当前位置:文档之家› 电力电子技术课后答案1-2

电力电子技术课后答案1-2

电力电子技术课后答案1-2
电力电子技术课后答案1-2

第1章 电力电子器件

1. 使晶闸管导通的条件是什么?

答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:u AK >0且u GK >0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I 、I 、I 与电流有效值I 、I 、I 。

ππ

4

π2

5π4a)

b)

c)

图1-43

图1-43 晶闸管导电波形

解:a) I d1=

π21

?

π

πωω4

)(sin t td I m =

π2m I (12

2+)≈0.2717 I m I 1=

?ππωωπ

4

2

)()sin (21t d t I m =

2m I π

2143+≈0.4767 I m b) I d2 =

π

1

π

ωω4

)(sin t td I m =

πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =

?

ππ

ωωπ

4

2)()sin (1

t d t I m =

2

2m I π

2143+≈0.6741I m

c) I d3=

π

21

?

2

)(π

ωt d I m =

41 I m I 3 =

?

20

2

)(21π

ωπ

t d I m =

2

1 I m

4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?

解:额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管,允许的电流有效值I =157A ,由上题计算结果知

a) I m1≈4767.0I

≈329.35,

I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈6741

.0I

≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56

c) I m3=2 I = 314,

I d3=

4

1

I m3=78.5

9. 试说明IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 各自的优缺点。

第2章整流电路1.

3.单相桥式全控整流电路,U 2=100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,当α=30°时,要求:①作出u d 、i d 、和i 2的波形;

②求整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2; ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①u d 、i d 、和i 2的波形如下图:

②输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2分别为

U d =0.9 U 2 cos α=0.9×100×cos30°=77.97(V )

I d =U d /R =77.97/2=38.99(A )

I 2

=I d =38.99(A )

③晶闸管承受的最大反向电压为:

2U2=1002=141.4(V)

考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:

U N=(2~3)×141.4=283~424(V)

具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

流过晶闸管的电流有效值为:

I VT=I d∕2=27.57(A)

晶闸管的额定电流为:

I N=(1.5~2)×27.57∕1.57=26~35(A)

具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

5.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当α=30?时,要求:

①作出u d、i d和i2的波形;

②求整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2;

③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解:①u d、i d和i2的波形如下图:

②整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2分别为

U d=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A)

I d=(U d-E)/R=(77.97-60)/2=9(A)

I2=I d=9(A)

③晶闸管承受的最大反向电压为:

2U2=1002=141.4(V)

流过每个晶闸管的电流的有效值为:

I VT=I d ∕2=6.36(A)

故晶闸管的额定电压为:

U N=(2~3)×141.4=283~424(V)

晶闸管的额定电流为:

I N=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A)

晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

13.三相桥式全控整流电路,U 2=100V ,带电阻电感负载,R =5Ω,L 值极大,当α=60?时,要求:

① 画出u d 、i d 和i VT1的波形; ② 计算U d 、I d 、I dT 和I VT 。 解:①u d 、i d 和i VT1的波形如下:

i

②U d 、I d 、I dT 和I VT 分别如下

U d =2.34U 2cos α=2.34×100×cos60°=117(V )

I d =U d ∕R =117∕5=23.4(A ) I DVT =I d ∕3=23.4∕3=7.8(A ) I VT =I d ∕3=23.4∕3=13.51(A )

14.单相全控桥,反电动势阻感负载,R =1Ω,L =∞,E =40V ,U 2=100V ,L B =0.5mH ,当α=60?时求U d 、I d 与γ 的数值,并画出整流电压u d 的波形。 解:考虑L B 时,有:

U d =0.9U 2cos α-ΔU d ΔU d =2X B I d ∕π I d =(U d -E )∕R

解方程组得:

U d =(πR 0.9U 2cos α+2X B E )∕(πR +2X B )=44.55(V )

ΔU d =0.455(V ) I d =4.55(A )

又∵

αcos -)cos(

γα+=2B d X I ∕U 2 即得出

)60cos(γ+?=0.4798

换流重叠角

γ = 61.33°- 60°=1.33°

最后,作出整流电压U d 的波形如下:

15.三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,U 2=100V ,R =1Ω,L =∞,L B =1mH ,求当α=30?时、E =50V 时U d 、I d 、γ 的值并作出u d 与i VT1和i VT2的波形。 解:考虑L B 时,有:

U d =1.17U 2cos α-ΔU d ΔU d =3X B I d ∕2π I d =(U d -E )∕R

解方程组得:

U d =(πR 1.17U 2cos α+3X B E )∕(2πR +3X B )=94.63(V )

ΔU d =6.7(V ) I d =44.63(A )

又∵

αcos -)cos(

γα+=2B d X I ∕6U 2 即得出

)30cos(γ+?=0.752

换流重叠角

γ = 41.28°- 30°=11.28°

u d 、i VT1和i VT2的波形如下:

i i

16.三相桥式不可控整流电路,阻感负载,R =5Ω,L =∞,U 2=220V ,X B =0.3Ω,求U d 、I d 、I VD 、I 2和γ 的值并作出u d 、i VD 和i 2的波形。

解:三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路α=0°时的情况。

U d =2.34U 2cos α-ΔU d ΔU d =3X B I d ∕π I d =U d ∕R

解方程组得:

U d =2.34U 2cos α∕(1+3X B /πR )=486.9(V )

I d =97.38(A )

又∵

αcos -)cos(

γα+=2B d X I ∕6U 2 即得出

γcos =0.892

换流重叠角

γ =26.93°

二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为

I VD =I d ∕3=97.38∕3=32.46(A )

I 2a =

3

2

I d =79.51(A ) u d 、i VD1和i 2a 的波形如下:

i i

17.三相全控桥,反电动势阻感负载,E =200V ,R =1Ω,L =∞,U 2=220V ,α=60?,当①L B =0和②L B =1mH 情况下分别求U d 、I d 的值,后者还应求γ 并分别作出u d 与i T 的波形。 解:①当L B =0时:

U d =2.34U 2cos α=2.34×220×cos60°=257.4(V )

I d =(U d -E )∕R =(257.4-200)∕1=57.4(A )

②当L B =1mH 时

U d =2.34U 2cos α-ΔU d ΔU d =3X B I d ∕π I d =(U d -E )∕R

解方程组得:

U d =(2.34πU 2R cos α+3X B E )∕(πR +3X B )=244.15(V )

I d =44.15(A ) ΔU d =13.25(V )

又∵αcos -)cos(γα+=2X B I d ∕6U 2

)60cos(γ+?=0.4485

γ=63.35°-60°=3.35°

u d 、I VT1和I VT2的波形如下:

i i

18.单相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有哪些次数的谐波?其中幅值最大的是哪一次?变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?

答:单相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有2k (k =1、2、3…)次谐波,其中幅值最大的是2次谐波。变压器二次侧电流中含有2k +1(k =1、2、3……)次即奇次谐波,其中主要的有3次、5次谐波。

19.三相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有哪些次数的谐波?其中幅值最大的是哪一次?变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?

答:三相桥式全控整流电路的整流输出电压中含有6k (k =1、2、3……)次的谐波,其中幅值最大的是6次谐波。变压器二次侧电流中含有6k ±1(k =1、2、3……)次的谐波,其中主要的是5、7次谐波。

20.试计算第3题中i2的3、5、7次谐波分量的有效值I23、I25、I27。

解:在第3题中已知电路为单相全控桥,其输出电流平均值为

I d=38.99(A)

于是可得:

I23=22I d∕3π=22×38.99∕3π=11.7(A)

I25=22I d∕5π=22×38.99∕5π=7.02(A)

I27=22I d∕7π=22×38.99∕7π=5.01(A)

21.试计算第13题中i2的5、7次谐波分量的有效值I25、I27。

解:第13题中,电路为三相桥式全控整流电路,且已知

I d=23.4(A)

由此可计算出5次和7次谐波分量的有效值为:

I25=6I d∕5π=6×23.4∕5π=3.65(A)

I27=6I d∕7π=6×23.4∕7π=2.61(A)

22.试分别计算第3题和第13题电路的输入功率因数。

解:①第3题中基波电流的有效值为:

I1=22I d∕π=22×38.99∕π=35.1(A)

基波因数为

ν=I1∕I=I1∕I d=35.1∕38.99=0.9

电路的输入功率因数为:

cos=0.9 cos30°=0.78

λ=να

②第13题中基波电流的有效值:

I1=6I d∕π=6×23.39∕π=18.243(A)

基波因数为

ν=I1∕I=I1∕I d=0.955

电路的输入功率因数为:

cos=0.955 cos60°=0.48

λ=να

.

