模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

填空题

二极管：

1. 在半导体中．漂移电流是在 作用下形成的，扩散电流是在 作用下形成的。（电场，浓度差）

2. 二极管最主要的特点是 ；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。（单向导电性，

IF ，UR ）

3. 在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V ；硅二极管的

死区电压约 V ，导通后在较大电流下的正向压降约 V 。（0.1, 0.3, 0.5, 0.7）

4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。(减小)

5. 硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在 状态。（反向击穿区）

晶体管及放大电路基础：

6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。

它们工作时有 和 两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。（NPN ，PNP ；硅，锗；电子，空穴）

7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 （P 区和N 区的位置不同）

8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。—般希望尽量选用ICEO 的管子（1+β，

小）

9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。（集电极）

10. 已知晶体管β=99，IE=1mA ，ICBO=0，则IB= ，IC= 。（0.01mA ，99mA ）

11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。（共射，共集，共基）

12. 当温度上升时．晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。

（降低，增大，增大）

13. 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为 ，锗管约为 ；晶体管在

导通之后，管压降UBE 变化不大，硅管的UBE 约为 ．锗管的UBE 约为 。（0.5 0.1 0.7 0.2）

14. 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。

（减小）

15. 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 。而且输出特性曲线的间隔

将 。（左移，上移，增大）

16. 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=－5V 、U Ｂ=－８V 、U Ｃ=－５.2V ，则晶体管对

应的电极是：A 为 、Ｂ为 、Ｃ为 。该晶体管属于 型 晶体管。（发射极，集电集，基极，PNP ，锗）

17. 晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为A U =7V 、B U =2.3V 、C U =3V ，则晶体管对应的电极

是：A 为 、Ｂ为 、Ｃ为 。该晶体管属于 型 晶体管。（集电集，发射极，基极，NPN ，硅）

18. 在晶体管共射放大电路中，当CE BE U U 时，管子工作于 状态，此时集电极电流C I 的大小只与 有关，

而与 几乎无关。当B I 恒定， 具有恒流的特性。（线性放大，IB ，UCE ，IC ）

19. 某晶体管的最大允许耗散功率CM P 是受 限制的。

（管子的结温允许值的大小） 20. 在晶体管放大电路中，集电极负载电阻C R 的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 放大作用。（电

压）

21. 放大电路的非线性失真包括 失真和 失真。引起非线性失真的主要原因是 。（饱和，截止，

静态工作点不合适，太高或太低，或输入信号幅度太大）

22. 引起电路静态工作点不稳定的主要因素是 。为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引入 。（温度

变化引起元器件参数变化，直流负反馈）

23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4v ，接入3k Ω的负载后输出电压降为3v ，则此电路的输出电阻为 。

（1k ）

24. 在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 电路．输入电阻最小的是 电路，输出电

压与输入电压相位相反的是 电路。无电流放大能力的是 放大电路，无电压放大能力的是 路。但三种放大电路都有 放大的能力。（共集，共基，共射，共基，共集，功率）

25. 多级放大电路常见的耦合方式有 、 和 。（直接，阻容，变压器）

26. 直接耦合多级放大电路存在的两个主要的问题是 和 。（零点漂移，静态工作点互相影响。

27. 所谓零点漂移是输入信号为零时， 信号会产生缓慢的无规则的变化。（输出）

28. 由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生

失真。这种晶体管工作在线性区而引起的失真称为 ，也称为 。（线性失真，频率失真）

29. 放大电路的频率失真包括 失真和 失真。（幅度，相位）

30. 在阻容耦合放大电路中加入不同频率的正弦信号时，低频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存

在 ：高频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 。（耦合电容或旁路电容，结电容，）

31. 在晶体管三种基本放大电路中， 放大电路的高频特性最好。（共基）

32. 单级阻容耦合放大电路加入频率为H f 和L f 的输入信号时，电压增益的幅值比中频区下降了 dB ，输出电压

的相位与中频区相比，在量值上有 的附加值。（3，45度）

33. 多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益 ，通频带 。（提高，变窄）

34. 多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率下产生的附加相移 。（大）

35. 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性如下式所示：

6101000111010u f

j

A f f j j =????++ ???????

