北京中投信德国际信息咨询有限公司半导体硅片抛光液项目
可行性研究报告
编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司
工程师：高建
北京中投信德国际信息咨询有限公司
半导体硅片抛光液项目
可行性研究报告
项目委托单位：XXXXXXXX有限公司
项目编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司发证机关：北京市工商行政管理局
注册号：110106013054188
法人代表：杨军委
项目组长；高建
编制人员：
白惠工程师
朱光明工程师
李道峰工程师
金惠子工程师
秦珍珍工程师
审定：郝建波
项目编号：ZTXDBJ-20170322-5
编制日期：2017年X月
关于半导体硅片抛光液项目可行性研究报
告编制说明
（模版型）
【立项批地融资招商】
核心提示：
1、本报告为模版形式，客户下载后，可根据报告内容说明，自行修改，补充上自己项目的数据内容，即可完成属于自己，高水准的一份可研报告，从此写报告不在求人。
2、客户可联系我公司，协助编写完成可研报告，可行性研究报告大纲（具体可跟据客户要求进行调整）
编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司
工程师：高建
目录
第一章总论 (10)
1.1项目概要 (10)
1.1.1项目名称 (10)
1.1.2项目建设单位 (10)
1.1.3项目建设性质 (10)
1.1.4项目建设地点 (10)
1.1.5项目主管部门 (10)
1.1.6项目投资规模 (11)
1.1.7项目建设规模 (11)
1.1.8项目资金来源 (12)
1.1.9项目建设期限 (12)
1.2项目建设单位介绍 (12)
1.3编制依据 (12)
1.4编制原则 (13)
1.5研究范围 (14)
1.6主要经济技术指标 (14)
1.7综合评价 (15)
第二章项目背景及必要性可行性分析 (16)
2.1项目提出背景 (16)
2.2本次建设项目发起缘由 (16)
2.3项目建设必要性分析 (16)
2.3.1促进我国半导体硅片抛光液产业快速发展的需要 (17)
2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (17)
2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (17)
2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (17)
2.3.5提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要 (18)
2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (18)
2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (19)
2.4项目可行性分析 (19)
2.4.1政策可行性 (19)
2.4.2市场可行性 (19)
2.4.3技术可行性 (20)
2.4.4管理可行性 (20)
2.4.5财务可行性 (20)
2.5半导体硅片抛光液项目发展概况 (21)
2.5.1已进行的调查研究项目及其成果 (21)
2.5.2试验试制工作情况 (21)
2.5.3厂址初勘和初步测量工作情况 (22)
2.5.4半导体硅片抛光液项目建议书的编制、提出及审批过程 (22)
2.6分析结论 (22)
第三章行业市场分析 (24)
3.1市场调查 (24)
3.1.1拟建项目产出物用途调查 (24)
3.1.2产品现有生产能力调查 (24)
3.1.3产品产量及销售量调查 (25)
3.1.4替代产品调查 (25)
3.1.5产品价格调查 (25)
3.1.6国外市场调查 (26)
3.2市场预测 (26)
3.2.1国内市场需求预测 (26)
3.2.2产品出口或进口替代分析 (27)
3.2.3价格预测 (27)
3.3市场推销战略 (27)
3.3.1推销方式 (28)
3.3.2推销措施 (28)
3.3.3促销价格制度 (28)
3.3.4产品销售费用预测 (28)
3.4产品方案和建设规模 (29)
3.4.1产品方案 (29)
3.4.2建设规模 (29)
3.5产品销售收入预测 (30)
3.6市场分析结论 (30)
第四章项目建设条件 (22)
4.1地理位置选择 (31)
4.2区域投资环境 (32)
4.2.1区域地理位置 (32)
4.2.2区域概况 (32)
4.2.3区域地理气候条件 (33)
4.2.4区域交通运输条件 (33)
4.2.5区域资源概况 (33)
4.2.6区域经济建设 (34)
4.3项目所在工业园区概况 (34)
4.3.1基础设施建设 (34)
4.3.2产业发展概况 (35)
4.3.3园区发展方向 (36)
4.4区域投资环境小结 (37)
第五章总体建设方案 (38)
5.1总图布置原则 (38)
5.2土建方案 (38)
5.2.1总体规划方案 (38)
5.2.2土建工程方案 (39)
5.3主要建设内容 (40)
5.4工程管线布置方案 (40)
5.4.1给排水 (40)
5.4.2供电 (42)
5.5道路设计 (44)
5.6总图运输方案 (45)
5.7土地利用情况 (45)
5.7.1项目用地规划选址 (45)
5.7.2用地规模及用地类型 (45)
第六章产品方案 (46)
6.1产品方案 (46)
6.2产品性能优势 (46)
6.3产品执行标准 (46)
6.4产品生产规模确定 (46)
6.5产品工艺流程 (47)
6.5.1产品工艺方案选择 (47)
6.5.2产品工艺流程 (47)
6.6主要生产车间布置方案 (47)
6.7总平面布置和运输 (48)
6.7.1总平面布置原则 (48)
6.7.2厂内外运输方案 (48)
6.8仓储方案 (48)
第七章原料供应及设备选型 (49)
7.1主要原材料供应 (49)
7.2主要设备选型 (49)
7.2.1设备选型原则 (50)
7.2.2主要设备明细 (50)
第八章节约能源方案 (52)
8.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范 (52)
8.2建设项目能源消耗种类和数量分析 (52)
8.2.1能源消耗种类 (52)
8.2.2能源消耗数量分析 (52)
8.3项目所在地能源供应状况分析 (53)
8.4主要能耗指标及分析 (53)
8.4.1项目能耗分析 (53)
8.4.2国家能耗指标 (54)
8.5节能措施和节能效果分析 (54)
8.5.1工业节能 (54)
8.5.2电能计量及节能措施 (55)
8.5.3节水措施 (55)
8.5.4建筑节能 (56)
8.5.5企业节能管理 (57)
8.6结论 (57)
第九章环境保护与消防措施 (58)
9.1设计依据及原则 (58)
9.1.1环境保护设计依据 (58)
9.1.2设计原则 (58)
9.2建设地环境条件 (58)
9.3 项目建设和生产对环境的影响 (59)
9.3.1 项目建设对环境的影响 (59)
9.3.2 项目生产过程产生的污染物 (60)
9.4 环境保护措施方案 (61)
9.4.1 项目建设期环保措施 (61)
9.4.2 项目运营期环保措施 (62)
9.4.3环境管理与监测机构 (63)
9.5绿化方案 (64)
9.6消防措施 (64)
9.6.1设计依据 (64)
9.6.2防范措施 (64)
9.6.3消防管理 (66)
9.6.4消防设施及措施 (66)
