用吉布斯函数算一下，你会发现高温时氧化亚铜的稳定性是高于氧化铜的！！因此与氧气的量根本无关。在任何条件下，只要温度够高就不会有氧化铜。
高温处理铜时，氧气不足而铜过量，导致生成氧化亚铜
氧化亚铜稳定！！
从结构看，铜原子价电子结构是3d104S1 当铜原子失去一个电子时，最外层变为全充满状态。说明一价铜稳定！
从实验看，在加强热时，黑色氧化铜可分解为红色氧化亚铜和氧气！也说明一价铜稳定！
常温条件,CuO比Cu2O稳定;而高温条件下,反之
对氧化铜加热能否得到氧化亚铜？
可以，但需要高温。因为高温下氧化亚铜比氧化铜稳定。
加热改待测物,质量有增加,表示有O2与Cu2O反应生成CuO
1 氧化铜加热到多少度的时候会变成氧化亚铜?
2 1800度的氧化亚铜是沸腾还是失1个氧原子？
1 200
2 失1个氧原子
氧化亚铜有什么性质?
不溶于水，溶液显蓝色
高温时氧化亚铜的稳定性是高于氧化铜
氧化亚铜只能与强氧化性酸反应,他能被进一步被氧化得到+2价的铜.
这两种物质都不溶于水，含有+2价铜离子的溶液显蓝色，+1价铜离子在酸性溶液中不稳定
氧化铜是不溶于强氧化性酸的,因为他不能再被氧化了(+2价已经是铜的最高价态了)
但氧化亚铜是可以和强氧化性酸反应的,他能被进一步被氧化得到+2价的铜.
氧化亚铜在热水中迅速水解为红色,生成氧化铜水合物,与强酸缓慢反应,能吸收CO而生成复合物。
氧化亚铜—红色不溶于水的碱性氧化物,在酸性溶液中,发生歧化反应.是" —CHO"和Cu(OH)2反应还原产物
最近想做个实验，把氧化铜加热，使他分解。但不知CuO的分解温度是多少，所以来问一下，以便知道究竟用不用酒精喷灯温度达到100-120℃
用什么办法区分微量的纯铜和氧化亚铜？
投入AgNO3溶液，氧化亚铜无变化，Cu表面有银白色物质生成。Cu+2AgNO3=Cu(NO3)2+2Ag
氧化亚铜可以和稀酸反应吗？
悬赏分：0 - 解决时间：2007-1-27 07:19
也就是说，在常温下，能不能用稀酸溶解或者分解氧化亚铜？
提问者：calvancouver - 同进士出身六级最佳答案
氧化亚铜z只能与强氧化性酸反应，而稀酸不具备强氧化性
氧化亚铜能够与稀硝酸反应吗？
悬赏分：10 - 解决时间：2007-7-4 12:10
反应生成什么？
提问者：月影至爱- 魔法学徒一级最佳答案
其实就是湿法冶金中Cu2O的浸出反应
今天我刚给人上课讲到这个反应
3Cu2O + 14HNO3 = 6Cu（NO3）2 + 2NO + 7H2O
这个反应是对的
但如果是硫酸，则：
Cu2O+H2SO4=Cu+CuSO4+H2O
只能生成部分的Cu2+离子，本质上是岐化反应
回答者：flowchen -助理二级6-21 10:58 提问者对于答案的评价：
谢谢啦！
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硝酸铜和水
回答者：爱影娴- 初入江湖二级6-21 10:49 能啊
硝酸铜水二氧化氮
回答者：qq3588577 - 秀才三级6-21 10:52 能，因为稀硝酸具有较强的氧化性，而氧化亚铜中亚铜离子因为不是最高价态而具有一定的还原性，所以它们之间可以发生氧化还原反应。
3Cu2O + 14HNO3 ==== 6Cu（NO3）2 + 2NO + 7H2O
回答者：紫涩星晴- 秀才二级6-21 10:54 能啊
生成硝酸铜、水、一氧化氮。
回答者：tlhkg - 举人四级6-21 10:57 应该可以，生成硝酸铜,水,NO
因为硝酸不管浓稀都是强氧化剂
可将还原剂氧化成最高价态
氧化铜怎么到氧化亚铜
悬赏分：5 - 解决时间：2007-7-28 04:36 对氧化铜加热能否得到氧化亚铜
提问者： II 堕落的天使II - 试用期 一级
最佳答案
可以，但需要高温。因为高温下氧化亚铜比氧化铜稳定。
回答者：liulinlaoxiu - 见习魔法师 二级 7-26 21:40
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谢谢了
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高温至1000摄氏度以上
回答者：↑boyle - 见习魔法师 三级 7-26 22:12
高温煅烧
封接合金 sealing alloys
平均热膨胀系数为(4～10)×10-6℃-1的膨胀合金，又称定膨胀合金；主要用作电真空器件中与玻璃或陶瓷封接的材料（图1）。19世纪初，已开始用铂作为封接材料与软玻璃封接。1879年，爱迪生(T.Edison)发明的白炽灯泡以及早期的电子管和X 射线管通过玻璃的引出线都用铂丝。在 1896年法国吉尧姆 (C.E.Guillaume)制成因瓦(Invar)合金(36Ni-Fe)以后,又派生出了代替铂的46Ni-Fe 封接合金，这是最早的封接合金。后来进一步改进这种合金,在表面覆一层薄铜,这种覆铜的42Ni-Fe 丝(俗称杜美丝，Dumet Wire)用作非匹配软玻璃封接引出线一直使用到70年代。随着电真空技术的发展，出现了熔点高、热稳定性好、热膨胀系数更低的硬玻璃。初期采用钼或钨与硬玻璃封接。20世纪30年代出现了与硬玻璃封接的称为可伐 (Kovar)的Fe-Ni-Co 合金;此外,还出现了与软玻璃封接的Fe-Ni-Cr 系、Fe-Cr 系、Fe-Ni-Cu 系等封接合金。
第二次世界大战后，随着超高频、大功率电真空器件的发展，出现了与氧化铝、氧化铍等陶瓷封接的合金。对膨胀合金提出兼具高导热、高导电、无磁性等物理性能的要求。为此采用了复合膨胀合金（如覆铜的可伐合金带材和丝材）、含难熔金属的封接合金 （如Ni-Mo 、Ni-Mo-W 系等），但用量都不大。 在一定的温度范围内，金属与玻璃的热膨胀系数相一致的封接称为匹配封接。两者的热膨胀系数相差较大的封接称为非匹配封接。一般采用匹配封接，以保证密封质量。附表列出了一些常用封接合金的牌号、成分、平均热膨胀系数和用途。图2和3分别示出合金、玻璃和陶瓷的膨胀曲线。
金属与玻璃封接是靠金属表面所形成的一层致密的氧化膜与加热后的玻璃通过扩散熔融而完成结合的。金属与陶瓷不能直接熔融粘合，而是在陶瓷封接面金属化后用焊料来连接。在封接和使用的整个过程中，封接合金不应发生能引起膨胀特性有明显变化的相变。
封接合金的熔点需高于玻璃熔封和陶瓷封焊的温度，应能与无氧铜等金属钎焊或熔焊，并具有良好的加工性，以便制成丝材、带材、管材和冲压成各种形状的复杂零件。