…25.12脉波、24脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波?答:12脉波电路整流电路的交流输入电流中含有11次、13次、23次、25次等即12k±1、(k=1,2,3···)次谐波,整流输出电压中含有12、24等即12k(k=1,2,3···)次谐波。

24脉波整流电路的交流输入电流中含有23次、25次、47次、49次等,即24k±1(k=1,2,3···)次谐波,整流输出电压中含有24、48等即24k(k=1,2,3···)次谐波。

26.使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么?

答:条件有二:

①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压;

②要求晶闸管的控制角α>π/2,使U d为负值。

29.什么是逆变失败?如何防止逆变失败?

答:逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有:采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充足的换向裕量角β等。

30.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中,当负载分别为电阻负载或电感负载时,要求的晶闸管移相范围分别是多少?

答:单相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180?,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90?。

三相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120?,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90?。

电力电子技术课后习题全部答案解析

电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t

数字电子技术课后题答案..

: 第1单元能力训练检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空分,共20分) 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下,“1”表示高电平,“0”表示低电平。 3、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数,同一数码在不同数位所代表的权不同。十进制计数各位的基数是10,位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码;余3码和格雷码是无权码。 . 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的,简称为数制。任意进制数转换为十进制数时,均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法;十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时,应先转换成二进制,然后再根据转换的二进数,按照三个数码一组转换成八进制;按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少,且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则:任意两个几何位置相邻的最小项之间,只允许一位变量的取值不同。 ! 14、在化简的过程中,约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题(每小题1分,共10分) 1、奇偶校验码是最基本的检错码,用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。(对) 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。(对) 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。(错) 4、二进制计数中各位的基是2,不同数位的权是2的幂。(对) 3、每个最小项都是各变量相“与”构成的,即n个变量的最小项含有n个因子。(对)

高频电子技术试题库第三章

一、选择题(每题2分) 1在调谐功率放大器中,晶体管工作延伸到非线性区域包括。() A.截止和饱和区 B.线性和截止区 C.线性和饱和区 答案:A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。() A. U B.b E C.L R j 答案:C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min () A. U B.bm U C.cm U ces 答案:A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。() A.射极电流 B.基极电流 C.集电极电流

答案:C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。() A.甲类 B.乙类 C.丙类答案:C 6 窄带高频功率放大器又被称为。() A.调谐功率放大器 B.非调谐功率放大器 C.传输线放大器 答案:A 7 高频调谐功率放大器分析方法。() A.近似法 B.折线法 C.等效分析法 答案:B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。() A.正偏 B.反偏 C.0偏置 答案:B

9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。() A.180o B.90o C.小于90o 答案:C 10 高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于区。() A.截止 B.饱和 C.线性放大 答案:A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时,硅管的导通角为。() A.20o~ 40o B.40o ~ 60o C.60o~ 80o 答案:B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时,锗管的导通角为。() A.20o~ 40o B.40o ~ 60o C.60o~ 80o

答案:C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,展开系数最大的是 。( ) A .0α B .1α C .2α 答案:B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,10αα最大值为 。( ) A .3 B .2 C .1 答案:B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,10αα最小值为 。( ) A .3 B .2 C .1 答案:C 16 某晶体管的转移特性,其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-,激励信号 电压幅值bm U =3.2V ,则导通角为 。( ) A .90o B .60o C .30o 答案:B

电力电子技术答案第五版(全)

电子电力课后习题答案 第一章电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。 或者U AK >0且U GK >0 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为 I m ,试计算各波形的电流平均值I d1 、I d2 、I d3 与电流有效值I 1 、I 2 、I 3 。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I 1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I 2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t c) I d3= ?= 2 Im 4 1 ) ( Im 2 1π ω π t d I 3= Im 2 1 ) ( Im 2 1 2 2= ?t dω π π 1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2 、I d3 各为多 少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2 、I m3 各为多少? 解:额定电流I T(AV) =100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1 35 . 329 4767 .0 ≈ ≈ I A, I d1 ≈0.2717I m1 ≈89.48A