9.6.5消防措施的预期效果 (67)
第十章劳动安全卫生 (68)
10.1 编制依据 (68)
10.2概况 (68)
10.3 劳动安全 (68)
10.3.1工程消防 (68)
10.3.2防火防爆设计 (69)
10.3.3电气安全与接地 (69)
10.3.4设备防雷及接零保护 (69)
10.3.5抗震设防措施 (70)
10.4劳动卫生 (70)
10.4.1工业卫生设施 (70)
10.4.2防暑降温及冬季采暖 (71)
10.4.4照明 (71)
10.4.5噪声 (71)
10.4.6防烫伤 (71)
10.4.7个人防护 (71)
10.4.8安全教育 (72)
第十一章企业组织机构与劳动定员 (73)
11.1组织机构 (73)
11.2激励和约束机制 (73)
11.3人力资源管理 (74)
11.4劳动定员 (74)
11.5福利待遇 (75)
第十二章项目实施规划 (76)
12.1建设工期的规划 (76)
12.2 建设工期 (76)
12.3实施进度安排 (76)
第十三章投资估算与资金筹措 (77)
13.1投资估算依据 (77)
13.2建设投资估算 (77)
13.3流动资金估算 (78)
13.4资金筹措 (78)
13.5项目投资总额 (78)
13.6资金使用和管理 (81)
第十四章财务及经济评价 (82)
14.1总成本费用估算 (82)
14.1.1基本数据的确立 (82)
14.1.2产品成本 (83)
14.1.3平均产品利润与销售税金 (84)
14.2财务评价 (84)
14.2.1项目投资回收期 (84)
14.2.2项目投资利润率 (85)
14.2.3不确定性分析 (85)
14.3综合效益评价结论 (88)
第十五章风险分析及规避 (90)
15.1项目风险因素 (90)
15.1.1不可抗力因素风险 (90)
15.1.3市场风险 (90)
15.1.4资金管理风险 (91)
15.2风险规避对策 (91)
15.2.1不可抗力因素风险规避对策 (91)
15.2.2技术风险规避对策 (91)
15.2.3市场风险规避对策 (91)
15.2.4资金管理风险规避对策 (92)
第十六章招标方案 (93)
16.1招标管理 (93)
16.2招标依据 (93)
16.3招标范围 (93)
16.4招标方式 (94)
16.5招标程序 (94)
16.6评标程序 (95)
16.7发放中标通知书 (95)
16.8招投标书面情况报告备案 (95)
16.9合同备案 (95)
第十七章结论与建议 (96)
17.1结论 (96)
17.2建议 (96)
附表 (97)
附表1 销售收入预测表 (97)
附表2 总成本表 (98)
附表3 外购原材料表 (99)
附表4 外购燃料及动力费表 (100)
附表5 工资及福利表 (101)
附表6 利润与利润分配表 (102)
附表7 固定资产折旧费用表 (103)
附表8 无形资产及递延资产摊销表 (104)
附表9 流动资金估算表 (105)
附表10 资产负债表 (106)
附表11 资本金现金流量表 (107)
附表12 财务计划现金流量表 (108)
附表13 项目投资现金量表 (110)
附表14 借款偿还计划表 (112)
............................................ 错误！未定义书签。
第一章总论
总论作为可行性研究报告的首章，要综合叙述研究报告中各章节的主要问题和研究结论，并对项目的可行与否提出最终建议，为可行性研究的审批提供方便。总论章可根据项目的具体条件，参照下列内容编写。（本文档当前的正文文字都是告诉我们在该处应该写些什么，当您按要求写出后，这些说明文字的作用完成，就可以删除了。编者注）
1.1项目概要
1.1.1项目名称
企业或工程的全称，应和项目建议书所列的名称一致
1.1.2项目建设单位
承办单位系指负责项目筹建工作的单位，应注明单位的全称和总负责人
1.1.3项目建设性质
新建或技改项目
1.1.4项目建设地点
XXXX工业园区
1.1.5项目主管部门
注明项目所属的主管部门。或所属集团、公司的名称。中外合资项目应注明投资各方所属部门。集团或公司的名称、地址及法人代表的姓名、国籍。
1.1.6项目投资规模
本次项目的总投资为XXX万元，其中，建设投资为XX万元（土建工程为XXX万元，设备及安装投资XXX万元，土地费用XXX万元，其他费用为XX万元，预备费XX万元），铺底流动资金为XX万元。
本次项目建成后可实现年均销售收入为XX万元，年均利润总额XX 万元，年均净利润XX万元，年上缴税金及附加为XX万元，年增值税为XX万元；投资利润率为XX%，投资利税率XX%，税后财务内部收益率XX%，税后投资回收期(含建设期)为5.47年。
1.1.7项目建设规模
主要产品及副产品品种和产量，案例如下：
本次“半导体硅片抛光液产业项目”建成后主要生产产品：半导体硅片抛光液
达产年设计生产能力为：年产半导体硅片抛光液产品XXX(产量)。
项目总占地面积XX亩，总建筑面积XXX.00平方米；主要建设内容及规模如下：
主要建筑物、构筑物一览表
工程类别工段名称层数占地面积（m2）建筑面积（m2）
1、主要生产系统生产车间1 1 生产车间2 1 生产车间3 1 生产车间4 1 原料库房 1 成品库房 1
2、辅助生产系统
办公综合楼8 技术研发中心 4 倒班宿舍、食堂 5 供配电站及门卫室 1
其他配套建筑工程 1
合计
行政办公及生活设施占地面积
3、辅助设施道路及停车场 1 绿化 1
1.1.8项目资金来源
本次项目总投资资金XX.00万元人民币，其中由项目企业自筹资金XX.00万元，申请银行贷款XX.00万元。
1.1.9项目建设期限
本次项目建设期从2018年XX月至2019年XX月，工程建设工期为XX个月。
1.2项目建设单位介绍
项目公司简介
1.3编制依据
在可行性研究中作为依据的法规、文件、资料、要列出名称、来源、发布日期。并将其中必要的部分全文附后，作为可行性研究报告的附件，这些法规、文件、资料大致可分为四个部分：
项目主管部门对项目的建设要求所下达的指令性文件；对项目承办单位或可行性研究单位的请示报告的批复文件。
可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件。
国家和拟建地区的工业建设政策、法令和法规。
根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料。
案例如下：
1.《中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要》；
2.《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020）》；
3.《产业“十三五”发展规划》；
4.《本省国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》；
5.《国家战略性新兴产业“十三五”发展规划》；
6.《国家产业结构调整指导目录（2011年本）》；
7.《建设项目经济评价方法与参数及使用手册》（第三版）；
8.《工业可行性研究编制手册》；
9.《现代财务会计》；
10.《工业投资项目评价与决策》；
11.项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据；
12.国家公布的相关设备及施工标准。
1.4编制原则
（1）充分利用企业现有基础设施条件，将该企业现有条件（设备、场地等）均纳入到设计方案，合理调整，以减少重复投资。
（2）坚持技术、设备的先进性、适用性、合理性、经济性的原则，采用国内最先进的产品生产技术，设备选用国内最先进的，确保产品的质量，以达到企业的高效益。
