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模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)
模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

习题1

一、填空题

1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题

1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( × )

2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。( √ )

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(× )

4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。( × )

5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。( √ )

6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。( × )

7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× )

三.简答题

1、PN 结的伏安特性有何特点?

答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e

(I I T

V V

s D -?=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位

与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?23

13810,电子电量

)

(C 10

60217731.1q 19

库伦-?=,则)

V (2

.1

594T V T

=

,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1

e T

V

V

>>,于是T

V V

s e

I I

?=,这时正向

电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为

负值,且|V|比V T 大几倍时,1

e T

V

V

<<,于是s

I I

-≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电

流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示,如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线(实线部分)可见:PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。

2、什么是PN 结的反向击穿?PN 结的反向击穿有哪几种类型?各有何特点?

答:“PN”结的反向击穿特性:当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后,PN 结发生击穿。

PN 结的击穿主要有两类,齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结,一般反向击穿电压小于4Eg/q (E g —PN 结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值,单位为伏特)的PN 的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。

雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结,一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反应,导致少数载流子浓度升高,反向电流剧增。

3、PN 结电容是怎样形成的?和普通电容相比有什么区别?

PN 结电容由势垒电容C b 和扩散电容C d 组成。

势垒电容C b 是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子,各具有一定的电量。当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储的电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄,存储的电荷量减小,这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随

图1.1.1 PN 伏安特性

外加电压改变而变化,是一种非线性电容,而普通电容为线性电容。在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。

扩散电容C d是载流子在扩散过程中

的积累而引起的。PN结加正向电压时,

N区的电子向P区扩散,在P区形成一

定的电子浓度(N p)分布,PN结边缘处浓

度大,离结远的地方浓度小,电子浓度

按指数规律变化。当正向电压增加时,

载流子积累增加了△Q;反之,则减小,

图1.3.3 P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累如图1.3.3所示。同理,在N区内空穴浓

度随外加电压变化而变化的关系与P区电子浓度的变化相同。因此,外加电压增加△V时所出现的正负电荷积累变化△Q,可用扩散电容C d来模拟。C d也是一种非线性的分布电容。

综上可知,势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时,扩散电容远大于势垒电容;PN结反偏时,扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比,PN结电容是非线性的分布电容,而普通电容为线性电容。

习题2

一、填空题

1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,扩散电流大于漂移电流。

2、在常温下,硅二极管的门限电压约0.6 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V;锗二极管的门限电压约0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。

3、在常温下,发光二极管的正向导通电压约 1.2~2V ,高于硅二极管的门限电压;考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在5~10 mA。

4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管,称为普通(稳压)二极管。请写出这种管子四种主要参数,分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。

二、判断题

1、二极管加正向电压时,其正向电流是由(a )。

a. 多数载流子扩散形成

b. 多数载流子漂移形成

c. 少数载流子漂移形成

d. 少数载流子扩散形成 2、PN 结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN 结的( d )。

a. 单向导电性

b. 反偏截止特性

c. 电容特性

d. 反向击穿特性

4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA ,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,

当温度为40℃时,反向饱和电流值为( c )。

a. 10μA

b. 15μA

c. 20μA

d. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时,其PN 结是( b )。 a. 正向运用 b. 反向运用

三、问答题

1、温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大,这是为什么?

答:正向偏置时,正向电流是多子扩散电流,温度对多子浓度几乎没有影响,因此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时,反向电流是少子漂移电流,温度升高少数载流子数量将明显增加,反向电流急剧随之增加,因此温度对二极管的反向特性影响大。 2、能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?

答:根据二极管电流的方程式

()q V /K T

S I I e

=-1

将V=1.5V 代入方程式可得:

()//I e

e

lg I lg lg e .--=?-≈??=-+

=12

150026

12

150026

2010

12010150020121434

26

故()I .A =?14

21810

虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用,但过大的电流定会烧坏二极管或是电池发热失效,因此应另外添加限流电阻。

3、有A 、B 两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA 和A .μ20,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA 和8mA ,你认为哪一个管的性能较好?

答:B 好,因为B 的单向导电性好;当反向偏置时,反向饱和电流很小,二极管相当于断路,其反向偏置电阻无穷大。

4、利用硅二极管较陡峭的正向特性,能否实现稳压?若能,则二极管应如何偏置?

答:能实现稳压,二极管应该正向偏置,硅二极管的正偏导通电压为0.7V ;因此硅二

极管的正向特性,可以实现稳压,其稳压值为0.7V 。 5、什么是齐纳击穿?击穿后是否意味着PN 结损坏?

答:齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结,其空间电荷区较窄,击穿电压较低(如5V 以下),一般反向击穿电压小于4Eg/q (E g —PN 结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值,单位为伏特)的PN 的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。

发生齐纳击穿需要的电场强度很大,只有在杂质浓度特别大的PN 结才能达到。击穿后并不意味着PN 结损坏,当加在稳压管上的反向电压降低以后,管子仍然可以恢复原来的状态。但是反向电流和反向电压的乘积超过PN 结容许的耗散功率时,就可能由电击穿变为热击穿,而造成永久性的破坏。电击穿PN 结未被损坏,但是热击穿PN 结将永久损坏。

习题3

一、填空题

1. 三极管处在放大区时,其 集电结 电压小于零, 发射结 电压大于零。

2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。

3. 在半导体中,温度变化时 少 数载流子的数量变化较大,而 多 数载流子的数量变化较小。

4. 三极管实现放大作用的内部条件是: 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小 ;外部条件是: 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。

5. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。

6. 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 100 。

7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。

9. 三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ,接入12k Ω的负载电阻后,输出电压降为

2.5V ,这说明放大电路的输出电阻为 12 k Ω。

11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合,可以在信号源与低电阻负载间接入

共集电极 组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出:

(1)电源电压CC V = 6V ;

(2)静态集电极电流CQ I = 1mA ;集电极电压CEQ U = 3V ; (3)集电极电阻C R = 3kΩ ;负载电阻L R = 3kΩ ;

(4)晶体管的电流放大系数β= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数v A = -50 ;('bb r 取200Ω);

(5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ;

(6)要使放大电路不失真,基极正弦电流的振幅度应小于20μA 。

题图3.0.1

13. 稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极-基极偏置电路。

14. 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻

的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A 的输入电阻小。

15. 三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。

16. 共集电极放大电路的输入电阻很大,输出电阻很小。

17. 放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

18. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用;

19. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用;

20. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用;

21. 射极输出器的输入电阻较大,输出电阻较小。

22. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输

出电阻小。

23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指“小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分

析,不适合静态工作点和电流电压的总值的求解,不适合大信号的工作情况分析。24. 放大器的静态工作点由它的直流通路决定,而放大器的增益、输入电阻、输出电

阻等由它的交流通路决定。

25. 图解法适合于求静态工作Q点;小、大信号工作情况分析,而小信号模型电路分析

法则适合于求交变小信号的工作情况分析。

26. 放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力;输入电阻反映放大器索取信号源

信号大小的能力;而输出电阻则反映出放大器带负载能力。

27. 对放大器的分析存在静态和动态两种状态,静态值在特性曲线上所对应

的点称为Q点。

28. 在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O

和V I的相位关系为反相;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位关系为同相。29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中,当Q点太高(太高或太低)时,将产生饱

和失真,其输出电压的波形被削掉波谷;当Q点太低(太高或太低)时,将产生截止失真,其输出电压的波形被削掉波峰。

30. 单级共射放大电路产生截止失真的原因是放大器的动态工作轨迹进入截止区,产生

饱和失真的原因是放大器的动态工作轨迹进入饱和区。

31. NPN三极管输出电压的底部失真都是饱和失真。

32. PNP三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。

33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合,直接耦合,变压器耦合。

34. BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。

35. 不论何种组态的放大电路,作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此,

这种BJT 接入电路时,总要使它的发射结保持 正向 偏置,它的集电结保持 反向 偏置。 36. 某三极管处于放大状态,三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ,则三极管的集电极是 A ,基极是 C ,发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型,由 锗 半导体材料制成。

37. 电压跟随器指共 集电 极电路,其 电压 的放大倍数为1; 电流跟随器指共 基 极电路,指 电流 的放大倍数为1。

38. 温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时,CBO I 增加 ,β 增加 ,正向发射结电压BE U 减小 ,CM P 减小 。

39. 当温度升高时,共发射极输入特性曲线将 左移 ,输出特性曲线将 上移 ,而且输出

特性曲线之间的间隔将 增大 。

40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。

41. 在题图3.0.2电路中,某一参数变化时,CEQ V 的变化情况(a. 增加,b ,减小,c. 不变,将答案填入相应的空格内)。 (1)b R 增加时,CEQ V 将 增大 。 (2)c R 减小时,CEQ V 将 增大 。 (3)C R 增加时,CEQ V 将 减小 。 (4)s R 增加时,CEQ V 将 不变 。 (5)β减小时(换管子),CEQ V 将 增大 。 (6)环境温度升高时,CEQ V 将 减小 。

42. 在题图3.0.3电路中,当放大器处于放大状态下调整电路参数,试分析电路状态和性能的变化。(在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。) (1)若b R 阻值减小,则静态电流I B 将 增大 ,CE V 将 减小 ,电压放大倍数v A 将 增大。