数字电子技术基础习题及答案 (2)

数字电子技术基础考题 一、填空题:(每空3分,共15分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、(逻辑图)、(逻辑表达式)和(卡诺图)。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是(0 )。 3.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。4.TTL器件输入脚悬空相当于输入(高)电平。 5.基本逻辑运算有: (and )、(not )和(or )运算。 6.采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较(最高)位。 7.触发器按动作特点可分为基本型、(同步型)、(主从型)和边沿型;8.如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用(积分型单稳态)触发器 9.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是(TTL )电路和(CMOS )电路。 10.施密特触发器有(2)个稳定状态.,多谐振荡器有(0 )个稳定状态。 11.数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种; 12.两二进制数相加时,不考虑低位的进位信号是(半)加器。 13.不仅考虑两个_______本位_____相加,而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路,称为全加器。 14.时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关,而且还与_电路原来的状态_______有关。 15.计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16.触发器根据逻辑功能的不同,可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17.根据不同需要,在集成计数器芯片的基础上,通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18.4. 一个JK 触发器有 2 个稳态,它可存储 1 位二进制数。 19.若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波,应采用多谐振荡器电路。20.把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21.N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22.基本RS触发器的约束条件是rs=0 。

《高频电子技术》试卷及答案

试卷代号: ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题(每空1分,共30分) 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器,多级级联增益 ,通频带 ,选择性 。 4、镜像干扰是指 ,抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ,问接收机本振频率为 ,对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ,各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ,最小值为 ,边频信号幅度为 ,载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后,由于串联电感增加,串联谐振频率 ,而并联谐振频率 ,通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题(每小题3分,共18分) )时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态,现欲调整使它工作在临界状态,可采用( )方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中,信号需要调制的原因是( ) A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在( ),高电平调幅器应用在( ) A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中,功率消耗最大的是( ) A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ,调幅系数M=0.3,载波与边频总功率为( ) C 1090W D 1180W 三、判断题(每小题1分,共10分) 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现,这样,输出信号的失真可以减小。( ) 2、非线性器件有频率变换作用,而混频电路中也是频率变换电路的一种,所以说非线性器件有混频作用。( ) 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。( ) 4、二极管大信号包络检波器原来无失真,但当输入已调波信号幅度增大时,则将可能产生负峰切割失真。( ) 5、同步检波,可以用来解调任何类型的调幅波。( ) 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近,通频带宽度很窄。( ) 7、谐振回路Q 值越高,谐振曲线就越尖锐,选择性就越好,而通频带就越宽。( ) 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。( ) 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法,但中和法较难调整。( ) 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路,但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。( ) 四、画图题(10分) 已知调幅波表达式,画出他们的波形和频谱图。(c ω=5Ω) (1+0.5COS t t c ωsin )Ω

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电力电子技术第3章-习题答案

3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分:填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同;只消耗电能,不储存、释放电能,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ,续流二极管承受的最大反向电压 2 (设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0?≤a≤ 180?,单 2和 2 ;带阻感负载时, α角移相范围为0?≤a≤ 90?,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同,只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ,随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2,通常设计时,应取RC≥ 1.5~2.5T,此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?,使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?,当它 带阻感负载时,α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压;这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?,u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =,电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时, 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时,设交流侧电抗为零,直流电感L为足够大。当 α =30°时,三相电流有效值与直流电流的关系为I I d,交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…,其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使输出电压平均值减小。

