LED芯片知识大解密
1、led芯片的制造流程是怎样的?
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响?
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响?
LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil 芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。
4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么?
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物LED照明材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED
的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。它的工艺过程一般要比GaP 、GaAs材料的LED多而复杂。
6、“透明电极”芯片的结构与它的特点是什么?
所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。这种材料现在最广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
7、用于LED照明照明的芯片技术的发展主流是什么?
随着LED照明LED技术的发展，其在照明领域的应用也越来越多，特别是白光LED的出现，更是成为LED照明照明的热点。但是关键的芯片、封装技术还有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低热阻方面发展。提高功率意味着芯片的使用电流加大，最直接的办法是加大芯片尺寸，现在普遍出现的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用电流在350mA。由于使用电流的加大，散热问题成为突出问题，现在通过芯片倒装的方法基本解决了这一文题。随着LED技术的发展，其在照明领域的应用会面临一个前所未有的机遇和挑战。
8、什么是“倒装芯片(Flip?Chip)”?它的结构如何?有哪些优点?
蓝光LED通常采用Al2O3衬底，Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为最主要的问题。同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片，同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题很好地解决了。由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。
LED基础知识
1、LED的基本特征是什么?何为LED的伏安特性?LED的电功率是如何计算的?
LED是一个由无机材料构成的单极性PN结二极管，它是LED照明PN结二极管中的一种，因此其电压?电流之间的相互作用关系，一般称为伏特和安培特性(简称V?I特性)。当LED上施加了规定的电压Vf和电流If后，可以用下式求出LED上的电功率Pe：Pe=Vf×If
2、何为LED的电?光转换?如何表述电光转换效率?
当在LED的PN结两端加上正向偏置时，PN两端就有电流流过。此时，在PN结中，受激发的电子从N型层向PN结(过渡层)移动，而P型层中受激发的空穴也会向PN结移动，电子与空穴在结中复合，产生载流子。由于这是一种从高能级向低能级的跃迁，复合载流子会产生光子，形成发光，这就是人们称之为的电?光转换。通常，将这种电能到光能的转换，用百分比来表示它的转换效率。假设施加到LED上的电功率为Pe=Vf×If，此时LED产生的光的功率PLight为，则用下式定义它的电?光转换效率：ηeL=(Plight/Pe)×100% 当
ηeL<100%时，说明有相当部分复合载流子并没有产生光子而损耗，成为PN中的热能。LED 电?光转换效率越高，PN结上因加置电功率后引起的热量越低，而目前LED的电光转换效率并不是很高，因此仍遇到LED的PN发热和由这一热量引起的种种问题。
3、在通用照明领域，LED取代传统光源从目前来看还须克服哪些障碍?
⑴发光效率障碍。目前白光LED的光效一般为50lm/W，与荧光灯的效率相比还有一定差距，白光LED用于局部照明，节能效果有限。只有白光LED的发光效率高于荧光灯，达到100lm/W，才会有明显的节能效果。
⑵价格障碍。目前LED光源的价格每流明高于0.1美元，是白炽灯价格的100多倍。
⑶功率LED制作技术。其基本关键技术包括：①提高外研片内量子效率。②提高大尺寸芯片的外量子效率。③提高封装的取光效率。⑷荧光粉的制作和涂敷技术。荧光粉是LED实现白光照明的关键材料，效率高、显色性好、性能稳定的荧光粉能提高白光LED的出光率和产品质量。
4、什么是LED照明?
根据物质的导电性，固态材料可分为绝缘体、LED照明、导体。电导率介于10-8?103S/cm(S：西门子电导的单位)之间或是电阻率介于108?10-3Ω*cm(Ω：欧姆电阻的单位)的固态材料称为LED照明。LED照明分元素LED照明(如硅、锗等)和化合物LED 照明。化合物LED照明有二元化合物LED照明(如SiC、AlP、GaS)、三元化合物LED照明(如AlGaAs、GaInP)、四元化合物LED照明(如AlGaInP、GaInAsP)等。能用作LED的LED照明材料只有化合物LED照明，元LED照明不能用LED作的材料。
5、哪些产业是LED产业链的构成部分?
LED产业链大致可分为五部分：
①原材料;
②LED上游产业，主要包括外延材料和芯片制造;
③LED中游产业，主要包括各种LED器件的封装;
④LED下游产业，主要包括LED的应用产品;
⑤测试仪器和生产设备。
外延片相关知识
外延芯片部分
1、什么是外延和外延片?
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点?
用得最广泛的衬底材料是砷化镓，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。
缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。
磷化镓可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石(Al2O3)、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。
缺点是有较大的晶格失配;硬度高，造成加工成本高昂;热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率LED不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。
3、LED的发光有源层??PN结是如何制成的?
哪些是常用来制造LED的LED照明材料?
LED的实质性结构是LED照明PN结。PN结就是指在一单晶中，具有相邻的P区和N区的结构，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。常用来制造LEDLED照明材料主要有砷化镓、磷化镓、镓铝砷、磷砷化镓、铟镓氮、铟镓铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物LED照明材料，其它还有Ⅳ族化合物LED 照明碳化硅，Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。
4、MOCVD是什么?
MOCVD是Metel-Organic Chemical Vapor Deposition的简称，即金属有机物化学气相淀积，它是外延生长的一项技术，它是利用特制的设备，以金属有机物源(MO源)作原料，用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与Ⅴ族的氢化物混合，再通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。
由于MOCVD的晶体生长反应是在热分解中进行的，所以又叫热分解法。经实用表明，这是一种具有高可靠性、控制厚度精确、组成掺杂浓度精度高、垂直性好、灵活性大、非常适合于进行Ⅲ?Ⅴ族化合物LED照明及其固溶体的外延生长的方法，也可应用于Ⅱ?Ⅵ族化合物等材料的生长，目前是生产AlGaInP红色和黄色LED和InGaN蓝色、绿色和白色LED 的可工业化方法。现人们通常也把这种特制的设备笼统地叫作MOCVD。
5、什么是MO源?