式中f 单位为Hz 。那么，该电路的下限截止频率为 ，上限截止频率为 ，中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。（10Hz ，1000000Hz ，60，0度）

36. 在单管阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应曲线的斜率在低频区和高频区分别为 和 ；相频响

应曲线的斜率在高频区和低频区分别 和 。（20db/十倍频，-20db/十倍频，-45度/十倍频，-45度/十倍频，）

场效应管及其放大电路：

1. 按照结构，场效应管可分为 。（结型和绝缘栅型）

2. 场效应管属于 型器件，它是利用一种载流子导电的。（电压控制）

3. 场效应管突出的优点是 。（输入电阻高）

4. 与双极性晶体管类似，场效应管也可接成三种基本放大电路，即 极， 极和 极放大电路。（共

源，共漏，共栅）

5. 当场效应管工作于线性区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制。而与电压 几乎无关。D i 的数学表达

式为：耗尽型 ，增强型 。（22()(),,(1),()GS

GS DS D DSS D GS GS th GS off u u u i I i K u U U =-=-

6. 通常场效应管的噪声要比双极型晶体管的噪声 ，这是因为场效应管中不存在 的注入、扩散和复合

过程，基本上不产生散粒噪声。（小，少数载流子）

7. 在使用场效应管时，由于结型场效应管的结构是对称的，所以 极和 极是可互换的。MOS 管中如果

衬底在管内不与 极预先接在一起 极和 极也可互换。（源，漏，源，源，漏 8.

耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。（自给，分压式） 9.

绝缘栅型场效应管与晶体管比较，其主要特点有：① ② ③ 。场效应管的热稳定性比晶体管好的原因是因为场效应管的少数载流子 。（只有一种载流子；是电压控制型器件；输入电阻很大；不参与导电。） 10.

在构成放大器时，可以采用自给偏压电路的场效应管是 。 （耗尽型场效应管） 集成运算放大电路： 1.

集成运放是一种直接耦合的多级放大电路，因此其下限截止频率 。（等于0） 2.

集成运放的两个输入端分别是 和 ， 输入端的极性与输出端相反， 输入端的极性与输出端相同。（同相输入端，反相输入端，反相，同相。） 3.

电流源电路的特点是输出电流 、直流等效电阻 和交流等效电阻 。（恒定，小，大） 4. 在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是 ，零点漂移最大的一级是 。（输入

级，输出级）

5. 理想集成运放的放大倍数u A ＝ ，输入电阻i R = 输出电阻o R = 。（∞∞0）

6. 通用型集成运放的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。（差分放大，互补）

7. 由于电流源的交流等效电阻 ，因而若把电流源作为放大电路的有源负载，将会 电路的电压增益。

（大，提高）

8. 差分放大电路有 种输入输出连接方式，其差模电压增益与 方式有关．与 方式无关。（四，

输出，输入。）

9. 差分放大电路放大两输入端的 信号，而抑制 信号，两差放管的输出电流具有 关系。（差模，

共模，大小相等而方向相反。）

10. 如果差分放大电路完全对称，那么双端输出时，共模输出电压为 ，共横抑制比为 。（0，∞）

11. 当晶体管工作在线性区，且其基极电流不变时，集电极电流具有 特性。（恒流）

12. 当场效应管工作在放大区．且栅源电压不变时，漏极电流具有 特性。（恒流）

反馈：

1. 根据反馈的极性，反馈可分为 和 。（正反馈，负反馈）

2. 反馈的四种组态为 、 、 和 （电压串联，电压并联，电流串联，电流并联）

3. 电压负反馈可以稳定输出 ，降低 电阻。（输出电压，输出电阻）

4. 电流负反馈可以稳定输出 ，提高 电阻。（输出电流，输出电阻）

5. 当放大电路的环路增益 时，称为深度负反馈。（远大于１）

6. 当放大电路满足深度负反馈的条件时，电路的闭环增益f A ≈ ，净输入信号文id X ≈ 。（１／Ｆ，

０）

7. 为了减小信号源的负载，提高电路的放大能力，对于内阻较小的信号源，通常应该引入 负反馈；对于内阻大的信号源，通常应该引入 负反馈。（串联，并联）

8. 对负反馈放大电路来说，反馈越深，对电路性能的改善越显著。但是，反馈太深，将容易引起电路产生 。（自激振荡）

9. 自激振荡是一种没有 ，但有一定幅度输出信号的现象。（输入信号）

10.

负反馈放大电路引起自激振荡的根本原因是电路在高频或低频区产生了足够大的 ，使负反馈变成了正反馈。（附加相移） 11. 负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件是 ，幅度条件是 。（(21),1A F n AF ??π?+?=+=）

12. 一般说来，只要电路产生自激振荡的相位条件不满足，电路一定不会产生自激振荡的。即使是 条件满足了，

电路也不一定会产生自激振荡。（相位）

13. 消除负反馈放大电路自激振荡一般采用 。（相位补偿法）

14. 负反馈可以从 、 、 、 和 方面改善放大电路的性能。（提高稳定性，减小非

线性失真，抑制噪声，扩展频带，改变输入输出阻抗。） 15.

