模电考研童诗白《模拟电子技术基础》考研2021考
研真题库
第一部分考研真题一、选择题
1以下说法正确的是（）。[中山大学2018研]
A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电
C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的
D．若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，则其输入电阻会明显变小
【答案】A查看答案
【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。
2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。[中山大学2018研]
A．增大
B．不变
C．变小
【答案】A查看答案
【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu GS之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，显然g m增大。
3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。[中山大学2017研]
A．变窄
B．基本不变
C．变宽
【答案】A查看答案
【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。4二极管的电流方程为（）。[中山大学2017研]
A．I s e U
B．
C．
【答案】C查看答案
【解析】二极管的I－V特性方程为
其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则
5U GS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。[中山大学2017研]
A．结型管
B．增强型MOS管
C．耗尽型MOS管
【答案】A；C查看答案
【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为负。而增强型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为正。P型结型管和耗尽型
MOS管的开启条件为U GS＜U GSth，U GSth为正。而增强型MOS管的开启条件为U GS ＜U GSth，U GSth为负。综上，结型管和耗尽型MOS管符合题目要求。
6晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率fα、fβ、f T之间的关系是（）。[北京邮电大学2016研]
A．fα＞fβ＞f T
B．fα＜fβ＜f T
C．fβ＜fα＜f T
D．fβ＜f T＜fα
【答案】D查看答案
【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率f T＝βfβ，共基截止频率fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以fβ＜f T＜fα。
7以下说法错误的是（）。[北京邮电大学2016研]
A．N型半导体的多子是自由电子，因此该类半导体带负电
B．PN结有内建电场，因此即使没有外加电压，也会形成电流
C．处于放大状态的晶体管，集电极的电流主要来自于发射区的多子
D．二极管一旦发生击穿，就损坏不能使用了
【答案】ABCD查看答案
【解析】A项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；B项，PN结本身就是动态平衡的产物，因此无外加电压时，其动态平衡并未打破，所以没有电流；C项，晶体管放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，集电极的电流主要来自于少子而非多子；D项，反向击穿不一定损坏，如果在限流情况下，虽然击穿，但电流不大，在降压后是可逆的，二极管仍可以正常使用。
8二极管电路如图1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A点的电位是（）。[山东大学2017研]
图1-1-1
A．4.3V
B．1V
C．2.1V
【答案】B查看答案
【解析】若A点电位为4.3V，则所有二极管均导通，而0.3＋0.7V＝1V≠4.3V，所以A项矛盾，同理C项排除。
9稳压管电路如图1-1-2，设稳压管稳压值为5V，忽略稳压管的正向导通压降，U i ＝25V，则I Z＝（）。[山东大学2017研]
图1-1-2
A．8mA
B．10mA
C．5mA
【答案】C查看答案
【解析】稳压管反向导通，稳压值为5V，I Z＝（25－5）/2000－5/1000＝5mA。
10三极管放大电路如图1-1-3所示，设此电路静态工作点不合适使输出信号出现了饱和失真，应该（）来改善失真。[山东大学2019研]
图1-1-3
A．增大R b
B．减小R b
C．增加R C
【答案】A查看答案
【解析】若静态工作点过高，则输入信号的正半周，晶体管进入饱和区工作，i b、i c、u ce的波形会出现严重失真，输出波形u o底部将被削平，这种失真称为饱和失真；消除饱和失真的方法是降低Q点，如减小电源电压V CC增加R b、减小R C或增大交流负载线斜率等。
11已知多级放大电路由多个基本放大电路级联组成，包括输入级、中间放大级、输出级。那么，互补输出级采用共集形式是为了（）。[中山大学2018研] A．电压放大倍数大
B．不失真输出电压大
C．带负载能力强
