复旦大学微电子882半导体器件原理完整版

一．选择题１５＊６

１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B

Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度

２。二极管正向阈值电压Ｖf：b

Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化

３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B

Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上

４。双极型晶体管共基极连接：

Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放

大

５。晶体管基区运输系数主要决定于：c

Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度

６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C

Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度

不能太高否则发射率反而下降

７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B

Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０

８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）

９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：

Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方

向平移一段距离，与类型无关

１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：

Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢

Ｃ：沿沟道方向的电场很小

１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：

Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt

１２．nos管体电荷变化效应是指；

Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影

响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响

１３．mos亚阈值电流的主要特征：

具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不

大

１４．nos管短沟道效应是指：

选项没有记下

１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：

Ａ：提高沟道电场Ｂ：等比率缩小器件Ｃ：增大衬底电阻

二．名词解析５＊６

１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？

２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响

３．试说明mos管有放大作用的基本原理

４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系

５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗

三．计算题１＊３０

有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５

０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．

２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３

v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）

器件题目：

一单项选择题5'*12

（部分选项可能与实题有出入）

1.在P正-N结中耗尽层的宽度取决于

A.Na

B.Nd

C.Na和Nd

2.在二极管中，正向阈值电压Vf和温度的关系是

A.Vf随温度升高而上升

B.Vf随温度升高而下降

C.Vf不随温度变化

3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比

A.隧道击穿电压高

B.齐纳击穿电压高

C.两个击穿电压在一个数量级之上

4.P正-N结中，势垒电容的大小取决于a

A.Na

B.Nd

C.Na和Nd

5.双极型p-n-p晶体管中，发射区掺杂浓度和发射效率的关系是

A.掺杂浓度越高，发射效率越高

B.掺杂浓度和发射效率没有关系

C.掺杂浓度并非越高越好，过高反而会降低发射效率

6.在双极型晶体管中，使用Ge-Si基区的目的是（选项记不清了）

A.提高发射效率并且降低基区电阻

B.提高基区输运系数

C.仅仅为了提高发射效率

7.在双极型晶体管中，基区输运系数与什么有关

A.发射区掺杂浓度

B.基区宽度和少子扩散长度

C.基区掺杂浓度和少子分布

8.在漂移基区晶体管中，基区内建电场与什么因素关系最大

A.少子浓度分布

B.掺杂浓度

C.基区宽度

9.在N沟道耗尽型MOS管中，何时沟道会消失

A.Vg

B.Vg>Vt

C.Vg>0