电流串联负反馈放大电路是一种输出端取样量为 ．输入端比较量为 的负反馈放大电路，它使电路输入电阻 ，输出电阻也 。（电流，电压，增大，增大） 16.

要得到一个由电流控制的电压源，应选择 负反馈电路。（电压并联） 17.

某仪表放大电路要求具有输入电阻大，输出电流稳定的特性，应选择 负反馈。（电流串联） 18.

要想得到一个输入电阻大，输出电阻小的放大电路，那么，电路中应该引入 负反馈。（电压串联） 19.

当电路负载变化时，为了使输出电压稳定，在电路中应该引入 负反馈；当电路负载不变，为了使输出电压稳定，在电路中应该引入 反馈。（电压，电压或电流） 20.

当电路的闭环增益为40 dB 时，基本放大电路的增益变化10％，电路的闭环增益相应变化1％，则此时电路的开环增益为 dB 。（６０） 21. 在负反馈放大电路中，当环路增益=0dB 时，相移=－245°。由此可知，该电路将会产生 。（自激振荡）

集成运放组成的运算器：

1. 集成运算放大器理想化的三个主要条件分别是 、 、 。（,,0o d i d o A R R →∞→∞→）

2. 当集成运算放大器工作在线性区时，通常把u u +-≈称为 ，把0i i +-=≈称为 ，当同相输入端接地

时，则把反相输入端称为 。（虚短，虚断，虚地）

3. 为了使集成运放工作在线性区，必须在电路中引入 。（深度负反馈）

4. 一般情况下，反相比例放大电路的输入电阻较 ，而同相比例放大电路的输人电阻较 。（小，大）

5. 在反相输入比例运算电路中，运放两个输入端的共模信号IC u ≈ ；在同相输入比例放大电路中，运放的共

模信号IC u ≈ 。（０，I u ）

6. 在线性运算电路中，为了减小输入偏置电流带来的运算误差，通常要求运放两个输人端外接的电阻(等效)近

似 。（相等）

7. 运放有同相、反相和差分三种输入方式，为了给集成运放引入电压串联负反馈，应采用 ；要求引人电压并

联负反馈，应采用 ；在多个输入信号情况下，要求各输入信号互不影呐，应采用 ；要求向输人信号电压源索取的电流尽量小，应采用 ：要求能放大差模信号，又能抑制共模信号，应采用 。（同相输入，反相输入，反相输入，同相输入，差分输入）