【答案】C查看答案
【解析】共集电路的放大倍数约等于1，故没有电压放大作用。但由于它有很高的输入电阻和很小的输出电阻，故常放在电路中间级或最后一级来增强电路的带负载能力。
12当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为（）。[中山大学2017研] A．前者反偏、后者正偏
B．前者反偏、后者反偏
C．前者正偏、后者正偏
D．前者正偏、后者反偏
【答案】D查看答案
【解析】晶体管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结正偏；工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏；工作在截止区时，集电结反偏，发射结反偏。13PNP型晶体管工作在饱和区时（）。[北京邮电大学2015研]
A．发射结正偏，集电结反偏
B．发射结反偏，集电结正偏
C．发射结正偏，集电结正偏
D．发射结反偏，集电结反偏
【答案】C查看答案
【解析】晶体管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结正偏；工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏；工作在截止区时，集电结反偏，发射结反偏。14由NPN型晶体管组成的单管共射放大电路中，若静态工作点设置得过低，当信号幅度过大时，输出电压波形会产生（）失真，输出电压波形的（）被削平。[北京邮电大学2015研]
A．饱和
B．截止
C．顶部
D．底部
【答案】B，C查看答案
【解析】若静态工作点过低，则输入信号的负半周，晶体管进入截止区工作，i b、i c、u ce的波形会出现严重失真，输出波形u o顶部将被削平，这种失真称为截止失真；消除截止失真的方法是提高Q点，如增加电源电压，减小基极电阻等。15某NPN管组成的单管共射放大电路输出波形底部发生失真，该失真是（）。[北京邮电大学2016研]
A．线性失真
B．非线性失真
C．截止失真
D．饱和失真
【答案】B查看答案
【解析】仅底部发生失真是非线性失真，由于并没有说明失真情况（削平或其他），因此不能确定是截止还是饱和失真。
16在某差动放大器中，若|A ud|＝50，|A uc|＝0，u id＝5mV，u ic＝7.5mV，则|u o|＝（）。[山东大学2019研]
A．0.25V
B．0.5V
C．1V
【答案】A查看答案
【解析】差动放大器的输出电压为|u o|＝|A ud|·u id＋|A uc|·u ic/2，所以可以计算得到输出电压信号的幅值。
17信号频率由中频下降到下限截止频率，则增益下降（）。[中山大学2018研]
A．3dB
B．4dB
B．5dB
【答案】A查看答案
【解析】一般将增益下降3dB时所对应的频率称为截止频率。
18在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。[中山大学2017研]
A．输入电阻增大
B．输出量增大
C．净输入量增大
D．净输入量减小
【答案】D查看答案
【解析】A选项只有串联负反馈使得输入电阻增大。负反馈并不能减小或者增大输入量只会使得净输入量减小。
19要求提高放大电路带负载的能力，同时减小对信号源索取的电流，应当引入（）。[北京邮电大学2007研]
A．电压并联负反馈
B．电压串联负反馈
C．电流串联负反馈
D．电流并联负反馈
【答案】B查看答案
【解析】要提高放大电路的带负载能力，需要降低输出电阻；要减小对信号源索取的电流，需要增加输入电阻；串联负反馈可以增加输入电阻，电压负反馈可以降低输出电阻，因此此处应当引入电压串联负反馈。
20在串联型晶体振荡电路中，晶体等效为（）；在并联型晶体振荡电路中，晶体等效为（）。[北京邮电大学2008研]
A．大电感
B．短路线
C．大电容
D．大电阻
【答案】B；A查看答案
【解析】串联型晶体振荡电路中，晶体呈低阻态；并联型晶体振荡电路中晶体具有极高的品质因数，频稳度高，频率选择性很好，相当于大电感。
21在乙类互补对称电路中，存在（），为了消除它，通常采用（）。[北京邮电大学2007研]
A．截止失真
B．甲乙类偏置
C．交越失真
D．丙类偏置
【答案】C；B查看答案
【解析】功率放大电路按工作状态的分类根据在正弦信号整个周期内的三极管导通情况，可分为以下几种：
①甲类：一个周期内均导通，导通角等于360°。
静态工作电流I CQ≥I CM（信号电流峰值），电压放大电路都属此类。
②乙类：导通角等于180°。即I CQ＝0，晶体管只导通半周。
③甲乙类：导通角大于180°，小于360°。即0≤I CQ≤I CM。
④丙类：导通角小于180°。
在乙类互补对称电路中，互补管的两个PN结，对硅管来说是1.4V，在±0.7V之前是不通的，这样对输入信号就损失一定的角度，所以造成交越失真。通过增大静态偏置电流可以很好地抑制交越失真，因此可以采用甲乙类偏置。
22功率放大电路的转换效率是指（）。[中山大学2016研]
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
【答案】B查看答案
【解析】功率放大电路的最大输出功率与电源所提供的平均功率之比称为转换效率。
23设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类OCL互补对称功放电路，则所选功放管的P CM至少应为（）。[兰州大学2008研]
A．10W
B．4W
C．40W
D．20W
【答案】B查看答案
【解析】P Cmmax≈2P omax/π2＞2P o/π2≈4W