（3）认真贯彻执行国家基本建设的各项方针、政策和有关规定，执行国家及各部委颁发的现行标准和规范。
（4）设计中尽一切努力节能降耗，节约用水，提高能源的重复利用率。
（5）注重环境保护，在建设过程中采用行之有效的环境综合治理措施。
（6）注重劳动安全和卫生，设计文件应符合国家有关劳动安全、劳动卫生及消防等标准和规范要求。
1.5研究范围
本研究报告对企业现状和项目建设的可行性、必要性及承办条件进行了调查、分析和论证；对产品的市场需求情况进行了重点分析和预测，确定了本项目的产品生产纲领；对加强环境保护、节约能源等方面提出了建设措施、意见和建议；对工程投资、产品成本和经济效益等进行计算分析并作出总的评价；对项目建设及运营中出现风险因素作出分析，重点阐述规避对策。
1.6主要经济技术指标
项目主要经济技术指标表
序号项目名称单位数据和指标
一主要指标
1 总占地面积亩
2 总建筑面积㎡
3 道路㎡
4 绿化面积㎡
5 总投资资金，其中：万元
建筑工程万元
设备及安装费用万元
土地费用万元
二主要数据
1 达产年年产值万元
2 年均销售收入万元
3 年平均利润总额万元
4 年均净利润万元
5 年销售税金及附加万元
6 年均增值税万元
7 年均所得税万元
8 项目定员人
9 建设期月
三主要评价指标
1 项目投资利润率% 29.80%
2 项目投资利税率% 40.55%
3 税后财务内部收益率% 18.97%
4 税前财务内部收益率% 26.51%
5 税后财务静现值(ic=10%)万元
6 税前财务静现值(ic=10%)万元
7 投资回收期(税后)含建设期年 5.47
8 投资回收期(税前)含建设期年 4.36
9 盈亏平衡点% 45.18%
1.7综合评价
本项目重点研究“半导体硅片抛光液产业项目”的设计与建设，项目的建设将充分利用现有人才资源、技术资源、经验积累等，逐步在项目当地形成以市场为导向的规模化半导体硅片抛光液生产基地，以研发和生产半导体硅片抛光液为主，以满足当前市场的极大需求，进而增强企业的市场竞争力和发展后劲，并推动我国半导体硅片抛光液事业的发展进程。
项目的实施符合我国相关产业发展政策，是推动我国半导体硅片抛光液行业持续快速健康发展的重要举措，符合我国国民经济可持续发展的战略目标。项目将带动当地就业，增加当地利税，带动当地经济发展。项目建设还将形成产业集群，拉大产业链条，对项目建设地乃至中国的经济发展起到很大的促进作用。因此，本项目的建设不仅会给项目企业带来更好的经济效益，还具有很强的社会效益。
所以，本项目建设十分可行。
一、硅片生产主要制造流程如下： 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的 固定在切割机上和方位角的确定。 2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以 获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。 3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前 要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、 Y方位角符合产品加工要求。 4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进 行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要 求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产 生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面 层的厚度不均匀分布。 6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片 分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤
层，同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。 9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模 式，如裂纹、划伤、倒角不良等。 10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。 11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。 12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。 14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。 15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去 除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以 及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳 定电阻率。 19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次 缺陷以吸附表面金属杂质。 20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。 22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分 解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。
1．目的 为规范成品太阳电池片的外观判检工作，保证检验项目完整、检验作业方法和检验数据准确；统一生产、质量、销售认识以满足顾客所需，特制定本本电池片检验标准。 2．适用范围 本标准内部适用，检验范围为本公司生产的单多晶硅太阳能电池片。 3. 工作职责 质量管理部负责外观判检项目的具体实施，对所有成品太阳电池片进行目测全检；所有检验人员严格按照本文件规定进行操作。 4. a判检工具 PVC 手套、日光灯、塞尺、外观判检模具、直尺、塑料垫片、插片盒、高密度泡沫盒、黑色油笔、口罩。 b判检作业条件 1、照度800lx 日光灯下； 2、洁净水平的判检操作台面上； 3、每片电池片自然水平放置于判检操作台面，不得人为挤压； 4、佩戴PVC 手套、轻拿轻放，保持3 秒/片检片速度； 5、统一由一个检验员先进行背面判检再由另外的检验员进行正面判检，避免判检翻片过程中的电池片损伤。 6、判检人员保持直立坐姿，从正上方（视线与判检水平桌面呈80°～90°）对电池片进行观测，前胸距离电池片中心点水平距离约16cm，人眼距离电池片中心点视线距离约28cm 5. 检验标准 （一）包括各等级的分类、检验项目及说明、各等级产品的接收条件等，列于下表： 检验项目及说明 A类B类C类 A级A1级B1级B2级C级1．效率光电转换效率(Eff.) 2．正面 次栅断 开无 断栅宽度L≤1 mm， 数量≤3条 断栅宽度L＞1 mm， 数量≤3条 超过B1标准 3．正面 栅线结 点 无无 数量≤2处， 且长、宽分别小 于2 mm和0.3 mm 超过B1标准L