(2)若换一个β值较小的晶体管,则静态的B I 将 不变 ,CE V 将 增大,电压放大倍数v

A 将 减小。

(3)若C R 阻值增大,则静态电流B I 将 不变 , CE V 将 减小 ,电压放大倍数v A 将 增大 。

题图3.0.2

题图3.0.3

43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 , 上限截止频率 和 下限截止频率 。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面,产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。

45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下, 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。 48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时,低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ;高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。

49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为L H f f 和的输入信号时,电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB ,高、低频输出电压与中频时相比有附加相移,分别为 -45o 和+45o 。

50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中,幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ,幅频

响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ;附加相移高频区的斜率为 -45o/十倍频 ,附加相移低频区的斜率为 +45o/十倍频 。

51. 一个单级放大器的下限频率为100Hz =L f ,上限频率为30kHz =H f ,40dB VM =A ,如果输入一个)t 00015sin(100,πmV 的正弦波信号,该输入信号频率为 50kHz ,

该电路 不会 产生波形失真。

52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带变 窄 ,电压增益 增

大 ,高频区附加相移 增大 。

二、判断题

1. 下列三极管均处于放大状态,试识别其管脚、判断其类型及材料,并简要说明理由。 (1)3.2V ,5V ,3V ;

解:锗NPN 型BJT 管 V BE =0.2 V 所以为锗管;5V 为集电极,3.2V 为基极,3V 为发射极,

(2)-9V ,-5V ,-5.7V

解:硅PNP 型BJT 管;-9V 为集电极,-5.7V 为基极,-5V 为发射极 (3)2V ,2.7V ,6V ;

解:硅NPN 型BJT 管;6V 为集电极,2.7V 为基极,2V 为发射极 (4)5V ,1.2V ,0.5V ;

解:硅NPN 型BJT 管;5V 为集电极,1.2V 为基极,0.5V 为发射极 (5)9V ,8.3V ,4V

解:硅PNP 型BJT 管 9V 为发射极,8.3V 为基极,4V 为集电极 (6)10V ,9.3V ,0V

解:硅PNP 型BJT 管, 10V 为发射极,9.3V 为基极,0V 为集电极 (7)5.6V ,4.9V ,12V ;

解:硅NPN 型BJT 管,12V 为集电极,5.6V 为基极,4.9V 为发射极, (8)13V ,12.8V , 17V ;

解:锗NPN 型BJT 管,17V 为集电极,13V 为基极,12.8V 为发射极, (9)6.7V ,6V ,9V ;

解:硅NPN 型BJT 管,9V 为集电极,6.7V 为基极,6V 为发射极, 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管:;4,7.2,2V V V V V V C E B =-=-= 答:NPN 管,工作在放大状态。 2管:;5.5,3.5,6V V V V V V C E B === 答:NPN 管,工作在饱和状态。

3管:;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-=

答:NPN 管,工作在截止状态。

3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区?

答:题图3.0.4所列三极管中,只有图(D )所示的三极管处在放大区。

4. 放大电路故障时,用万用表测得各点电位如题图3.0.5,三极管可能发生的故障是什么?

答:题图3.0.5所示的三极管,B 、E 极之间短路,发射结可能烧穿。

5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ,3.66mA 和3.6mA ,则该管的β 为①。

①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极,最先判别出的应是 ②b 极 。

①e 极 ②b 极 ③c 极

7. 共发射极接法的晶体管,工作在放大状态下,对直流而言其 ① 。

①输入具有近似的恒压特性,而输出具有恒流特性。 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性。

④输入具有近似的恒流特性,而输出具有恒压特性。

8. 共发射极接法的晶体管,当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R 时的c ,e 间的击穿电压分别用V (BR )CEO ,V (BR )CES 和V (BR )CER 表示,则它们之间的大小关系是 ② 。

①V (BR )CEO >V (BR )CES >V (BR )CER 。 ②V (BR )CES >V (BR )CER >V (BR )CEO 。 ③V (BR )CER >V (BR )CES >V (BR )CEO 。 ④V (BR )CES >V (BR )CEO >V (BR )CER 。

题图3.0.5 题图3.0.4

6V 3V A 6V 2.3V 2.3V C 3V 9.3V 5.7V D 5V 0V 1.9V

B 1.6V

9.题图3.0.6所示电路中,用 直流电压表测出V CE ≈0V ,有 可能是因为 C 或D 。

A R b 开路

B R c 短路

C R b 过小

D 过大

10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。

答:题图3.07所示的各个三极管的工作状态,图(a )为放大, 图(b )为放大 ,图(c )为饱和, 图(d )为C 、E 极间击穿。

11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,如题图3.0.8示,试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)?