MO源即Metel Organic源，金属有机物源，它是MOCVD外延生长的原材料。Ⅱ、Ⅲ族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物，如Ga(CH3)3，In(CH3) 3，Al(CH3)3，
Ga(CH3)3，Zn(CH3)3等，它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。
6、什么是LED的内量子效率?
当在LED的PN结上施加正向电压时，PN结会有电流流过。电子和空穴在PN过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子?空穴对复合都会产生光子，由于LED的PN结，作为杂质半导体，存在着材料品质缺陷、位错等因素，以及工艺上的种种缺陷，会产生杂质电离、本征激发散射和晶格散射的问题，使电子从激发态跃迁到基态时会与晶格原子或离子交换能量而发生无辐射跃迁，也就是不产生光子，这部分能量不转换成光能而转换成热能损耗在PN结内，于是就有一个复合载流子转换成光子的转换效率问题存在，可以用式1表示这一转换效率，并符号ηint表示。ηint=(复合载流子产生的光子数/复合载流子总数)×100?
(1) 我们无法去计数式(1)中的复合载流子总数和产生的光子总数。一般是通过测量LED输出的光功率来评价这一效率，这个效率ηint就称为内量子效率。
8、有哪些生长LED有源层的外延方法?它们个自有什么特点?
有气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)、分子束外延(MBE)。它们生长LED有源层的材料分别有气相外延GaAsP、GaP，液相外延GaP、GaAlAs，金属有机物化学气相淀积InGaAlP、IGanN，分子束外延ZnSe等。气相外延比较简单便，往往在外延生长后要再通过用扩散的方法制作PN 结，所以效率低。液相外延已能一炉生长60?100片，生产效率较高，通过镓的重复使用成本已降的很低，可以制造高亮度GaP 绿色发光器件和一般亮度GaP红色发光器件，也可用它制造超高亮度GaAlAs发光器件。金属有机物化学气相淀积法是目前生产超高亮度InGaN蓝、绿色LED和InGaAlP红、黄色LED的主要方法，它既能精确控制厚度，又能精密控制外延层的组成。分子束外延目前主要用于研制白色发光二极管，效果很好，能生长小于10埃的外延层，缺点是生长速度慢，每小时约1微米，装片容量也颇少，生产效率较低。
9、当前，生产超高亮LED的外延方法主要有几种?
当前，生产超高亮LED的外延方法主要有两种，即液相外延生产AlGaAs LED和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生产AlGaAs、AlGaInP、InGaN LED。其中尤以MOCVD
方法为主。
10、当前，用作半导体照明光源的高效LED的外延层结构有何创新?
为了提高LED的发光效率，对其外延结构进行了许多改进，目前都已应用到产品上，对LED发光效率的提高起到了极重要的作用。分别是：
①单量子阱(SQW)结构;
②多量子阱(MQW)结构;
③分布布拉格反射(DBR)结构;
④透明衬底技术(TS);
⑤镜面衬底法(MS);
⑥透明胶质粘结型;
⑦纹理表面结构。
LED应用篇
1、单个LED的流明效率与用LED作光源构成的灯具的流明效率有什么异同?
针对某一个特定的LED，加上规定的正向偏置，例如加上IF=20mA正向电流后(对应的
VF≈3.4V)，测得的辐射光通量Φ=1.2lm，则这个LED的流明效率为：
η=1.2lm×1000/3.4V×20mA=1200/68≈17.6lm/W 显然，对于单个LED，如施加的电功率Pe=VF×IF，那么在这个功率下测得的辐射光通量折算为每瓦的流明值即为单个LED的流明效率。但是，作为一个灯具，不论LED PN结上实际加上的功率VF×IF是多少，灯具的电功率总是灯具输入端口送入的电功率，它包括了电源部分(如稳压器、稳流源、交流整流成直流电源部分等)所消耗的功率。灯具中，驱动电路的存在使它的流明效率比测试单个LED 的流明效率要下降。电路损耗越大，流明效率越低，因此，寻找一种高效率的LED驱动电路就显得极为重要。
2、为什么一只蓝光LED在涂上特殊的荧光粉构成的白光LED后，其辐射光通量会比蓝光高出几倍甚至十几倍?
从前面我们已经知道白光LED是用什么方法制造出来的，其中一种方法是在发蓝光的LED芯片上涂上一层YAG荧光粉，部分蓝光光子激发YAG荧光粉，形成光?光转换，荧光
粉被激发产生黄光光子，蓝色光与黄色光混合变成白色光，成为白光LED。这种通过光?光转换后不同波长的光的混合，会使它的波谱变宽，白光LED一般具有比LED蓝光波谱宽得多的波谱。
对于用蓝光芯片加YAG荧光粉制成的白光LED，与单色LED相比，人眼对它的视觉函数应当是各种波长成分视觉函数的积分平均值，此值可以通过计算得到约为296lm，即这种白光LED，当发射出光功率1W的白光时，其辐射光通量约为296lm，这个数值比发射光功率1W的蓝色LED的辐射光通量41增大了7.2倍。
3、什么是LED的结温?它是如何产生的?
LED的基本结构是一个LED照明的PN 结。实验指出，当电流流过LED器件时，PN 结的温度将上升，严格意义上说，就把PN结区的温度定义为LED的结温。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。
窗口层衬底或结区的材料以及导电的银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻值相互垒加，构成LED的串联电阻。当电流流过PN结时，同时也会流过这些电阻，从而也会产生焦尔热，引起芯片温度或结温升高;由于LED芯片材料于周围介相比，具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的大部分光无法顺利地溢出界面，而在芯片与介质界面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高。
4、为什么LED PN结上温度升高会引起它的光电参数退化?
