电子技术复习题及答案
电子技术复习题一
一、填空题
1、右图中二极管为理想器件，题1-1
V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，
工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是
7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)
14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题
1、离散的，不连续的信号，称为（B ）
A、模拟信号
B、数字信号
2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
A．译码器B．编码器
C．全加器D．寄存器
3、某逻辑门的输入端A、B和输出端F的波形如下图所示，F与A、B的逻辑关系是：B
A、与非
B、同或
C、异或
D、或
A B F
4、8线—3线优先编码器的输入为70
I I - ，当优先级别最高的7I 有效时，其输出012Y Y Y 的值是
（ C ）
A 、111
B 、010
C 、000
D 、101
5、JK 触发器在CP 作用下，若状态必须发生翻转，则应使（ B ）
A 、J=K=0
B 、J=K=1
C 、J=O ，K=1
D 、J=1，K=0 6、在本征半导体中加入（ C ）元素可形成P 型半导体。 A 、五价 B 、四价 C 、三价 D 、无法确定 7、下式中与非门表达式为（ ）。 A 、Y=A+B ；B 、Y=AB ；C 、Y=B A +
；D 、Y=AB
8、三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：U A
= 3.3V 、U B
= 4V 、U C
=6 V ，A 、B 、C
对应的电极是（ D ）。
A 、C ，
B ，E B 、B ，
C ，E C 、E ，C ，B
D 、
E ，B ，C
9、理想运放的开环差模电压增益, 共模电压增益应分别为（ B ）。 A 、∞ ，∞ B 、∞ ，0 C 、0， ∞ D 、0，0 10、下面逻辑关系不正确的是：（A ）。
A 、若AB=AC ，则B=C
B 、若AB=1+B ，则A=1，B=1
C 、若A+B=0B ，则A=0，B=0
D 、A+BC=（A+B ）（A+C ）
11、逻辑电路如右图，函数式为（ A ）。 A 、F=AB +C
； B 、F=
AB +C ；
C 、F=
C AB +；
D 、F=A+BC
三、判断题
1、放大电路的静态分析常采用图解法和小信号模型法。 ﹙X ﹚
2、负反馈使放大电路的增益下降，但能改善放大电路的性能。 ﹙ V ﹚
3、稳压管的工作区是反向击穿区。 ﹙ V ﹚
4、对放大电路影响最大的是环境温度的变化。 ﹙V ﹚
5、根据反馈信号与放大电路输入信号的叠加关系可分为电压反馈和电流反馈。 ﹙ X ﹚ 四、综合题
1、用逻辑代数定律证明下式
()A ABC ACD C D E A CD E
++++=++
2、用代数法化简下式
()
ABC B C
+
3、画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门
L AB AC
=+
4、D触发器（如图（a）所示）输入波形如图（b）所示，设初始状态Q=0。试写出D触发器的状态方程
和输出方程，并画出1
Q
和2
Q
端的波形。
5、求图示电路中uo与u i1、u i2的关系，并指出电路的功能。
6、组合逻辑电路如图所示，分析该电路逻辑功能(10分)
R p2
R P1
∞
－
+
Δ
+
u o
u i1R
F
∞
－
+
Δ
+
u o1
R
R
R1
R2
u i2
EF
B
EF
B
A
BD
C
A
AB
D
A
AD
L+
+
+
+
+
+
=
A
u i
o
7、如图所示为固定偏置共射放大电路，已知U CC =20V ，R B =510k Ω，，R C =6.8k Ω，R L =6.8k Ω，β=50。试求：1、画出放大电路的直流通路，并求出静态工作点；2、画出放大电路的交流通路及微变等效电路，并求电压放大倍数Au 、输入电阻Ri 和输出电阻R O 。
题3-1图
8、用与非门设计一多数表决电路。要求A 、B 、C 三人中只要半数人同意，则决议就能通过，但A 还具有否
决权，即只要A 不同意，即使多数人同意也不能通过。要求列出真值表、化简逻辑函数，并画出电路图。
电子技术复习题二
一、单项选择题： 1、
由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”， 断开为“
0”， 电灯亮为“1”， 电灯暗为“0”，则该电路为 ( B )。 (a)“ 与” 门 (b)“ 或” 门 (c) “ 非” 门
A
2、
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。 (a) 正、反向电阻相等
(b) 正向电阻大 ，反向电阻小
(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大 3、
运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( D ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为
负反馈
(b) RF1和RF2引入的均为负反馈 (c) RF1和RF2引入的均为正反馈
(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为
正反馈
-∞＋
R
4、
电路如图所示，已知U CC ＝12V ，RC ＝3k Ω，
β＝40且忽略U BE ,若要使静态时U C E ＝9V ，则R B 应取（ C ）。
(a) 600 k Ω (b) 240 k Ω (c) 480
k Ω (d) 360 k Ω
CC
5、
逻辑电路如图所示，输入为 X ，Y ，同它功能相同的是（ B ）。
(a) 可控RS 触发器 (b) JK 触发器 (c) 基本RS 触发器 (d) T 触发器
