试题一
一. 图1是Na
2
O的理想晶胞结构示意图，试回答：
1．晶胞分子数是多少；
2．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少；
3．结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；
4．计算说明O2-的电价是否饱和；
5．画出Na
2
O结构在（001）面上的投影图。
二. 图2是高岭石(Al
2O
3
·2SiO
2
·2H
2
O)结构示意图，试回答：
1．请以结构式写法写出高岭石的化学式；
2．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；
3．分析层的构成和层的堆积方向；
4．分析结构中的作用力；
5．根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。
三. 简答题：
1.晶体中的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？
2.什么是负扩散？
3．烧结初期的特征是什么？
4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？
5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？
6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？
四. 出下列缺陷反应式：
1.NaCl形成肖特基缺陷；
2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）；
3.TiO
2掺入到Nb
2
O
3
中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是
哪一种？再写出每个方程的固溶体的化学式。
4.NaCl溶入CaCl
2
中形成空位型固溶体
五. 表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定，那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。
六.粒径为1μ的球状Al
2O
3
由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，
在恒定温度下，第一个小时有20%的Al
2O
3
起了反应，计算完全反应的时间：⑴
用杨德方程计算；⑵用金斯特林格方程计算。
七.请分析熔体结构中负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。
八.试从结构和能量的观点解释为什么D晶界>D晶内？
九.试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何防止或延缓二次再结晶的发生？
十.图3是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：
1．写出点P，R，S的成分；
2．设有2kgP，问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的合金。
十一.图4是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：
1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条线上温度下降方向及界线的性质；
2．判断化合物D、F的性质；
3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；
4．写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；
5．写出组成点H在完全平衡条件下的冷却结晶过程，写出当液相组成点刚刚到达E4点和结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。
答案
一、1：4；
2：O2-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙；
3：=4CN O2-=8 [NaO
4][ONa
8
]；
4：O2-电价饱和，因为O2-的电价=（Na+的电价/Na+的配位数）×O2的配位数；
5：
二、1：Al
4[Si
4
O
10
](OH)
8
；
2：单网层状结构；
3：一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积；
4：层内是共价键，层间是氢键；
5：片状微晶解理。
三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷；
2：由低浓度向高浓度的扩散；
3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大；
4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类；
5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质；
6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。
四、 1：O←→VNa ′+VCl˙
2：AgAg→Agi˙+VAg′
3：3TiO
23Ti
Nb˙
+V
Nb˙
+6O
O
2TiO
2
2Ti
Nb˙
+O
i′′
+3O
Nb
2-x Ti
3x
O
3
可能成立Nb
2-2x
Ti
2x
O
3+x
4：NaCl NaCa′+ClCl+VCl˙
五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能，二是通过吸附来降低表面能。
1：t=195h2：t=68h
七、当O/Si由2→4时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状，负离子团的聚合度相应的降至最低。一般情况下，熔体中负离子团的聚合度越高，特别是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。熔体中负离子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反之亦然。
八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。
九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在致密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结晶的发生。
十、
P R S Z
ωA20 10 45 5
ωB10 60 45 85
ωC70 30 10 10
十一、略
试题二
一、(1)（12分）根据CaTiO
3
晶胞图（见图1）回答下列问题：
1.晶面BCGF、DEG的晶面指数；晶向DF、HA的晶向指数。
2.结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；
3.晶胞分子数是多少？何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少？
4.结构中是否存在TiO
3
2-离子，为什么？
(2)（11分）图2是镁橄榄石(Mg2[SiO4])结构示意图，试回答：
1．镁橄榄石属于哪种硅酸盐结构类型；
2．计算说明O2-的电价是否饱和；
3．结构中有几种配位多而体，各配位多面体间的连接方式怎样?