PN结作为杂质LED照明在其工作过程中，同样存在杂质电离、本征激发、杂质散射和晶格散射等问题，从而使复合栽流子转换成光子的数量和效能发生变化。当PN结的温度(例如环境温度)升高时，PN结内部杂质电离加快，本征激发加速。当本征激发产生的复合载流子的浓度远远超过杂质浓度时，本征载流子的数量增大的影响较之迁移率减小的LED 照明电阻率变化的影响更为严重，导致内量子效率下降，温度升高又导致电阻率下降，使同样IF下，VF降低。如果不用恒流源驱动LED，则VF降将促使IF指数式增加，这个过程将使LED PN 结上温升更加快，最终温升超过最大结温，导致LED PN结失效，这是一个正反馈的恶性过程。PN结上温度升高，使LED照明PN结中处于激发态的电子?空穴复合时从高能级向低能级跃迁时发射出光子的过程发生退化。这是由于PN结上温度升高时，LED照明晶格的振幅增大，使振动的能量也发生增加，当它超过一定值时，电子?空穴从激发态跃迁到基态时回与晶格原子(或离子)交换能量，于是成为无光子辐射的跃迁，LED的光学性能退化。
另外，PN结上温度升高还会引起杂质LED照明中电离杂质离子所形成的晶格场使离子能级裂变，能级**受PN结温度影响，这就意味着由于温度影响晶格振动，使其晶格场的对称性发生变化，从而引起能级**，导致电子跃迁时产生的光谱发生变化，这就是LED发光波长随PN 结温升而变化的原因。
综合上述，LEN PN结上温升会引起它的电学、光学和热学性能的变化，过高的温升还会引起LED封装材料(例如环氧、荧光粉等)物理性能的变化，严重时导致LED失效，所以降低PN结温升，是应用LED的重要关键所在。
5、为什么说提高光效可降低结温?
通常将单位输入电功率所产生的光能称之为光电转换效率简称光效。根据能量守恒定律，LED的输入功率最终将通过光与热两种形式释放出来，光效越高放出的热量越少，LED 芯片的温升就越小，这就是提高光效可降低结温的基本原理。
6、如何实现LED的调光、调色?
由于LED的发光强度IV(或光辐射通量)与它的工作电流IF在一定电流范围内呈县性关系，即随着电流IF增大，IV也随之增大，因此，改变LED的IF，就可以改变它的发光强度，实现调光。
由色度学原理可以知道，如果将红、绿、蓝三原色作混合，在适当的三原色亮度比的组合下，理论上可以获得无数种色彩，这就可以用三种发光波长的LED，只要具有例如：470nm(蓝色)、525 nm(绿色)和620 nm(红色)的三种波长的LED通过点亮和IF控制，就可以实现色彩的调控，即调色。
7、什么是静电破坏?哪些类型的LED容易受静电破坏导致失效?
静电实际是由电荷累积构成。人们在日常生活中，特别是在干燥天气环境中，当用手去触摸门窗类物品时会感觉“触电”，这就是门窗类物品静电积累到一定程度时对人体的“放电”。对于羊毛织品、尼龙化纤物品，静电积累的电压可高达一万多伏特，电压十分高，但静电功率不大，不会威胁生命，然而对于某些电子器件却可以致命，造成器件失效。
LED中用GN基构成的器件，由于是宽禁带LED照明材料，它的电阻率较高，对于InGaN/AlGaN/GaN的双异质结蓝色光LED，其InGaN的有源层的厚度一般只有几十纳米，再由于这种LED的两个正、负电极在芯片同一面上，之间距离很小，若两端的静电电荷累积到一定值时，这一静电电压会将PN击穿，使其漏电增大，严重时PN结击穿短路，LED 失效。正因为存在静电威胁，对于上述结构的LED芯片和器件在加工过程中对加工厂地、机器、工具、仪器，包括员工服装均要采取防静电措施，确保不损伤LED。另外，在芯片和器件的包装上也要采用防静电材料。
LED芯片知识大了解 目录 一 LED芯片基本知识 (2) 1、LED芯片的概念 (2) 2、LED芯片的组成元素 (2) 3、LED芯片的分类 (2) 二 LED衬底材料 (4) 1、LED衬底材料的概念及作用 (4) 2、LED衬底材料的种类 (4) 三 LED外延片 (6) 1、LED外延片生长的概念 (6) 2、LED外延片衬底材料的种类 (6) 3、LED外延片的检测 (6)
一、LED芯片基本知识 1、LED芯片的概念 LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料 ，LED主要依靠芯片来发光。 LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流 程，最终完成如右图的成品-芯片。 外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→ 平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→ SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→ N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→ P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→ 芯片→成品测试。图1 外延片成品示意图 2、LED芯片的组成元素 LED芯片的元素主要为III-V族元素，主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga、)铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。 3、LED芯片的分类 1）按发光亮度分 A、一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、 Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等 B、高亮度：VG(较亮绿色GaP 565nm)、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)、 SR(较亮红色GaA/AS 660nm)； C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR
初学芯片解密所需掌握的基础知识 很多之前没有接触过芯片解密的客户总是会问我一些很基本的概念性问题，像什么是芯片解密/单片机解密等等。其实对于初学者来讲，芯片解密这个概念就算他看了也还是不会理解芯片解密的过程是如何实现的。今天在这里，就芯片解密基础知识方面给大家做个简单的介绍。 像平时大家通常所说的“芯片”或者“IC”其实指的就是集成电路，它是微电子技术的主要产品。所谓微电子是相对“强电”、“弱电”等概念而言，指它处理的电子信号极其微小。它是现代信息技术的基础，我们通常所接触的电子产品，包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。 就我国的信息通讯、电子终端设备产品来讲，在最近这些年来都有了长足发展，但是以加工装配、组装工艺、应用工程见长，产品的核心技术自主开发的却比较少。这里所说的“核心技术”主要就是微电子技术。就好像我们盖房子的水平已经不错了，但是，盖房子所用的砖瓦还不能生产。一般来说，"芯片"成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多，包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为核心，包括集成电路的设计、制造。 在芯片解密过程中经常会听到很多词汇，以下是给大家列出的一些常用词语及其简介。 晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。 前、后工序：IC制造过程中，晶圆光刻的工艺(即所谓流片)，被称为前工序，这是IC制造的最要害技术；晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。 光刻：IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 线宽：4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等，是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。 线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。 封装：指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。 存储器：专门用于保存数据信息的IC。 逻辑电路：以二进制为原理的数字电路。