Y
X
Q
6、
图示逻辑电路的逻辑式为( C )。 (a) F =A B +A B (b) F =AB AB + (c) F =AB +A B
=1A
B
1
F
7、
电路如图所示， D 1，D 2 均为理想二极管， 设 U 1 =10 V ，u i = 40 sin ωt V, 则输出电压 u O 应为 ( D )。
(a) 最大值为 40V ，最小值为 0V (b) 最大值为 40V ，最小值为 +10V (c) 最大值为 10V ，最小值为 －40V (d) 最大值为 10V ，最小值为 0V
D
8、
电路如图所示负载电流iL与输入电压ui 的关系为 ( C )。
(a) -ui / (RL+Ro) (b) ui / RL
(c) ui / Ro (d) ui / (RL+Ro)
-∞
u
＋
R
o
9、P型半导体中多数载流子是（ B ）A．自由电子 B．空穴
C．负离子 D．正离子
10、半导体三极管处在放大状态时是（ D
）
A．C结反偏e结反偏 B．C结正偏e结正偏C．C结正偏e结反偏 D．C结反偏e结正偏11、为使输入电阻提高，在放大电路中应引入交流（ A ）
A．电压负反馈 B．电流负反馈
C．并联负反馈 D．串联负反馈
12、要使边沿触发型JK触发器具有Qn+1=Qn的功能，其输入信号必须满足（ A ）
A．J=K=0 B．J=K=1
C．J=1,K=0 D．J=0,K=1
二、非客观题:
1、试证明逻辑等式：A B+B C+C A=A B+B C+C A
A B +B C +C A =AB C C BC A A CA B B ()()()+++++
=
ABC ABC ABC ABC ABC ABC +++++
=AB C C BC A A CA B B ()()()+++++ =A B+B C+C A
2、试 证 明 逻 辑 等 式：
()()ED ABC ED A B C ED ++++=
解; ()()ED ABC ED A B C +
+++
=+++++++ED ED A B C ABC ED ABC A B C ()()()
=ED
三、计算题
设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，
晶体管的β=50,r bb’=200Ω,U BEQ =0.6,求: 1.求静态工作点I CQ =?
2.该电路的输入电阻Ri 输出电阻Ro 各为多少?
3.该电路的电压放大倍数Au 为多少?
四、计算题
求图示电路中u o与u i1、u i2的关系
u
u o
1 电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题 3 分，共 30 分） 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时，负载获得的功率最大，这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：________ 甲__类功放， ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ，以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源，比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10．主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。 二．选择题（每题 3 分，共 30 分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－ 10V ，负极电位是－ 5V ，则该晶体二极管处于：（ C ）。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（ A）。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
电子技术基础（三）试题答案及评分参考 第 1 页 （共 5 页） 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程 三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分） （2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分） （2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分） （2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分） （3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分） （4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分） （01000111）2=（47）16 （2分） （01000111）2=（01110001）8421BCD （1分）
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
中医诊断学试题及答案 第一部分(客观题共15分) 一、判断题(判断下列各小题，对的用“＋”，错的用“－”，填在题后的括号内；每题1分，共15分) 1、望神，就是诊察患者精神意识活动，以了解病情轻重，推测预后的吉凶。() 2、面、目、身俱黄且黄色晦暗如烟熏者，为阴黄。() 3、外感热病中，斑疹色淡红或淡紫者，提示病情轻浅，预后较好。() 4、一般地说，察舌质，重在辨病邪的浅深与胃气的存亡；察舌苔，重在辨脏腑的虚实。( ) 5、神志不清，语言重复，声音低弱，时断时续者，为郑声。 () 6、在疾病过程中出现口渴，均提示热盛伤津。() 7、在四时脉象中，春季多见浮脉。() 8、“反关脉”与“斜飞脉”，都是比较少见的病脉。()9、“阳盛则热”，热为阳证。故凡发热者均为热证、阳证()10、虚实辨证，是分析辨别邪正盛衰的两个纲领。()11、就人体部位而言，皮毛、肌肉属表。故凡病位浅在肌表的病证，均属表证。() 12、亡阳证的汗出大多粘而味xx。() 13、足少阳胆经入耳中，肝胆相为表里。故耳内肿痛、流脓，多因肝阳上亢所致。() 14、心肾不交证的病机主要在于命火不足，不能上温心阳。 ( 15、心脾两虚证的实质是心脾两脏气血不足而表现的虚弱证候。()