4．镁橄榄石是否容易形成玻璃，为什么？
图1 图2
二、（10分）写出下列缺陷反应式：
1.NaCl形成肖脱基缺陷。
2.AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）
3.TiO
2掺入到Nb
2
O
3
中，请写出二个合理的方程，写出固溶体的化学式，
并判断可能成立的方程是哪一种？
三、（10分）判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正。
1.Na
2O-SiO
2
系统中随SiO
2
含量的增加，熔体的粘度将降低。
2.扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向
低浓度处扩散。
3.晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。
4.固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质中形成的单相均匀的固体。
5.在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。
四、（6分）什么叫弛豫表面？NaCl单晶表面具有什么样的结构特点？
五、（6分）巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO
4
中的自扩散系数与温度的关系分别为
1.试求1403K时Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO
4
中的扩散系数。
2.将细铂丝涂在两种氧化物ZnO和Cr
2O
3
的分界线上，然后将这些压制
成型的样品进行扩散退火。（标记物铂丝非常细，不影响离子在不同氧化物之间的扩散）。根据所得数据判断铂丝将向哪一方向移动？
六、（6分）为什么在成核一生成机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变?什么情况下需过冷，什么情况下需过热，各举一个例子。
七、（6分）粒径为1μ球状Al
2O
3
由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石
的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al
2O
3
起了反应，分别用扬德方程、
金斯特林格方程计算完全反应的时间，对计算结果进行比较并说明为什么？
八、（6分）陶瓷材料中晶粒的大小与什么有关？工艺上如何控制晶粒尺寸（请列出三种途径）？
九、（26分）图3 是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题：
1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质；
2．判断化合物D、M的性质；
3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；
4．写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；
5．写出组成点H在完全平衡条件下进行加热时，开始出现液相的温度和完全熔融的温度；写出完全平衡条件下进行冷却，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。
图3
答案
一、(1)1、（010）（111） [111][101]；(4分)
3、1；Ti4+添八面体空隙，八面体空隙利用率1/4，四八面体空隙全；(3分)
4、否，因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。(2分)
(2)1、岛状结构；(1分)；
2、O2-与一个[SiO
4]、三个 [MgO
6
]配位：4/4×1+2／6×3=2= O2-的
电价，O2-的电价(2分)；
3、结构中有两种配位多面体[SiO
4]、[MgO
6
] (2分)；[SiO
4
]呈孤立
的岛状，中间被[MgO
6]隔开，SiO
4
]与 [MgO
6
]之间共顶或共棱连接，同层的[MgO
6
]
之间共棱、不同层的[MgO
6
]之间共顶连接；(4分)
4、不易，因为镁橄榄石的Si/O=1/4，最低，网络连接程度弱，结构中络阴离子团尺寸小，迁移阻力小，熔体的粘度低，冷却过程中结构调整速率很快。(2分)