玻璃封接
2007-05-25 17:08
玻璃封接条件：
玻璃或微晶玻璃和金属是两种性质根本不同的材料，若要将它们紧密地结合在一起，有许多基本要求。因而对于一种选定的金属，不是任意一种玻璃都可以用的上，必须满足一定的条件。其中最基本的条件是：
1.1 膨胀系数要十份接近
确切地说，玻璃和金属应从室温到低于玻璃退火上限的温度范围内，它们的膨胀曲线尽可能一致，这样就容易制得无应力的封接体，如果两者的膨胀速率和收缩速率不一样，则在封接体中无论玻璃或金属都能产生应力，当应力超过玻璃极限时，封接处即行开裂，导致元件漏气和失效。即使在短时间内没有开裂，但时间一长，玻璃体受不了应力的作用，也会逐渐产生微裂纹，这就是人们常说的慢性漏气。尤其当电子器件受到震动和碰撞时，微裂纹会迅速蔓延和扩展，导致封接件损坏。
当然，要使两种材料的膨胀系数曲线完全一致是不可能的，因为金属的膨胀系数在没有物象变化的情况下几乎是个常数，而玻璃的膨胀系数在超过退火温度后会急剧上升，当温度超过软化点后，玻璃因处于粘滞状态，故应力会自动消失而使膨胀系数显得无关紧要，如果玻璃和金属的膨胀系数在整个温度范围内其差值不超过±10%，应力便可控制在安全范围内，玻璃就不会炸裂。
1.2 必须使玻璃能润湿金属表面（即玻璃在金属表面能充分展开）
润湿性反应了两种物质之间的结合能力，从热力学角度而论，液体在固体表面上的流度由固体和液体表面张力和固液间张力决定，达到平衡状态时：
由上式可以看出，润湿角越小，则润湿性能越好。
要使玻璃-金属封接前有很好润湿性能，金属的处理就显得尤为重要。而金属材料的处理包括两部分：清洁处理和热处理。
1.2.1 金属的清洁处理：金属材料在与玻璃封接前先要进行清洁处理，以除去金属表面的油脂、污物。一般清洁处理按下列步骤进行：机械净化—去油—化学清洗（电化学清洗）--烘干
1玻璃与金属的封接机理
从金属外壳的外形、几何尺寸、引线(脚)数以及引出形式，其中零件可谓五花八门、成千上万种，但按其封接应力(熔封型式)而言，主要是匹配封接和失配封接，究其封接机理将涉及到二个方面的问题：
1．1 玻璃与金属的润湿(浸润)问题
1．1．1润湿问题
这里所谓的润湿问题则是指玻璃与金属的结合力问题，要想达到玻璃与金属的良好密封，就必须使两者有良好的润湿性。
玻璃与金属的润湿同液体对固体表面润湿的道理-样，即如水滴与物体接触时常出现的两种状况一种是水滴在荷叶上呈圆球形，其润湿角θ接近180℃(见图1)这种润湿显然是不好的；另一种是水滴落在木板上呈扁平形，其θ角近似于0° (见图2)，这便是
很好的润湿。
1．1．2氧化物结合学说
这种学说认为：玻璃是由多种氧化物所组成，在封接过程中，金属表面的氧化物能熔人玻璃内，从而成为玻璃成分的一部分，由此获得良好地密封。但该学说未能对高价氧化物能存在于玻璃成分中，并不能与玻璃做到很好的封接作出解释，而电力结合学说则从金属氧化物属于离键晶体结构的观点出发对其作了相应的解释。
1．1．3电力结合学说
这种学说认为：金属表面形成低价氧化物时，金属内层价电子并不参加化合作用，而形成高价氧化物时，金属内层价电子将参加化合作用。因此，金属氧化物的离子半径大小是随金属化合价的高低而不同。在高价氧化物时，由于金属离子半径小，被氧离子紧密包围，使金属离子不能与玻璃中的正负离子很好地结合。当形成低价氧化物时，由于金属离子和周围的氧离子之间形成较大空隙，其电力线可以延伸出来，与玻璃中的正负离子获得最大的结合力和最小的排斥力，从而得到满意的封接(见图3)。
a．润湿角与金属化合价间关系曲线；
b.金属表面形成高价氧化物时与玻璃的电力线结合关系图；
c.金属表面形成低价氧化物时与玻璃的电力线结合关系图；
d．金属表面没有被氧化时与玻璃电力线结合关系曲线。
由以上的分析告诉我们，在金属表面形成低价氧化层才能获得玻璃与金属的良好润湿效果。
1．2膨胀系数问题
这里所谓的膨胀系数问题则是指在熔封过程中[主要是室温至应变点(Tg)温度范围内]玻璃与金属的膨胀系数应尽可能达到一致，原则上两者膨胀系数之差"Δα"应不大于10％，这时，便可获得最小的封接应力(既无害应力)，从而获得良好的密封效果。鉴于玻璃能承受较大的压应力，因此，在设计外壳和选择材料时，往往希望外层金属的膨胀系数略高于中间玻璃，中间玻璃的膨胀系数略高于中心金属(引出线、管)即遵循α外金≥α中玻≥α内金的原则。
在匹配封接中，常用的封接材料是4J29柯伐合金与钼组玻璃相封接GBn97中规定4J29合金的平均线膨胀(20℃~400℃) α:4.6~5．2×10-6℃／；SJ／T10587中规定DM-305的α：48~50× 10-7／℃；规定DM-308的α：47-49×10-7／℃；有资料
报导：当封接温度为970
℃时，DM-305的润湿角为150，DM-308的润湿角为300。(从玻璃强度耐热度及TK-100点来看，DM-308玻璃略优于DM-305
玻璃)。
由以上的介绍告诉我们，选择。系数的一般原则及匹配封接可获得无有害应力的高强度封接，有助于获取良好的气密封接。
在失配封接中，对于α系数的选择原则是α外金α中玻<α内金，应用的是压缩封接原理即保证外部金属对中间玻璃产生较大的径向压应力(足以抵消内金属对中间玻璃所产生的径向拉应力)，最终保证(极易产生漏气部位)内金属与中间玻璃的封接处达到玻璃受到三向压应力，从而提高气密性。笔者在《半导体技术》1990年1期发表了《压缩封接及其应
力计算公式简介》一文，故不对失配封接赘述。
2与气密性相关的因素及注意事项
封接机理必须指导工艺，因此优选工艺、严格控制工艺(包括原材料的控制)才能使封接件获得良好的润湿和最小的封接应力，从
而保证其良好的气密性。2．1原材料必须严格检查控制
2．1．1原材料必须符合标准规范的规定
①有资料表明，在某批玻璃中的某种氧化物含量超出1．4％，结果封接温度提高了100℃，封接质量依旧不好，因此严格材料
的检查及批使用前的小样工艺试验是必要的；
②原材料的杂质含量必须严格控制，有资料表明，4J29柯伐合金中钛含量达到0．1％时，既使合金中碳量在0．01％，封接时
亦会产生有害的封接(密集串状)气泡。
2．1．2金属的表面状态应加以控制
用于电子封接的金属材料其表面质量必须控制。
①表面状态必须良好，不应有划痕、拉伤等缺陷；
②表面粗糙度应有相应规定。
表面状态不好将影响玻璃与金属的润湿效果，并会导致产品气密性下降。