10.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关

（选项记不清了，知道公式就能选对）

11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关

（同上）

12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生

A.沟道电流和阈值电压都增大

B.沟道电流增大

C.阈值电压增大

二计算题30'*3

1.根据以下四个MOS电容中直流电荷的分布图，判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区

3)画出MOS表面能带图

（四个图为半物课本MOS结构中的那几张，因为我现在手里没有半物书，具体是否一一对

应暂时不明）

2.已知IDSS＝10^-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V

1)求VGS

2)若VGS=2V,VDS=2V,求IDS

3)若VGS=3V,VDS=1V,再求IDS

3.已知在CMOS集成倒相器中，tox＝50nm,p-sub衬底浓度为

4.5*10^16,

Nss=2*10^10(这个

数量级记不清了)，Al的功函数为4.2V，p阱的注入浓度为3*10^17,Vdd＝3V

求倒相管和负载管的阈值电压。

常用半导体器件复习题

第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。

二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）

复旦大学工程硕士简介d.doc

电子与通信工程领域 电子与通信工程领域是电子技术与信息技术相结合的构建现代信息社会的工程领域。主要培养从事信号与信息处理、通信与信息系统、电路与系统、电磁场与微波技术等工程技术的高级工程技术人才。 电子技术利用物理电子与光电子学的基础理论解决仪器仪表、自动控制及计算机设计制造等工程技术问题，信息技术研究信息传输、信息交换、信息处理、信号检测等理论与技术。 电子技术的迅猛发展为新技术革命带来了根本性和普遍性的影响。电子技术水平的不断提高，既促使了超大规模集成电路和计算机的出现，又促成了现代通信的实现。电子技术正在向光子技术演进，微电子集成正在引伸至光子集成。光子技术和电子技术的结合与发展，正在推动通信向全光化方向快速发展，而通信尤其是无线通信技术与计算机技术越来越紧密的结合与发展，正在构建崭新的网络社会和数字时代。 信息技术是当今社会经济发展的一个重要支柱。信息产业，包括信息交流所用的媒介、信息采集、传输和处理所需要的器件设备和原材料的制造和销售，以至计算机、光纤、卫星、激光、自动控制、多媒体信息处理等由于其技术新、产值高、范围广，已成为或正在成为许多国家或地区的支柱产业。 电子与通信工程领域由信息科学与工程学院主办，由电子工程系、通信科学与工程系提供支撑。在学科分布上，拥有2个国家重点学科、1个上海市重点学科、1个教育部重点实验室，含一级学科3个、博士后流动站2个、博士点3个、硕士点5个。 主要研究方向: ●图像与智能信息处理●数字系统理论与通信技术●电路系统及应用 ●自动控制●电子测量技术●复杂网络系统理论及应用●移动通信●信息提取与处理●多媒体通信 ●通信与网络●光通信●光纤通信与传感 ●中远外红光纤●电磁场与电磁波●散射辐射与空间遥感信息●空间遥感信息技术 主要专业课程: ●计算机应用●管理经济学●现代通信体系统 ●网络原理与工程设计●DSP技术及其应用●网络协议与安全设计 ●电子系统设计●现代信号处理

复旦大学继续教育学院

复旦大学公共卫生学院 2013～2014学年第一学期期末考试试卷 卷□B卷 课程名称：健康教育学课程代码： PHPM130004.01 开课院系：公共卫生学院考试形式：闭卷 姓名：学号：专业： 一、单选题（15题，每题1分，共15分） 1.大多数学者公认的美国现代健康传播的开端是 ( ) A、Stanford AIDS Prevention Program B、Stanford Health Communication Program C、Stanford Diabete Prevention Program D、Stanford Heart Disease Prevention Program E、Stanford Social Marketing Program 2.传播效果中的最低层次是 ( ) A、健康信念认同 B、知晓健康信息 C、态度转变 D、采纳健康的行为 E、以上都不对 3.当某地发生传染病大流行时，进行传播活动时的最主要要求是 ( ) A、保证效果 B、速度快 C、准确 D、经济 E、科学性 4.以下属于纸烟中的有害成分的是 ( ) A、尼古丁 B、潜在性致癌物 C、一氧化碳和烟尘

D、焦油 E、以上均是 5.烟草中尼古丁的最大危害在于 ( ) A、成瘾性 B、破坏人体输氧功能 C、诱发异常细胞生成 D、加速动脉粥样硬化 E、导致癌症 6.以下那一项是控制烟草消费最有效的单一措施( ) A、全面禁止烟草广告和促销活动 B、健康警语和限制焦油 C、禁止向未成年人销售烟草及制品 D、烟税和价格政策 E、建立无烟区 7.被人们称为“无声的杀手”的是 ( ) A、高血压 B、糖尿病 C、吸烟 D、酒精性肝硬化 E、艾滋病 8.卫生部规定的“全国高血压日”是 ( ) A、每年10月6日 B、每年9月8日 C、每年10月8日 D、每年9月7日 E、每年6月6日 9.美国食物和药品管理局建议高血压患者应将钠摄入量减至每天不超过 ( ) A、2g B、4g C、6g D、8g E、10 g 10.体液中含HIV最多的是 ( ) A、阴道液 B、乳汁和泪液 C、血液和精液 D、汁液和唾液 E、以上都不对

复旦大学微电子考研经验分享

复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:

复旦大学《毛概》复习资料整理

一、【简述】毛泽东思想的历史地位和指导意义。 答：1、马克思主义中国化第一次历史性飞跃的理论成果。 2、中国革命和建设的科学指南。 3、中国共产党和中国人民宝贵的精神财富。 二、【简述】为什么说邓小平理论是马克思主义是在中国发展的新阶段。 答：邓小平理论是贯穿哲学、政治经济学、科学社会主义等领域，涵盖经济、政治、文化、党的建设等方面比较完备的科学体系，又是需要从各个方面进一步丰富发展的科学体系。 邓小平理论坚持和发展了毛泽东思想。它坚持解放思想、实事求是，在新的实践基础上继承前人又突破陈规，开拓了马克思主义的新境界；它坚持科学社会主义理论和实践的基本成果，抓住“什么是社会主义、怎样建设社会主义”这个根本问题，深刻地揭示社会主义的本质，把对社会主义的认识提高到新的科学水平；它坚持用马克思主义的宽广眼界观察世界，对当今时代特征和总体国际形势，对世界上其他社会主义国家的成败，发展中国家谋求发展的得失，发达国家发展的经验教训，进行正确分析，作出了新的科学判断。 党的十一届三中全会以来，邓小平理论指引我们进行拨乱反正和全面改革，逐步实现了从“以阶级斗争为纲”到以经济建设为中心、从封闭半封闭到改革、从计划经济到社会主义市场经济等一系列重大转变，使我国实现政治稳定，经济发展，民族团结，社会生产力、综合国力和人民生活都上了一个大台阶，成功地走出了一条具有中国特色的社会主义新道路。 三、【论述】联系中国国情和当今时代，阐述科学发展观提出的必要性和重要性。 答：科学发展观，是立足社会主义初级阶段基本国情，深入分析我国发展的阶段性特征，总结我国发展实践，准确把握世界发展趋势，借鉴国外发展经验，适应新的发展要求提出来的。 社会主义初级阶段的基本国情是提出科学发展观的根本依据。我国在进入社会主义社会的时候，就生产力发展水平而言，远远落后于发达国家，因此，必须经历一个相当长的历史阶段，去实现工业化和现代化。党的十三大根据邓小平的思想，深刻阐述了社会主义初级阶段问题，强调我国社会已经是社会主义社会，我们必须坚持而不能离开社会主义；同时，我国社会主义社会还处以初级阶段，我们必须从这个实际出发而不能超越这个阶段。此后，党的十四大、十五大、十六大都重申和强调了社会主义初级阶段问题。党的十七大报告指出：“经过新中国成立以来特别是改革开放以来的不懈努力，我国取得了举世瞩目的发展成就，从生产力到生产关系、从经济基础到上层建筑都发生过了意义深远的重大变化，但我国仍处于并将长期处于社会主义初级阶段的基本国情没有改变，人民日益增长的物质文化需要同落后的社会生产之间的矛盾这一社会主义矛盾没有改变。”提出科学发展观，就是要求我们牢记社会主义初级阶段的基本国情，认清全面建设小康社会、基本实现现代化的长期性和艰巨性，提高想问题、办事情决不可脱离实际的自觉性。 我国在新世纪新阶段的阶段性特征是提出科学发展观的现实基础。我国经济社会发展呈现出一系列新的阶段性特征：经济实力显著增强，同时生产力水平总体上还不高，自主创新能力还不强，长期形成的结构性矛盾和粗放型增长方式尚未根本改变；社会主义市场经济体制初步建立，同时影响发展的体制机制障碍依然存在，改革攻坚面临深层次，矛盾和问题；人民生活总体上达到小康水平，同时收入分配差距拉大的趋势还未根本扭转，城乡贫困人口和低收入人口还有相当数量，统筹兼顾各方面利益难度加大；协调发展取得显著成绩，同时农业基础薄弱、农村发展滞后的局面尚未改变，缩小城乡、区域发展差距和促进经济社会协调发展任务艰巨；社会主义民主政治不断发展，依法治国基本方略扎实贯彻，同时民主法制建设与扩大人民民主和经济发挥在哪的要求还不完全适应，政治体制改革需要继续深化；社会主义文化更加繁荣，同时人民精神文化需求日趋旺盛，人们思想活动的独立性、选择性、多变性、差异性明显增强，对发展社会主义先进文化提出了更高要求；社会活力显著增强，同时社会结构、社会组织形式、社会利益格局发生深刻变化，社会建设和管理面临诸多新课题；对外开放日益扩大，同时面临的国际竞争日趋激烈，发达国家在经济科技上占优势的压力长期存在，可以预见和难以预见的风险增多，统筹国内发展和多外开放要求更高。以上这些阶段性特征，是社会主义初级阶段基本国情在新世纪新阶段的具体表现，它表明，我国已进入发展的关键时期、改革的攻坚时期和社会矛盾的凸显时期。我国发展既具有巨大潜力和广阔空间，也承受着来自人口资源环境等方面的巨大压力；我国发展既面临着前所未有的机遇，也面临着严峻挑战。要适应当前我国发展的阶段性特征，奋力开拓中国特色社会主义更为广阔的发展前景，就必须科学分析我国全面参与经济全球化的新机遇新挑战，全面认识工业化、信息化、城