4．正面是否漏 浆由网版原因引起的漏 浆 无无 漏浆面积≤ 1mm2，数量≤2 个 超过B1标准 5．正面 主栅缺 损无无 缺损面积≤ 4mm2 超过B1标准 6．正面印刷图案偏 离因为硅片与网版未完 全对准而引起的图案 偏离无 印刷边界到硅 片边沿的距离 差别≤0.5 mm 印刷边界到硅 片边沿的距离 差别0.5 mm＜d ＜2mm 印刷边界到 硅片边沿的 距离差别0.5 mm＜d＜ 2mm 超过B类标 准为等外 品 7．正面 色差PECVD沉积氮化硅减 反射膜的色彩及均匀 性 单片蓝色， 色彩均匀， 且同一包 电池片的 色彩一致 单片色差肉眼 观察不明显， 且同一包电池 片的色彩一致 肉眼可见色差， 透过毛玻璃观 察不明显；且同 一包电池片的 色彩一致 超过B1标 准；同一包色 彩一致 8．正面色斑. 因制绒或脏污引起的 色彩不均匀 无 轻微色斑面积 总计≤1.5cm2， 无点状色斑 色斑面积总计 ≤4cm2 严重色斑 9．黄金 斑PECVD时电池片正面被颗 粒掩盖引起 无 色斑面积≤ 1mm2，数量≤3 个 色斑面积≤ 1mm2，数量＞3 个 超过B1标准 10．正面玷污因各种原因引起的玷 污 无无 沾污面积≤ 1mm2，数量＞3 个 超过B1标准 11．正面划伤电池工艺过程中因各 种原因造成的正面划 伤、绒面破坏 无 轻微划伤，长 度＜5cm 超过A1标准 12．正面水痕去除磷硅玻璃层后，经 清洗、烘干（或甩干） 后留下的水痕 无无 水痕颜色较浅， 长度≥5cm；水 痕颜色较明显， 长度＜5cm 超过B1标准 13．正面指印操作过程中在电池片 正面留下的指纹 无 轻微指纹，色 差较浅 引起色差 引起较重色 差 d
半导体硅片产业链研究报告 珞珈投资发展（深圳）有限公司 一、节点简介 硅片又被称为硅圆晶片，是集成电路制作中最为重要的原材料。根据晶胞排列是否有序，硅片可分为单晶硅和多晶硅，二者在力学、光学、热学、以及电学等物理性质上存在差异，单晶硅的电学性质通常优于多晶硅。目前，半导体制造用的硅晶圆都是单晶硅。硅片的生产过程非常复杂，从硅石到硅片需要经过提纯、熔铸、拉棒、切割、抛光、清洗等多道工序。一般而言，硅片要经过硅石的三步提纯制备出纯度为99.9999%的半导体级硅，再通过熔铸、拉棒等工艺流程生产成适当直径的硅锭，最后被切割、抛光、清洗并通过质检环节后，可完成的用于下游生产的薄硅片的制备。在所有半导体制造材料中，硅片及硅基材是最重要的半导体制造材料。硅片市场呈现寡头垄断格局：2016年，全球第六大硅片供应商中国台湾地区公司环球晶圆并购全球第四大硅片供应商美国SunEdison，成为全球第三大硅片企业。全球硅片行业形成日本信越化学、三菱住友、中国台湾地区环球晶圆、德国世创和韩国LG五大供应商垄断格局，占据全球超过90%以上的硅片供应。硅片是最主要的半导体材料，历年来硅晶圆片的市场销售额占整个半导体材料市场销售总额的32%~40%，在具体的硅片方面，目前主流硅片为12英寸、8英寸、6英寸。单晶硅片直径越大，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低，12英寸硅片自2009年开始市场份额超过50%，到2015年份额以达到78%。半导体硅片具有极高的技术壁垒，全球市场呈现寡头垄断的格局，日本越信和SUMCO一直占据主要份额，约各占30%左右，其他主要公司有德国Siltronic，韩国LGSiltron和台湾环球晶圆四家公司，上述六家
半导体材料系列报告（6）硅片：集成电路大厦之基石 发布日期：2020 年06 月24 日
硅片是半导体行业基石，摩尔定律不断催生大尺寸硅片需求 在七种主要半导体材料中，硅片作为半导体集成电路/器件的载体，是当之无愧 的产业基石。硅片制造属于半导体制造的上游环节，是后续的芯片前道工艺与 后道工艺的基础，以单晶硅为主流晶圆材料，直拉法和区熔法为主要的单晶工艺技术路线。半导体硅片制造难度高、下游应用广，是核心的硅片市场。受摩尔定 律影响，硅片为适应芯片制程的进步正朝大尺寸方向发展，硅片尺寸越大，单位 芯片制造的成本越低，边角浪费的硅片越少。 原材料和设备供应商深度参与，行业供给内在逻辑复杂 硅片行业上游是以高纯多晶硅为主的原材料厂商和硅片设备厂商，前者曾一度面临短缺，目前通过国产替代缓解供给压力；后者则深度参与硅片研制，在硅片制造公司的发展过程中起到重要协同作用。目前大硅片制造设备长期被美日韩德等国厂商控制，其中尤以日本厂商为甚。硅片行业内在逻辑较为复杂，下游需求和芯片制程保持同步，大尺寸配合先进制程商用步伐，终端应用结构决定硅片需求层次。短期供需关系、设备厂商提供的资源、投资回报率等一同影响着硅片制造厂商的发展潜力。 海外龙头高度垄断国际市场，大陆厂商逐步奋起直追 硅片行业集中度高，目前被日本、台湾地区、韩国、欧洲厂商高度垄断。2019 年全球大硅片市场日本信越化学市场份额29%、日本SUMCO 集团市场份额23%、中国台湾环球晶圆市场份额16%、德国世创Siltronic AG 市场份额12%、韩国SK Siltron 市场份额12%，前五大厂商总体市场占有率高达92%。行业壁垒较 高，技术为显性壁垒，下游客户的认证为隐性壁垒。大陆硅片厂商于2019 年启动扩产潮，有望切入全球硅片供应链，实现份额和业绩双增厚。本土受益标的包 括大陆规模最大的硅片企业沪硅产业、技术领先的单晶硅供应商中环股份和神工 股份，以及正在上市受理中的立昂微电子等。 产业基金聚焦半导体材料，内生与外延赋能国产硅片进口替代 大基金二期有望聚焦半导体材料，占据产业龙头地位的大硅片企业将受益于资本和技术的集聚效应，进入新一轮强劲增长期。硅片国产化势在必行，国产替代亟 待上游和下游集成电路产业的共同突破，在此过程中，海内外并购重组将为国产硅片行业提供外延动力。另一层面，在供需和库存的共同影响下，大硅片已进 入涨价周期。5G 技术的革新以及芯片制程的快速进步，将继续提升硅片整体价格。投资建议 我们认为国产大硅片将迎来突破，行业领先的厂商值得重点关注，重点关注沪 硅产业、中环股份、神工股份、立昂微电等。 风险提示
顺大半导体发展有限公司太阳能用 硅单晶片生产技术 目录 一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料 1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件： 2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件： 二、硅片生产工艺技术 1、硅单晶生产部 （1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术 对处理后原材料质量要求 （2）、腐蚀清洗生产工艺流程 ①多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程 ②边皮料酸碱清洗处理工艺流程 ③埚底料酸清洗处理工艺流程 ④废片的清洗处理工艺流程 （3）、硅单晶生长工艺技术 （4）、单晶生长中的必备条件和要求 ①单晶炉 ②配料与掺杂 （5），单晶生长工艺参数选择 （6）、质量目标： （7）、硅单晶生长工艺流程
2、硅片生产部 （1）、硅片加工生产工艺技术 （2）、硅片加工工艺中的必备条件和要求 ①切割机 ②切割浆液 （3）、质量目标 （4）、硅片加工工艺技术流程 ①开方锭生产工艺流程 ②切片生产工艺流程 （5）、硅片尺寸和性能参数检测