2．2 优化工艺、严格工艺
2．2．1金属的烧氧退火
①为了消除封接时在柯伐与玻璃界面处产生有害(密集串状)气泡，应在高温、湿氢中对金属零件进行去气、脱碳；
②有资料介绍，经1100℃×15~30min的处理后，金属中含碳量可降至0．01％，封接时极少出现气泡；
③为了达到良好的脱碳、去气作用，烧氢退火温度必须高于封接温度30℃~50℃；
④柯伐合金在1050℃时，晶粒度会发生急骤长大，在以后的钎焊、电镀过程中不仅会降低引线强度，亦会导致慢性漏气(晶粒度
不宜低于5级)；
⑤推荐烧氢退火规范1000℃~1050℃×20min(可根据金属件的几何尺寸、形状及模具结构对温度作适当调整)。
注：a．热处理后的金属件应妥善保存，且不应久放。
b．新的石墨模具亦可采用退火规范上限温度在N2或H2中进行。
2．2．2金属的预氧化
封接时往往采用中性气氛N2或微还原气氛N2+H2(微量)，为了达到玻璃与金属的良好润湿，对金属必须进行预氧化处理。
①金属氧化物必须均匀致密；
②氧化层必须与金属紧密粘附；
③氧化层厚度应加以控制；
氧化层不宜过厚，亦不能过薄，否则均可能导致漏气。
a．当氧化层太厚时，封接时氧化层不能完全渗入玻璃中，由此氧化层会形成多孔路径(漏气源)，同样，过厚的氧化层易从柯伐基体上剥落，致使氧化层与底金属分离，因此达不到润湿密封作用。
b．当氧化层过薄时，玻璃与柯伐封接时不可能有良好的润湿，不仅封接强度差，亦将会在外力作用下，产生引线与玻璃封接处
漏气。
c．有资料介绍，柯伐合金最适当的氧化层厚度是200~800nm(测厚法)或0．03mg~0．07mg／cm2(称重法)。生产中多以氧化层的颜色判断，如规定为兰色斗兰黑色(微还原或中性气氛是前提条件)。
④推荐预氧化规范：800℃× 10min(空气或湿N2中)。
2．2．3 封接温度
封接温度、时间、气氛俗称封接中的三要素，三者相辅相成，绝不可孤立对待。一般对封接气氛采用中性氮气，亦有采用N2+H2(微量)的微还原气氛(笔者认为，若有4个9干燥N：气氛为宜)。在固定气氛前提下，温度与时间对封接而言，温度又是主导方面。温度高点，时间可短点；温度低点，时间则可长点；可根据产品结构，装配方式、几何尺寸而定，总之，要保证获得符合要求的良好封接外观。但温度的高低亦是有限度的，一般以无封接外观废品为准，例如：
①温度过低，玻璃的粘度大，则流动性差，往往会产生漏洞、鼓坯、不平、不光滑的外观(当封接外形达到要求时则就不属温度
偏低了)，同时亦会因温度低、润湿性差而产生封接强度低，可能导致产品漏气；
②温度过高，玻璃的流动性好，易产生流玻(扑玻)、玻点(珠)同时亦会因温度过高使玻璃、金属中释放出气体，而产生封接(串
状)气泡，导致封接强度差，封接件漏气；
③推荐封接温度范围：970℃~1020℃，对于掺Cr203或进行某种改性的钼组玻璃，亦可对温度作以适当调整；
④封接后封接界面亦应有颜色控制，有报导要求呈灰色，如若呈银白色则为氧化不足，如呈黑色则为氧化过重(多为封接时间过
长或返烧产品L可采取解剖法观察玻璃与金属的粘附情况。
2．2．4电镀
①功率型、大腔体外壳仅适于挂镀；
②底板镀层硬度、厚度不宜过大，否则会影响封盖质量；
③底板镀层金属尽可能熔点低一些，过高会影响封盖质量，对底座的引线局部镀金应加以研究。
3对分析漏气的几点思路
应针对外壳漏气的失效模式、不同情况作不同的分析，粗略提出几点分析：
3．1．1 多品种普遍产生漏气
①应检查原材料的使用及原材料的质量；
②查工艺规范，重点工序(熔封)是否发生了变化。
3．1．2单一品种较大比例漏气
①若未经鉴定的新产品则应查结构设计及工艺的合理性；
②加工零件的一致性如何。
(预氧化、玻坯、金属件尺寸及装配效果、零件外观质量)。
3．1．3环境试验后漏气
①工艺不合理，内应力大；
②玻璃强度不好；
③玻璃热稳定性差。
3．1．4封盖后漏气
①底座封接质量不好；
②座、盖配合尺寸不好；
③座、盖硬度大；
④座镀层过厚、熔点偏高；
⑤封盖模具问题(结构尺寸及粗糙度)；
⑥封盖规范控制不合理。
对于严重漏气问题，一则应根据不同失效模式，有针对性地查找原因，做相应工艺试验，同时亦应借助科学的手段对失效样品进行解剖分析：如金相法检查金属晶粒度、氧化层的厚度；用电子衍射测定氧化层的组织成分；用探针记录玻璃与金属的熔封
界面状况等，将有助于原因的分析。
4结束语
气密性技术的研究需要不断积累实践经验的同时亦应注重提高理论分析能力，达到二者的结合(除技术问题之外、加强生产管理
及质量监督控制亦是非常重要的一个方面)。
随着器件发展的需要，对外壳气密性要求亦在提高，对于空间工程要?quot;漏率"在10-3Pa*cm2／s，而在海缆工程中则提出10-5Pa·cm3／s的要求，尤其是功率器件的发展，提出长寿命、高可靠、高精度的要求。显然，传统封接存在有如下的不足：
①玻璃的机械强度较差，易产生漏气或慢漏气；
②常用金属材料电阻系数偏大，因而导致引线压降偏大，影响输出功率；
③常用金属材料热传导系数偏小，导热性差，将会降低功耗；
④常用的金属居里点温度偏低，钼组玻璃的应变点温度偏低，将会使后封装工序中的加工温度受到限制。
本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。 一．测试目的 Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。 测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。 另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。 二．测试方法 Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。 基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT 管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。 既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。 串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。 当然，Open-Short也可以使用功能测试（Functional Test）来进行，我会在后面相应的章节提及。