答:题图3.07所示的各个三极管的工作状态,图(a )为损坏, 图(b )为放大, 图(c )为放大, 图(d )为截止, 图(e )为损坏,图(f )为饱和(或B 、C 极间击穿)。 12. 放大电路如题 图3.0.9所示,对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输

题图3.0.6

题图3.0.7

(b)

(c)

(d)

(a)

题图3.0.8

入电阻i R 的问题,有三种不同看法,指出哪一种是正确的?

甲:当e R 增大时,负反馈增强,因此↓v A 、↑i R 。( ) 乙:当e R 增大时,静态电流C I 减小,因此↓v A 、↑i R 。( )

丙:因电容e C ,对交流有旁路作用,所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响,因此,当e R 增大时,v A 和i R 均无变化。

解:本题意在我们要搞清e R ,在分压式电流负反馈偏置电路中的作用,从表面看,e

R 被e C 交流旁路了,对交流量无影响(即不产生交流负反馈),所以e R 的变化不影响u A 和i R ,这是本题容易使我们产生错觉的地方。但我们还必须进一步考虑,尽管e R 不产生交流负反馈,但它对放大器的静态工作点的影响是很大的,既然影响到CQ I ,就影响到be r 进而影响u A 和i R 。

甲的说法是错误的,原因:因e C 的旁路作用,所以e R 不产生交流负反馈,所以甲的观点前提就是错的。

乙的说法是正确的。原因:;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R

↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,

丙的说法是错误的,原因:正如解题分析中所说,尽管e R 不产生负反馈,但e R 增大使

EQ

EQ ,I

I 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。

题图3.0.9

客观检测题

一、填空题

1. 场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小,因此它是电压控制器件。

2. 为了使结型场效应管正常工作,栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度,它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。

3. 场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流不能穿过PN结(能,不能)。

4. 对于耗尽型MOS管,V GS可以为正、负或者零。

5. 对于增强型N型沟道MOS管,V GS只能为正,并且只能当V GS >V TH时,才能形有

I。

d

6. P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。

7. 场效应管与晶体管相比较,其输入电阻高;噪声低;温度稳定性好;饱和压降大;放大能力较差;频率特性较差(工作频率低);输出功率较小。

8. 场效应管属于电压控制器件,而三极管属于电流控制器件。

9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。

10. 由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电,所以将它称为双极型的,由于场效应管只有多数载流子参与导电,所以将其称为单极型的。

11. 跨导

g反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力,其单位为ms(毫西门m

子) 。

12. 若耗尽型N沟道MOS管的V GS大于零,其输入电阻不会明显变小。

13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示,则它是N 沟道的效应管,它的夹断电压V p是4.5V ,饱和漏电流I DSS是 5.4mA 。

题图4.0.1 填空题13图

客观检测题

一、填空题

1. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大 交流功率 。(交流功率 直流功率 平均功率)

2. 与甲类功率放大器相比较,乙类互补推挽功放的主要优点是 能量效率高 。(无输出变压器 能量效率高 无交越失真)

3. 所谓功率放大电路的转换效率是指 负载得到的有用信号功率和电源供给的直流功率 之比。

4. 在OCL 乙类功放电路中,若最大输出功率为1W ,则电路中功放管的集电极最大功耗约为 0.2W 。

5. 在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有 (1) 最大允许功耗cm p ;(2)CEO BR V )( 集电极—发射极间的反向击穿电压; (3)最大集电极电流CM I 。

6. 若乙类OCL 电路中晶体管饱和管压降的数值为│V C E S │,则最大输出功率

L

2

CES CC OM R 2)

V V (P -=

8. 电路如题图5.1.1所示,已知T 1和T 2的饱和管压降│V C E S │=2V ,直流功耗可忽略不计。R 3、R 4和T 3的作用是 为T 1和T 2 提供适当的偏压,使之处于微导通状态,消除交越失真 。负载上可能获得的最大输出功率P o m 16W 和电路的转换效率η= 69.8% 。设最大输入电压的有效值为1V 。为了使电路的最大不失真输出电压

的峰值达到16V ,电阻R 6至少应取 10.3千欧。

题图5.1.1

9. 甲类功率放大电路的能量转换效率最高是 50% (峰值功率)。 甲类功率放大电路的输出功率越大,则功放管的管耗 越小 ,则电源提供的功率 越大 。

10. 乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是 78.5% 。若功放管的管压降为V ces 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值为 CES CC V V ,管子的功耗最小。 乙类互补功放电路存在的主要问题是 输出波形严重失真 。在乙类互补推挽功率放大电路中,每只管子的最大管耗为 0.2o P 。设计一个输出功率为 20W 的功放电路,若用乙类互补对称功率放大,则每只功放管的最大允许功耗 P CM 至小应有 4W 。双电源乙类互补推挽功率放大电路最大输出功率为

C C L

V R 2

2 。

11. 为了消除交越失真,应当使功率放大电路工作在 甲乙类 状态。 12. 单电源互补推挽功率放大电路中,电路的最大输出电压为 2/CC V 。

13. 由于功率放大电路工作信号幅值 大 ,所以常常是利用 图解法 分析法进行分析和计算的。

二、问答题

1、 功率放大电路与电压放大电路有什么区别?