前言 江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔。公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片。拥有国内先进的拉制单晶设备104台，全自动单晶炉112台。年产量可达到××××吨。拥有大型先进的线切割设备×××台。并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。同时河北晶于2004年，占地面积××××。公司现在有×××名员工，从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。工程分两期建设，总规模年产多晶硅6000吨。2008年底首期工程已经正式投入批量生产，年产多晶硅×××吨。 太阳能用硅片生产工艺十分复杂，要通过几十道工序才能完成，只有发挥团队精神才能保证硅片的最终质量。编写该篇壮大资料的目的：首先让大家了解整个硅片生产过程，更重要的是让各生产工序中的每一位操作人员明确自己的职责，更自觉地按操作规程和规范做好本职工作，为顺大半导体发展有限公司的发展，尽自己的一份力量。
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
硅片等级分类及标准（150×150） 一、优等品(Ⅰ类片) 1、物理、化学特性 ①型号:P 晶向〈100〉±1°； ②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3； ③碳含量: ≤5×1016at/cm3； ④少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)； ⑤电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω·cm； ⑥位错密度：≤3000个/cm2； 2、几何尺寸 ①边长：125×125±0.5mm； ②对角：150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm; ④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°； ⑤厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm) ⑥TTV：≤30μm; ⑦弯曲度：≤40μm； 3、表面指标 ①线痕：无可视线痕； ②目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等； ③无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲； 二、合格品（Ⅱ类片） 1、物理化学特性 ①型号:P 晶向〈100〉±1°； ②氧含量: ≤1.0×1018at/cm3； ③碳含量: ≤5×1016at/cm3； ④少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)； ⑤电阻率:0.5-0.8Ω·cm； ⑥位错密度：≤3000个/cm2； 2、几何尺寸 ①边长：125×125±0.5mm； ②对角：150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm; ④垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°； ⑤厚度：200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)
一文看懂半导体硅片所有猫腻 半导体单晶硅片的生产工艺流程 单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的，制备单晶硅的方法有直拉法（CZ 法）、区熔法（FZ 法）和外延法，其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。 单晶硅制备流程 直拉法简称CZ 法。CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，得到单晶硅。 区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一 种方法，利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。区熔法又分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。后者是在气氛或真空的炉室中，利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区，然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托，悬浮于多
晶棒与单晶之间，故称为悬浮区熔法。 巨头垄断硅片市场进口替代可能性高 直拉法和区熔法的比较 单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅，再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅，进一步形成硅片、抛光片、外延片等。直拉法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。直拉法加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长，长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 悬浮区熔法加工工艺：先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化，使液体靠表面张力支持而不坠落。移动样品或加热器使熔区移动。这种方法不用坩埚，能避免坩埚污染，因而可以制备很纯的单晶，也可采用此法进行区熔。 半导体单晶硅片加工工艺流程 工业生产中对硅的需求主要来自于两个方面：半导体级和光伏级。半导体级单晶硅和光伏级单晶硅在加工工艺流程中存在着一些差异，半导体级单晶硅的纯度远远高于光伏级单晶硅。半导体级单晶硅片的加工工艺流程：单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V 型槽处理→切片，倒角→研磨，腐蚀--抛光→清洗→包装。
中国半导体硅片外延片行业发展概述 1.1 半导体硅片、外延片行业概述 （1）半导体硅片、外延片定义及分类 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片，目前12英寸硅片的出货量占比超过60%，是目前主流的硅片尺寸。18英寸晶园世代的技术和机台设备有不少方针已开始确立，但依目前半导体业的态势观察，现在还很难取得实质性的进展。 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12英寸硅片的出货量占比超过60%，是目前主流的硅片尺寸。 半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外园滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热
处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级6个“9”纯度，以及半导体等级11个“9”纯度。 （2）半导体硅片、外延片市场结构分析 1）行业产品结构分析 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片，通常包括4英寸、5英寸、6英寸、8英寸及12英寸，它们的基本规格如下表所示。 图表 1 半导体硅片分类情况(单位:毫米,微米,平方厘米,克,英寸)