人眼對於光的顏色及亮度的解析度非常高，特別是對於顏色的差異和變化非常敏感。圖2-14所示的是人眼對顏色變化的敏感曲線。從圖中可以看出對於不同顏色波長的光人眼的敏感度是不同的。例如，對於波長為585 nm的光，當顏色變化大於1nm時，人眼就可以感覺到。而對於波長為650 nm的紅光，當顏色變化在3nm的時候，人眼才能察覺到。對於波長為465 nm的藍光和525 nm的綠光，人眼的解析度分別為～2 nm和～3nm。 在早期，由於LED主要被作用指示或顯示燈用，而且一般以單個器件出現，所以對於其波長的分選和亮度的控制要求並不高。可是隨著LED的效率和亮度的不斷提高，其應用範圍越來越廣。當LED作為陣列顯示和螢幕元件時，由於人眼對於顏色波長和亮度的敏感性，用沒有分選過的LED就產生了不均勻的現象，就而影響到人們的視覺效果。不論是波長不均勻或是光亮度的不均勻都會給人產生不舒服的感覺。這是各LED顯示器製造廠家不願看到的，也是人們無法接受的。LED的分選不可能將光學、電學特性和壽命及可靠性等所有參數都做，而是按照通常大家所關心的幾個關鍵參數進行分類分選。這些關鍵參數有：主波長、發光強度、光通量、色溫、工作電壓、反向擊穿電壓等。 LED的測試與分選是LED供應商的一項必要的工序。而且目前它是許多LED晶片廠商的產能瓶頸，也是LED晶片成本的一個重要來源。在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的晶片分選問題。 （1）LED的分選方法： LED的分選有兩種方法進行：一是以晶片為基礎的測試分選，二是對封裝後的LED管子進行分選。 1）以LED管子的形式進行分選： 封裝好的LED管子可以按照波長、發光強度、發光角度以及工作電壓等分類。其結果是把LED分成很多檔次和類別，然後測試分選機會自動地根據設定把LED分裝在不同的Bin內。由於人們對於LED的要求越來越嚴，早期的分選機是32Bin後來增加到64Bin。現在已有72Bin的商用分選機。即使這樣，分Bin的數量仍然無法滿足生產和市場的需求。 LED測試分選機，是在一個特定的電流下，比如20mA，對於LED進行測試。一般還會做一個反向電壓值的測試。現在商業的測試分選機大概在40－50萬人民幣一台，其測試速度在每小時10000只左右。如果按照每月20天，每天20小時的工作時間計算，每一台分選機的產能為每月4KK。 對於LED封裝廠來說，如果他們的客戶是用在大型顯示幕上或是其它高檔應用上，他們對LED的品質就會有較高的要求。特別是在波長與亮度的一致性上的要求會很嚴格。假如LED封裝廠在採購晶片上沒有提出嚴格的要求，則這些封裝廠在做了大量的封裝後會發現，他們還是無法提供足夠多的LED給他們的客戶。因為在他們已封裝好的LED中很少的數量能滿足某一客戶的要求。當封裝廠把他們其中的一少部分提供給其中的一個客戶後，其餘大部分變成為放在倉庫裡的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在採購LED晶片時提出嚴格的要求，特別是對波長、亮度和工作電壓的指標。比如，過去人們的波長要求是±2 nm，而現在則要求為±1 nm，甚至在某些應用上，人們已提出±0.5 nm的要求。這樣對於晶片廠就產生了巨大的壓力，因為他們在賣晶片時必須進行嚴格的分選。 2）以晶片的形式分選 相比較封裝好的LED，晶片分選的難度很大，主要的原因是LED的晶片一般都很小，從9mil—14mil（0.22 mm—0.35 mm）的尺寸。這樣小的晶片在抓放的過程中需要比較精確的機械和圖像識別系統，而測試則需要微探針才能夠完成。這使得設備的造價變得較高，而且測試速度受到限制。目前典型的晶片分選測試系統，平均每台在100萬元左右，而每小時的分選數量大約為2000個左右。這使得晶片分選測試的產能每月不到1KK。這與封裝好的LED的分選相比顯
L e d显示屏基础知识试 题 公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-
L e d显示屏基础知识试题（考试时间60分钟） 姓名： 一.选择题（共25分，每题5分） 1. LED显示屏单元板一般为（）驱动。 A 40V直流 B 220V交流 C 5V直流 D 5V交流 2. LED显示屏的基本组成单元是（）。 A LED像素 B 箱体 C led模组 D 电源 3. LED显示屏按照使用环境可以分为（ )。 A 室内和室外，半室外屏 B 全彩和单双色 C 半户外单色 D 全彩户外显示屏 4. 常见的室外显示屏有哪些（） A、P6，P10，P25，P31.25 B、P10，P12，P16，P20 C、P8，P10，P25，P31.25 D、P5，P6，P7.62，P10 5.常见的室内显示屏有哪些（） A、P4，P5，P6，P8 B、P5，P7.62，P10，P25 C、P3，P10，P6，P20 D、P5，P8，P7.62，P12 二.填空题（共25分，每题5分） 1. P16的显示屏像素间距是，单元板分辨率是，单元板尺寸是 2. 显示屏的刷新频率是指： 3. LED显示屏白平衡一般按照的方式配比. 4. 室外P20全彩显示屏的像素密度是点/㎡。 5. 显示屏用led灯常见的封装有，，， 三.问答题 1.列举常见led芯片厂家.（10分）
2. led显示屏常见的一些应用场合有哪些（ 10分） 3. led显示屏的报价都有哪几方面每一方面又包含哪些内容（10分） 4. 假如现在有一个客户要做一块儿户外显示屏，需要明确了解客户哪些需求（20 分）
大功率产品知识培训 一、我司灯具型号常规命名规则： 公司品牌（WM）—灯具系列代码+灯具尺寸+灯具光源颜色—灯具全部LED颗数 +PC罩颜色（备注：灯具尺寸表示灯具总长度或直径，单位为毫米。PC罩为透明用“T”表示， PC罩为乳白用“L”表示） 例如：大功率线形洗墙灯型号为 WM—T1200RGB—36 型号分解为：‘WM’代表公司品牌，‘T’代表此款灯具为T型洗灯，‘1200’代表此款灯具的总长度为1200毫米，“RGB”代表灯具的颜色为红绿蓝变色，‘36’代表灯具LED的总颗数为36颗。 二、我司灯具的分类 我司生产的灯具按单颗LED的额定功率分为：小功率灯具（单颗<1W）和大功率灯具（单颗≥1W） 按LED的封装分为：贴片LED灯具、直插LED灯具（食人鱼灯具） 按灯具使用效果分为：轮郭灯、数字管灯、线条灯/灯串灯、点光灯(点光源)、投光灯、泛光灯、射灯、显示屏等 按灯具的使用场所分为：洗墙灯、水底灯、喷泉灯、地面灯、墙角灯、插地灯、商照灯（天花灯、导轨灯）、路灯等 按灯具的结构形状分为：线形灯、点状灯、方形灯、带状灯 三、我司大功率灯具常用材料基本差数 1常用材料名词解释 （1）铝合金 以铝为基的合金总称。主要合金元素有铜、硅、镁、锌、锰，次要合金元素有镍、铁、钛、铬、锂等。