答:功率放大电路和电压放大电路相比的区别是:功率放大电路在不失真(或失真很小)的情况下尽可能获得大的输出功率,通常是在大信号状态下工作;功率放大电路的负载通常是低阻负载。功率放大电路要有足够大的输出功率,因此,担任功率放大的晶体管必然处于大电压、大电流的工作状态,因此要考虑晶体管的极限工作问题、能量转换效率问题、非线性失真问题和器件散热问题。

2、 晶体管按工作状态可以分为哪几类?各有什么特点?

答:根据放大电路静态工作点在交流负载线上所处位置的不同,可将放大管的工作状态分为甲类、乙类、甲乙类和丙类四种。丙类工作方式多用于高频功率放大器。低频功率放大电路仅有甲类、乙类、甲乙类工作方式的。

甲类工作方式静态工作点取在交流负载线的中点,放大管的导通角为360°,放大电路的工作点始终处于线性区。甲类功放在没有信号输入时也要消耗电源功率,此时电路的转换效率为零;当有信号输入时,电源功率也只有部分转化为有用功率输出,另一部分仍损耗在器件本身;甲类工作方式最大转换效率50%(峰值功率)。

乙类工作方式静态工作点Q 下移至i C =0处,放大管的导通角为180°,当不加输入信号(静态)或输入信号在功率管不导通的半个周期内,晶体管没有电流通过,此时管子功率损耗为零。乙类功放减少了静态功耗,所以效率与甲类功放相比较高(理论值可达78.5%),但出现了严重的波形失真。

甲乙类工作方式。为了减小非线性失真,将静态工作点Q 略上移,设置在临界开启状态。使放大管在一个信号周期内,导通角略大于180°;电路中只要有信号输入,三极管就开始工作。因静态偏置电流很小,在输出功率、功耗和转换效率等性能上与乙类十分相近,故分析方法与乙类相同。

3 、你会估算乙类互补推挽功率放大电路的最大输出功率和最大效率吗?在已知输入信号、电源电压和负载电阻的情况下,如何估算电路的输出功率和效率?

答:(1)双电源乙类互补推挽功率放大电路:im o L

V P R =

2

2,cc

om 4

V V ?

=

π

η;

(2)单电源乙类互补推挽功率放大电路:im o L

V P R =

2

8,CC

V V ??

=

214

om πη

4 什么是交越失真?怎样克服交越失真?

答:在乙类互补对称功放电路中,当输入信号很小时,因达不到三极管的开启电压

V .V BE 60=,而使两个三极管均不导通,输出电压为零;当输入信号略大于开启电压时,

三极管虽然能微导通,但输出波形仍会有一定程度的失真。这种输出信号正、负半周交替过零处产生的非线性失真,称为交越失真(cross-over distortion)。

为消除交越失真,可使用二极管或三极管偏置电路,使功率放大电路工作在近乙类的甲乙类方式下。常用的消除交越失真的简化互补功率放大电路有如下两种:利用二极管提供偏置的互补对称电路。BE V 扩大电路。

5 在乙类互补推挽功放中,晶体管耗散功率最大时,电路的输出电压是否也最大?

答:不是。当功放电路的CC om V 2

?=π

V 时,管耗最大。当功放电路的o m C C V C E S

V V =-时,电路的输出电压最大。

6 以运放为前置级的功率放大电路有什么特点?

答:由于运放的电压增益V d A →∞,因而只要i V ≠0,则o V >0,所以输出电压不会产生交越失真。

7 常用的功率器件有哪些,各有什么特点?选择功率器件要考虑哪些因素?