图表来源：本研究中心整理 由于缺乏统一定义，硅片尺寸的过渡时间无法达成共识，其中有一种观点认为累积硅片的出货量超过100万片时，表示该硅片尺寸应进入下一阶段。实际上如英特尔等总是领先其他业者，率先采用更大尺寸的硅片。 现将SEMI于2006年的说法，全球硅片尺寸的过渡时间表列于如下：4英寸硅片于1986年；6英寸于1992年；8英寸于1997年及12英寸于2005年。而如果依英特尔的芯片生产线建设（见intel’s all fab list），它的3英寸生产线建于1972年FAB2；4英寸生产线建于1973年FAB4；6英寸生产线建于1978年FAB5；8英寸生产线建于1992年FAB15；第一条12英寸生产线建于2002年FAB12 in Hillsboro，与IBM同步。 业界较为公认的说法是，1980年代是4英寸硅片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，到2002年时英特尔与IBM率先建12英寸生产线，到2005年12英寸硅片已占总硅片的20%，到2008年占30%，而那时
世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名（2006年统计数据）： 1. 英特尔，营收额313.59亿美元 2. 三星，营收额192.07亿美元 3. 德州仪器，营收额128.32亿美元 4. 东芝，营收额101.66亿美元 5. 意法半导体，营收99.31亿美元 6. Renesas科技，营收82.21亿美元 7. AMD，营收额74.71亿美元 8. Hynix，营收额73.65亿美元 9. NXP，营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔，营收额60.59亿美元 11. NEC，营收额56.96亿美元 12. Qimonda，营收额55.49亿美元 13. Micron，营收额52.90亿美元 14. 英飞凌，营收额51.95亿美元 15. 索尼，营收额48.75亿美元 16. 高通，营收额44.66亿美元 17. 松下，营收额41.24亿美元 18. Broadcom，营收额36.57亿美元 19. 夏普，营收额34.76亿美元 20. Elpida，营收额33.54亿美元 21. IBM微电子，营收额31.51亿美元
22. Rohm，营收额29.64亿美元 23. Spansion，营收额26.17亿美元 24. Analog Device，营收额25.99亿美元 25. nVidia，营收额24.75亿美元 飞思卡尔介绍： 飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀，在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。 产品领域： 嵌入式处理器 汽车集成电路 集成通信处理器 适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管 基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位： 8位、16位和32位微控制器 可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器 基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来，飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构，2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后，公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下，努力提高财务业绩，打造企业文化，构筑全球品牌。 意法半导体（ST）集团介绍
硅片的检测 1：硅片表面光滑洁净 2：TV：220±20um 。 3：几何尺寸： 边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm； 边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3 二、合格品 一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5 二级品：1：表面有少许污渍、线痕。凹痕、轻微崩边。 2：220±30um ≤TV≤220±40um。 3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um 4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸： 边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm； 边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm； 边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8 三级品： 1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。 2：220±40um ≤TV≤220±60um。 3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。 三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。 崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片 气孔片：硅片中间有气孔 外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。 倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm 菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8 凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um 脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑 尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。 注：以上标准针对的硅片厚度为220um 。 硅片等级分类及标准（150*150） 一、优等品（Ⅰ类片） 1、物理、化学特性 ①型号：P 晶向[100]±1° ②氧含量：≤1.0X1018at/cm3 ③碳含量：≤5X1016 at/cm3 ④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据） ⑤电阻率：0.9—1.2、1。2—3.0 、3.0-6.0Ω/cm ⑥位错密度：≤3000个/cm 2、几何尺寸： ①边长：125*125±0.5mm ②对角：150*150±0.5mm ③同心度：任意两弧长之差≤1mm ④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3° ⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥195um） 180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um） ⑥TTV: ≤30um ⑦弯曲度：≤40um 3、表明指标： ①线痕：无可视线痕 ②目视表面：无粘污、无水渍、染色、白斑、指印等 ③无崩边：无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲 二、合格品（Ⅱ类片） 2、物理、化学特性 ①型号：P 晶向[100]±1° ②氧含量：≤1.0X1018at/cm3 ③碳含量：≤5X1016 at/cm3 ④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据） ⑤电阻率：0.5-0.8Ω/cm ⑥位错密度：≤3000个/cm 2、几何尺寸：