二、写出下列缺陷反应式（10）：
1、O?VNa ′+VCl˙
2、Ag
Ag →A
Ai
+V
Ag′
3、3TiO
23Ti
Nb˙
+V
Nb′′′
+6O
2TiO
2
2Ti
Nb˙
+O
i′′
+3O
Nb
2-x Ti
3x
O
3
可能成立Nb
2-2x
Ti
2x
O
3+x
三、1．(2分)粘度增加；
2．(2分)扩散也可以从低浓度向高浓度进行；
3．(2分)都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。
4．(2分)正确
5．(2分)两个固相和一个液相
四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移，称为表面弛豫。(2分)
NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用，而外侧是不饱和的。电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形，使该负离子诱导成偶极子。这样就降低了晶体表面的负电场。接着，表面层离子开始重排以使之在能量上趋于稳定。为此，表面的负离子被推向外侧，正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。(4分)
五、
(2分)
(2分)
因为<,所以铂丝向Cr
2O
3
方向移动。(2分)
六、由热力学可知，在等温、等压下有
在平衡条件下，，则有
式中：Ｔ0是相变的平衡温度；为相变热。
若在任意温度的不平衡条件下，则有
若与不随温度而变化，将上式代入上式得：
可见，相变过程要自发进行，必须有，则。
(1)若相变过程放热（如凝聚、结晶等）。要使，必须有
，，即，这表明系统必须“过冷”。
(2)若相变过程吸热（如蒸发、熔融等），要满足这一条件则必须，即，这表明系统要自发相变则必须“过热”。
t t=194.6h(2分)
七、扬德方程[1—（1—G）1/3]2=K
4
t t=68.1t=68.1(2分) 金斯特林格方程1—2/3G—（1-G）2/3=K
6
扬德方程假设反应过程中扩散截面不变，而金斯特林格方程考虑了反应中扩散截面的变化。随反应的进行，反应物体积减小，扩散截面变小，所需反应时间要比扬德假设所计算出的时间短。(2分)
八、陶瓷材料中晶粒的大小与物料的原始粒度、烧结温度和时间等因素有关；(3分)
控制晶粒尺寸方法：控制原始粒度均匀细小，控制烧结温度和时间，添加剂等。(3分)
九、1、见图，付三角形3分，界线性质1分，界线上温度降低的方向4.5分；
2、D，一致熔融二元化合物，高温稳定、低温分解；(1.5分)
M，不一致熔融三元化合物；（1分）
3、（4分）E1，单转熔点，
E2，低共熔点，
E3，单转熔点，
E4，过渡点，
4、（6分）
L (结晶结束)
S （产物C+B+M）
5、E2温度（1分），H点所在温度（1分）；过H点做副三角形BCM
的两条边CM、BM的平行线HH
1、HH
2
，
C%=BH
2/BC×100%，B%=CH
1
/BC×100%，C%=H
1
H
2
/BC×100%（3分）。
试题三
一、根据CaTiO
3
晶胞图（见图1）回答下列问题（18）：
1、晶面BCGF、HAC的晶面指数；晶向DF、AH的晶向指数。
2、结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体；
3、晶胞分子数是多少？何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少？
4、计算说明O2-的电价是否饱和；
5、结构中是否存在TiO
3
2-离子，为什么？
图 1
二、下列硅酸盐矿物各属何种结构类型（6）：
r-Ca
2[Si0
4
]， K[AISi
3
O
8
]， CaMg[Si
2
O
6
]，
Mg
3[Si
4
O
10
](OH)
2
， Ca
2
Al[AlSiO
7
]， Ca
2
Mg
5
[Si
4
O
11
]（OH）
2、
三、1、写出下列缺陷反应式（10）：
(1) CaCl
2
溶人NaC1中形成空位型固溶体，并写出固溶体的化学式；
(2) NaCl形成肖脱基缺陷。
2、为什么间隙型固溶体不能形成无限固溶体？
四、硅酸盐熔体的结构特征是什么？从Na
2O—SiO系统出发，随引入B
2
O
3
量的增加，系统的粘度如何变化，为什么？（10）
五、固体是如何降低系统的表面能的，为什么相同组成的固体的表面能总是高于液体的表面能？（8）