半导体器件原理简明教程习题答案

半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力.k E h m k ??=2 1*1 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以Ge μ>Si μ.GaAs 为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说GaAs μ>Ge μ>Si μ. 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度:)exp( )( 1082.42 15 T dp dn i k Eg m m m n ?= Θ两种半导体除禁带以外的其他性质相同 ∴)9.1exp()exp()exp(0.31.121T k k k n n T T ==-- ΘT k 9.1>0 ∴21n n > ∴在高温环境下2n 更合适 1.11 在300K 下硅中电子浓度330102-?=cm n ,计算硅中空穴浓度0p ,画出半导体能带图, 判断该半导体是n 型还是p 型半导体. 解 3 173 21002 02 0010125.1102)105.1(p -?=??==→=cm n n n p n i i ∴>00n p Θ是p 型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为31710-cm ,计算在300K 下的载流子浓度0n 和0p ,计算费米能级相 对于本征费米能级的位置,画出能带图. 解 3 17010-==cm N p A 200i n p n = T=300K →3 10 105.1-?=cm n i 330 2 01025.2-?==∴cm p n n i 00n p >Θ ∴该半导体是p 型半导体 )105.110ln(0259.0)ln(10 17 0??==-i FP i n p KT E E

复旦大学微电子882半导体器件原理完整版

一．选择题１５＊６ １。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度 ２。二极管正向阈值电压Ｖf：b Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化 ３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上 ４。双极型晶体管共基极连接： Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放 大 ５。晶体管基区运输系数主要决定于：c Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度 ６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度 不能太高否则发射率反而下降 ７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０ ８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性） ９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是： Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方 向平移一段距离，与类型无关 １０．mos管＂缓变沟道近似＂是指： Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢 Ｃ：沿沟道方向的电场很小 １１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat： Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt １２．nos管体电荷变化效应是指； Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影 响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响 １３．mos亚阈值电流的主要特征： 具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不 大 １４．nos管短沟道效应是指：

复旦大学护理专业成人教育

复旦大学护理专业成人教育 护理学专升本（助产方向、儿科方向）毕业实习管理细则 一、毕业实习时间安排 根据教学计划的安排，护理学专升本（助产方向、儿科方向）学生临床实习时间为16周，一般安排在第六学期完成。毕业实习各节点的时间安排详见附件五。 二、毕业实习申请与受理 1、毕业实习安排的三类情况： 第一类：免实习 在两级乙等及以上医院的妇产科（适用于助产方向）或儿科（适用于儿科方向）护理一线岗位工作10年以上（含10年）,助产方向学生还必须同时满足在产房助产岗位工作3年以上。符合上述条件的学生，凭医院人事部门的证明（《实习征询函》），可以申请所在专业方向免实习。（如曾更换就业单位且在现单位工作不满规定年限者，需提供原单位医院等级及相关科室工作年限证明）。 第二类：在本院实习 在上海市二级乙等及以上医院护理一线岗位工作的学生，医院已设置该生所在专业方向（助产或儿科）实习所要求的全部科室的，凭医院护理部接纳函，可以申请在本院参加实习。但必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 第三类：在其它医院实习 在一级医院或在非护理一线岗位工作的学生，可以自行落实上海市两级乙等及以上的医院实习，也可申请由护理学院统一安排实习医院实习。自行落实者所选医院必须设置有实习要求的全部科室，且必须按照护理学院发放的《实习计划与大纲》、《实习手册》、《实习轮转表》上所规定的内容和要求完成实习。 2、实习科室要求 助产方向学生必须轮转四个科室：产前门诊2周、产房8周、产后休养室2周、妇科4周。 儿科方向学生必须轮转四个科室：急诊或监护室（二选一）2周、儿外科2周、新生儿室4周、儿内科6周。

常用半导体器件

《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009

第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

常用半导体器件

第4章常用半导体器件 本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。 本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。 本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管 本节学时2学时 本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。 教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体 在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性 当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。