2020年半导体硅片专题研究：12英寸、8英寸硅片迎来黄金机会、从日本半导体产业发展看我国崛起之路
目录 1.万丈高楼从地起，半导体产业始于硅片 (4) 1.1 半导体硅片生产 (5) 1.1.1 单晶硅生长技术是关键技术之一 (5) 1.1.2 从“锭”到“片” (6) 1.2 半导体硅片持续进化 (7) 1.2.1 硅片向大尺寸迭代 (7) 1.2.2 各尺寸硅片满足各种需求 (9) 2.终端市场回暖，需求沿产业链传导 (9) 2.1 12英寸硅片需求增长势头强劲 (10) 2.1.1 存储芯片成12英寸硅片需求增长重要推力之一 (11) 2.1.2 半导体行业持续景气，12英寸硅片需求强劲 (11) 2.2 8英寸硅片再次迎来黄金机会 (12) 2.2.1新能源汽车、车联网等拉动汽车电子增长 (13) 2.2.2工业物联网 (14) 2.2.3 8英寸晶圆代工厂需求持续增大 (15) 3.硅片扩产长路漫漫，硅片产能利用率将保持在高位 (16) 3.1 12英寸硅片产能从过剩到紧缺 (17) 3.2 8英寸硅片扩产面临限制 (18) 4.从日本半导体产业发展看我国崛起之路 (18) 4.1 产业转移成就日本半导体产业发展 (18) 4.2 我国硅片产业目标明确，走出坚定步伐 (20) 5.新冠疫情已成为最大X因素 (24) 6.投资建议 (24) 7.风险提示 (25) 插图目录 图 1：2016-2018全球晶圆制造材料市场结构（单位：亿美元） (5) 图 2：2018年全球晶圆制造材料细分产品拆解 (5) 图 3：硅片生产流程 (5) 图 4：直拉单晶硅生长示意图 (6) 图 5：各种类硅片 (7) 图 6：硅片尺寸发展历史 (8) 图 7：2015-2021年全球12寸硅片市场占比情况及预测 (8) 图 8：2007年至2019年全球硅片面积出货量（百万平方英寸） (9) 图 9：2020年半导体出货量占比情况 (9) 图 10：半导体出货量 (10) 图 11：NAND闪存应用份额 (11) 图 12：2018年12英寸硅片下游应用占比 (11) 图 13：12英寸硅片需求预测（百万片/月） (12) 图 14：2018年8英寸硅片下游应用占比 (13) 图 15：中国新能源汽车销售量（2014-2019） (14) 图 16：车联网示意图 (14) 图 17：工业互联网产值预测(单位：十亿美元) (15) 图 18：8英寸晶圆厂产能展望 (16)
硅片生产流程 小组成员：吴国栋徐浩王汉杰王超 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 硅片加工过程步骤 1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查 15. 金属清洗
16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。倒角后的硅片边缘有低的中心应力，因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化，能使之在以后的硅片加工过程中，降低硅片的碎裂程度。图1.1举例说明了切片、激光标识和倒角的过程。 磨片（Class 500k） 接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤，这是磨片过程中要完成的。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘接触，从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列的洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除，只留下一些均衡的浅显的伤痕；磨片的第二个好处是经磨片之后，硅片非常平整，因为磨盘是极其平整的。 磨片过程主要是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成的细小颗粒组成的，它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片造成的损伤深度更深。
硅片等级分类及标准（1503150） 一、优等品(Ⅰ类片) 1、物理、化学特性 错误！未找到引用源。型号:P 晶向〈100〉±1°； 错误！未找到引用源。氧含量: ≤1.031018at/cm3； 错误！未找到引用源。碳含量: ≤531016at/cm3； 错误！未找到引用源。少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)； 错误！未找到引用源。电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω2cm； 错误！未找到引用源。位错密度：≤3000个/cm2； 2、几何尺寸 错误！未找到引用源。边长：1253125±0.5mm； 错误！未找到引用源。对角：1503150±0.5mm； 错误！未找到引用源。同心度：任意两弧的弦长之差≤1mm; 错误！未找到引用源。垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°； 错误！未找到引用源。厚度：200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm) 180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm) 错误！未找到引用源。TTV：≤30μm; 错误！未找到引用源。弯曲度：≤40μm； 3、表面指标 错误！未找到引用源。线痕：无可视线痕； 错误！未找到引用源。目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等；错误！未找到引用源。无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲； 二、合格品（Ⅱ类片） 1、物理化学特性 错误！未找到引用源。型号:P 晶向〈100〉±1°； 错误！未找到引用源。氧含量: ≤1.031018at/cm3； 错误！未找到引用源。碳含量: ≤531016at/cm3； 错误！未找到引用源。少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据)； 错误！未找到引用源。电阻率:0.5-0.8Ω2cm； 错误！未找到引用源。位错密度：≤3000个/cm2； 2、几何尺寸 错误！未找到引用源。边长：1253125±0.5mm； 错误！未找到引用源。对角：1503150±0.5mm； 错误！未找到引用源。同心度：任意两弧的弦长之差≤1.5mm; 错误！未找到引用源。垂直度：任意两边的夹角90°±0.3°；
半导体硅片项目 投资计划书 投资计划书参考模板，仅供参考