铝合金密度低，但强度比较高，接近或超过优质钢，塑性好，可加工成各种型材，具有优良的导电性、导热性和抗蚀性，工业上广泛使用，使用量仅次于钢。 铝合金分两大类：铸造铝合金，在铸态下使用（我司灯具使用的类型）；变形铝合金，能承受压力加工，力学性能高于铸态。可加工成各种形态、规格的铝合金材。 （2）钢化玻璃 钢化玻璃（Tempered glass/Reinforced glass） 属于安全玻璃。钢化玻璃其实是一种预应力玻璃,为提高玻璃的强度,通常使用化学或物理的方法，在玻璃表面形成压应力，玻璃承受外力时首先抵消表层应力，从而提高了承载能力，增强玻璃自身抗风压性，寒暑性，冲击性等。 优点 钢化玻璃的主要优点有两条： 第一是强度较之普通玻璃提高数倍，抗弯强度是普通玻璃的3~5倍，抗冲击强度是普通玻璃5~10倍，提高强度的同时亦提高了安全性。 第二是使用安全，其承载能力增大改善了易碎性质，即使钢化玻璃破坏也呈无锐角的小碎片，对人体的伤害极大地降低了. 钢化玻璃的耐急冷急热性质较之普通玻璃有2~3倍的提高，一般可承受150LC以上的温差变化，对防止热炸裂有明显的效果 缺点 钢化玻璃的缺点： 1 钢化后的玻璃不能再进行切割，和加工，只能在钢化前就对玻璃进行加工至需要的形状，再进行钢化处理。
芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍 芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍一、芯片基础知识介绍我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的'核心技术'主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,'砖瓦'还很贵.一般来说,'芯片'成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。集成电路(IC)常用基本概念有:晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC 就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为
前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。二、电脑芯片的工作原理是什么？是怎样制作的？芯片简单的工作原理：芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0 来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。最复杂的芯片（如：CPU芯片、显卡芯片等）生产过程：1.将高纯的硅晶圆，切成薄片；2.在每一个切片表面生成一层二氧化硅；3.在二氧化硅层上覆盖一个感光层，进行光刻蚀； 4.添加另一层二氧化硅，然后光刻一次，如此添加多层； 5.整片的晶圆被切割成一个个独立的芯片单元，进行封装。一个是电源灯（绿色），一个是硬盘灯（红色），你的电脑开机，
----- 计算机基础知识及答案（二） 1、微型计算机采用的是冯·诺依曼体系结构，其硬件系统由运 算器、控制器、存储器、输 入设备和___C___五部分组成。 A 键盘、鼠标器。 B 显示器、打印机。 C 输出设备。 D 系统 总线。 2、在微型计算机中，其核心部件中央处理器CPU，被称之为 ___D___。 A 关键部件。 B 主要部件。C必备部件。D 微处理器 MPU(Micro Processing Unit)。 、微处理器把运算器和3集成在一块很小的硅片上，是一个独立的 部件。__A____ A 控制器。 B 内存储器。 C 输入设备。D输出设备。 4、微型计算机的基本构成有两个特点：一是采用微处理器，二
是采用___D___。 显示器和打印机作为输出设备。键盘和鼠标器作为输入设备。B A CROM和RAM作为主存储器。 总线系统。D 、根据微型计算机硬件构成的特点，可以将其硬件系统具体化为由微处理器、内存储器、5 组成。I/O 设备和__D____接口电路、 显示器、打印机。B A 键盘、鼠标器。总线系统。 D C 外围设备。 CPU、在微型计算机系统组成中，我们把微处理器6、只读存储器ROM和随机存储器RAM三 。部分统称为___D___ 主机。微机系统。 B 硬件系统。硬件核心模块。C D A 、微型计算机使用的主要逻辑部件是7。___D___ A 电子管。 B 晶体管。 C 固体组件。 D 大规模和超大规模集成电路。
8、在微型计算机中，通常把输入/ 输出设备，统称为__D____。ACPU。B 存储器。C操作系统。 D 外部设备。 9、下面是关于微型计算机总线的描述，正确的有___C___。 ----- ----- A 总线系统由系统总线、地址总线、数据总线和控制总线组成。 B 总线系统由接口总线、地 D系统总线由地址总线、数据总线和控制总线组成。C 址总线、数据总线和控制总线组成。 地址总线、数据总线和控制总线的英文缩写分别为DB、AB，CB。 10、微型计算机的系统总线是CPU与其它部件之间传___D___信息的公共通道。 送 A 输入、输出、运算。 B 输入、输出、控制。 C 程序、数据、运算。 D 数据、地址、控制。
一、填空 1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a） 2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..) 3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd） 4.目录/home//uuu已建立，当前工作目录为/home/，采用绝对路径进入/home//uuu 的命令为：（%cd /home//uuu） 5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对 所有的用户增加读写权限。） 6.显示当前时间的命令为：（%date） 7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool） 8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp 166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80） 9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get） 10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput） 11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有 _____层，其电路类型为_______。0.13um 7 CMOS 12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为：___ _________________。bdace 13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。井电 阻，扩散电阻，多晶电阻 14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。若该 Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal. 15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为 ___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工 作。 