六、假定碳在α—Fe(体心立方)和γ—Fe（面心立方）中进行扩散，碳在α—Fe中的D0和扩散活化能为0.0079、83600J/mol，碳在γ—Fe中的D0和扩散活化能为0.21和141284J/mol，计算800℃时各自的扩散系数并解释其差别。
七、为什么在成核一生成机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变? 什么情况下需过冷，什么情况下需过热，试证明之。（6）
八、如果要合成镁铝尖晶石，可供选择的原料为Mg(OH)
2、MgO、γ-Al
2
O
3
、
α-Al2O3，从提高反应速率的角度出发，选择什么原料较好？请说明原因。（6）
九、下列过程中哪一个能使烧结体强度增大，而不产生坯体宏观上的收缩? （6分）
(a)蒸发冷凝、 (b) 体积扩散、 (c)粘性流动、 (d)表面扩散、(e)溶解沉淀
十、图2是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题（24）：
1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质；
2．判断化合物S
1、S
2
、S
3
的性质；
3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；
4．写出组成点G在完全平衡条件下的冷却结晶过程；
5．写出组成为H的混合物在完全平衡条件下进行加热时，开始出现液相的温度和完全熔融的温度；写出组成H的混合物在完全平衡条件下进行冷却，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。
图 2
答案：一、1 （100）（111） [111] [0-11] 各1分
2 CNT
i 4+=6 [T
i
O
6
] CN
Ca
2+=12 [CaO
12
] CN
O
2--=6 [OTi
2
Ca
4
] 各1分
3 Z=1(1分) T
i
4+ (1分)占据1/4八面体空隙(1分)
4 因为：Z
+=2/12*4+4/6*2=2=Z
-
所以：饱和 (3分)
5 不存在，因为是复合氧化合物。(2分)
二、岛状、架状、链状、层状、组群状、链状各1分
三、（1）CaCl
2V
Na
′+2Cl
Cl
+CaNa′(2分) NaC
1-2x
Ca
x
Cl (1分)
（2）O V
Na ′+V
Cl
′(2分)（3）一是因为晶体中的间隙位置有限，二是因为间
隙质点超过一定的限度会不破坏晶体结构的稳定性。
四、[SiO
4
]为基本结构单元，四面体组成形状不规则大小不同的聚合力子团，络阴离子团之间依靠金属离子连接。（4分）；
从Na
2O—SiO
2
系统出发，随引入B
2
O
3
量的增加， [BO
3
]与游离氧结合，转变
为[BO
4
]，使断裂的网络重新连接，系统粘度增加（3分）；
继续引入B
2O
3
，B
2
O
3
以层状或链状的[BO
3
]存在，系统的粘度降低（3分）。
五、固体表面通过表面质点的极化、变形、重排降低固体的表面能（3分）；
液体分子可自由移动，通过形成球形表面来降低表面能（2分）；
固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排降低表面能，因此表面能总是高于同组成的液体的表面能（3分）。
六、由公式D=D
0exp(-Q/RT)；（1分）计算D
α=6.72*10
-7；（1分） D
γ=2.7*10
-8
（1分）；D
α〉Dγ；（1分）因为体心结构较面心结构疏松（2分）。
七、由热力学可知,在等温、等压下有
在平衡条件下, =0，则有
式中：Ｔ
是相变的平衡温度；为相变热。
若在任意温度T 的不平衡条件下，则有
若与不随温度而变化，将上式代入上式得：
可见，相变过程要自发进行，必须有<0,则<0 。
（3）若相变过程放热（如凝聚、结晶等）<0。要使<0，必须有>0，
，即T
>T，这表明系统必须“过冷”。
（4）若相变过程吸热（如蒸发、熔融等）>0,要满足<0这一条件则
必须<0，即T