二、单项选择题(选择一个正确答案，并将其序号填在题后的括号内；每题1分，共22分) 16、下列既可见于热证，又可见于寒证的舌象是() A、红舌 B、绛舌 C、淡白舌 D、紫舌 17、久病舌xx，多见于() A、热邪壅肺 B、胃热亢盛 C、肝胆火盛 D、阴虚内热 18、右手寸口脉关部分属脏腑是() A、肺 B、肝胆 C、脾胃 D、肾 19、气血本虚，又为湿邪所困的患者，多见()A、迟脉B、弱脉C、濡脉D、微脉 20、滑数脉多见于() A、痰热内蕴证 B、肝阳上亢证 C、肝气郁结证 D、阴虚内热证 21、根据经络的分布，分辨头痛的经络病位，头项痛者多属() A、阳明经 B、太阳经 C、少阳经 D、厥阴经22、患者面赤身热，口渴饮冷，烦躁不宁，尿黄便干，舌红苔黄，脉数。此属() A、表热证 B、里实热证 C、里虚热证 D、戴阳证23、里虚寒证出现畏寒肢冷的病机是()A、寒邪束表，卫气失宣B、阳虚失于温煦C、阴寒内盛，阳气被郁D、以上都不是 24、饮停胸胁，症见胸胁饱满，咳嗽时牵引作痛。 此属() A、痰饮 B、支饮 C、悬饮 D、溢饮 25、患者身倦乏力，少气懒言，胁痛如刺，拒按，舌淡有紫斑，脉沉涩。此属()
电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
电子技术基础试题（八） 一、填空题（每题3分，共30分） 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时，负载获得的功率最大，这种现象称为—阻抗匹配_。 一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：_甲_类功放，_乙_类功放和—甲 乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^，以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。 二、选择题（每题3分，共30分） 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于：（C ）。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（A ）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（B ）。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（A ）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（C）。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： （B ）。 A.8V 7?为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（A ）。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是：（C ）。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：（B ）。A.
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
一,单项选择题 (每小题 1 分,共 20 分 1-10CCCCAADACB 11-20.ADBBAADDCC 1.指令 JMP FAR PTR DONE 属于 ( C A.段内转移直接寻址 B.段内转移间接寻址 C.段间转移直接寻址 D.段间转移间接寻址 2.下列叙述正确的是 ( A.对两个无符号数进行比较采用CMP 指令 ,对两个有符号数比较用CMP S 指令 B.对两个无符号数进行比较采用CMPS 指令 ,对两个有符号数比较用CM P 指令 C.对无符号数条件转移采用JAE/JNB 指令 ,对有符号数条件转移用JGE/J NL 指令 D.对无符号数条件转移采用JGE/JNL 指令 ,对有符号数条件转移用JAE/J NB 指令 3.一个有 128 个字的数据区 ,它的起始地址为 12ABH:00ABH, 请给出这个数据区最末一个字单元的物理地址是 ( A.12CSBH B.12B6BH
C.12C59H D.12BFEH 4.在下列指令的表示中 ,不正确的是 ( A.MOV AL,[BX+SI] B.JMP SHORT DONI C.DEC [BX] D.MUL CL 5.在进行二重循环程序设计时,下列描述正确的是 ( A.外循环初值应置外循环之外;内循环初值应置内循环之外,外循环之内 B.外循环初值应置外循环之内;内循环初值应置内循环之内 C.内、外循环初值都应置外循环之外 D.内、外循环初值都应置内循环之外,外循环之内 6.条件转移指令 JNE 的测试条件为 ( A.ZF=0 B.CF=0 C.ZF=1 D.CF=1 7.8086CPU在基址加变址的寻址方式中,变址寄存器可以为 ( A.BX 或 CX
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