复旦大学继续教育学院

复旦大学继续教育学院 护理学专业本科（专升本、高起本）毕业论文写作要求 每位学生在导师指导下,选取自己在毕业论文撰写阶段护理的真实病例（该病例的全部病历资料请复印留底，以备抽查）,独立完成一篇个案护理论文，并在规定时间内提交打印稿给专家评阅。 一、个案护理论文简介 个案护理论文是临床护理论文的一种，属于经验报道或个案报道（case report）。个案护理论文中的观察对象可以是一个病人或几个类似的病人，也可以是一个家庭、团体或社区，是对某一类特殊事件、罕见事件或新生事件的观察、总结和分析，其目的在于交流临床实践经验，给护理界同道以启迪与借鉴。个案护理论文的作者应该是承担该个案护理工作的主要人员，只有这样才能掌握第一手资料，才能撰写出亲身体验过的、富有护理实践经验的个案护理论文。 个案护理论文与案例研究(case study)不同，后者属于一种质性研究的方法，有着严谨的科研设计和科学的研究方法与过程，更加着重于挖掘事物的本质和事物间的内在联系，发现新概念、新理论，案例研究论文属于科研论文范畴。 二、个案护理论文的结构及参考资料 1、文题 2、摘要：着重说明疾病名称、主诉、主要治疗原则及病情转归等。 3、关键词：采用专业词汇，能表达文章的主题内容。 4、正文： 前言：内容包括介绍主要概念、撰写个案护理论文的目的和意义。引用文献证明该案例作为未曾报道或特殊护理病例的依据。注意：前言部分不设标题"前言"两字，只保留其内容。 案例介绍或临床资料：是个案护理论文的重要内容，其内容必须真实，叙述清晰，重点突出，可包括患者一般情况、病史、相关治疗以及效果，注意：效果也可置于护理之后独立撰写。 护理是个案护理论文最具特色的部分，应详细介绍护理方法、措施及整体方案的构思特色。此部分要求按护理程序撰写。 讨论可结合护理理论或文献资料进行分析和评价，总结该病例护理成功或失败的经验和教训，从中获得新知识。 5、参考文献 个案护理论文撰写可参考的以下资料： 1、肖顺贞主编. 护理研究（第3版）.北京：人民卫生出版社，2006，118-125。 2、发表于中华护理杂志以及国外杂志的优秀个案论文，例如: -蔡建英,张玲玲,于龙娟等.长期昏迷患者孤立牙所致口唇破裂的护理.中华护理杂志，2010，45（2）：161-162

复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展

复旦大学微电子学专业特色的挖掘与拓展 摘要：复旦大学微电子学专业拥有悠久的历史，形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。在教育部第二批高等学校特色专业建设中，通过课程体系的完善、课程建设及培养方法的改进和创新两方面的努力，复旦大学微电子学专业的特色得到挖掘和拓展。 关键词：特色专业建设；复旦大学；微电子学；创新人才培养 复旦大学“微电子学与固体电子学”学科有半个多世纪的深厚积累。20世纪50年代，谢希德教授领导组建了全国第一个半导体学科，培养了我国首批微电子行业的中坚力量。60年代研制成功我国第一个锗集成电路。1984年，经国务院批准设立微电子与固体电子学学科博士点，1988年、2001年、2006年被评为国家重点学科。所在一级学科于1998年获首批一级博士学位授予权，设有独立设置的博士后流动站和长江特聘教授岗位，建有“专用集成电路与系统”国家重点实验室，1998年和2003年被列入“211”工程建设学科，2000年被定为“复旦三年行动计划”重中之重学科得到学校重点支持，2005年获“985工程”二期支持，建设“微纳电子科技创新平台”。 长期以来复旦大学微电子学教学形成了“基础与专业结合，研究与应用并重，创新人才培养国际化”特色。近年来，在教育部第二批高等学校特色专业建设中，我们根据国家和工业界对集成电路人才的要求，贯彻“国际接轨、应用牵引、注重质量”的教学理念，制定了复旦大学“微电子教学工作三年计划大纲”并加以实施，在高端创新人才培养方面对专业教学的特色开展了深层的挖掘和拓展。 一、课程体系的完善和课程建设 微电子技术的高速发展要求微电子专业课程体系在相对固定的框架下不断加以更新和完善。 我们设计了“复旦大学微电子学专业本科课程设置调查表”，根据对于目前工作在企业、大学和研究机构的专业人士的调查结果，制定了新的微电子学本科培养方案。主要修改包括： （1）加强物理基础、电路理论和通信系统课程。微电子学科，特别是系统芯片集成技术，是融合物理、数学、电路理论和信息系统的综合性应用学科。因此，在原有课程基础上，增加了有关近代物理、信号与通信系统、数字信号处理等课程，使微电子学生的知识覆盖面更宽。

