第二章运算放大器
2.1集成电路运算放大器
2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2理想运算放大器
2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3基本线性运放电路
2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0.
2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。
反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。
2.3.4参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3.5答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4同相输入和反反相输入放大电路的其他应用
2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
2.4.2
第三章二极管
3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。
3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。
3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。
3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。
3.2.5答：P67页。
3.3.1答：P71页
3.3.2
3.3.4答：P71页
3.3.5答：P71页
3.4.1答：P73页
3.4.2答：P74，76页
3.4.3答：P83页
第四章
4.1.1不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2不行。内部结构不同。
4.1.3必须保证发射结正偏，集电结反偏。反偏，都正偏。
4.1.4发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO
4.1.5（p106)
第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。
第四章
4.1.1不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。
4.1.2不行。内部结构不同。
4.1.3必须保证发射结正偏，集电结反偏。反偏，都正偏。
4.1.4发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO
4.1.5（p106)
第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。
4.1.6(VCE=常熟)a=D IC/D IE(VCB=常熟)
4.1.8IC,IE,VCE
4.1.9IC,IE b上升
4.2.1微弱电信号放大，信号源，外加直流电源VCC
4.2.2（p119）
4.2.3（p117）
4.2.4不能IC,a上升
4.3.1P120
4.3.2P123
4.3.3改变Vcc的极性（自己判断是否正确）；截止失真
4.3.4输入信号电压幅值比较小的条件下，P128
4.3.5找不到，个人理解：放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位。
4.3.6P130公式(4.3.7B)P111公式（4.1.11A）不是
4.3.7P126P132
4.4.1电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度
4.4.2基极分压式射极偏置电路（理由见P135），含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见P139）
4.4.3不能（答案不确定）
4.4.4不能，Ce对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用
4.5.1有共射，共基和共集；判断方法P147，4.5.3
4.5.2P147，4.5.3的2
4.5.3P141的4.5.1的2.动态分析
4.5.4可以，根据式(4.4.1）-（4.4.4），可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re 有关，以此温度变化时，Icq基本不变。
4.7.1
书上155页第一段，这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：BW=f（H）-f（L）
4.7.3低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。
高频是不会
4.7.4直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；
共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。
4.7.5
4.7.6
书上176
第五章
5.1.1答：二氧化硅是绝缘体
5.1.2答：P237
5.1.3答：P237
5.1.4答：P207
5.2.1答：P226JFET不能
BJT不能
P205耗尽型MOSFET可以答案在P205画波浪线处
5.3.4答：P237a图为BJT
5.3.5答：P237
第六章
6.1.1257页第1段5行起
6.1.2图6.1.1，6.1.2，6.1.3微电流源微电流源
6.1.3259页最后一段
6.2.1263页
6.2.2100微安，0，100微伏，1000微伏
6.2.3Vo=AvdVid+AvcVic得出
6.2.4温度
6.2.5264页最后两；，ro越大，即电流源Io越接近理想情况，Avc1越小，说明他抑制共模信号的能力越强；ro差模短路，共模2ro
6.2.6Kcmr=|Avd/Avc|,268页第一段，
6.2.7266页波浪线
6.2.8课件33、34页
6.2.9275页中间段；276第一段；10的9次方；10的5到6次方
6.3.1（P277）
(1)当vi1-vi2=vid=0时，vo1=vo2=Vcc-（Io/2）Rc，电路处于静态工作状态，。
（2）Vid在0~±VT范围内，vo1、vo2与vid间呈线性关系，放大电路工作在放大区。（3）vid在VT~4VT间和-VT~4VT间，vo1、vo2与vid间呈非线性。电路工作在非线性区。（4）vid<-VT和vid>+VT，曲线趋于平坦。
Vid的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。
6.3.2
等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc，Avd2=1/2gmRc
6．4．1
由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。