01、整个需求曲线向左下方移动，其原因是（B ）……….B．需求减少 02、当汽油的价格上升时，在其他条件不变的情况下，对小汽车的需求量将（A ）…….A．减少 03、下列商品的需求价格弹性最小的是（C ）………C．食盐 04、商品的边际效用随者商品消费量的增加而（B ）B.递减 05、根据无差异曲线分析，消费者均衡是（A ）…….A．无差异曲线与消费可能线的相切之点 06、当边际产量大于平均产量时，平均产量（C ）…….. C.递增 07、等产量曲线向左下方移动表明的是（B ）………..B.产量减少 08、短期平均成本曲线呈U型，是因为（D ）…………D．边际收益递减规律 10、长期平均成本曲线与长期边际成本曲线一定是（D ）………..D．相交于平均成本曲线的最低点 11、下列筹资方式中，体现债权关系的是（C ）………….C 发行债券 12、计算流动比率，速动比率，现金比率这三个财务碧绿时，都需要利用的指标是（C ）…C 货币资产 C 利息 15、下列属于股股东所拥有的权利是（B ）……………B 优先受让和认购新股全 18、企业由于现金持有量不足，造成企业信用危机而给企业带来的损失，属于现金的（现金短缺） 19、在下列各项中，属于应收账款机会成本的是（ B ）……………...B 应收账款占用资金的应计利息 20、企业最为合理的财务管理目标是（ D ）……………………D 企业价值最大化 21、政府为了扶值农产品，规定了高于均衡价格的支持价格。为此政府应采取的措施是( C )……C.收购过剩的农产品 22、某消费者逐渐增加某种商品的消费量，直到达到了效用最大化，在这个过程中，该商品的( C )。… ………………………………….......................................C总效用不断增加，边际效用不断下降 23、假定某企业全部成本函数为TC=30000+SQ-Q。，Q为产出数量。那AFC为( D ) …….D．30000／Q 24、当劳动的总产量下降时，( D )。…………………D．边际产量为负 25、在完全竞争条件下，平均收益与边际收益的关系是( C )。………………C．相等 26、生产要素的需求曲线之所以向右下方倾斜，是因为( A )。………A．要素的边际产品价值递减 27、随着工资水平的提高( C )。…C．劳动的供给量先增加，…..，劳动的供给不仅不会增加反而减少 28、卖主比买主知道更多关于商品的信息，这种情况被称为( A )。……………….A．信息不对称问题 29、根据储蓄函数，引起储蓄增加的因素是( A )。…………………A．收入增加 30、居民消费不取决于现期收人的绝对水平，也不取决于现期收入和以前最高收人的关系，而是取决于居民的持久收入， 这种观点的提出者是( B )。……………..B．弗里德曼 31、假定货币供给量不变，货币的交易需求和预防需求增加将导致货币的投机需求( C )………..C．减少 32、总需求曲线AD是一条( A )。…………………….A．向右下方倾斜的曲线 33、奥肯定理说明了( A )。…………………….A．失业率和总产出之间高度负相关的关系 34、要实施扩张型的财政政策，可采取的措施有( C )。……………….C．增加财政转移支付 35、货币贬值使该国国际收支状况好转时( A )。…………………….A．| e。+e。|>l 36、需求曲线是一条倾斜的曲线，其倾斜的方向为……………….（A右下方） 37、下列体现了需求规律的是…….（D照相机价格下降，导致销售量增加） 38、其他因素保持不变，只是某种商品的价格下降，将产生什么样的结果…….（C．需求量增加） 39、鸡蛋的供给量增加是指供给量由于…………（C．鸡蛋的价格提高而引起的增加） 40、无差异曲线为斜率不变的直线时，表示相结合的两种商品是………………（B．完全替代的） 01、资源配置要解决的问题是（ABC ）……………..A.生产什么B．如何生产 C.为谁生产 02、影响需求弹性的因素有（ABCDE ）..…A．消费者对某种商品的需求程度B．商品的可替代程度 C.商品本身用途的广泛性D．商品使用时间的长短 E.商品在家庭支出中所占的比例 03、引起内在经济的原因有（ACE ）………..A．使用更先进的技术C．综合利用E.管理水平提高 04、通货膨胀理论包括（ABCD ）…….A．需求技上的通货膨胀理论B.．供给推动的通货膨胀理论 C.供求混合推动的通货膨胀理论D．结构性通货膨胀理论 05、经济周期繁荣阶段的特征是（ABCD ）..A.生产迅速增加B．投资增加C 信用扩张D.价格水平上升 06、边际技术替代率( AC ) …………………………A．是在产出量保持不变的前提下，增加最后一个单位投入要素替代 另一种投入要素的技术上的比率C．是负的，并且呈递减趋势 07、按竞争与垄断的程度，我们将市场分为( ABCD ) A.完全垄断市场B.垄断竞争市场C.寡头垄断市场D.完全竞争市场 08、形成市场失灵的主要原因有( ABDE ) ……… A．垄断B．不完全信息D．外部性E．公共物品 09、在以价格为纵坐标，收人为横坐标的坐标系中( CE )…………………………………………………. …………C．垂直的直线被称为长期总供给曲线E．向右上方倾斜的曲线被称为短期总供给曲线
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 A B 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 F M2M1 F 0 0 0 1 1 1 1 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A（A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。
123Y AC Y ABC ABC BC Y BC ABC =?? =++?? =+? 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D 触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
B C CP A Ep E T LD D Q0 Q1 Q3Q2 74LS163 Rd 1 M & 1 计数脉冲 00 1 图5-2 七． 八．（10分）电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C、V01、A、B、C的波形。并计算出V01波形的周期T=？。 15 7 6 84 2 R1 NE555 3 R2 C1 Vc + 0.01u J K 1 Q Q & & V CC V01 A B C C 10K 10K T1T2