高考化学常识题常考点 现行高考说明中要求学生了解生活中的一些化学现象，并且对有些现象能加以解释。下面根据教学大纲和教材，搜集体现渗透于生活中、生产的化学50例，以期对学生复习备考有实实在在的帮助。 1.在山区常见粗脖子病（甲状腺肿大），呆小病（克汀病），医生建议多吃海带，进行食物疗法。上述病患者的病因是人体缺一种元素：碘。 2.用来制取包装香烟、糖果的金属箔（金属纸）的金属是：铝。 3.黄金的熔点是106 4.4℃，比它熔点高的金属很多。其中比黄金熔点高约3倍，通常用来制白炽灯泡灯丝的金属是：钨。 4.有位妇女将6.10克的一个旧金戒指给金银匠加工成一对耳环。她怕工匠偷金或掺假，一直守在旁边不离开。她见工匠将戒指加热、捶打，并放人一种液体中，这样多次加工，一对漂亮的耳环加工完毕了。事隔数日，将这对耳环用天平称量，只有 5.20克。那么工匠偷金时所用的液体是：王水。 5.黑白相片上的黑色物质是：银。 6.很多化学元素在人们生命活动中起着重要作用，缺少它们，人将会生病。例如儿童常患的软骨病是由于缺少：钙元素。 7.在石英管中充入某种气体制成的灯，通电时能发出比萤光灯强亿万倍的强光，因此有“人造小太阳”之称。这种灯中充入的气体是：氙气。 8.在紧闭门窗的房间里生火取暖或使用热水器洗澡，常产生一种无色、无味并易与人体血红蛋白（Hb）结合而引起中毒的气体是：CO。 9.地球大气圈的被破坏，则形成臭氧层空洞，致使作为人们抵御太阳紫外线伤害的臭氧层受到损坏，引起皮肤癌等疾病的发生，并破坏了自然界的生态平衡。造成臭氧层空洞的主要原因是：冷冻机里氟里昂泄漏。 10.医用消毒酒精的浓度是：75%。 11.医院输液常用的生理盐水，所含氯化钠与血液中含氯化钠的浓度大体上相等。生理盐水中NaCl的质量分数是：0.9%。 12.发令枪中的“火药纸”（火子）打响后，产生的白烟是：五氧化二磷。 13.萘卫生球放在衣柜里变小，这是因为：萘在室温下缓缓升华。 14.人被蚊子叮咬后皮肤发痒或红肿，简单的处理方法是：擦稀氨水或碳酸氢钠溶液。 15.因为某气体A在大气层中过量累积，使地球红外辐射不能透过大气，从而造成大气温度升高，产生了“温室效应”。气体A为：二氧化碳。 16.酸雨是指pH值小于5.6的雨、雪或者其他形式的大气降水。酸雨是大气污染的一种表现。造成酸雨的主要原因是：燃烧燃料放出的二氧化硫、二氧化氮等造成的。 17.在五金商店买到的铁丝，上面镀了一种“防腐”的金属，它是：锌。 18.全钢手表是指它的表壳与表后盖全部是不锈钢制的。不锈钢锃亮发光，不会生锈，原因是在炼钢过程中加入了：铬、镍。 19.根据普通光照射一种金属放出电子的性质所制得的光电管，广泛用于电影机、录相机中。用来制光电管的金属是：铯。 20.医院放射科检查食道、胃等部位疾病时，常用“钡餐”造影法。用作“钡餐”的物质是：硫酸钡。 21.我国世界闻名的制碱专家侯德榜先生，在1942年发明了侯氏制碱法。所制得的碱除用在工业上之外，日常生活中油条、馒头里也加入一定量这种碱。这种碱的化学名称是：碳酸钠。 22.现代建筑的门窗框架，有些是用电镀加工成古铜色的硬铝制成，该硬铝的成分是：Al 一Cu一Mg-Mn-Si合金。 23.氯化钡有剧毒，致死量为0.8克。不慎误服时，除大量吞服鸡蛋清解毒外，并应加服一
1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构：最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。 绝缘体导电性：极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点： ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。 自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。 空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 载流子：运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，
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模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。 当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。
一、常见分类： 黄铜是由铜和锌所组成的合金 白铜是铜和镍的合金 青铜是铜和除了锌和镍以外的元素形成的合金，主要有锡青铜，铝青铜等 紫铜是铜含量很高的铜，其它杂质总含量在1％以下。 1、紫铜： 红铜即纯铜，又名紫铜，纯铜密度为8.96，熔点为1083℃。具有很好的导电性和导热性，塑性极好，易于热压和冷压力加工，大量用于制造电线、电缆、电刷、电火花专用电蚀铜等要求导电性良好的产品。 因呈紫红色而得名。它不一定是纯铜，有时还加入少量脱氧元素或其他元素,以改善材质和性能,因此也归入铜合金。中国紫铜加工材按成分可分为：普通紫铜(T1、T2、T3、T4)、无氧铜（TU1、TU2和高纯、真空无氧铜）、脱氧铜（TUP、TUMn）、添加少量合金元素的特种铜（砷铜、碲铜、银铜）四类。 紫铜的电导率和热导率仅次于银，广泛用于制作导电、导热器材。紫铜在大气、海水和某些非氧化性酸（盐酸、稀硫酸）、碱、盐溶液及多种有机酸（醋酸、柠檬酸）中，有良好的耐蚀性，用于化学工业。另外，紫铜有良好的焊接性，可经冷、热塑性加工制成各种半成品和成品。20世纪70年代，紫铜的产量超过了其他各类铜合金的总产量。 紫铜中的微量杂质对铜的导电、导热性能有严重影响。其中钛、磷、铁、硅等显着降低电导率,而镉、锌等则影响很小。氧、硫、硒、碲等在铜中的固溶度很小,可与铜生成脆性化合物,对导电性影响不大，但能降低加工塑性。普通紫铜在含氢或一氧化碳的还原性气氛中加热时，氢或一氧化碳易与晶界的氧化亚铜(Cu2O)作用，产生高压水蒸气或二氧化碳气体，可使铜破裂。这种现象常称为铜的"氢病"。氧对铜的焊接性有害。铋或铅与铜生成低熔点共晶，使铜产生热脆；而脆性的铋呈薄膜状分布在晶界时，又使铜产生冷脆。磷能显着降低铜的导电性,但可提高铜液的流动性,改善焊接性。适量的铅、碲、硫等能改善可切削性。 2、黄铜 以锌作主要添加元素的铜合金，具有美观的黄色，统称黄铜。铜锌二元合金称普通黄铜或称简单黄铜。三元以上的黄铜称特殊黄铜或称复杂黄铜。含锌低於36％的黄铜合金由固溶体组成，具有良好的冷加工性能，如含锌30％的黄铜常用来制作弹壳，俗称弹壳黄铜或七三黄铜。含锌在36～42％之间的黄铜合金由和固溶体组成，其中最常用的是含锌40％的六四黄铜。为了改善普通黄铜的性能，常添加其他元素，如铝、镍、锰、锡、硅、铅等。铝能提高黄铜的强度、硬度和耐蚀性，但使塑性降低，适合作海轮冷凝管及其他耐蚀零件。锡能提高黄铜