24直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。[中山大学2017研]
A．将交流变为直流
B．将高频变为低频
C．将交直流混合量中的交流成分滤掉
【答案】C查看答案
【解析】直流稳压电源包括以下四部分：①电源变压器；②整流电路；③滤波电路；④稳压电路。其中，滤波电路的作用是：将脉动的直流电压中含有的较大波纹加以滤除，从而得到平滑的直流电压。
25完成直流稳压电源的组成框图1-1-4。[中山大学2017研]
图1-1-4
A．整流电路
B．稳压电路
C．滤波电路
D．电源变压器
【答案】D；A；C；B查看答案
【解析】直流稳压电源包括四部分。
①电源变压器：是将交流电网220V的电压变换到所需的电压值。
②整流电路：是将交流电路变成脉动的直流电压。
③滤波电路：由于脉动的直流电压还含有较大的波纹，必须通过滤波电路加以滤除，从而得到平滑的直流电压。
④稳压电路：由于这样的电压还随电网电压波动（一般有10%左右的波动）、负载和温度的变化而变化。因而在整流、滤波电路之后，还需接稳压电路。接入稳压电路的作用是当电网电压波动、负载和温度变化时，维持输出直流电压稳定。
26分析如图1-1-5所示电路，选择正确答案。[哈尔滨工业大学2006研]
图1-1-5
（1）设U2（有效值）＝10V，则U i（AV）＝（）。
A．4.5V
B．9V
C．12V
D．14V
【答案】C查看答案
【解析】桥式整流，带电容滤波的输出U i（AV）＝1.2U2＝12V。
（2）若电容C脱焊，则U i（AV）＝（）。
A．4.5V
B．9V
C．12V
D．14V
【答案】B查看答案
【解析】桥式整流，无电容滤波的输出U i（AV）＝0.9U2＝9V。
（3）若二极管VD2接反，则（）。
A．变压器有半周被短路，会引起元器件损坏
B．变为半波整流
C．电容C将过压击穿
D．稳压管将过流损坏
【答案】A查看答案
【解析】若整流，二极管VD2接反，则在交流信号的正半周，变压器次级绕组短路。
（4）若二极管VD2脱焊，则（）。
A．变压器有半周被短路，会引起元器件损坏
B．变为半波整流
C．电容C将过压击穿
D．稳压管将过流损坏
【答案】B查看答案
【解析】若整流二极管VD2脱焊，桥式整流将变为半波整流。
（5）若电阻R短路，则（）。
A．U o将升高
B．变为半波整流
C．电容C将击穿
D．稳压管将损坏
【答案】D查看答案
【解析】R为稳压管的限流保护电阻。
（6）设电路正常工作，当电网电压波动而使U2增大时（负载不变），则I R将（），I Z将（）。
A．增大
B．减小
C．基本不变
【答案】A查看答案
【解析】I R＝I Z＋I L，U i↑→U o↑→I Z↑→I R↑
27在某差动放大器中，若|A ud|＝50，|A uc|＝0，u id＝5mV，u ic＝7.5mV，则|u o|＝______。[山东大学2019研]
A．0.25V
B．0.5V
C．1V
【答案】A查看答案
【解析】差动放大器的输出电压为|u o|＝|A ud|·u id＋|A uc|·u ic/2，所以可以计算得到输出电压信号的幅值。
一、半导体基础知识
半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。
表1-1-1 半导体基本名词术语
二、半导体二极管
1二极管的结构和分类（见表1-1-2）
表1-1-2 二极管的结构和分类
2二极管的伏安特性
与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。
表1-1-3 二极管的伏安特性
3二极管的主要参数
为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。
表1-1-4 二极管主要参数
4二极管的等效电路
二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。
表1-1-5 二极管等效电路
5稳压二极管
稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。
表1-1-6 稳压二极管
三、晶体三极管
1晶体管的结构
晶体管是由两个PN结组成的元器件，分为PNP和NPN两种类型，它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。
2晶体管的电流放大作用
使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
晶体管的电流分配关系：
发射区中多数载流子由于扩散运动而大量注入基区，其中仅有很少部分与基区的多数载流子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流i C，这里体现出i B对i C的控制作用。
3晶体管的共射特性曲线及其工作区（见表1-1-7）
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
模拟电子技术（第四版）童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 （1）A C （2）A （3）C （4）A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D ＝（V －U D ）/R ＝，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 （1）两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t
模拟电子技术实验第十一次实验 波形发生电路 实验报告 2016.12.22 . .