常用半导体器件习题考答案

第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。 （1）U A ＝U B ＝0时； （2）U A ＝E ，U B ＝0时； （3）U A ＝U B ＝E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0； （2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E ? +9 19＝109E ； （3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E ?+5.099＝1918E 。 7-2 在图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当 于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否， 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可 以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高 低，从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位

公司经营情况工作总结(2021年)

( 工作总结 ) 单位：_________________________ 姓名：_________________________ 日期：_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 公司经营情况工作总结(2021 年) The work summary can correctly recognize the advantages and disadvantages of previous work, clarify the direction of the next work, and improve work efficiency

公司经营情况工作总结(2021年) 尊敬的董事长、监事长，各位董事、监事： 我代表江苏松银投资担保有限公司，向大会作20nn年度公司经营情况报告，并请大会审议。 20nn年，是极不平凡的一年，江苏松银投资担保有限公司经受住了历史罕见的重大挑战和考验，在以杨自川同志为核心的董事会的坚强领导下，全体公司员工团结一致、奋力拼搏，战胜各种困难，总体来说，取得了较好成绩。下面对20nn年度工作做如下总结： 一、基本情况 1、江苏松银担保投资有限公司成立于20nn年12月，注册资本9900万元，是江苏省信用再担保体系主办机构，20nn年中国人民银行资信评估机构评为“a-”级，中国工商银行信用等级评为“a+”

级，在镇江市政府对企业评级中被评为“二星”级企业。是江苏省工商银行49家重点合作客户之一，公司遵循政府指导、市场运作，优化服务、便利融资，规范运作、防范风险等原则，主要为镇江市中小企业申请流动资金短期银行贷款提供融资担保服务。 2、公司目前已与工商银行、镇江农村商业银行签订合作协议，并与中国银行、江苏银行等多家金融机构建立合作关系，本着稳健的原则20nn年共为76户中小企业提供了融资担保贷款2.66亿元。 3、20nn年是机遇与挑战并存，江苏省为规范担保公司行业的行为，进行了有序的清理整顿，极大的改善了中小企业的融资环境。于此同时，由于国家宏观调控、央行财政政策、货币政策的调整，以及镇江地区银行在钢贸行业信贷风险的过度集中，鉴于控制风险、分散风险的考虑，各大银行纷纷暂停对钢贸行业的授信、放贷，甚至停止了与钢贸企业有关联担保公司的合作。针对宏观调控政策下钢贸行业的严峻形势，公司积极果断调整应对措施，全力保持公司业务平稳发展，开辟了区别于传统业务范畴的新业务，这里包括业务品种创新、产品结构创新，加大关注商业担保、制造业担保、特

常用半导体元件习题及答案

第5章常用半导体元件习题 5.1晶体二极管 一、填空题： 1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将 封装起来，并分别引出和两个极。 2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。 5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。 6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。 7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。 8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。 9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。 二、选择题： 1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。 A.0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V 0.3-0.6V C.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V 的大小为( )。 2.判断右面两图中，U AB A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（） Ω档。 A.1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D. 1×105 4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。 A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。 A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路 6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。 A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路 7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（） A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定 8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。

金融学复习题及解答

复旦大学继续教育学院 10 级国际经济与贸易专业国际金融复习题 一、判断题（每题判断1分，说明2分，共10题30分） 1、货币替代可以简单定义为本国居民对外币的过度需求。（对） 说明：货币替代意味着本国居民减少对本国货币的需求，对外国货币的需求多 2、只有实现了资本项目下的货币兑换，该国货币才能被称为可兑换货币。（错） 说明：可兑货币实际包括经常项目下的货币兑换也可以视为可兑货币。 3、如果一国实行固定汇率制度，则其拥有的国际储备数量可相对较少。（错） 说明：固定汇率对国际储备要求较多。 4、储备货币国可以通过输出本国货币来弥补国际收支逆差。（对） 说明：储备货币国可以通过发行货币向全球征收铸币税。 5、巴拉萨-萨缪尔森效应告诉我们，生产率落后的国家，在国际可贸易品的交换中，需要用较低的价格输出产品，较高的价格输入产品，因此其汇率水平与根据购买力平价计算得到的汇率水平存在差距。（错） 说明：其实际汇率与名义汇率存在差距。 6、影子汇率构成事实上的复汇率。（对） 说明：影子汇率对不同商品使用不同的结算方式。 7、浮动汇率的弊端之一是容易造成外汇储备的大量流失。（错） 说明：浮动汇率的弊端之一是跟金融监管有关，与活动汇率无关。 8、外汇占款是我国央行投放基础货币的渠道之一。（对） 说明：外汇占款都进入了央行的货币储备体系，从而构成了基础货币。