答:达林顿管、功率VMOSFET 和IGBT 功率模块。

功率MOSFET 的特点有:(1)MOSFET 是电压控制型器件,因此在驱动大电流时无需推动级,电路相对较简单;(2)输入阻抗很高,达108Ω以上;(3)工作频率范围宽,开关速度高(因为多数载流子导电,没有开关存储效应,开关时间为几十到几百纳秒),开关本身损耗小;(4)有相对优良的线性区,并且输入电容比双极型器件小得多,所以交流输入阻抗很高;

IGBT 是MOSFET 和BJT 技术的混合物。从结构上讲,IGBT 类似具有另一附加层的功率MOSFET 。因此,IGBT 有MOSFET 的驱动优势,也有功率BJT 在高电压使用情况下良好的驱动能力。

选择功率器件应从功率管的极限工作电流、极限工作电压、最大管耗、散热、防止二次击穿、降低使用定额和保护措施等方面来考虑。

8 什么是热阻?如何估算和选择功率器件所用的散热装置?

答:散热条件的优劣常用“热阻”表示,热阻定义如下:

T T T R P

-=

12

式中T 1是热源的温度,T 2是环境温度,P 是热源消耗的功率。通俗地理解,就是热源消耗1W 的功率,会使它的温度上升多少度。所以,热阻小,说明散热条件好;热阻大,说明散热条件差。换一句话说,同样消耗1W 的功率,热阻小的三极管温升小,热阻大的三极管温升大。因此,热阻大的三极管不允许耗散太大的功率。

为了减小功率管的热阻,常需要给三极管加装散热片。例如:三极管3AD30,不加散热片时允许管耗10W ;加入一定面积的散热片后,允许管耗可达30W 。因此功率放大管加装散热片是非常必要的。

功率器件所用的散热片估算。

j a T C M

T T T T R P

P --=

=12

小功率管不用散热器,等效热阻为:T jc ca R R R =+ 大功率管加散热器后,等效热阻为:T jc cs sa R R R R =++

T J 是管子的结温,T a 是环境温度,P CM 是管耗。R jc 是管子的结到外壳的内热阻,R ca 是外壳到空气的热阻,R cs 是外壳到散热器的热阻,R sa 是散热器到空气的热阻。一般总有sa cs ca R R R +=。

R sa 与散热器的材料(铝、铜等)及散热面积有关。并且散热器垂直放置比水平放置散热效果好。

若低频大功率管3AD1在环境温度T a =25oC 不加散热器时,其最大允许管耗P CM =1W ,已知3AD1的允许结温T J =85oC ,管子的内热阻R jc =3.5 oC/W ,试问若采用120×120×3mm 3的铝散热器垂直放置时,允许耗散的功率为多少瓦?当室温升至50oC 时允许的耗散功率又为多少瓦?这些问题可以作出如下解析。 根据计算的散热面积 S=120×120=14400mm 2=144cm 2