. . 一、 实验目的 1、 学习用集成运放构成正弦波、方波和三角波。 2、 学会波形发生电路的调整和主要性能指标的测试方法。 二、 实验原理 由集成运放构成的正弦波、方波和三角波发生电路有多种形式，本实验采用 最常用且比较简单的几种电路来做分析。 1、 RC 桥式正弦波振荡电路 下图所示为RC 桥式正弦波振荡电路。其中RC 串并联电路构成正反馈支路， 同时起到选频网络的作用。R1、R2、Rw 及二极管等元件构成负反馈和稳幅环节。调节电位器Rw ，可以改变负反馈深度，以满足振荡的振幅条件和改善波形。利用两个反向并联二极管D1、D2正向电阻的非线性特性来实现稳幅。D1、D2采用硅管（温度稳定性好），且要求特性匹配，才能保持输出波形正、负半周对称。R3的接入是为了削弱二极管非线性的影响，以改善波形失真。 电路的振荡频率：12o f RC π= 起振的幅值条件：12f R R ≥ （具体推导见书第406页） 其中23(//)f w D R R R R r =++，D r 是二极管正向导通电阻 调整反馈电阻Rf （调Rw ），使电路起振，且波形失真最小。如不能起振，则
. . 说明负反馈太强，应当适当加大Rw ；如波形失真严重，则应当适当减小Rw 。 改变选频网络的参数C 或R ，即可调节振荡频率。一般采用改变电容C 作频率量程切换，而调节R 作量程的频率细调。 2、 方波发生电路 由集成运放构成的方波发生电路和三角波发生电路，一般均包括比较电路和 RC 积分电路两大部分。下图所示为由迟滞比较器及简单RC 积分电路组成的方波-三角波发生电路。它的特点是线路简单，但三角波的线性度较差。主要用于产生方波，或对三角波要求不高的场合。 电路振荡频率：211 22ln(1)o f f f R R C R =+ 式中11''w R R R =+，22'''w R R R =+ 方波输出幅值：om Z V V =± 三角波输出幅值：212 CM Z R V V R R =+ 调节电位器Rw （即改变R2/R1,），可以改变振荡频率，但三角波的幅值也随之变化。如要互不影响，则可以通过改变Rf 或Cf 来实现振荡频率的调节。 3、 三角波和方波发生电路 如把迟滞比较电路和积分电路首尾相接形成正反馈闭环系统，如下图所示， 则比较电路A1输出的方波经积分电路A2积分可以得到三角波，三角波又触发比较器自动翻转形成方波，这样既可构成三角波、方波发生电路。
模拟电子技术基础第四 版童诗白课后答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( √ ) GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。 五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，?=100，U BE=0.7V。 试问： (1)R b=50k?时，U o=? (2)若T临界饱和，则R b=?
模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得：U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ，所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系，当 ..'t
1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时，若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时，由于上述同样的原因， U O = 5V 。 当 U I = 35V 时，U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).；R=29mA > I ZM = 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可
视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； V U I 35=时，11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+，∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
模拟电子技术实验指导书 周明编写 实验一实验台、万用表、示波器和信号发生器的使用 内容：略 实验二单级交流放大器（一） 一、实验目的 1、学习晶体管放大电路静态工作点的测试方法，进一步理解电路元件参数对静 态工作点的影响，以及调整静态工作点的方法。 2、进一步熟悉常用电子仪器的使用方法。 二、实验设备 1、实验台 2、示波器 3、计算机 4、数字万用表 三、预习要求 1、熟悉单管放大电路，掌握不失真放大的条件。 2、了解负载变化对放大倍数的影响。 四、实验内容及步骤 实验前校准示波器。 1、测量并计算静态工作点 ●按图2-1接线。 图2-1 ●将输入端对地短路，调节电位器R P2，使V C=Ec/2 （取6～7伏），测静态工作点 V C、V E、V B及V b1的数值，记入表2-1中。 ●按下式计算I B 、I C，并记入表2-1中。
表2-1 2、测量电压放大倍数及观察输入、输出电压相位关系。 在实验步骤1的基础上，把输入与地断开，接入f=1KHz 、V i =5mV 的正弦信号,负载电阻分别为R L =2K Ω和R L =∞，用毫伏表测量输出电压的值，用示波器观察输入电压和输出电压波形，并比较输入电压和输出电压的相位，画于表2-3中，在不失真的情况下计算电压放大倍数：Av=Vo/V 1，把数据填入表2-2 中： 表2-3 3、观察R C =3K ，R L =2K 时对放大倍数的影响。 在实验步骤2的基础上，把R C 换成3K ，重新测定放大倍数，将数据填入表2-4 中。 表2-4 4 、测量电压参数，计算输入电阻和输出电阻。按照图3-1接线 调整RP2，使V C =Ec/2（取6～7伏），测试V B 、V E 、V b1的值，填入表3-1中。 表3-1