9、通货区的重要特征是通货区作为一个集体，对外保持固定汇率。（错） 说明：通货区的重要特征是对外保持货币波动的一致性，而不是固定汇率。 10、国际金本位的最大缺点在于国际经济和贸易的发展受制于世界黄金产量的增长。（对）说明：国际金本位制以黄金作为等价物，所以受制于黄金产量。 11、资本外逃是指资本从本国流出，可以使用外汇管制手段对其进行限制。（错） 说明：资本外逃是指外汇从本国流出，可以使用外汇管制手段对其进行限制。 12、影子汇率构成事实上的复汇率。（对） 说明：影子汇率对不同商品使用不同的结算方式。 13、国际货币体系是一种约定俗成的惯例体制。（错） 说明：国际货币体系是按照一定的制度形成的货币体系。 14、通货区的重要特征是通货区作为一个集体，对外保持固定汇率。（错） 说明：通货区的重要特征是对外保持货币波动的一致性，而不是固定汇率。 15、黄金非货币化是指黄金既不是各国货币平价的基础，也不能用于官方的国际清算。（对）说明：黄金非货币化就是黄金从流通领域中退出。 16、外汇留成导致不同的实际汇率。（对） 说明：外汇留成是针对不同的商品实行不同的汇率结算。 17、国际货币体系起源于二战后，第一个国际货币体系是布雷顿森林体系。（错） 说明：国际货币体系起源于金本位制。 18、在国际金汇兑本位体制下，黄金依然充当支付手段。（对） 说明：在国际金汇兑本位体制下，盯住的仍然是黄金。 19、黄金非货币化是指黄金既不是各国货币平价的基础，也不能用于官方的国际清算。（对）说明：黄金非货币化就是黄金从流通领域中退出。

1章 常用半导体器件 习题

第一章题解－1 第一章 常用半导体器件 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流I D 从2m A 变为4m A 时，它的低频跨导g m 将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.2 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示，已知u i ＝10s in ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.3

第一章题解－2 解图P1.3 解：u i 和u o 的波形如解图P1.3所示。 1.4 电路如图P1.4所示，已知u i ＝5s in ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 解：波形如解图P1.4所示。 1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。 图P1.5 解：u O 的波形如解图P1.5所示。

关于护理学专升本临床实习的讨论会记要-复旦大学继续教育学院

复旦大学护理专业成人教育 （护理学专升本、高起本）毕业实习管理细则 一、毕业实习时间安排 根据教学计划的安排，专升本、高起本学生临床实习时间为16周，一 般专升本安排在第六学期，高起本安排在第十学期完成。毕业实习各节点的时间安排详见附件五。 二、毕业实习申请与受理 1、毕业实习安排的三类情况： 第一类：免实习 在两级乙等及以上医院的护理一线岗位工作10年以上（含10年）的学生，凭医院人事部门的证明（《实习征询函》），可以申请免实习。（如曾更换就业单位且在现单位工作不满10年者，需提供原单位医院等级及工作年限证明）。 第二类：部分在本院实习 在护理一线岗位工作未满10年的学生必须参加临床实习。在上海市二级乙等及以上医院护理一线岗位（包括在病房、监护室、急诊室、手术室等从事临床护理工作）工作的学生，凭医院护理部接纳函，可以申请在本院完成社区或精神专科以外的实习。但必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 第三类：在其它医院实习 在一级医院或在非护理一线岗位工作的学生，可以自行落实上海市两级乙等及以上的医院进行实习，也可申请由护理学院统一安排实习医院实习。自行落实者必须按照护理学院发放的《实习手册》上所规定的内容和要求完成实习。 2、实习科室的选择： 内科、外科、妇产科、儿科四选一，实习10周；急诊科、监护室二选一，实习4周；社区护理、精神科护理二选一，实习2周。需要特别说明的是：10周和4周的实习科目必须在同一家医院完成; 社区护理须前往社区卫生服务中心（即地段医院）实习；精神科护理须前往区级或市级精神卫生中心实习。 3、申请受理时间与程序： 1）学生须在申请毕业实习的规定时段（一般为4月初）经复旦大学继续教育学

