业当前发展的人才要求，注重本专业的课程体系、教学容与企业的实际需求相适应，按照工学结合、校企合作的理念，构建具有时代特色的电子技术应用专业课程体系，创新人才培养模式，全面实现电子技术应用专业中级技能人才的培养目标。 二、培养目标与规格 （一）专业名称 电子技术应用(代码: ) 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。 ★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 电子技术应用电子技术应用的意思 电子技术应用是什么?有什么样的发展前景呢?下面是为大家的 电子技术应用的意思，欢迎阅读!希望对大家有所帮助! 概述： 电子应用技术，培养能掌握现代电子设备与通讯信息系统等方 面的专业知识，得到应用电子技术实践的基本训练，具备安装、管理和维修各种电子通讯设备、工业电视、宽带接入的能力的专门人才。 主要课程： 计算机操作及应用、电工原理、电子技术、逻辑设计、微机原理、高频电路、电子线路CAD、电子线路设计与工艺、PCB设计与制作、工业电视、检测技术、单片机技术、PLC、计算机网络技术、家 电维修技术、通信原理、机械制图等。电子电工(大专及本科叫电气 工程及自动化或电气自动化) 业务培养目标：本专业培养能够从事与电气工程有关的系统运行、自动控制、电力电子技术、信息处理、试验分析、研制开发、经济管理以及电子与计算机技术应用等领域工作的宽口径“复合型”高级工程技术人才。? 业务培养要求：本专业学生主要学习电工技术、电子技术、信 息控制、计算机技术等方面较宽广的工程技术基础和一定的专业知识。本专业主要特点是强弱电结合、电工技术与电子技术相结合、软件与硬件结合、元件与系统结合，学生受到电工电子、信息控制及计算机技术方面的基本训练，具有解决电气工程技术分析与控制技术问题的基本能力。 本段专业介绍： 湖南信息职业技术学院应用电子技术专业是湖南省教改试点专业、省级精品专业、省级教学团队、省级重点实习实训基地。 就业方向 本专业方向培养具备智能电子产品设计、质量检测、生产管理等方面的基本理论知识和基本技能，能在电子领域和部门生产第一线从事智能电子产品的设计与开发、质量检测、生产管理、智能电子产品的销售和技术支持技能应用型人才。毕业生就业主要在电子企业、电子公司和事业单位从事数控设备或仪表、家电控制系统、智能玩具、汽车电子、工业控制网络通信设备、医疗仪器、环境监控等产品的生产检测、维修、调试、生产管理和销售工作。实训环节 电子技能实训、基于数控的高保真功放的电子综合实训、自动检测技术实训、基于AT89S51单片机应用与开发综合实训、MP3数码产品的设计实训、专业综合实训、顶岗实习、毕业实习和毕业设计。 就业优势 电子信息业是全国五大支柱产业、湖南省七大战略性新兴产业。随着物联网、FPGA、嵌入式等高新技术的不断创新与发展，极大刺激了应用电子技术专业人才需求。湖南信息职业技术学院本专业主要面向智能电子产品设计开发(电路设计/PCB设计/软件设计)、工业生产管理(生产运行管理/质量控制/产品检测/工艺实施)和市场信息服务(技术支持/产品营销/运营管理)等岗位。合作企业主要有：湖南电子 电子技术应用专业人才培养方案 一、专业名称与培养方向 电子技术应用 代码：091300 培养方向：以工业控制、电子产品和对口升高职院校为主、以数字视听、 汽车电子为辅。 二、招生对象与基本学制 招收初中毕业生或具有同等学力者，基本学制三年。 三、毕业学分 170+3分(其中3分为技能学分) 四、培养目标 培养与我国社会主义现代化建设要求相适应，德、智、体、美全面发展，具有综合职业能力，在生产、服务一线工作的高素质劳动者和技术技能人才。面向电子信息、电子电气等行业企业，培养具有基本的科学文化素养，良好的职业道德，较强的就业能力和一定的创业能力，从事电子电工产品与设备的生产、安装、调试、检测、使用、维修、营销及生产管理等岗位工作的人才，兼顾学生进一步深造学习的需求。 