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
第8章波形的发生和信号的转换 自测题 一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。 (a) (b) 图T8.1 解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。 (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。 二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。 图T8.2 解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。如解图T8.2所示。 解图T8.2
三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。 电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器， 电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。 (a) (b) 图T8.3 四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。 (a) (b) 图T8.4 解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z。两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4 五、电路如图T8.5所示。 图T8.5 (1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路； (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )； (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)； (4)定性画出u O1与u O 的波形； (5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？ 解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。 (2)根据12111112121 ()02 P O O O O N R R u u u u u u R R R R = ?+?=+==++ 可得：8T U V ±=± u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。 (3) u O 与u O1的运算关系式 1211121141 ()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C =- -+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。 (5)要提高振荡频率，可以减小R 4 、C 、R l 或增大R 2。 (a) (b) 解图T8.5
模电/数电实验室 1.模电/数电实验室简介 模电/数电实验室面积85.81平方米，800元以上的设备台数为95台，设备价值25万元，主要是利用模拟电路实验箱和数字电路实验箱两种，同时备有20MHz的示波器、万用表、以及一部分电子元件和集成电路，学生需要自主选择所需元件连接电路，来完成所要做的实验。有很大的灵活性，便于理解所学知识，并可以提高学生的综合能力和创新能力。 2.所开设的课程（2门） 模拟电子技术 数字电子技术 3．本实验室能完成的实验项目（35项） 一、模拟电路部分 （1）电子元件的识别与测试 （2）单管放大电路 （3）场效应管放大电路 （4）两级阻容耦合放大电路 （5）两级直接耦合放大电路 （6）反馈放大电路 （7）直流差动放大电路 （8）基本模拟运算电路 （9）微分积分放大器 （10）集成运放在波形发生方面的应用 （11）RC振荡电路 （12）施密特触发器 （13）整流电路 （14）RC有源滤波电路 （15）串联型稳压电路 （16）集成稳压电路研究 （18）光电耦合线性放大器 （19）单片函数信号发生器的应用 二、数字电路部分 （1）晶体管开关特性研究 （2）集成电路与非门电路的测试 （3）逻辑门电路的研究
（4）三态输出（TS）门和集电极开路（OC）门（5）组合逻辑电路分析 （6）组合逻辑电路设计 （7）触发器R-S、D、J-K的测试 （8）集成寄存器 （9）分频器 （10）集成计数器 （11）显示译码器 （12）集成脉冲电路 （13）555定时电路及其应用 （14）模--数转换电路 （15）数--模转换电路 （16）时序逻辑控制电路的设计 4．现开设的实验项目（16项） （1）电子元件的识别与测试 （2）基本单管放大电路 （3）射极跟随器 （4）模拟运算电路 （5）微分、积分电路 （6）集成稳压器 （7）OTL功率放大电路 （8）集成功率放大电路 （9）串联稳压电路 （10）门电路逻辑功能及其测试 （11）半加器、全加器及逻辑运算 （12）触发器R-S、D、J-K的测试 （13）集成计数器和寄存器 （14）译码器和数据选择器 （15）四人优先判决电路 （16）数字定时器