常用半导体器件教案

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 一、半导体 1． 概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。 2． 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 二、本征半导体的晶体结构（图1.1.1） 1． 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵。 2． 共价键 三、本征半导体中的两种载流子（图1.1.2） 1． 本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。 2． 空穴：讲解其导电方式； 3． 自由电子 4． 复合：自由电子与空穴相遇，相互消失。 5． 载流子：运载电荷的粒子。 四、本征半导体中载流子的浓度 1． 动态平衡：载流子浓度在一定温度下，保持一定。 2． 载流子浓度公式： )2/(2/31kT E i i GO e T K p n -== 自由电子、空穴浓度（cm －3），T 为热力学温度，k 为波耳兹曼常数（K eV /1063.85-?），E GO 为热力学零度时破坏共价键所需的能量（eV ），又称禁带宽度，K 1是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。 1.1.2 杂质半导体 一、概念：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂质元素的半导体。 二、N 型半导体（图1.1.3） 1． 形成：掺入少量的磷。 2． 多数载流子：自由电子 3． 少数载流子：空穴 4． 施主原子：提供电子的杂质原子。 三、P 型半导体（图1.1.4） 1． 形成：掺入少量的硼。 2． 多数载流子：空穴

3． 少数载流子：自由电子 4． 受主原子：杂质原子中的空穴吸收电子。 5． 浓度：多子浓度近似等于所掺杂原子的浓度，而少子的浓度低，由本征激发形成， 对温度敏感，影响半导体的性能。 1.1.3 PN 结 一、PN 结的形成（图1.1.5） 1． 扩散运动：多子从浓度高的地方向浓度低的地方运动。 2． 空间电荷区、耗尽层（忽视其中载流子的存在） 3． 漂移运动：少子在电场力的作用下的运动。在一定条件下，其与扩散运动动态平衡。 4． 对称结、不对称结：外部特性相同。 二、PN 结的单向导电性 1． PN 结外加正向电压：导通状态（图1.1.6）正向接法、正向偏置，电阻R 的作用。 （解释为什么Uho 与PN 结导通时所表现的外部电压相反：PN 结的外部电压为U 即平时的0.7V ，而内电场的电压并不对PN 结的外部电压产生影响。） 2． PN 结外加反向电压：截止状态（图1.1.7）反向电压、反向偏置、反向接法。形成 漂移电流。 三、PN 结的电流方程 1． 方程（表明PN 结所加端电压u 与流过它的电流i 的关系）： )1(-=T U u S e I i q kT U T = q 为电子的电量。 2． 平衡状态下载流子浓度与内电场场强的关系： 3． PN 结电流方程分析中的条件： 4． 外加电压时PN 结电流与电压的关系： 四、PN 结的伏安特性（图1.1.10） 1． 正向特性、反向特性 2． 反向击穿：齐纳击穿（高掺杂、耗尽层薄、形成很强电场、直接破坏共价键）、雪 崩击穿（低掺杂、耗尽层较宽、少子加速漂移、碰撞）。 五、PN 结的电容效应 1． 势垒电容：（图1.1.11）耗尽层宽窄变化所等效的电容，C b （电荷量随外加电压而增 多或减少，这种现象与电容器的充放电过程相同）。与结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数及外加电压有关。 2． 扩散电容：（图1.1.12） （1） 平衡少子：PN 结处于平衡状态时的少子。 （2） 非平衡少子：PN 结处于正向偏置时，从P 区扩散到N 区的空穴和从N 区 扩散到P 区的自由电子。 （3） 浓度梯度形成扩散电流，外加正向电压增大，浓度梯度增大，正向电流增 大。 （4） 扩散电容：扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同。i 越大、τ越大、U T 越小，Cd 就越大。 （5） 结电容d b j C C C += pF 级，对于低频忽略不计。