成贤数字电路实验习题答案

数字电路习题答案(第一、二次实验) 2009-12-18 09:10 实验一: 1. 在示波器处于“内触发”、“常态”扫描方式时,若改变电压灵敏度(V/div),特别是降低它,则可能会使信号波形消失。问若是“外触发”,是否也会影响信号波形的显示呢? 解:这道题主要从以下几种情况来分析: A.示波器是“内触发”,而误打到“外触发”的情况下,如果是“自动”扫描方式,示波器有波形显示,但是不会稳定;如果是“常态”扫描方式,示波器没有波形显示; B.示波器确实是“外触发”,则要求外触发信号与被测信号的频率和相位都相关,这时波形才有可能稳定。 C.示波器在“外触发”工作时,若改变电压灵敏度,会影响波形的显示。当扫描方式为“常态”时,如果降低它,可能会使波形消失,原因是降低了电压灵敏度的同时也降低了触发信号的电平,当触发电平降低到一定的程度,就不足以使触发器工作,触发器不工作,扫描发生器也就不能工作产生扫描电压,波形就消失了。 2. 实验内容3中,如何用示波器观察CH1+CH2的波形? 解:要观察CH1+CH2的波形,只要使示波器的显示方式处于“叠加”,同时保证CH1和CH2的电压灵敏度保持一致就可以了。 3. 简述用示波器测量TTL高、低电平的步骤。 解:将函数发生器输出TTL波形(f=1kHz)接到示波器一个通道上;示波器扫描方式打“AUTO”;电压灵敏度选择旋钮和时基因数选择旋钮处于适当的位置(比如1V/div和0.2ms/div);微调旋钮都处于“校准”位置;把输入耦合方式打到“GND”,确定零电平线的位置,再打到“DC”,读出高低电平值。 4. 对于方波和三角波,交流毫伏表的指示值是否它们的有效值?如何根据交流毫伏表的指示值求得方波或三角波的有效值?

高频电子技术试题库 第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时,回路电抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 2 LC串联谐振回路发生谐振时,回路总阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 3LC串联谐振回路发生谐振时,回路电流达到。()A.最大值B.最小值C.0 答案:A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。() A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率 答案:B 5LC串联谐振回路,谐振特性曲线越尖锐。()A.回路Q值大B.回路Q值大C.0 答案:A 6LC串联谐振回路Q值大,回路选择性。()A.差B.好C.不能确定 答案:B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。()A.正比B.反比C.无关 答案:B 8单回路通频带B与谐振频率f成。() A.正比B.反比C.无关 答案:A 9 并联谐振回路发生谐振时,回路电纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 10 并联谐振回路发生谐振时,回路总导纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 11 并联谐振回路发生谐振时,阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 12并联谐振回路发生谐振时,电压为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 13 LC串联谐振回路发生失谐时,阻抗为。() A.大B.小C.0 答案:A 14 LC串联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0

15 LC串联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 16 并联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 17 并联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,二次负载等效到一次边是阻抗。() A.越小B.0 C.越大 答案:C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,对回路的影响。() A.越小B.0 C.越大 答案:A 20 耦合回路临界耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:B 21 耦合回路强耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:A 22 耦合回路弱耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:C 23 强耦合时,耦合回路η越大,谐振曲线在谐振频率处的凹陷,。() A.越大B.越小C.不出现 答案:A 24LC组成一个串联谐振回路,谐振时串联阻抗。() A.最大B.最小C.无法估计 答案:B 25LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中作为一条并联支路,它滤除信号的频率为。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 26 LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,频率为的信号最易通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 27 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,就能阻止频率为的信号通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 28 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中,对于的频率,并联回路对它阻抗最大() A.f0B.大于f0C.小于f0