第9章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案填入括号内。 (1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大( A )。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 (2)功率放大电路的转换效率是指( B )。 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比； B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比； C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。 (3) 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( BDE )。 A．βB．I CM C．I CBO D．U CEO E．P CM F．f T (4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为 CES U，则最大输出功率 P OM=( C )。 A. 2 () 2 CC CES L V U R - B. 2 1 () 2CC CES L V U R - C. 2 1 () 2 2 CC CES L V U R - 图T9.1 图T9.2 二、电路如图T9.2所示，已知T l和T2的饱和管压降2 CES U V =，直流功耗可忽略不计。 回答下列问题： (1)R3、R4和T3的作用是什么？ (2)负载上可能获得的最大输出功率P om和电路的转换效率η各为多少？ (3)设最大输入电压的有效值为1V。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？ 解：(1)消除交越失真。 (2)最大输出功率和效率分别为：
2 ()162CC CES om L V U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=?≈ (3)由题意知，电压放大倍数为： 6max 116111.3221 o u i R U A R U =+≥==? ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω
模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院
目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路
信息工程学院 数字电子电路课程设计 报告书 学院：信息工程学院 专业：计算机（交通信息） 姓名：彭湃 学号：2402100307 指导教师：王尚斌 2012年6月12日
组合逻辑电路 一、设计任务 1、设计目的 掌握逻辑电路的基本概念，组成和特点及一般设计方法； 了解七段译码器，数据选择器，全加器的工作原理及数码管的使用方法。 2、设计原理 在数字系统中，经常需要使用进行算数计算，逻辑操作和数字大小比较等操作，实现这些运算功能的电路是加法器。加法器是一种逻辑组合电路，主要功能是实现二进制的算数加法运算。 3、实验内容及步骤 ⑴加法器功能测试 用一块74LS283实现四位二进制相加，C0是来自低位的进位C1是向高位进位，A4、A3、A2、A1和B4、B3、B2、B1分别是加数和被加数，其各位的和为S1、S2、S3、S4编码为8421的二进制编码。 ⑵A4、A3、A2、A1和B4、B3、B2、B1分别接至8个数据开关上，再将S1、S2、S3、S4分别接至4个发光二级管上作为输出，完成加法运算功能。 ⑶为了直观可对S1、S2、S3、S4用74LS48实现译码，分别将S1、S2、S3、S4接至译码器74LS48的DCBA端，再将74LS48中abcdefg端接至数码管对应的各端。 二、电路设计
功能一：实现加法功能 将八个数据开关分别接在A4、A3、A2、A1和B4、B3、B2、B1上，开关另一端接高电平，接地端接地，74LS283的S1、S2、S3、S4端接在数码管的四个接口上，输出结果。
功能二：实现译码功能 门电路功能测试 一、实验目的 1．熟悉电子实验箱的结构及使用方法：包括电源、逻辑电平开关、 电平指示灯、脉冲发生器等。
数电模电经典实验
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EWB仿真实验 实验要求： 1、本章报告要求把设计过程、调试过程详细写清除；对所测的实验数据、波形等内容进行分析。 2、对所仿真的实验应在EWB文本里简要写出测试结果。 3、每名学生把仿真的实验以自己名字命名，上传到指定地址或以班级形式交给教师。 一、负反馈放大电路测试 图1 负反馈放 1、电路图如图1所示。 2、要求：比较无负反馈与有负反馈两种情况下二级放大器的性能指标。加深理解负反馈对放大器性能的影响。 2、测试内容： （1）测试无负反馈与有负反馈两种情况下二级放大器的电压放大倍数、输入阻抗、输出阻抗。把测量的结果填入如下表格里。
实测值 计算值 Av(Avf) R i（R if） R o（R of）电压放大倍数的稳 定性 RL (KΩ) Ui (mv) Uo (mv) 开环 ∞ 1 90.7 1 90.71 ΔA u/A u=0.6675 1K5 1 30.1 6 30.16 闭环 ∞ 1 8.98 47 8.9847 Δ A uf/A uf=0.07941 1K5 1 8.27 12 8.2712 （2）用点频法测试无负反馈与有负反馈两种情况下二级放大电路的通频带。 f H(Hz) f L(Hz) 开环320 无穷 闭环160 无穷 （3）在通频带内选择一个频率的输入信号、无负反馈时加大输入信号使输出产生非线性失真，然后加负反馈观察非线性失真是否得到有效的改善，并记录波形。 二、串联型稳压电源 1、设计要求 设计一个串联型稳压电路，主要技术指标如下： 输出电压：U O =8-14V连续可调 输出电流≤300mA 输入电压： 220V，?=50Hz 输出电阻：R O <0.1Ω 稳压系数：S r ≤0.01 2、参考电路 电路如图2