查手册可知散热器到空气的热阻为 R sa = 3.5 oC/W 设三极管与散热器间不加绝缘片时的热阻R cs = 0.5 oC/W

则三极管的总热阻 T jc cs sa R R R R ....C /W =++=++=?35053575 当环境温度为25oC 时, j a

C M T

T T P W R .--=

=

=8525875

当环境温度升为50oC 时, j a

C M T

T T P .W R .--=

=

=85504775

习题6

客观检测题

一、填空题

1. 差动放大电路采用了对称的三极管来实现参数补偿,其目的是为了克服

零点漂移。

2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是集成工艺难于制造大容量电

容,选用差分放大电路作为输入级的原因是利用其对称性减小电路的温漂。

3. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差,共模信号是两个输入

端信号的算术平均值。

4. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将提高电路的

共模抑制比。

5. 三极管构成的电流源之所以能为负载提供恒定不变的电流,是因为三极管

工作在输出特性的放大区域;三极管电流源具有输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大的特点。

6.在放大电路中,采用电流源作有源负载的目的是为了提高电压放大倍数,

在含有电流源的放大电路中,判断电路是放大电路还是电流源电路的方法是:电流源是一个单口网络,而放大电路是一个双口网络。

二、判断题

1. 在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是 C 多级放大电路。

A阻容耦合,B变压器耦合,C直接耦合,D光电耦合。

2. 在多级放大电路中,不能抑制零点漂移的 C 多级放大电路。

A阻容耦合,B变压器耦合,C直接耦合,D光电耦合,

3. 集成运放是一种高增益的、 C 的多级放大电路。

A阻容耦合,B变压器耦合,C直接耦合,D光电耦合,

4. 通用型集成运放的输入级大多采用 C 。

A共射极放大电路,B射极输出器,C差分放大电路,D互补推挽电路。5. 通用型集成运放的输出级大多采用 D 。

A共射极放大电路,B射极输出器,C差分放大电路,D互补推挽电路。

6. 差分放大电路能够 C 。

A提高输入电阻,B降低输出电阻,C克服温漂,D提高电压放大倍数。

7. 典型的差分放大电路是利用 C 来克服温漂。

A直接耦合,B电源,C电路的对称性和发射极公共电阻,D调整元件参数。

8. 差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 B 。

A和,B差,C乘积,D平均值。

9. 差分放大电路的共模信号是两个输入信号的D 。

A和,B差,C乘积,D平均值。

10. 共摸抑制比K CMR越大,表明电路 C 。

A放大倍数越稳定,B 交流放大倍数越低,C抑制零漂的能力越强,D输入电阻越高。

11. 差分放大电路由双端输出变为单端输出,则差模电压增益 B 。 A 增加, B 减小, C 不变。 12. 电流源电路的特点是: A 。

A 端口电流恒定,交流等效电阻大,直流等效电阻小。

B 端口电压恒定,交流等效电阻大。

C 端口电流恒定,交流等效电阻大,直流等效电阻大 。

13. 在差分放大电路中,用恒流源代替差分管的公共射极电阻 R e 是为了 C 。

A 提高差模电压放大倍数,

B 提高共模电压放大倍数,

C 提高共模抑制比,

D 提高偏置电流,

习题7

客观检测题

一、填空题

1. 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 直流 负反馈;

2. 在放大电路中引入串联负反馈后,电路的输入电阻 增加。

3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入引入负反馈的类型是 电压串联负反馈 ;

4. 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入引入负反馈的类型是 电流并联负反馈 。

5. 欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 电压并联 负反馈;

6. 负反馈放大器自激振荡的条件为 1-=?

?

F A 。

7. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入负反馈的类型是 电流串联 。

二、选择题

1. 放大电路中有反馈的含义是 B 。

A 、输出与输入之间有信号通路

B 、电路中存在反向传输的信号通路

C 、除放大电路以外还有信号通道

2. 根据反馈的极性,反馈可分为 C 反馈

A 直流和交流

B 电压和电流

C 正和负

D 串联和并联 3. 根据反馈信号的频率,反馈可分为 A 反馈

A 直流和交流

B 电压和电流

C 正和负

D 串联和并联 4. 根据取样方式,反馈可分为 B 反馈

A 直流和交流

B 电压和电流

C 正和负

D 串联和并联 5. 根据比较的方式,反馈可分为 D 反馈

A 直流和交流

B 电压和电流

C 正和负

D 串联和并联 6. 负反馈多用于 A 。

A 改善放大器的性能

B 产生振荡

C 提高输出电压

D 提高电压增益

7. 正反馈多用于 B 。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压D提高电压增益

8. 交流负反馈是指 B 。

A只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B交流通路中的负反馈

C变压器耦合电路中的负反馈

D 直流通路中的负反馈

9. 若反馈信号正比于输出电压,该反馈为 C 反馈。

A串联B电流C电压 D 并联

10. 若反馈信号正比于输出电流,该反馈为 B 反馈

A串联B电流C电压 D 并联

11. 当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A 反馈。

A串联B电流C电压 D 并联

12. 当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为 D 反馈。

A串联B电流C电压 D 并联

13. 电压负反馈可以 A 。

A稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率

14. 串联负反馈 A 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

D 提高电路的输出电流

15. 电压并联负反馈 B 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

D 提高电路的输出电流

16. 电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为 B 反馈系数。

A电流B互阻C互导D电压

17. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是指 C 。

A输入信号所包含的干扰和噪声

B反馈环外的干扰和噪声

C反馈环内的干扰和噪声

18. 负反馈放大电路是以降低电路的 C 来提高电路的其它性能指标。

A通频带宽B稳定性C增益

19. 引入反馈系数为0.1 的并联电流负反馈,放大器的输入电阻由1kΩ变为100Ω,则该放大器的开环和闭环电流增益分别为 A 。

A 90 和9

B 90 和10

C 100 和9

习题8

客观检测题

一、填空题

1. 集成运放的增益越高,运放的线性区越小。

2. 为使运放工作于线性区,通常应引入 负 反馈。

3. 反相比例运算电路中,电路引入了 电压并联 负反馈。(电压串联、电压并联、电流并联)

4. 反相比例运算电路中,运放的反相端 虚地 。(接地、虚地、与地无关)

5. 同相比例运算电路中,电路引入了 电压串联 负反馈。(电压串联、电压并联、电流并联)

6. 在同相比例运算电路中,运放的反相端 与地无关 。(接地、虚地、与地无关)

7. 反相比例运算电路的输入电流基本上 等于 流过反馈电阻R f 上的电流。(大于、小于、等于)

8. 电压跟随器是 同相比例 运算电路的特例。它具有R i 很大和R o 很小的特点,常用作缓冲器。 (反相比例、同相比例、加法 )

9. 电压跟随器具有输入电阻很 大 和输出电阻很 小 的特点,常用作缓冲器。 10. 在反相比例运算电路中,运放输入端的共模电压为 零 。(零、输入电压的一半、输入电压)

11. 在同相比例运算电路中,运放输入端的共模电压为 输入电压 。(零、输入电压的一半、

输入电压)

12. 在题图8.1所示电路中,设A 为理想运放,

那么电路中存在关系 i N v v = 。

(0=N v ,21i N R i v v -=,i N v v =,21i i -=) 13. 在题图8.1所示电路中,设A 为理想运放,

则电路的输出电压v O = (1+R f /R 1) v i 。

14. 在题图8.2所示电路中,设A 为理

想运放,则v O 与 v i 的关系式为

( f f o i i i R R v v v v R R ?