16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该功能的 Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是 __________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________， _____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。 18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸（Minimum Extension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。 19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二 极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。 20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，业界公认 的Tape out的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是
LED灯珠常识 什么是LED： LED是英文light emittingdiode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，加上合适的电 压就能正常发光。 LED光源的特点： 1．电压：LED使用低压电源，供电电压在1.8-3.6V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 2．效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 3．稳定性：理论上可以点亮10万小时。 4．光衰：随着科技的进步，光衰越来越小。现在普通LED灯在一千小时以内的光衰已经可以真正控制在5%以内，即使超过一千小时以后，光衰也很小。 5．环保：无辐射，无污染，真真正正的环保材料。出口时LED产品一般免检 LED芯片的尺寸常识： 按外形分类，芯片一般分为圆片和方片。其中圆片相对较低档，性能不够稳定，我司一般不采用圆片生产的LED；方片一般以尺寸大小来衡量，比如12mil (1 mil=0.0254平方毫米)。一般来说，同一品牌的芯片，芯片尺寸越大，亮度越高。我司最常采用的LED灯珠，红光和黄光一般在9~12mil，白，蓝，绿光一般都在12~14mil，这也是市面上最常用的芯片，如果用更大的芯片，亮度虽然可以提高不少，但是芯片价格大幅度提高，这就是为什么大尺寸芯片很少有人采用的原因。 LED灯珠常识 LED的颜色常识：LED灯珠常识 LED的不同颜色是由其不同波长的芯片决定的，比如，红光芯片一般波长是620~630nm （纳米），绿光芯片一般波长是527nm,蓝光芯片的一般波长是470nm, 黄光芯片的一般波长是585nm,白光LED用的也是蓝光芯片，只是在蓝光芯片上加上适量的的荧光粉就发出白光了。 LED灯珠常识 LED的分类：LED灯珠常识 按功率大小分：可分为小功率，大功率（行业上一般把0.5W以上的灯叫做大功率灯）按外形分：可分为直插式DIP和贴片式SMD 草帽LED又可以按灯头的尺寸细分为F3（灯头的直径是3mm），F5（灯头的直径是5mm）；或按灯头的形状细分为无边，薄边，厚边，圆头；按灯头透明与否可分为透明，雾状。。。。。。。更多细分方法不尽列举，以上所列仅以我司经常采用为依据。 食人鱼LED同样可以按灯头的尺寸分为F3，F5，按灯头的形状分为圆头（即最常见的食人鱼灯），平头（这种形头很特殊，其发光角度接近180度，一般用在需要散光的场合）。 LED灯珠常识 LED灯珠常识 小功率贴片式LED按外形尺寸可以分为0805，1206，3020，3528，5050或5060（5050与5060
三极管2N3906 特性：即开即用，小功率，放大倍数 100-400，集电极－发射集最小 雪崩电压Vceo(V):40；集电极最大电流Ic(max)(mA):0.200；直流电流增益hFE最大值(dB):300；直流电流增益hFE最小值(dB):100 封装和管脚: 功能: 即插即用开关, 一般放大器(放大倍数在100—400)
静态工作点：R1、R2、R4组成基极分压偏置电路，使R1上电压约为0.8V，则R4上电压为0.8-0.65=0.15V，Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA， Uc=-6+Ic*R3=-3V。
电路所示的参数，当负电阻抗是2K时，三极管的输出负载是10K（R3与RL并联），交流负反馈电阻R4是100，因此电压放大倍数约是10K/100=100。 由于这是一个简单的单管放大电路，所以它的放大倍数随负载电阻的变化而变化。 芯片AT24C02 AT24C02是一个2K位串行CMOS E2PROM，内部含有256个8位字节，CATALYST公司的先进CMOS技术实质上减少了器件的功耗。AT24C02有一个16字节页写缓冲器。该器件通过IC总线接口进行操作，有一个专门的写保护功能。 1功能 AT24C02支持IC，总线数据传送协议IC，总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器，但由主器件控制传送数据（发送或接收）的模式，通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将最多8个AT24C02器件连接到总线上。 2. 封装 。 管脚封装
天津职业技术师范大学Tianjin University of Technology and Education 毕业设计 专业：电子科学与技术 班级学号：0995******* 学生姓名：梁天翼 指导教师：孙鸿波 二○一二年六月
天津职业技术师范大学本科生毕业设计 基于DSP的数字滤波及人脸识别 Digital Filters and Face Recognisation Based on DSP 专业班级：电科0802 学生姓名：梁天翼 指导教师：孙鸿波 系别：电子工程系 20[X] 年[X] 月
摘要 [鼠标左键三击选择该段落，输入替换之。] 中文摘要应将学位论文的内容要点简短明了地表达出来，约300~500字左右（限一页），字体为宋体小四号。内容应包括工作目的、研究方法、成果和结论。重点是结果和结论，语言力求精炼。为了便于文献检索，应在本页下方另起一行注明论文的关键词（3-5个）。缩略语、简称、代号，除了相邻专业的读者也能清楚理解外，在首次出现时必须加以说明。 关键词：[关键词1] ；[关键词2] ；[关键词3] ；[关键词4] ；[关键词5]
ABSTRACT "[内容应与中文摘要相同。字体为Times New Roman小四号。]" Key Words："[Key Word 1]" ; "[Key Word 2]" ; "[Key Word 3]" ; "[Key Word 4]" ;"[Key Word 5]"
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1输入大标题 [格式已按规定设好。选择段落区域，输入替换之。] 学位论文一般要求不少于1万字；与论文相关的英文资料翻译不少于3000字；参考文献15篇以上 图：a. 要精选、简明，切忌与表及文字表述重复 b. 图中的术语、符号、单位等应同文字表述一致。 c. 图序及图名居中置于图的下方。 表：a. 表中参数应标明量和单位的符号。 b. 表序及表名置于表的上方。 公式：编号用括号括起写在右边行末，其间不加虚线。 图、表、公式等与正文之间要有一行的间距；文中的图、表、附注、公式一律采用阿拉伯数字分章（或连续）编号。如：图2-5，表3-2，公式（5-1）等。若图或表中有附注，采用英文小写字母顺序编号。 量和单位 要严格执行GB3100—3102：93有关量和单位的规定（具体要求请参阅《常用量和单位》.计量出版社，1996）；单位名称的书写，可以采用国际通用符号，也可以用中文名称，但全文应统一，不要两种混用。 1.1"[点击输入一级标题××××标题2]" 1.1.1"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]" 1.1.2"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]" 1.1.3"[点击输入二级标题××××标题3]" "[点击输入正文××××]"