八、选择Mg(OH) 2、γ-Al 2 O 3 （3分）；因为反应活性高，结构不稳定（3分）。 九、蒸发冷凝、表面扩散十、1．见图（6分）； 2．S 1二元不一致熔融化合物，S 2 二元不致熔融化合物，S 3 三元不一致熔融 化合物；（各1分）3．P 1：过渡点A+B S；P 2 ：双转熔点L+B+S 1 =S 3 ；P 3 ：低 共熔点L=B+C+S 3；P 4 ：单转熔点L+A =S 2 +S 1 ；P 5 单转熔点L+S 1 = S 2 +S 3 ；P 6 低共熔 点 L=C+S 2+S 3 ；（各1分） 4．（4分） L: (结晶结束) S:（产物S 1+ S 2 +S 3 ） 5．P 3,H,B：C：S 3 =CC 1 ：BB 1 ：B 1 C 1 （5分） 试题4 一、填空题（2×10=20分） 1、依据（）之间关系的不同，可以把所有晶体的空间点阵划归为七类，即（）晶系、单斜晶系、（）晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和（）晶系。 2、扩散的基本推动力是（），一般情况下以（）等形式（列出一种即可）表现出来，扩散常伴随着物质的（）。 3、晶面族是指（）的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的指数的（）相同，只是（）不同。 4、向MgO、沸石、TiO 2 、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是（）。 5、烧结过程可以分为（）三个阶段，在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是（）。 6、液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，而固体则不同，这种说法（是/否）正确，因为（）。 7、驰豫表面是指（），NaCl单晶的表面是（）。 8、一般的固态反应包括（）两个过程，化学动力学范围是指（）。 9、从熔体结构角度，估计长石、辉石(MgO?SiO 2 )、镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序（）。 10、刃性位错的柏氏矢量与位错线呈（）关系，而螺位错两者呈（）关系。 二、Zn2+在ZnS中扩散时，563℃时的扩散系数为3×10-14cm2/sec，450℃时的扩散系数为1.0×10-14cm2/sec,（10分） 求:(1) 扩散的活化能和D ； (2) 750℃时的扩散系数。 三、根据Mg 2[SiO 4 ]在(110)面的投影图回答（10分）： (1) 结构中有几种配位多面体，各配位多面体间的连接方式怎样? (2) O2-的电价是否饱和? (3) 晶胞的分子数是多少? (4) Si4+和Mg2+所占的四面体空隙和八面体空隙的分数是多少? 黑球：Si4+ 小白球：Mg2+ 大白球：O2- 图 2 四、铜在过冷的液体中均匀形核，设晶胚为球状，半径为r。已知 △Gv=—3.6×106J/cm3；液固界面的界面能为σ=0.15J/cm2；铜为面心立方结构， 其点阵常数a=0.361nm,1nm=10-7cm。（10分） 求:(1) 根据能量方程导出临界晶核半径r*的表达式，并计算其大小； (2) 求出临界晶核中的原子个数。 五、熔体结晶时（10分）： (1) 讨论温度对总结晶速率的影响； (2) 指出在哪一温度范围内对形成玻璃有利，为什么？ 六、1．写出下列缺陷方应方程式。（5分） 1）TiO 2加入到A1 2 O 3 中（写出两种）； 2）NaCl形成肖脱基缺陷。 2．画出体心立方点阵的晶胞结构图，并在图中作出(112)晶面和晶向。（5分） 3．实验室要合成镁铝尖晶石，可供选择的原料为Mg(OH) 2 、MgO、 Al 2O 3 ·3H 2 O、γ-Al 2 O 3 、α-Al 2 O 3 。从提高反应速率的角度出发，选择什么原料较 好？请说明原因。（5分） 七、如图A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题（25分）： 1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质； 2．判断化合物F、G、H 的性质； 3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式； 4．写出组成点M1在完全平衡条件下的冷却结晶过程； 5．写出组成点M2在完全平衡条件下进行加热时，开始出现液相的温度和完全熔融的温度；写出完全平衡条件下进行冷却，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）。 图 2 答案 一、填空题（第1题每空0.5分，其它每空1分，总计20分） 1. 晶胞参数，三斜，正交（斜方），立方。 2. 化学位梯度，浓度梯度的，定向迁移。 