半导体C-V测量基础 作者：Lee Stauffer 时间：2009-07-29 来源:吉时利仪器公司 C-V测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息 通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。 这类测量的基本特征非常适用于各种应用和培训。大学的研究实验室和半导体厂商利用这类测量评测新材料、新工艺、新器件和新电路。C-V测量对于产品和良率增强工程师也是极其重要的，他们负责提高工艺和器件的性能。可靠性工程师利用这类测量评估材料供货，监测工艺参数，分析失效机制。 采用一定的方法、仪器和软件，可以得到多种半导体器件和材料的参数。从评测外延生长的多晶开始，这些信息在整个生产链中都会用到，包括诸如平均掺杂浓度、掺杂分布和载流子寿命等参数。在圆片工艺中，C-V测量可用于分析栅氧厚度、栅氧电荷、游离子（杂质）和界面阱密度。在后续的工艺步骤中也会用到这类测量，例如光刻、刻蚀、清洗、电介质和多晶硅沉积、金属化等。当在圆片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件测试过程中可以利用C-V测量对阈值电压和其他一些参数进行特征分析，对器件性能进行建模。 半导体电容的物理特性 MOSCAP结构是在半导体制造过程中形成的一种基本器件结构（如图1所示）。尽管这类器件可以用于真实电路中，但是人们通常将其作为一种测试结构集成在制造工艺中。由于这种结构比较简单而且制造过程容易控制，因此它们是评测底层工艺的一种方便的方法。
氧化亚铜的制备 氧化亚铜是一种黄色或红色的粉末，其颜色与晶粒大小有关，依制备方法不同而不同。红色氧化铜颗粒较大，性质相对更稳定。本法制备出的氧化亚铜为红色。氧化亚铜有毒，尤其是对于水生生物，故不能随意倾倒进下水道。氧化亚铜可用于船舶外壳上防止水生生物粘附的涂料、催化剂、颜料等等。 本次实验利用葡萄糖的弱还原性还原碱性条件下的铜离子来制备氧化亚铜。实验时长2小时。 实验试剂：CuCl2?2H2O(AR) 饱和NaOH溶液 C6H12O6?H2O(AR) 工业乙醇（95%） 实验仪器：Array 实验步骤： 取4.00g CuCl2?2H2O（已事先称好），在烧杯中用约50mL水溶解，再加入约3g一水合葡萄糖（C6H12O6?H2O），搅拌，必要时可微热促进溶解。在搅拌下滴加配置好的饱和NaOH溶液4~5mL（注意防止皮肤接触！），加完后继续搅拌1分钟。 加热至微沸，或溶液中蓝绿色完全消失，停止加热，静置，用倾析法倾去上层溶液，每次用30mL水洗涤并倾析去洗涤液，洗涤2~3次。过滤（或抽滤），每次用10mL工业乙醇（95%）洗涤所得固体，洗涤2~3次。固体转移至表面皿上，蒸汽浴至干燥，得到产品。称重，计算产率，产品装到自封袋中，写上名字，供下次滴定分析用。 思考题： 1.写出制备氧化亚铜的反应式。 2.倾析时溶液是什么颜色的？提出你认为合理的解释。 3.怎样控制条件有利于制备出颗粒较大的氧化亚铜？
氧化亚铜含量的测定 本次实验利用络合滴定法对上一次制备的氧化亚铜样品含量进行滴定分析。实验时长2.5小时。 实验试剂： Cu2O样品约0.02mol/L EDTA标准溶液（已标定，准确值实验时公布）0.5%铬黑T指示剂 6mol/L硫酸蒸馏水 NH3-NH4Cl缓冲溶液（pH=10） 实验仪器： 实验步骤： 准确称取0.25~0.30g Cu2O样品于50mL烧杯中，加入1mL 6mol/L硫酸,轻轻搅拌，加10mL蒸馏水稀释后再搅拌一段时间，待反应充分，过滤。每次用10mL蒸馏水充分洗涤滤纸，洗涤三次，洗涤液并入滤液中。将滤液转移至100mL容量瓶中，定容。 用25mL移液管移取待测液至250mL锥形瓶中，加入5mL NH3-NH4Cl缓冲溶液（pH=10）和3滴0.5%铬黑T指示剂。用 EDTA标准溶液滴定至蓝紫色变成纯蓝色即为终点。记录读数，平行测定2份。根据结果计算Cu2O样品中Cu2O的含量。 思考题： 1.写出 Cu2O溶解反应的方程式。 2.试说明滴定终点颜色变化的原理和加入NH3-NH4Cl缓冲溶液（pH=10）的原因。 3.写出根据结果计算Cu2O含量的计算过程。 （数据记录表见背面。）
氧化亚铜对船底防污漆的用途 传统型防污漆 此类防污漆是建立在松香粘合剂的基础上的，主要用氧化亚铜作为颜料。松香粘合剂遇水会溶解并释放出有毒颜料。此类防污漆的问题在于松香粘合剂的分解是难以控制而且较为严重的。它对海洋污物的防护作用只能维持12-18个月。基于松香的防污漆会与氧气发生反应，因此油漆干后就必须下水——一般于6-8小时内，但不得超过24小时。此类防污漆也被称为可溶矩阵防污漆。 释放型防污漆 这类漆是以氯化橡胶或者乙烯作为粘合剂的，用大量的氧化亚铜作为颜料。遇水时，释放有毒颜料，只留下粘合剂的空壳。在经过足够长的时间后，空壳的厚度会变得很厚，以至于释放进入微薄水层的毒素的毒性不足，低于避免生长污物所必需的临界值。大量的有毒颜料会留在粘合剂空壳下的防污漆体系内部，人们对采用水下刷抹来去除粘合剂空壳的方式进行测试。由于人力和管理设备及检验等问题，这种方法并不见效。在重新施工防污漆之前，进干船坞的船上的粘合剂空壳必须进行密封处理，而在进干船坞的次数达到足够数量时，船体上就会形成一个厚厚的由防污漆和密封涂层交替组成的“三明治”体系。在干膜总厚度为1000-1200μm的情况下，此类三明治体系中将产生很大的内部应力，并发生剥落，从而导致水下壳体非常粗糙。释放型防污漆针对海洋污物的防护能力可以长达18-24个月。此类防污漆也被称为不可溶矩阵防污漆。