?=+-

= ???11

1 ) 15. 在题图8.3所示电路中,设A 为

理想运放,已知运算放的最大输出电 压V om =±12V ,当v i = 8V 时, v O = -12 V 。

16.在题图8.4所示电路中,若运

放A 的最大差模输入电压为±6V , 最大允许共模输入电压为±10V ,则 此电路所允许的最大输入电压

v i = ±10 V 。

17.运放有同相、反相和差分三种输入方式,

题图8.1

题图8.2

题图8.4

图题8.3

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

模拟电子技术基础I考核作业标准答案

东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷(作业考核线下)B 卷(共 4 页) 总分题号一二三四五六七八九十得分 注:请您单面打印,使用黑色或蓝色笔,手写完成作业。杜绝打印,抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止,并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、(10分)电路如图所示,设输入电压u i是幅值为10V的正弦波,试画出u o的波形。(设二极管D1,D2为理想二级管)。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示,已知V CC=12V,R bl=40kΩ,R b2=20kΩ,R c=R L=2kΩ,U BE=,β=50,R e=2kΩ, U CES ≈0V。求:(1)计算静态工作点;(2)随着输入信号 i U 的增大,输出信号o U 也增大,若输出o U 波形出现失真,则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R , 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示,负载R L=8Ω,晶体管T1和T2的饱和压降为2V,输入u i为正弦波。求:(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率?(2)此时的效率和管耗各是多少? 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V)

五、填空题:(每空1分共30分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加 电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结 电阻为(),等效成断开; 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 5、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采 用()负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上 大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放 大器。 10、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等 特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电 路中。 六、选择题(每空2分共20分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(), 它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、,则三个电极分别是(), 该管是()型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电子技术基础第三版课后答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。 解:在20℃时的反向电流约为:3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为:321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA 变为2mA,那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降 UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈;【】 A.2V B.3V C.6V U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW, (2)当 i 则输出电压的幅值将;【】 A.减小 B.不变 C.增大 U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大(3)在 i 输入电压,则输出电压波形将;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】 A.输入电阻增大B.输出量增大 C.净输入量增大D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。【】 A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础课后答案-沈任元

模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_, _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_, _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_, _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解:,,,,,。 2-5 解:VD截止,,VD导通,,VD 1、VD 4 导通,VD 2 、VD 3 截止,

。 2-6 解: 2-8 解:1) ,,。2), 。 2-11解:1) 2);3); 4);5),相当于半波整流滤波(有电容)。 或,相当于半波整流滤波(无电容)。

2-12 解: 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_,___集电__。 4. __100___,___120___。5. ___0.98mA___, ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__, ___正向___。8. __集电__, __发射__,__基极__, __发射___, __0.7V __。9. __发射__,__集电__, ___-0.7V___。 10. __PNP___, ___锗___。 11. __增加__, __增加__, __减小__。12 __左__, __上___, __大__。 13. 查阅电阻器件手册,了解下列常用晶体管的极限参数,并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__, __交流__。16. __截止___, __顶部__,__小__。17. _饱和__, __底部__, __大__。18. __温度升高__。19. __共射__, __共集和共基__。20. __共基__, __共集___, __共射_。21. _稳定静态

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础试题与答案解析

电子电工专业试卷 说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分,考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷(选择题,共35分) 注意事项: 每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术基础试题(含答案)

(120) 1.纯净的半导体叫()。掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。 A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子 2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。 A.扩散B.漂移C.小D.大 3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。A.双极B.空穴C.单极D.自由电子 4.负反馈放大电路的含义是()。 A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路之外还有信号通路 D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB 6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。 A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路 7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。 A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容 8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。 A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强 9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。 A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。 A.带阻B.带通C.低通D.有源 11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。 A.比较B.滤波C.调整 (210) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。() 3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。() 4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() 5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。() 1.设图3-1中二极管、为理想二极管,判断它们是导通还是截止?输出电压= ?(4分)

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保 R大的特点。( √ ) 证其 GS U大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k 时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示,它们的开启电

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