LED知识大全 led光谱晶片，什么是led晶片? 一、LED晶片的作用： LED晶片为LED的主要原材料，LED主要依靠晶片来发光。 二、LED晶片的组成 主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、LED晶片的分类 1、按发光亮度分： A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E等 B、高亮度：VG﹑VY﹑SR等 C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等 D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIR E、红外线接收管：PT F、光电管：PD 2、按组成元素分： A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等 B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR﹑HR﹑UR等 C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG 四、LED晶片特性表（详见下表介绍） LED晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595 SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610 DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620 SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620 DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮红色AlGalnP 630 DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635 PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655 SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660 G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660 VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660 UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697 Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850
LED基础知识培训-外延、芯片王立 2009-3-16 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation 内容提要 1 2 3 4 LED器件基础知识 LED器件基础知识 LED材料生长 LED材料生长 LED芯片制造芯片制造高效率LED芯片设计芯片设计高效率 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 1、半导体发光的概念发光是物体内部以某种方式吸收的能量转化为光辐射的过程。发光是一种非平衡辐射。区分各种非平衡辐射的宏观光学参量是辐射期间—去掉激发后辐射还可延续的时间。发光的辐射期间在10-11秒以上。 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识半导体发光的不同形态粉末发光。薄膜发光。结型发光。通常所说的半导体发光是指结型发光——器件的核心在于p-n结。半导体照明技术是结型电致发光和粉末光致发光的结合。 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 2、半导体发光的研究历史 1907 ! Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation LED器件基础知识 1923, O.W. Lossev of Russia reported electroluminescent light emission in silicon carbide crystals. 1937, F. Destriau of France reported (field-excited electroluminescence of zinc sulfide powders. 1939 – 1944 World War II 1951 – Solid State Lighting potential resurfaced when a team of researchers led by Kurt Lehovec started to investigate the electroluminescent potential of silicon carbide. 1962 – Nick Holonyak Jr, working at General Electric, gave the first practical demonstration of LEDs. 1968 – HP Labs develops the first commercially available light-emitting diode. GE, Bell Labs make the same claim. LEDs were first invented in England, Korea and China as well, depending upon who you talk to. …… 1994 –高亮度蓝光LED实现产业化，半
1、我们通常所说的CPU外频指的是( C )。 A、CPU的运行频率 B、CPU与内存的交换速度 C、CPU与主板同步运行的速率 D、CPU速率与主板运行速率的差距 2、USB接口一般不能连接下面的哪种设备( C )。 A、鼠标 B、打印机 C、显示器 D、mp3 3、拆卸内存的正确方法是( )。 A、用手捏住内存网上拔出 B、拨开内存两边的扣子，内存自动弹出 C、用钳子钳住内存向上拔出 D、内存焊在主板上，无法拆卸
4、只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存 ( D )。 A、只读存储器 B、可编程只读存储器 C、光擦除可编程只读存储器 D、电擦除可编程只读存储器 5、通常制造内存条的是哪种类型的RAM ( )。 A、SRAM B、DRAM C、VRAM D、ROM 6、目前市场上在售的显卡大多采用哪种接口 ( )。 A、AGP B、PCI C、PCI-E D、IDE