烧蚀型防污漆 此类防污漆是基于由松香和调和粘合剂（如，乙烯）混合而成的粘合剂的。使用的颜料同样是氧化亚铜，再加上其他少量的生物杀虫剂。从本质上来说，烧蚀型防污漆的机理类似于基于松香的纯传统型防污漆，但调和（或湿化）粘合剂的加入延长了其分解过程。粘合剂的溶解在一定程度上避免了三明治体系的堆积，但烧蚀型防污漆表面的确有一层很薄的皂化层，其表面的粘合剂空壳结构组成和释放型防污漆的情况是类似的。烧蚀型防污漆抵御海洋污物的时间可以长达26-30个月。 自抛光防污漆 市场上的自抛光防污漆有两类：含锡型和无锡型（不含锡）。含锡型是以甲基丙烯酸三丁锡作为粘合剂的。除锡外，有毒氧化亚铜也是油漆的主要颜料，往往还使用其他生物杀虫剂来增强效果。人们对其粘合剂的水解早有描述，但必须指出的是自抛光防污漆并不会堆积形成三明治体系。自抛光含锡防污漆在航行期间能够抵御海洋污物长达5年以上的时间。无锡型自抛光防污漆采用的是设计用来模拟异丁烯酸锡粘合剂作用机理的粘合剂。目前市场上所出现的无锡自抛光防污漆包括下列类型：·丙烯酸锌粘合剂 ·羧酸锌粘合剂 ·丙烯酸铜粘合剂 ·硅烷化丙烯酸粘合剂 所有上述技术的主要机理都是水解和离子交换。聚合物本身是疏水性的，因为聚合物本身是通过一个酯键而被束缚在功能基团上的。这意味着当聚合物浸入海水中时，酯键将会断裂，留下羧酸盐从而提高聚合物的亲水性。有人指出新一代的无锡防污漆抵御海洋污物的防护时间可以和含锡型防污漆一样长。但这一点还有待观察。
我们知道，电子电路是由晶体管组成，而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前， 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识，它是本课程的基础，我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节，它们分别是： 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有：本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下；如图（1）所示：图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流； 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。二：杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5各价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 1、2 P—N结
认识半导体和测试设备 本章节包括以下内容， ●晶圆（Wafers）、晶片（Dice）和封装（Packages） ●自动测试设备（ATE）的总体认识 ●模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 ●负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温 度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die 都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。
当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die 都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。 注：本标题系列连载内容及图片均出自《The Fundamentals Of Digital Semiconductor Testing》 第一章.认识半导体和测试设备(2)
硅微粉基本知识张存君手机: P1/3 -------------------------------------------------------------------------------- 硅微粉基本知识 （张存君手机: ） 一、什么是硅微粉 硅微粉是用纯石英（天然石英或熔融石英）经破碎、拣选、清洗、酸处理、高温熔化、中碎、细磨、分级、除铁等多道工序加工而成的符合使用要求的粉体。 二、硅微粉种类 1.按晶体结构不同，可分为： （1）结晶型硅微粉 结晶型硅微粉是用天然石英（硅石）为原料，经破碎、拣选、酸处理、清洗、干燥、研磨、筛分或分级等多道工序加工而成的粉体。其晶体结构为柱状六方体，分子结构为有序排列,受热后有一定量体积膨胀。按生产工艺不同，有湿法生产和干法生产两种。 （2）熔融型硅微粉 熔融型硅微粉是采用精选天然石英砂在不加任何助熔剂的情况下经2000度左右高温熔化、再粗碎、人工拣选、分级、中碎、除铁、细碎、分级多道工序加工而成的符合使用要求的粉体。其晶体结构为无定型型，分子结构为无序排列,受热后体积膨胀较小。 其生产方法多采用干法生产。 （3）方石英硅微粉 方石英硅微粉是用天然石英（硅石）为原料，经破碎、拣选、1200度左右煅烧或直接使用生产熔融石英未熔化料，研磨、筛分或分级等工序加工而成。其晶体结构为立方体，受热后体积膨胀较小，白度较高。一般采用干法生产。 2.按粉体颗粒外观形状不同，可分为： （1）角型硅微粉 目前常规生产的结晶型硅微粉、熔融型硅微粉其粉体颗粒外观均为角状，因此称为角型硅微粉。 （2）球型硅微粉 它是将角型硅微粉高温熔化造粒或采取化学的方法将其外观形状改变成球状而成的硅微粉。 它具有极低的吸油率、混合粘度和摩擦系数。其独特的球粒结构，与角形硅微粉相比，粉体流动性好，粉体堆积形成的休止角小，因而在与有机高分子材料混合堆积密度大，有效地增强了机体的强度，易分散、混料均匀、可明显增加材料的流动性。 3.按其用途不同，可分为 （1）电子级硅微粉 电子级硅微粉主要用于集成电路、电子元件的塑封料和包装料中，它对硅微粉的要求特别苛刻，不但对其内在质量（如纯度、Fe、Cl_、Na+、U 、EC、PH等）要求较严，而且对其粒度分布也有严格的要求，因此生产该产品必须具备生产条件外还要具备很好的分析化验等检测手段，目前该行业结晶型、熔融型、球型硅微粉均有使用。 （2）电工级硅微粉 电工级硅微粉主要用于普通电器件的绝缘浇注，高压电器的绝缘浇注，APG工艺注射料，环氧灌封料、电焊条保护层等。它对硅微粉的粒度、流动性、粘度要求较严。主要使用结晶型、熔融型硅微粉.