3. 原子排列状况相同但位向不同，数字相同、数序和正负号不同。 >MgO。 4. 沸石>萤石>TiO 2 5. 烧结初期、烧结中期和烧结后期，再结晶和晶粒长大。 6. 是，固体质点不能自由移动。 7. 在垂直于表面的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表面，驰豫表面。 8. 相界面上的化学反应和反应物通过产物层的扩散，相界面上的化学反应速率 远小于反应物通过产物层的扩散速率。 9. 镁橄榄石>辉石>长石。 10. 垂直平行。 二、（10分）解：(1) D=D exp(-Q/RT) 2分 T=563+273=836K时，D=3×10-14cm2/s 2分 T=450+273=723K时，D=1.0×10-14cm2/s 2分 代入上式可求 Q=48875J，D =0.34×10-11cm2/s 2分 (2) D=D exp(-Q/RT) =1.1×10-14 cm2/s 2分 三、（10分）解：（1）有两种配位多面体，[SiO 4]，[MgO 6 ]，同层的[MgO 6 ]八面 体共棱，如59[MgO 6]和49[MgO 6 ]共棱75O2-和27O2-，不同层的[MgO 6 ]八面体共顶， 如1[MgO 6]和51[MgO 6 ]共顶是22O2-，同层的[MgO 6 ]与[SiO 4 ]共顶，如T[MgO 6 ]和 7[SiO 4]共顶22O2-，不同层的[MgO 6 ]与[SiO 4 ]共棱，T[MgO 6 ]和43[SiO 4 ]共28O2-和 28O2-；2.5分 （3）z=4(2.5分)； （4）Si4+占四面体空隙=1/8，Mg2+占八面体空隙=1/2。（2.5分） 四、 1、∵ △G＝·△G V ＋·σ 令则 已知：△G V ＝－3.6×106J/cm3；σ＝0.15 J/cm2∴ ＝8.33×10－8cm（5分） 2、 个（5分） 五、1．如右图，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）； 2．在阴影部分以外的温度对形成玻璃有利，因为此时核化速率与晶化速率都较小或只存在一种情况（5分）。 六、1 1）（2分） （2分） 2）（1分） 2 体心立方点阵的晶胞结构图（2分）， (112)晶面和晶向（各1.5分）。 3 选择Mg(OH) 2、γ-Al 2 O 3 ；因为反应活性高，结构不稳定。（3+2） 七、1、见图；（6分） 2、G，一致熔融二元化合物； F，不一致熔融二元化合物；H，不一致熔融三元化合物（3分） 3、E 1 ，单转熔点， E 2 ，低共熔点， E 3 ，低共熔点， E 4 ，单转熔点， E 5 ，单转熔点， 武汉理工大学考试试题纸 课程名称：知识产权法学专业班级：级法学 题号一二三四五六七八九十总分 题分 第一部分选择题（共分） 一、单项选择题（本大题共小题，每小题１分，共分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 .下列选项，哪项中含有保护期限不受时间限制的知识产权？（） ．著作权、外观设计专利权、植物新品种权 ．商标权、商业秘密权、集成电路布图设计权 ．计算机软件著作权、邻接权、实用新型专利权 ．发明专利权、商标权、植物新品种权 .甲在创作武侠小说《神腿》的过程中，乙提供了辅助活动。小说创作完成后，由出版社丙出版。该书的著作权应归属于（） .甲.甲和乙.丙.甲和丙 .以下诸权利中，保护期受限制的有（） .署名权.修改权 .发表权.保护作品完整权 .张某经过努力创作出一篇学术论文，依我国著作权法的规定（） . 张某只有在其论文发表后才能享有著作权 . 张某的论文不论是否发表都能享有著作权 . 张某的论文须经登记后才能享有著作权 . 张某的论文须加注版权标记后才能享有著作权 .下列各项作品中，其著作权由法人或其他组织享有的是（） ．记者为所在报社采编的人物专访 ．设计人员利用单位物质技术条件创作的工程设计图 ．教师为完成教学任务编写的教案 ．专业作家创作的报告文学 .小说《师长》的作者甲授权乙将该小说改编成电影剧本，制片人丙委托导演丁将该剧本拍摄成电影。该片拍摄完成后，其著作权归属于（） .甲.乙.丙.丁 .图书出版者对其出版的图书的版式设计所享有的权利的保护期为（） .５年.１０年.２５年.５０年 .甲为做博士学位论文，在图书馆复印了乙的两篇论文，根据我国著作权法，甲的这一行为属于（）.侵权行为.