作用：输入级：输入级差分放大输入信号。电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。输出级：放大输出信号
6．4．2
由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。电流源作用：
1)主偏置电路中的T11和T10组成微电流源电路，由Ic10供给输入级中T3,T4的偏置电
流。2）T8和T9组成镜像电流源，供给输入级T1,T2的工作电流。3）T12和T13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。
6．4．3
输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。
保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B
6.5.1答：在室温（25°C）及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio，其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差。输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看，偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标。输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差，Iio愈小愈好，它反映了输入级差分对管的不对称程度。
6.5.2答：要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。
6.5.3(1)LM741等一般运放（2）高输入电阻的运放。（3）输入失调电压Vio小的运放（4）失调电压电流小的运放
6.5.4转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。
6.5.5Vom=Sr/(2∏BWp)=
7.96V
6.5.6见表6.5.1（书本291页）
6.6.1电路是由vy控制电流源T3T4的电流iEE，iEE的变化导致BJT T1和T2的跨导gm变化，因此该电路称为变跨导式模拟乘法器。（结合图，书本296）
6.6.2电压开平方运算电路
V2/R+Vi/R=0或V2=-Vi
Vo是-Vi的平方根，输入电压Vi必为负值
加一反相器
6.6.3乘方运算电路、除法运算电路、开平方电路、压控放大器、调制和解调
6．7．1
噪声的种类及含义：P303开始到P305
低噪声放大电路的设计；参照P306减小噪声的措施
JFET的噪声最小
6.7.2
50HZ和100HZ色干扰电压的出现与解决：参照P307
由直流电源电压波动引起的干扰和抑制
6.7.3
地线接法的不正确与消除其干扰：参照P308
由接地点安排不正确而引起的干扰和正确接线
6.7.4
JFET
6.7.5
收音机内部存在闪烁噪点，外部受杂散电磁场干扰
第七章
7.1.1什么是反馈？如何判断电路中有无反馈？
反馈是指将电路输出电量（电压或电流）的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送回到输入电路，以影响输入电量（电压或电流）的过程。反馈体现了输出信号对输入信号的反作用。
是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即反馈通路。若没有反馈网络，则不能形成反馈。
7.1.2什么是放大电路的开环和闭环状态？
若电路的输出回路与输入回路之间不存在反馈网络，则不能形成反馈，这种情况称为开环，若有反馈网络存在，则能形成反馈，称这种状态为闭环。
7.1.3什么叫直流和交流反馈？为什么要引入直流负反馈？
存在于放大电路的直流通路中的反馈为直流反馈，存在于交流通路中的反馈为交流反馈。为了维持输出电流基本恒定而引入直流负反馈。
7.1.4含义在P329得最后一段，判断方法：在P330得第一段。
7.1.5在放大电路输入端，凡是反馈网络与基本放大电路串联连接，以实现电压比较得成为串联反馈;在放大电路输入端，凡是反馈网络与基本放大电路并联连接，以实现电流比较
得成为并联反馈;要求331得最后一段。
7.1.6P332得最后两段。
7.2.1基本类型：电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。
反馈类型判晰方法：P337页例721。或如下
????1．电压反馈与电流反馈的判断
???令Uo＝0，即将放大电路输出端交流短路，若反馈信号Xf消失，则为电压反馈（Xf＝FUo）；若反馈信号Xf仍然存在，则为电流反馈（Xf＝FIo）
??若能画出方框图，也可直接根据A、F网络在输出端连接形式来判定：并联为电压反馈，串联为电流反馈。
????一般说来，反馈信号取自电压输出端（RL两端）的为电压反馈，反馈信号取自非电压
输出端的为电流反馈。
????2．串联反馈与并联反馈的判断
????令Ui=0，即将放大电路输入端假想交流短路，若反馈信号作用不到放大电路输入端，这种反馈为并联反馈；若反馈信号仍能作用到放大电路输入端，则为串联反馈。当然也可直接根据基本放大电路与反馈网络的连接方式确定。一般说来，反馈信号加到共射电路基极的反馈为并联反馈；反馈信号加到共射电路发射极的反馈为串联反馈。
????正确判断反馈放大电路的类型和反馈极性，是分析反馈放大电路的基础，一般来说可按以下步骤进行：
????（1）找出反馈元件-联系输入、输出回路的元件；
????（2）判别是电压反馈还是电流反馈令Uo=0，看Xf是否存在；
????（3）判断是串联反馈还是并联反馈令Ui＝0，看Xf能否作用到输入端；
????（4）判断反馈极性，采用瞬时极性法，串联反馈时看Ube的增减，并联反馈时看Ib的增减。
7.2.2电压负反馈得重要特点是具有稳定输出电压的作用，，电流负反馈得特点是维持输出电流基本恒定。
7.3.1减少了。
7.3.2信号单向化传输
7.3.3负反馈的增益Af=A/(1+AF).其中(1+AF)称为反馈深度。
当(1+AF)远大于1时，此时的反馈就叫深度负反馈，此时的负反馈增益等于1/F。分压式共基极偏置放大电路就是一个深度负反馈放大电路。
AF称为环路增益。
7.4.1:反馈放大电路的闭环增小集团表达式（7.4.1）中的物理意义是什么？
引入深度负反馈后，放大电路的增益决定于反馈网络的反馈系数，而与基本放大电路几乎无关。
7.4.2：试列举在放大电路中引入负反馈后产生的四种效果，并从物理概念上加以说明。
1．使闭环增益下降。
2．提高增益的稳定性。放大电路的增益可能由于元器件参数的变化、环境温度的变化、电源电压的变化、负载大小的变化等因素的影响而不稳定，引入适当的负反馈后，可提高闭环增益的稳定性。
3．减小非线性失真。多级放大电路中输出级的输入信号幅度较大，在动态过程中，放大器件可能工作到它的传输特性的非线性部分，因而使输出波形产生非线性失真。
4．抑制反馈环内噪声。
7.4.3:1。在多级放大电路中，为了抑制噪声，为什么特别重视第一级的低噪声设计？
2．若引入负反馈，刚反馈环外的前置级的低噪声设计显得更为重要。何故？
1．为了提高电路的信噪比。
2．抑制环内信噪比