本文摘自再生资源回收-变宝网（https://www.doczj.com/doc/b511282689.html,）氧化亚铜的性质及用途 变宝网11月04日讯 氧化亚铜是一种表现为鲜红色粉末状的氧化物，也称为一氧化二铜、红色氧化铜、赤色氧化铜，它在湿空气下会逐渐变黑，主要用于制船底防污漆、杀菌剂、着色剂、铜盐等。下面就简单介绍一下氧化亚铜。 一、氧化亚铜的性质 1.如果遵照规格使用和储存则不会分解，未有已知危险反应，避免氧化物、水分/潮湿、空气。 2.不遇稀硫酸和稀硝酸生成铜盐。在空气中会迅速变蓝。能溶于浓碱、三氯化铁等溶液中。剧毒！ 3.氧化亚铜在干燥的空气中虽然稳定，但在湿空气中会慢慢氧化，生成氧化铜，故可作为除氧剂使用；另外，用还原剂容易使其还原为金属铜。氧化亚铜不溶于水，与氨水溶液、浓氢卤酸形成络合物而溶解，极易溶解于碱性水溶液。
二、氧化亚铜的储存 用内衬聚乙烯塑料袋的铁桶包装，每桶净重25kg或50kg。应有“剧毒”标志。本品为剧毒物。贮存于干燥、通风良好的库房内，不得与氧化剂混放。容器必须密封，防止与空气接触变成氧化铜而降低使用价值。不可与强酸、强碱及食用物品共贮混运。装卸时要轻拿轻放，防止包装破损。失火时可用水、砂土、各种灭火器扑救。 三、氧化亚铜的用途 氧化亚铜用于制船底防污漆（杀死低级海生动物）。用作杀菌剂、陶瓷和搪瓷的着色剂、红色玻璃染色剂，还用于制造各种铜盐、分析试剂及用于电器工业中的整流电镀、农作物的杀菌剂和整流器的的材料等。氧化亚铜也常用于催化剂作用于有机物合成。 更多氧化亚铜相关资讯关注变宝网查阅。 本文摘自变宝网-废金属_废塑料_废纸_废品回收_再生资源B2B交易平台网站； 变宝网官网网址：https://www.doczj.com/doc/b511282689.html,/newsDetail352758.html 网上找客户，就上变宝网！免费会员注册，免费发布需求，让属于你的客户主动找你！
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
? 第一章.认识半导体和测试设备(1) 本章节包括以下内容， ●晶圆（Wafers）、晶片（Dice）和封装（Packages） ●自动测试设备（ATE）的总体认识
●模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 ●负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温 度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。 当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。
硅微粉的行业前景 硅微粉分为普通硅微粉、超细硅微粉、高纯硅微粉、结晶硅微粉、熔融硅微粉等。她们主要用于硅橡胶、特种功能橡胶、电工、电子行业的塑封料和硅基基板材料、功能化纤材料、高级陶瓷和特种耐火材料、航空、舰船防腐高级涂料、树脂基复合材料及医药、精细化工等领域。硅微粉用途之所以较为广泛,是因为它不仅具有普通硅石(脉石英,石英岩,石英砂岩等)矿物的物化性能和用途,而且还由于硅微粉的结构特征和良好的工艺性能,如近等轴颗粒,球度高,手感细腻,分散流平性好,吸油率低等,使得其具有更加优异的功能特性及更广泛的用途。那它以后的前景如何呢？要我们从以下几个方面展望一下：市场空间国际方面，目前全世界年需求硅微粉10万吨左右。日本是当今世界生产环氧塑封料产量最大的国家，年需求硅微粉3万吨，全部依靠进口；美国年需求硅微粉2万吨；韩国年需求硅微粉1万吨以上。国内方面，据有关部门统计，高纯300目—1000目普通硅微粉和超细结晶硅微粉每年国内外用量保持在20%—35%的增长幅度，随着应用范围的扩大需求量增长将会不断加大。2001年我国熔融类总用量1.8万吨，其中1.2万吨进口，2004年总用量7.8万吨，其中进口4.8万吨，预计今年总用量将突破10万吨，上半年已进口达2.5万吨。高科技领域硅微粉的年需求量为2万吨以上。据推测，国内对熔融型硅微粉的需求量，2010年可达到15-30万吨；在电子产品方面，对结晶型硅微粉的需求，预计年需求量将超过70万吨；在熔融石英陶瓷方面，国内对硅微粉的年需求量将达3万吨，市场前景广阔。据了解，我国硅微粉高档产品主要依靠进口。随着中国加入了WTO市场，以及中国IT产业的迅猛发展，电子封装这一产业将逐渐移向中国。专家预言：新的世纪中国将成为世界的封装大国，高纯超细硅微粉等下游产品
高中化学复习知识点：氧化亚铜 一、单选题 1．向27.2gCu和Cu2O的混合物中加入某浓度的稀硝酸0.5L，固体物质完全反应，生成NO和Cu(NO3)2，在所得溶液中加入1.0mol/L的NaOH溶液1.0L，此时溶液呈中性。金属离子已完全沉淀，沉淀质量为39.2g。下列有关说法不正确的是 A．Cu与Cu2O的物质的量之比为2∶1 B．硝酸的物质的量浓度为2.6mol/L C．产生的NO在标准状况下的体积为4.48L D．Cu、Cu2O与硝酸反应后剩余HNO3为0.2mol 2．下列实验操作、现象、结论均正确的是（） A．A B．B C．C D．D 3．已知酸性条件下有如下反应：2Cu＋=Cu2＋＋Cu。由于反应温度不同，用氢气还原氧化铜时，可能产生Cu或Cu2O，两者都是红色固体。某同学对氢气还原氧化铜实验所得的红色固体产物进行验证，每一次实验操作和实验现象记录如下，由此推出氢气还原氧化铜实验的产物是（）.