五、职业范围 六、人才规格 本专业毕业生应具有以下职业素养、专业知识和技能。 （—）职业素养 1.热爱社会主义祖国，将实现自身价值与服务祖国人民相结合，树立社会主义民主观念和遵纪守法意识，遵守职业岗位规范；树立劳动观点，养成良好的劳动习惯，增强实践能力；树立尊重自然、顺应自然、保护自然的生态文明理念；树立正确的职业理想，形成正确的就业观、创业观，做好适应社会、融入社会、就业创业准备。 2.具有社会公德、职业道德意识和文明行为习惯，自觉践行社会主义核心价值观。 3.具有健全的人格、良好的心理品质和健康的身体，培养诚实守信、爱岗敬业、团结互助、勤俭节约、艰苦奋斗的优良品质，提高应对挫折、合作与竞争、适应社会的能力。 4.具有基本的欣赏美和创造美的能力。 5.具备从事电子信息行业所需的独立思考、获取信息、分析判断和学习新知识的能力。 6.具有从事电子信息行业所要求的质量保证意识和严格按照规章和规范操作的工作作风，以及较强的安全文明生产与节能环保的意识。 7.具有良好的人际交往与团队协作能力，具有积极的职业竞争和服务的意识，工作责任感强，工作执行力强。 8.具备从事电子信息行业所需的较强的创新能力和自主创业意识。 （二）专业知识和技能 1.能熟练操作计算机，熟练使用常用办公和工具软件； 2.学会电子电路基础知识，读懂电子电路基本原理，熟练进行电子电路基本实验操作，具备分析电子电路、使用常用电子工具、仪器和仪表的基本能力； 3.学会电工基础知识，具备电工操作基本能力，具备使用常用电工工具和仪表的能力； 4.学会电子产品装配基础知识和基本工艺要求，熟悉电子产品装配的工艺与流程，具备装配、调试和检验常见电子产品、电子设备的能力； 中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲 线 （） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 电子技术应用专业岗位分析报告 （初稿） 我校“国家中等职业教育改革发展示范学校建设”正如火如荼的开展，2012年12月5日至12月14日，电子技术应用专业部张立炎、郭达恩、朱儒华、吴峰良、陈春明、黄晓欣、雷彦维等七位老师先后赴清远欣强电子有限公司、伟易达（东莞）通讯设备有限公司、深圳中宇元一数码科技有限公司、惠州市光弘电子科技有限公司等四家良好合作企业的生产主管、工程师、技术员、维修员、人事部主管就人才培养模式改革和课程体系建设进行了访谈，调查的目的是做好人才培养模式改革与课程体系建设的工作，对电子技术应用专业培养学生的核心技能进行准确定位，为国家中等职业教育改革发展示范学校建设的校企合作、师资队伍建设项目做好铺垫。 一、调研目的 通过此次调研为国家中等职业教育改革发展示范校建设电子技术与应用专业的人才培养模式和课程体系改革提供第一手数据资料，具体体现为： 1．通过对毕业生就业岗位及岗位群分布的调研分析，了解电子技术应用专业的服务岗位群，确定本专业人才培养模式如何实现学校与企业、专业设置与职业岗位相对接的目标。 2．通过对毕业生就业岗位的调研分析，确定学生文化基础、职业道德、职业素养、职业技能和就业创业能力等综合素质的培养要求。 3．通过对企业对毕业生就业岗位需求、专业知识、专业技能等方面要求的调研，确立本专业的课程体系、课程标准，和本专业的培养目标。实现课程、教材与职业标准对接。 4.通过对中职生就业典型岗位的分析，创新教学方式。建立电子技术应用专业的教材建设机制，研发适应新兴产业、职业岗位、与生产过程相对接的理实一体教材和项目教材。 5．通过毕业生对学校教学工作的建议和企业对毕业生的社会能力、职业素养的具体要求的调研分析，根据产业发展规划和企业用人需要，确立动态设置专业及课程体系、创新教材使用方式，实现教材、教辅、教具、学具、课件和网站等多种介质的立体化融合.(完整版)电子技术复习题(答案)
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