电力电子技术课后题答案

0-1.什么是电力电子技术? 电力电子技术是应用于电力技术领域中的电子技术;它是以利用大功率电子器件对能量进行变换和控制为主要内容的技术。国际电气和电子工程师协会(IEEE)的电力电子学会对电力电子技术的定义为:“有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论以及分析开发工具,实现对电能的高效能变换和控制的一门技术,它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。” 0-2.电力电子技术的基础与核心分别是什么? 电力电子器件是基础。电能变换技术是核心. 0-3.请列举电力电子技术的 3 个主要应用领域。 电源装置;电源电网净化设备;电机调速系统;电能传输和电力控制;清洁能源开发和新蓄能系统;照明及其它。 0-4.电能变换电路有哪几种形式?其常用基本控制方式有哪三种类型? AD-DC整流电;DC-AC逆变电路;AC-AC交流变换电路;DC-DC直流变换电路。 常用基本控制方式主要有三类:相控方式、频控方式、斩控方式。 0-5.从发展过程看,电力电子器件可分为哪几个阶段? 简述各阶段的主要标志。可分为:集成电晶闸管及其应用;自关断器件及其应用;功率集成电路和智能功率器件及其应用三个发展阶段。集成电晶闸管及其应用:大功率整流器。自关断器件及其应用:各类节能的全控型器件问世。功率集成电路和智能功率器件及其应用:功率集成电路(PIC),智能功率模块(IPM)器件发展。 0-6.传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么? 传统电力电子技术的特征:电力电子器件以半控型晶闸管为主,变流电路一般 为相控型,控制技术多采用模拟控制方式。 现代电力电子技术特征:电力电子器件以全控型器件为主,变流电路采用脉宽 调制型,控制技术采用PWM数字控制技术。 0-7.电力电子技术的发展方向是什么? 新器件:器件性能优化,新型半导体材料。高频化与高效率。集成化与模块化。数字化。绿色化。 1-1.按可控性分类,电力电子器件分哪几类? 按可控性分类,电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控器件。 1-2.电力二极管有哪些类型?各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少? 电力二极管类型以及反向恢复时间如下: 1)普通二极管,反向恢复时间在5us以上。 2)快恢复二极管,反向恢复时间在5us以下。快恢复极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者在100ns 以下,甚至达到20~30ns,多用于高频整流和逆变电路中。 3)肖特基二极管,反向恢复时间为10~40ns。 1-3.在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态? 维持晶闸管导通的条件是什么? 1、正向的阳极电压; 2、正向的门极电流。两者缺一不可。阳极电流大于维持电流。

电力电子技术课后答案

电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答: 使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK >0; 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,各波形的电流最大值均为m I , 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ,和它们的波形系数1f K ,2f K ,3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解: a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ,考虑晶闸管的安全裕量为1.5,问其允许通

高频电子技术试题库-第二章

高频电子技术试题库-第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时,回路电抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 2 LC串联谐振回路发生谐振时,回路总阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 3LC串联谐振回路发生谐振时,回路电流达到。()A.最大值B.最小值C.0 答案:A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。() A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率 答案:B 5LC串联谐振回路,谐振特性曲线越尖锐。()A.回路Q值大B.回路Q值大C.0 答案:A 6LC串联谐振回路Q值大,回路选择性。()A.差B.好C.不能确定 答案:B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。()A.正比B.反比C.无关 答案:B 8单回路通频带B与谐振频率f成。() A.正比B.反比C.无关 答案:A 9 并联谐振回路发生谐振时,回路电纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 10 并联谐振回路发生谐振时,回路总导纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 11 并联谐振回路发生谐振时,阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 12并联谐振回路发生谐振时,电压为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 13 LC串联谐振回路发生失谐时,阻抗为。() A.大B.小C.0 答案:A 14 LC串联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0

15 LC串联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 16 并联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 17 并联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,二次负载等效到一次边是阻抗。() A.越小B.0 C.越大 答案:C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,对回路的影响。() A.越小B.0 C.越大 答案:A 20 耦合回路临界耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:B 21 耦合回路强耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:A 22 耦合回路弱耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:C 23 强耦合时,耦合回路η越大,谐振曲线在谐振频率处的凹陷,。() A.越大B.越小C.不出现 答案:A 24LC组成一个串联谐振回路,谐振时串联阻抗。() A.最大B.最小C.无法估计 答案:B 25LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中作为一条并联支路,它滤除信号的频率为。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 26 LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,频率为的信号最易通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 27 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,就能阻止频率为的信号通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 28 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中,对于的频率,并联回路对它阻抗最大() A.f0B.大于f0C.小于f0

电力电子技术 复习题答案

第二章: 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等,若 du/dt过大,就会使晶闸管出现_ 误导通_,若di/dt过大,会导致晶闸管_损坏__。 2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。简述晶闸管的正向伏安特性 答: 晶闸管的伏安特性 正向特性当IG=0时,如果在器件两端施加正向电压,则晶闸管处于正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件开通。 随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低,晶闸管本身的压降很小,在1V左右。 如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态,IH称为维持电流。 3.使晶闸管导通的条件是什么 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 4.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管 (GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于半控型器件的是 SCR 。 5.晶闸管的擎住电流I L 答:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。 6.晶闸管通态平均电流I T(AV) 答:晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 7.晶闸管的控制角α(移相角) 答:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。