7.4.4：在多级放大电路中，其输出级多属功率放大级，这时容易产生非线性失真或工频（50Hz）干扰，试问用什么方法可以有效地改善上述工作情况？
引入负反馈或引入带阻滤波器
7.5.1：在负反馈放大电路中，什么叫虚短和虚断？其物理实质是什么？
在浓度负反馈条件下，为虚短，为虚断。
虚短即基本放大电路输入电阻上产生的输入电压
虚断即基本放大电路输入电阻上产生的输入电流
7.5.2：浓度负反馈条件下，如何估算放大电路的增益及电压增益？
利用“虚短”、“虚断”的概念可以快速方便地估算出负反馈放大电路的闭环增益或闭环电压增益。举例见课本P350—P353。
7.6.1：设计负反馈放大电路时，如何选择反馈类型？
（1）根据信号源的性质选择串联负反馈或关联负反馈。
（2）根据对放大电路输出信号的要求，选择电压负反馈或电流负反馈。
（3）根据表7.4.1中列出的四种反馈放大电路的功能，选择合适的反馈组态。
7.6.2：设计何种类型的反馈放大电路才能使其既可以从信号源获得尽可能大的电流又能稳定输出电压？
引入电流并联负反馈
7.6.3：减小放大电路对信号源的负载效应与减小反馈网络输出端对放大电路输入端的负载效应是同一个概念吗？为什么？
不同。减小放大电路输入端对信号源的负载效应，即减小信号源的输出电流和其内阻上的电压降，使放大电路获得尽可能大的输入电压。
减小反馈网络输出端对放大电路输入端的负载效应在不同反馈类型中，反馈网络中的电阻值要求不同。在串联负反馈中，反馈网络输出端的等效阻抗值要小；在并联负反馈中，则要求反馈网络输出端的等效阻抗值要大。
7.7.1fL(下限)减少为1/(1+AF).fH增加（1+AF）倍。BW增加（1+AF）倍。
7.7.2P169在BJT或JFT及电路参数选定后，增益—带宽积基本是个常数
7.8.1放大电路引入的反馈过深，以致输入端不加输入信号时，输出端也产生输出信号的现象叫自激振荡。
原因：
7.8.2不一定，上述其中一个条件不满足即不会自激。
7.8.3P365
第八章
8.3.1题目（略）
答：390页功率BJT的选择
8.3.2题目（略）
答：不是。甲类在输入信号为零时的管耗最大，乙类当Vom=0.6Vcc时管耗最大（390页）
8.3.3题目（略）
答：效率高，管耗低。
8.3.4题目（略）
答：78.5%（389页）
8.3.5题目（略）
答：Pcm=0.2Pom=1W（390）
8.4.1题目（略）
答：1.交越失真
2.采用偏置电路
8.4.2题目（略）
答:可以通过。原因在393页的第一段。
8.4.3题目（略）
答：在输入信号很大时，电路的输出出现饱和及截止失真；在互补对称电路的情况下出现交越失真。
8.4.4题目（略）
答：可能，但输入信号的幅度很大时，就会出现非线性失真。
8.4.5题目（略）
答：可以。原因在394页最后一段。
8.5.1题目（略）
答：答案395页
8.5.2题目（略）
答：395页到399页
8.5.3题目（略）
答：401页
第九章
9.1.1由无源元件，R,L,C组成滤波电路叫无源滤波电路。
由集成运放，R,L,C组成滤波电路叫有源滤波电路。
9.1.2属于低通滤波电路。AV=1/(1+SRC)
9.1.3P287低通滤波电路
9.2书上没有习题
9.3.1最大不超过3才能稳定；它们的通带电压增益是(1+Rf/R1)
9.3.2可以的。条件是：低通滤波的截止频率要大于高通滤波的截止频率
9.3.3可以的
9.3.4常用的高阶滤波电路有：巴特沃思，切比雪肤，和贝赛尔滤波电路。巴特沃思电路的幅频响应在通带中具有最平幅度特性。但从通带到阻带衰减较慢；切比雪肤滤波电路能迅速衰减，但允许通带中又一定纹波。而贝赛尔滤波电路着重于相频响应，其相移与频率基本成正比，即群时延基本是恒定的，可得失真较小的波形。
9.5.1在正弦波振荡电路中，振荡的条件是：（α+β）=2nπ
在负反馈放大电路的自激振荡条件是：（α+β）=（2n+1）π
9.5.2不行，必须大于
9.6.1（1）解：当R12调到零时，用示波器观察输出电压V0波形，看不到输出波形。因为对于AV=1+（Rf1+R12）/R1，而当R12=0时候，AV=1+1=2，AV小<3时，,不能起振，将无法起振，所以没有输出波形；
（2）当R12调到10千欧时，AV=（1+11）/1=12>>3,AV的值在起振时远大于3，因振幅的增长，致使放大器件工作到非线性区域，波形将产生严重的非线性失真,图为正弦波失真。
9.6.2老师不作要求。
9.7.1电感三点式LC振荡电路和的缺点是，反馈电压Vf取自L2上，L2对高次谐波（相当于f0而言）阻抗大，因而引起振荡回路输出谐波分量增大，输出波形不理想。电容三点式振荡电路，由于反馈电压是从电容（C2）两端取出，对高于次谐波阻抗小，因而可将高次谐波滤波，所以输出波形好。
9.7.2老师不作要求
9.7.3造成电源对振荡回路的高频信号短路
9.7.4RC振荡电路频率稳定性最低，因为易受电源波动的影响。石英晶体振荡电路的最高，主要是由于采用了具有较高Q值的石英晶体元件。
9.7.5老师不作要求
第十章
10.1.1VL的平均值减少
10.1.2（1）烧坏电感线圈（2）同上（3）出现半波整流
10.1.3目的是使Vo更加平滑；特点在P490最后一段和P491最后一段
P488P489P492
10.1.4（1）增大，因为时间常数＝R*C，会增大，而电容两端的电压按指数规律下降的，时间常数增大，指数规律的下降系数（速度）减少，VL的曲线更平滑，与正弦曲线的交点的Y坐标更大。
（2）P491
（3）D1断开，VL减少；RL断开，VL达到最大值；
（4）0.9*V2
10.2.1P495
10.2.2P496图10.2.1
10.2.3P496最后一段。因为当深度反馈时，AV＝1/F，只与电阻有关，线性关系好，因而稳定性好
10.2.4（1）Vo=Vref(2)同上(3)Vo=2*Vref
10.2.5P504----505
模电试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模拟电子技术基础复习题 图 1 图 2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流， 小 的电路是 ②，输出电阻最小 的电路是 ③ ② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ① 不能放大电压 的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流 的电路是 ② 。 2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系 BEQ 数为β，B- E 间动态电阻为 r 。填空： be V CC U BEQ （ 1）静态时， I 的表达式为 BQ ， I 的表达式为 CQ I BQ R B I CQ I BQ ； ，U 的表达式为 CEQ U CEQ V CC I R C CQ R L （2）电压放大倍数 的表达式为 A u ，输入电阻 的表达式为 r be ，输出电阻 的表达式为 R R // r be R R ； 0 C i B （3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将 i C ， A B CQ bc u R 将 B 。 o