8. 对于集成运算放大器来说，其开环电压放大倍数较 ，则由它组成的运算电路的运算精度较 。（大，

高）

信号检测与处理：

1. 在滤波器中，把信号能够通过的频率范围称为 ；把信号不能通过的频率范围称为 。（通带，阻带）

2. 在理想的滤波器中，通带内信号衰减为 ：阻带内信号衰减为 （零，无穷大。）

3. 根据通带和阻带所处的频率区域不同，通常将滤波器分成 、 、 和 等形式的滤波器。

（低通，高通，带通，带阻。）

4. 设低通滤波电路的上限截止频率为H f ，高通滤波电路的下限截止频率为L f 。当H f >L f 时，如果将低通电路与高

通电路 联，即可构成带通电路：当H f

5. 在比较器电路中，运放工作在 或 条件下，运放的输出电压只有 或 两种可能。在这

种情况下，运放输入端虚短的结论不再适用，但 的结论仍然存在。（开环或正反馈，正和负两种饱和值，虚断。）

非正弦信号发生器：

1. 正弦波振荡电路属于 反馈电路，它主要由 、 、 和 电路组成。（正，放

大电路，反馈网络，选频网络，稳幅电路）

2. 在正弦波振荡电路中，选频网络的作用是选出满足振荡条件的某一频率的 。（正弦波）

3. 在正弦波振荡电路中，非线性稳幅电路不仅能使输出电压幅值稳定，同时也能减小 。（非线性失真）

4. 若需要1MHz 以下的正弦波信号，一般可用 振荡电路，需要更高频率的正弦波，可用 振荡电路。

若要频率稳定性很高，则可用 振荡电路。（RC ，LC ，石英晶体，）

5. 自激振荡电路从AF ＞l 到AF ＝l 的振荡建立过程中，减小的量是 （放大倍数A ）

6. 若石英晶体的等效电感、动态电容及静态电容分别为L 、Ｃ、C0，则在损耗电阻R ＝0时，石英晶体的串联谐振频

率fs= ，并联谐振频率fp ＝

（s p f f ==

）

7. 在串联型晶体振荡电路中，晶体可等效为 ；在并联型晶体振荡电路中，晶体可等效为 。（电阻，电

感）

8. 石英晶体振荡电路的振荡频率取决于 （石英晶体的谐振频率）

9. 当石英晶体作为正弦波振荡电路的一部分时，其工作频率范围是 （s p f f f ≤≤）

10. 集成运放组成的非正弦波发生器电路，一般由 、 和 几个基本部分组成。（比较电路，反馈

网络，延时电路）

11. 非正弦波振荡电路产生振荡的条件比较简单，只要反馈信号能使 的状态发生跃变化，即能产生周期性的振

荡。（比较电路）

功率放大：

1. 甲类放大电路放大管的导通角θ等于 ，乙类放大电路放大管的θ等于 ，而甲乙类放大电路放大管

的θ 。（360°180°180°--360）

2. 乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率，在理想的情况下最高可达 ，但这种电路会产生 失真现

象。为了消除这种失真，应当给功放管 ，使其工作于 状态。（78.5%，交越失真，施加静态偏置，甲乙类）

3. 甲类放大电路的电源提供的功率始终等于电路的 。（静态功耗）

4. 由于功率放大电路中的功放管工作于大信号状态，因此通常通常 法分析电路。（图解）

5. 采用双极型晶体管设计功率放大电路时要特别注意功放管的 、 和 三个极限参数的选择。

（ICM ，PCM ，U(BR)CEO ）

6. 分析功率器件的散热问题时，通常采用 ，即用 来模拟功率器件的散热回路。（电—热模拟法，导

电回路。）

直流稳压电源

1. 直流稳压电源主要由变压器 、 和 电路组成。（整流，滤波，稳压）

2. 电容滤波电路的滤波电容越大，整流二极管的导通角越 ，流过二极管的冲击电流越 ，输出纹波

电压越 ，输出电压值越 。（小，大，平滑，高）

3. 桥式整流电容滤波电路中，如变压器二次侧电压的有效值为2U ，那么，整流二极管所承受的最大反向电压

为 。

2）

4. 串联型稳压电路主要由 、 、 和 四部分组成。（基准环节，取样环节，比较放大

环节和调整环节）

5. 在小功率直流电源中，在变压器二次侧电压相同的条件下，苦希望二极管承受的反向电压较小，而输出直流电压

较高，则应采用 整流电路；若负载电流较小(变化范围也较小)时，为了得到稳定的但不需要调节的自流输出电压，则可采用 稳压电路；为了适应电网电压和负载电流变化范围比较大的情况，且要求输出电压可以调节，则可采用 晶体管压电路。（桥式，稳压管，串联型，

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

模拟电子技术考试题(卷)

一、填空题（每空1分，共10分） 1后二极管还可以正常工作。 2．N 型半导体的多数载流子是 。 3 4．单管共射极放大器，当工作点Q 选择较高时，易出现 失真。 5．在功率放大电路中，甲乙类放大电路是指放大管的导通角θ为 。 6．在放大器中，为了稳定输出电压，增加输入电阻，应引入 反馈。 7．串联反馈式稳定电路主要包括 、取样电路、调整管和基准电路四个部分。 8．双极型三极管是 （电压、电流）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要 偏置，集电结需要 偏置。 二、单选题（本大题共15个小题，每题2分，共30分） 1．已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为4V 、8V 和4.7V ，则4.7V 所对应的电极为（ ）。 A. 发射极 B.集电极 C.基极 D.栅极 2．理想运算放大器的电压放大倍数是（ ）。 A 、零 B 、约为120 C 、无穷大 D 、无法测定 3．晶体管的电流放大系数α，β分别指（ ） （Ａ）工作在饱和区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα； （Ｂ）工作在放大区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα （Ｃ）工作在截止区时的电流放大系数B C E C i i i i /,/==βα （D ）工作在放大区时的电流放大系数B C E B i i i i /,/==βα 4．对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的（ ） A 放大区中部; B 截止区；C 放大区但接近截止区;D 放大区但接近饱和区。 5．与乙类放大器相比，甲乙类互补对称功率放大器的主要优点是：（ ） A 、 可以使用两个电源供电; B 、可以进行功率放大； C 、效率高; D 、无交越失真； 6．放大电路如图题6所示，由于R B1，和R B2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（ ）。 A 、适当增加R B2，减小R B1 B 、保持R B1 不变，适当增加 R B2 C 、适当增加R B1，减小R B2 D 、保持R B2不变，适当减小R B1

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp—

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示

#《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小和有关，而和外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小和有关，而和 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。 22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为 V，