摘要 该半导体硅片项目计划总投资19013.48万元，其中：固定资产投 资13731.90万元，占项目总投资的72.22%；流动资金5281.58万元，占项目总投资的27.78%。 达产年营业收入41530.00万元，总成本费用31348.46万元，税 金及附加381.24万元，利润总额10181.54万元，利税总额11967.13 万元，税后净利润7636.16万元，达产年纳税总额4330.98万元；达 产年投资利润率53.55%，投资利税率62.94%，投资回报率40.16%，全部投资回收期3.99年，提供就业职位569个。 报告从节约资源和保护环境的角度出发，遵循“创新、先进、可靠、实用、效益”的指导方针，严格按照技术先进、低能耗、低污染、控制投资的要求，确保投资项目技术先进、质量优良、保证进度、节 省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高 经济效益的目标。 本半导体硅片项目报告所描述的投资预算及财务收益预评估基于 一个动态的环境和对未来预测的不确定性，因此，可能会因时间或其 他因素的变化而导致与未来发生的事实不完全一致。
半导体硅片项目投资计划书目录 第一章半导体硅片项目绪论 第二章半导体硅片项目建设背景及必要性 第三章建设规模分析 第四章半导体硅片项目选址科学性分析 第五章总图布置 第六章工程设计总体方案 第七章风险应对评价分析 第八章职业安全与劳动卫生 第九章项目实施进度 第十章投资估算与经济效益分析
第一章半导体硅片项目绪论 一、项目名称及承办企业 （一）项目名称 半导体硅片项目 （二）项目承办单位 xxx有限公司 二、半导体硅片项目选址及用地规模控制指标 （一）半导体硅片项目建设选址 项目选址位于某经济开发区,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。 （二）半导体硅片项目用地性质及规模 项目总用地面积53179.91平方米（折合约79.73亩），土地综合 利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照半导体硅片行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合规划建设 要求。 （三）用地控制指标及土建工程
公司名称地区产量 片 /200 9 片 /200 8 员工 人数 原材料类型 ADV Solar Power 中国大陆单晶硅片, 多晶硅片CSI阿特斯中国大陆1200 多晶硅片 安徽华顺半导体发展有限公司中国大陆300(1 000) 单晶硅片 安徽日能中天半导体发展有限公司中国大陆150 单晶硅片, 多晶硅片安徽新鑫太阳能科技有限公司中国大陆70 单晶硅片 安徽中科太阳能有限公司中国大陆80 单晶硅片 安阳市凤凰光伏科技有限公司中国大陆2001000 多晶硅片 保利协鑫能源控股有限公司香港多晶硅片 北京京运通科技股份有限公司中国大陆500-6 00 单晶硅片, 多晶硅片 昌盛光伏科技(中国)有限公司中国大陆100 多晶硅片 常州华盛恒能光电有限公司中国大陆80 单晶硅片 常州美晶太阳能材料有限公司中国大陆260 单晶硅片 常州市新世纪电子有限公司中国大陆单晶硅片 常州天合光能有限公司中国大陆4500 单晶硅片, 多晶硅片常州亿晶光电科技有限公司中国大陆3000 单晶硅片 常州益鑫新能源科技有限公司中国大陆40-50 单晶硅片 常州有则科技公司中国大陆36m200 单晶硅片, 多晶硅片成都青洋电子材料有限公司中国大陆70 单晶硅片 慈溪市宏宇电器有限公司中国大陆200(2 30) 单晶硅片 達能科技股份有限公司台湾多晶硅片 大全新能源有限公司中国大陆单晶硅片, 多晶硅片德州奥德新能源有限公司中国大陆单晶硅片 峨嵋半导体材料厂/峨嵋半导体材料研究中国大陆1200 单晶硅片
所 高佳太阳能(无锡)有限公司中国大陆1000 单晶硅片, 多晶硅片光为绿色新能源有限公司中国大陆500 多晶硅片 广宇科技集团有限公司(珠海天宝科技有 限公司) 中国大陆80 单晶硅片 海润光伏科技股份有限公司中国大陆800(1 800) 单晶硅片, 多晶硅片 杭州艾诺基太阳能科技有限公司中国大陆200 单晶硅片, 多晶硅片 合肥中南光电有限公司中国大陆297(3 48) 多晶硅片 合晶科技股份有限公司台湾单晶硅片河北华尔半导体材料有限公司中国大陆300 单晶硅片河北吉杰太阳能科技有限公司中国大陆单晶硅片 河南欧美亚光伏太阳能有限公司中国大陆300(3 80) 单晶硅片 湖北晶星科技股份有限公司中国大陆550 单晶硅片 湖南华威太阳能高科技有限公司中国大陆100 单晶硅片, 多晶硅片 湖州晶能电子科技有限公司中国大陆60(80 ) 单晶硅片 湖州新元泰微电子有限公司中国大陆200 单晶硅片 辉煌硅能源(镇江)有限公司中国大陆2000 单晶硅片, 多晶硅片佳科太阳能硅(厦门)有限公司中国大陆多晶硅片 珈伟太阳能(中国)有限公司中国大陆1150 单晶硅片 嘉兴嘉晶电子有限公司中国大陆200 单晶硅片, 多晶硅片嘉兴明通光能科技有限公司中国大陆100 单晶硅片 嘉兴市昌峰电子科技有限公司中国大陆65 单晶硅片 嘉兴市恒瑞能源科技有限公司中国大陆150 单晶硅片 嘉兴五神光电材料有限公司中国大陆300 单晶硅片, 多晶硅片江苏创大光伏科技有限公司中国大陆单晶硅片 江苏海尚新能源材料有限公司中国大陆30 单晶硅片 江苏海翔新能源科技有限公司中国大陆230 单晶硅片
硅片腐蚀和抛光工艺 链接：https://www.doczj.com/doc/752137819.html,/baike/2275.html 硅片腐蚀和抛光工艺 硅片腐蚀工艺的化学原理 硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过100A/cm 2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（HF），硝酸（HNO3）混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是HNO3-HF腐蚀液和NaO H腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。 1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理 通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。其配置为：浓度为70%的HNO3和浓度为50%的HF以体积比10～2:1，有关的化学反应如下： 3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。有关的化学反应如下： SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O 2.NaOH腐蚀液 在氢氧化钠化学腐蚀时，采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，温度为80～90℃，将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方程式为 Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑ 对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作方便等因素出发，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。 原文地址：https://www.doczj.com/doc/752137819.html,/baike/2275.html 页面 1 / 1