模拟电子技术基础 第 1 章常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。 1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流 I D = (V ?U D ) / R = 2.6mA 其动态电阻: r D ≈U T / I D =10? 图 P1.4 故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA 1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图 Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压U Z = 6V ，最小稳定电流 I Z min = 5mA ，最大稳定电流 I Z max = 25mA 。 (1) 分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； (2)若U I = 35V 时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为 6V 。 ∴U I = 10V 时，U O = R L U R + R L = 3.3V ； U I = 15V 时，U O R L U R + R L = 5V ； U = 35V 时，U = R L U ≈ 11.7V >U ，∴U = U = 6V 。 R + R L (2) 当负载开路时， I Z = U I ?U Z R = 29mA > I Z max = 25mA ，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2) R 的取值范围是多少？ I = I I O I Z O Z
第4章 集成运算放大电路 自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K = 。( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ ) (5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。 解：分析估算如下： 21 100CC BE BE R V U U I A R μ--= = 00202211B B B B I I I I ββ ββ ++= =++； 020 2( )1R B B B I I I I β βββ+=+=++ 图T4.3 22021C B B I I I β ββ β +==?+。比较上两式，得 2(2) 1002(1) C R R I I I A ββμβββ+= ?≈=+++ 四、电路如图T4.4所示。
第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a ）电流串联负反馈。L 3 1321f 3213 1 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= （b ）电压并联负反馈。1 2f R R A u -≈ （c ）电压串联负反馈。1f ≈u A （d ）正反馈。 四、（1）应引入电压串联负反馈。 （2）。，故因 190k 201f 1 f Ω==+≈R R R A u 五、因为f ＝105Hz 时，；，?-==180dB 40lg 20'A ?A 为使此时0lg 20＜F A ，则需 2 10dB 40lg 20-＜，即＜－F F 习题 6.1 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B 6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 6.3 （1）× （2）× （3）√ （4）× 6.4 （a ）直流负反馈 （b ）交、直流正反馈 （c ）直流负反馈 （d ）、（e ）、（f ）、（g ）、（h ）均引入交、直流负反馈 6.5 （a ）交、直流负反馈 （b ）交、直流负反馈 （c ）R S 引入交、直流负反馈，C 2引入交流正反馈。 （d ）、（e ）、（f ）均引入交、直流负反馈。 （g ）R 3和R 7引入直流负反馈，R 4引入交、直流负反馈。 6.6 （d ）电流并联负反馈 1o f ==I I F （e ）电压串联负反馈 2 11 o f R R R U U F +== （f ）电压串联负反馈 1o f ==U U F
模拟电子技术基础第四版课后答案 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波， 有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
2010年全国硕士研究生入学统一考试 数学一试题 一、选择题(1~8小题,每小题4分,共32分.下列每题给出的四个选项中,只有一个选项符合题目要求的,请将所选项前的字母填在答题纸．．． 指定位置上.) (1) 极限2lim ()()x x x x a x b →∞??=??-+?? ( ) (A) 1. (B) e . (C) a b e -. (D) b a e -. (2) 设函数(,)z z x y =,由方程,0y z F x x ?? = ??? 确定,其中F 为可微函数,且20F '≠,则z z x y x y ??+=??( ) (A) x . (B) z . (C) x -. (D) z -. (3) 设,m n 是正整数,则反常积分 () 2ln 1m n x dx x -? 的收敛性 ( ) (A) 仅与m 的取值有关. (B)仅与n 的取值有关. (C) 与,m n 取值都有关. (D) 与,m n 取值都无关. (4) ()() 2211lim n n n i j n n i n j →∞===++∑∑ ( ) (A) ()() 120 1 11x dx dy x y ++?? . (B) ()()100111x dx dy x y ++??. (C) ()() 1 1 1 11dx dy x y ++? ? . (D) ()() 1 1 20 1 11dx dy x y ++?? . (5) 设A 为m n ?矩阵,B 为n m ?矩阵,E 为m 阶单位矩阵,若AB E =,则 ( ) (A) 秩()r A m =,秩()r B m =. (B) 秩()r A m =,秩()r B n =. (C) 秩()r A n =,秩()r B m =. (D) 秩()r A n =,秩()r B n =. (6) 设A 为4阶实对称矩阵,且2 A A O +=,若A 的秩为3,则A 相似于 ( ) (A) 111 0?? ? ? ? ? ?? . (B) 1110?? ? ? ?- ???.