A．只有Cu B．只有Cu2O C．一定有Cu，可能有Cu2O D．一定有Cu2O，可能有Cu 4．由氧化铜和氧化铁的混合物a g，加入2 mol·L－1的硫酸溶液50 mL，恰好完全溶解，若将a g的该混合物在过量的CO气流中加热充分反应，冷却后剩余固体的质量为（）A．1.6a g B．（a-1.6）g C．（a-3.2）g D．无法计算5．为探究某铜的硫化物组成，取一定量硫化物在氧气中充分灼烧，将生成的气体全部通入盛有足量的H2O2和BaCl2的混合液中，得到白色沉淀4.66 g；将灼烧后的固体(仅含铜与氧2种元素)完全溶于100 mL 1 mol/LH2SO4中，过滤，得到0.64 g 红色固体，将滤液稀释至200 mL，测得c(Cu2+)=0.1 mol/L。已知：Cu2O+ H2SO4 =CuSO4+Cu+H2O。下列说法正确的是 A．得到白色沉淀亚硫酸钡 B．原铜的硫化物中n(Cu)∶n(S)=2∶3 C．最后所得的溶液最多可以溶解铁1.12 g D．灼烧后的固体中n(Cu2O)∶n(CuO)=1∶1 6．已知：Cu2O+H2SO4 = Cu+CuSO4 +H2O 。某红色粉末样品可能含有Fe2O3和Cu2O 中的一种或两种，为探究其组成，取少量样品加入过量稀硫酸。下列有关说法正确的是A．若固体全部溶解，则发生的离子反应只有：Fe2O3+6H+=2Fe3+ +3H2O B．若固体部分溶解，则样品中一定含有Cu2O，一定不含有Fe2O3 C．若固体全部溶解，再滴加KSCN 溶液，溶液不变红色，则样品中n(Fe2O3):n(Cu2O)为2：1 D．另取ag 样品在空气中充分加热至质量不再变化，称其质量为b g(b＞a)，则混合物中Cu2O 的质量分数为9(b-a)/a 7．铜有两种常见的氧化物CuO和Cu2O。某学习小组取0.98 g(用精密天平测量)Cu(OH)2固体加热，有铜的氧化物生成，其质量随温度变化如图1所示；另外，某同学绘制了三条表示金属氧化物与其所含金属元素质量的关系曲线，如图2所示。则下列分析正确的
第一章.认识半导体和测试设备(1 本章节包括以下内容， ●晶圆（Wafers）、晶片（Dice）和封装（Packages） ●自动测试设备（ATE）的总体认识 ●模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 ●负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die （我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。 当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、
电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。 注：本标题系列连载内容及图片均出自《The Fundamentals Of Digital Semiconductor Testing》 第一章.认识半导体和测试设备(2 在一个Die封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过 -55℃、25℃和125℃。
CO与CuO反应的化学方程式为: CuO + CO ===Cu + CO2 一氧化碳还原氧化铜还可能生成中间产物氧化亚铜 Cu2O 注：该反应类型属于复分解反应 反应现象: ①黑色固体变成红色②澄清石灰水变浑浊 实验步骤: ①先通入CO一会儿②加热③停止加热④继续通入CO到玻璃管冷却为止 注: ①先通入CO一会儿 ,是为了防止玻璃管内的空气没有排尽,加热时发生爆炸. ②熄灭酒精灯后,继续通入CO到玻璃管冷却为止,是为了防止生成的铜重新被氧化为氧化铜. 总之:"CO早出晚归,酒精灯迟到早退" ，也说“先通后点防爆炸，先熄后停防氧化。” ③用酒精灯点燃是进行尾气处理:防止一氧化碳污染空气 ④此试验应在通风橱中进行:防止没除净的CO使人中毒 一氧化碳的这一化学性质也与氢气相类似，具有还原性，它将氧化铜还原成铜，同时生成二 氧化碳气体使澄清石灰水变浑浊。 由于一氧化碳具有还原性，因此在冶金上常用它做为还原剂，将某些金属从它的金属氧化物中还原出来，如在炼铁时，利用一氧化碳，将铁从它的氧化物－－氧化铁中还原出来。 3CO+Fe2O3高温2Fe+3CO2 由以上可看出：一氧化碳和二氧化碳的性质是不同。 但一氧化碳和二氧化碳之间可以互相转化：一氧化碳燃烧会生成二氧化碳，二氧化碳与碳反应，又可生成一氧化碳。 一氧化碳燃烧会生成二氧化碳： 2CO + O2 === 2CO2 二氧化碳与碳反应生成一氧化碳： CO2 + C === 2CO 验证生成的气体：CO2+Ca(OH)2=CaCO3↓+H2O 石灰水变浑浊说明有二氧化碳生成 物质的性质决定着物质在生产和生活中的用途．木炭和一氧化碳都具有还原性，可用于冶炼金属．请根据如图所示回答： （1）请写出下列反应的化学方程式： ①木炭还原氧化铜 ----------------------------------- ②一氧化碳还原氧化铁 ---------------------------------- ． （2）A、B装置中澄清石灰水的作用是-------------------- ． （3）B装置最右端酒精灯的作用是--------------------- ． （4）在A装置中，当观察到 -------------------------- 现象时，证明木炭粉末和氧化铜粉末已经完全反应