IR IRF8010 100V “80A”N 沟道FET D2 封装
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限流的热插拔控制系统
?10A 的限流电流输入1000uF
电容
–IDS = C * dV/dt?10A =
1000uF* 80V / dt?dt=
8ms
–电流脉冲持续8ms
–开始时MOSFET 的VDS 电
压为80V，而IDS 电流则为
10A，显示MOSFET 处于安
全操作区(SOA) 之外
安全操作区之外–除非VDS < 15V，否则
MOSFET 将会永远处于安全
操作区之外
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限定功率的热插拔控制系统
?功率已设限的电压输入1000uF 电容
–IDS * VDS = 80W
–开始时，VDS 电压为80V ，而IDS 电流则为1A ，VDS 电压降至1V 时，IDS 电流则会升至80A –MOSFET 停留在安全操作区之内–VDS 电压若下降，峰值电流便会上升
较大电流
同时将功率及电流设限的热插拔控制系统
?已设限的功率及电流输入1000uF 电容
–Ids * Vds = 80W 而峰值Ids = 10A –开始时，Vds 电压为80V ，而Ids 电流则为1A ，Vds 电压降至8V 时，限流电流则不会超过10A –Vds < 8V 时，Ids 不会超过10A 的限定值–MOSFET 停留在安全操作区之内，而峰值电流则处于较低的水平
功率限定电流限定
功率及电流已设限的操作过程?已设限的功率及电流输入1000
uF电容
–Ids * Vds= 80W 而峰值Ids
= 10A
–开始时，Vds电压为80V，
而Ids 电流则为1A，Vds
电压降至8V 时，限流电流
则不会超过10A
–Vds< 8V 时，Ids 不会超过10A 的限定值
–MOSFET 停留在安全操作区之内，而峰值电流则处于较低的水平功率限幅
电流限幅
图1:
粉红色=TIMER 引脚浅蓝色= OUT 引脚
黄色= IDS (漏极电流)
图2:
橙色= VDS
(漏极/源极电压)
绿色= VIN(输入电压)紫色= FET 功率
稳定状态起始插接时间
功率限幅
TIMER
典型热插拔系统在插接时出现的瞬态
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图1:
粉红色=TIMER 引脚浅蓝色= OUT 引脚黄色= IDS (漏极电流)
图2:
橙色= VDS (漏极/源极电压)紫色= FET 功率
功率限幅
TIMER
电流限幅
TIMER
电流限幅功率限幅故障超时
TIMER
电流限幅从上拉电阻至输出都
确定供电正常
断路器功率限幅故障超时
TIMER 锁定版
重新启动一般需时几秒