（）的基础上进行的。 A、安装显卡驱动 B、安装主板驱动 C、安装声卡驱动 D、安装网卡驱动 8、关于LCD显示器的点距，下列说法不正确的是 ( )。 A、点距是指两个连续的液晶颗粒中心之间的距离 B、点距越大，画面越清晰 C、点距越小，画面越清晰 D、点距在出厂时已经设定好，用户无法改变 9、目前市场上的台式机硬盘通常采用哪两种接口( )。 A、PATA与IDE B、IDE与SATA C、FDD与SATA D、PATA与FDD
A、硬盘是主要的外部存储器 B、硬盘抗震性能优越，从高处掉下也不会坏 C、硬盘比较娇贵，使用时应避免大的振动 D、硬盘容量越大，能够存储的数据越多 11、下面不是机箱的作用的是( )。 A、为各种硬件提供一个安置的场所 B、可以减少内部电磁辐射与外部电磁辐射的影响 C、提供开关与指示灯，方便操作 D、漂亮的机箱性能相对也好 12、以下关于电源的说法不正确的是 ( )。 A、电源是将市电（交流电）转换成电脑使用的直流电的装置 B、电源的功率越大越好 C、劣质的电源容易引起电脑的多种故障 D、电源一般与机箱捆绑销售，也可以单独购买 13、CPU风扇安装时，常在CPU和风扇之间添加 ( )。 A、热固胶水
文件编号：GD/FS-8265 （安全管理范本系列） 使用集成电路的基本知识 详细版 In Order To Simplify The Management Process And Improve The Management Efficiency, It Is Necessary To Make Effective Use Of Production Resources And Carry Out Production Activities. 编辑：_________________ 单位：_________________ 日期：_________________
使用集成电路的基本知识详细版 提示语：本安全管理文件适合使用于平时合理组织的生产过程中，有效利用生产资源，经济合理地进行生产活动，以达到实现简化管理过程，提高管理效率，实现预期的生产目标。，文档所展示内容即为所得，可在下载完成后直接进行编辑。 1．集成电路型号的识别 要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性，那必须知道该块集成电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样，其正面印有型号或标记，从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路，根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如 AN5620，前缀AN说明是松下公司双极型集成电路，数字“5620”前二位区分电路主要功能，“56”说明是电视机用集成电路，而70～76属音响方面的用途，30～39属录像机用电路。详细情况请
参阅部分生产厂集成电路型号的命名，但要说明，在实际应用中常会出现A4100，到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的BA、东芝公司的TA、南朝鲜三星公司的KA、索尼公司的CXA、欧洲联盟、飞利浦、莫托若拉等国的TAA、TCA、TDA的哪一产品？一般来说，把前缀代表生产厂的英文字母省略掉的集成路，通常会把自己生产厂或公司的名称或商标打印上去，如打上SONY，说明该集成电路型号是CXA1034，如果打上SANYO，说明是日本三洋公司的LA4100，C1350C 一般印有NEC，说明该集成电路是日本电气公司生产的uPC1350C集成电路。 有的集成电路型号前缀连一个字母都没有，例如东芝公司生产的KT－4056型存储记忆选台自动倒放
一.16s,8s和4s主要区别： 1、扫描方式不一样； 2、亮度不一样（16s小于8s小于4s）； 3、价格不一样，或者理解为使用的驱动IC数量不一样（同一型号16s低于8s 低于4s） 目前市场上的显示屏大致可分为静态扫描和动态扫描两种方式！静态扫描又分为静态实像素和静态虚拟！动态扫描也分为动态实像和动态虚拟``分别有2 扫，4扫，8扫，16扫`` 举列说明：一个常用的全彩模组：像素为16*8 （2R1G1B）MBI5026 驱动，模组总共使用的灯是：16*8*（2+1+1）=512 ，MBI5026 为16位芯片！（1）512/16=32，如果是32 个MBI5026芯片，这块板子是静态虚拟（2）如果板子上两个红灯串连，用24个MBI5026芯片，是静态实像素。（3）12个MBI5026芯片，动态2扫实像素 （4）16个MBI5026芯片，动态2扫虚拟 （5）8个MBI5026芯片，动态4扫虚拟 （6）6个MBI5026芯片，动态4扫实像素 二.LED 的基本术语VF、IV、WL、IR 解释及光通量换算关系 V代表电压。 F代表正向。 I代表电流。 R代表反向。
WL代表波长。 故：VF代表正向电压，一般小功率led红、黄、橙、黄绿的vf是1.8-2.4v，纯绿、蓝、白的vf是3.0-3.6v。IF是正向电流，一般小功率led的IF都是20mA。IR是反向电流， 一般是在5v的反向电压下面测量，分小于10uA（微安），小于5uA和0uA 几个档次。WL是光的波长，可见光分别有各自的波长，不同的波长对应不同的颜色，如红光一般是615-650nm（纳米），蓝光一般是450-475nm。白光由于是蓝色芯片＋荧光粉调制而成，所以无波长，以色温来衡量（3000k以下偏黄。3000k－7000k正白，7000k以上偏蓝）。 LED的Vf值是什么意思?它的大小对LED有什么影响? vf是正向电压的意思，但是不一定正向电压越大，正向电流越大。你看只要是小功率led的承认书上面都会有一个vf值，有一个If值，不管vf值是多大，（红、黄、黄绿、橙一般为1.8v－2.4v，白、蓝、翠绿一般为3.0v-3.6v）。If 都是20mA。这两者是相辅相成的。比如2颗白光，一颗是3.0v，20mA，一颗是3.4v，20mA，意思就是说第一颗灯，你给它3.0v的电压，流过它的电流就是正常额定电流20mA，但是第二颗灯，你要给它3.4v的电压，流过它的电流才是20mA。在这里Vf和If没有成正比；但是一颗黄灯和一颗白灯比，比如黄灯的电压是2.0v，白灯的电压是3.3v，这颗黄灯在2.0v的电压下和这颗白灯在3.3v的电压下流过它们的电流是一样的，都是20mA，在这里Vf和If并不成正比。所以只有是专指同一颗灯的情况下Vf和If才是绝对成正比的。你在使用的时候不管Vf是多大，只要控制流过所有灯的电流为20mA就ok了
愿与爱好无盘安装使用、电脑主板、显示器、笔记本、硬盘等各种硬件电脑芯片级维修的朋友共同探讨学习、资料共享： 维修技术探讨QQ：403883935 维修基础知识(三)电感 维修基础知识(三)电感 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。 电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。 直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。 电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH （误差5%）的电感。 电感的基本单位为：亨（H）换算单位有：1H=103mH=106uH。 维修基础知识(一)电容篇 维修基础知识(一)电容篇 电容 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。 其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 4、故障特点 在实际维修中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。