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 B A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图 1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻 A u 为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。 i （2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R B Rc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67 。 增大或将 截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路 的“桥”是以 RC 串联支路 、 RC 并联支路 、 电阻 R1 和 R2 各为一臂而组成 的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为 变压器反馈式 、电感 三点式 和 电容三点式 三种电路，其中 电容三点式 振荡电路 的振荡频 率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用 正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由 整流电路 、滤波电路和 稳压电路 三部分电 路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小 的时候，应采用 电容 滤波电
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
《模拟电子技术基础》基本概念复习题 一、判断题 1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。× 2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。√ 3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。× 4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√ 7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 √ 8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 10、 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ 11、 稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。× 12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。× 13、 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。√ 14、 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 15、 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 17、 共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 18、 共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 19、 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 20、 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 21、 射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 22、 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 23、 放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 24、 输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。√
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
[ 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为；锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压V th约为伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 [ 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 - 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = ， V b = , V c = , 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =, V c =, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。 ' 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
一、 填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。 （ × ） （2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。 （ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信 号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。 （ × ） 第 1 页 （共 8 页） C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1
试 题： 班号： 姓名： 二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。 （4） 计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答：（1）是共射组态基本放大电路 （1分） （2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路 o （4分） （4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分） （5）是饱和失真，应增大R b （1分）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1