电力电子技术习题与解答

《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中,如果: (1)晶闸管门极不加触发脉冲; (2)晶闸管内部短路; (3)晶闸管内部断开; 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答:(1)负载两端电压为0,晶闸管上电压波形与U2相同; (2)负载两端电压为U2,晶闸管上的电压为0; (3)负载两端电压为0,晶闸管上的电压为U2。

某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,在流过负载电流平均值相同的情况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答:带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感,当其电流增大时,在电感上会产生感应电动势,抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平均值相同的情况下,为防此时管子烧坏,应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解:设α=0,T 2被烧坏,如下图: 相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么带大电感负载时,负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么 答:相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ,负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。

电子技术基础试题库完整

电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 2.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 3.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为() A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S - T U U I D. 1 e S - T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为()。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不

数字电子技术课后题答案

第1单元能力训练检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空分,共20分) 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下,“1”表示高电平,“0”表示低电平。 3、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数,同一数码在不同数位所代表的 权不同。十进制计数各位的基数是10,位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码;余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的,简称为数制。任意进制数转换为十进制数时,均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法;十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时,应先转换成二进制,然后再根据转换 的二进数,按照三个数码一组转换成八进制;按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少,且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则:任意两个几何位置相邻的最小项之间,只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中,约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题(每小题1分,共10分) 1、奇偶校验码是最基本的检错码,用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。(对) 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。(对) 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。(错) 4、二进制计数中各位的基是2,不同数位的权是2的幂。(对)

电子技术基础试题库(1-6章)

电子技术基础第一学期试题库(1~6章) 一、填空题:(每空1分) 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。答:导体、半导体、绝缘体。 2、半导体具有特性,特性和特性。 答:热敏、光敏、掺杂。 3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。 答:单向导电、导通、截止。 4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。 答:0.7V、0.3V。 (中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。 答:最大整流电流、最高反向工作电压。 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和 电流,所以硅二极管的热稳定性。 答:小于、较好。 6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转 换成信号。 答:电、光、光、电。 7、三极管有三个电极,即极、极和极。 答:集电极、基极、发射极。 8、半导体三极管有型和型。 答:NPN、PNP。 (中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极 管具有作用。 答:电流放大。 10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。晶体三极 管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。 答:0 .5、0.2、0.7、0.3。 11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。 答:I C=βI B。 (中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。 答:增加、小。 12、三极管的极限参数分别是,,和。答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。 (中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管 可作为器件。 答:放大、开关。 14、放大电路按三极管连接方式可分为, 和。 答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。 15、放大电路设置静态工作点的目的是。 答:使放大器能不失真地放大交流信号。 16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。

电力电子技术试卷及答案-第一章

电力电子技术试题(第一章) 一、填空题 1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。 1、三个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。 3、阻断、导通、阻断。 4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。 4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。 5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。 6、减小。 7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。 7、电阻、电感、反电动势。 8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。 8、减小、并接、续流二极管。 9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。要求管子的额定电流值要些。 9、小、脉冲、小、大。 10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别是极、极和极。 10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。 11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电 压时就截止。 11、峰点、谷点。 12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。 12、同步、时刻。 13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。 13、正弦波、锯齿波。 14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。 14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。 15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。 16、硒堆、压敏电阻。 16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。 16、快速熔断器。 二、判断题对的用√表示、错的用×表示(每小题1分、共10分) 1、普通晶闸管内部有两个PN结。(×) 2、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。(×) 3、型号为KP50—7的半导体器件,是一个额定电流为50A的普通晶闸管。() 4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。(×) 5、只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。(×) 6、晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。(√) 7、加在晶闸管门极上的触发电压,最高不得超过100V。(×) 8、单向半控桥可控整流电路中,两只晶闸管采用的是“共阳”接法。(×) 9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。(×) 10、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。(×) 11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。(√) 12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。(×) 13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。(×) 14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。(×) 15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。(√)

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档