法定许可使用 环境科学专业本科培养计划 Undergraduate Program for Specialty in Environmental Science 一、业务培养目标 ⅠEducational Objectives 本专业培养具备环境科学的基本理论、基本知识和基本技能，具有较强的适应能力、实干精神和创新意识，能在科研机构、高等学校、企事业单位及行政部门等从事环境方面的科研、教学、管理等工作的高级专门人才。 The program in environmental science is designed to provide students an integrated education, which helps students to develop the basic knowledge and capabilities, and prepares them to be advanced environmental science personnel with high adaptability and creative consciousness. Students will be well-prepared for careers in academic institutions, educational institutions, and private and government agencies. 二、业务培养要求 ⅡEducational Requirement 本专业学生主要学习环境科学方面的基本理论、基础知识和基本技能，受到基础研究和应用基础研究方面的科学思维和科学实验的训练，培养较好的科学素养，有较强的自学能力和分析解决环境问题的能力，具备一定的教学、研究、开发和管理能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 课程设计任务书 学生姓名：张亚男专业班级：通信1104班 指导教师：李政颖 工作单位：信息工程学院 题目: 温度控制系统的设计 初始条件：TEC半导体制冷器、UA741 运算放大器、LM339N电压比较器、稳压管、LM35温度传感器、继电器 要求完成的主要任务: 一、设计任务：利用温度传感器件、集成运算放大器和Tec(Thermoelectric Cooler， 即半导体致冷器)等设计一个温度控制器。 二、设计要求：（1）控制密闭容器内空气温度 （2）控制容器容积>5cm*5cm*5cm （3）测温和控温范围0℃~室温 （4）控温精度±1℃ 三、发挥部分：测温和控温范围：0℃~（室温+10℃） 时间安排：19周准备课设所需资料，弄清各元件的原理并设计电路。 20周在仿真软件multisim上画出电路图并进行仿真。 21周周五前进行电路的焊接与调试，周五答辩。 指导教师签名：年月日 系主任（或责任教师）签名：年月日 温度控制系统的设计 1.温度控制系统原理电路的设计 (3) 1.1 温度控制系统工作原理总述 (3) 1.2 方案设计 (3) 2.单元电路设计 (4) 2.1 温度信号的采集与转化单元——温度传感器 (4) 2.2 电压信号的处理单元——运算放大器 (5) 2.3 电压值表征温度单元——万用表 (7) 2.4 电压控制单元——迟滞比较器 (8) 2.5 驱动单元——继电器 (10) 2.6 TEC装置 (11) 2.7 整体电路图 (12) 3.电路仿真 (12) 3.1 multisim仿真 (12) 3.2 仿真分析 (14) 4.实物焊接 (15) 5.总结及体会 (16) 6.元件清单 (18) 7.参考文献 (19) 2018年武汉理工大学材料科学与工程（材料工程）专业考研经验贴 一、学习规划 在我们做任何重要的事情之前，我们都需要对其有一个划。尤其是在考验阶段，一个清晰完整的规划会让我们的学习变得有条不紊。我们需要设立一个个的小目标，分阶段的完成各个部分的学习任务，这个规划不需要太过于具体。 二、学习方法 学习方法是至关重要的，它将决定你是事半功倍还是事倍功半，因为适合每个人的学习方法都有着些许的不同，有些人适合徜徉在题海当中做大量的题目；有些人更适应有老师带着。当然所有的学习方法当中都应该有勤奋、优秀的学习资源、良师益友等。 三、公共课复习 1.数学（二）：开始准备数学一定不要自己抱着一本书啃，应该结合一些考研名师的视频比如说张宇，汤家凤，李永乐等，这样学起来会轻松很多。 2.英语（二）：英语前期就是背单词，结合视频一起背，到了8月开始做真题，真题要细细品尝，慢慢琢磨。 3.政治：8月底开始准备就行。只要跟着一个有意思的喜欢讲故事的老师就行了，因为知识点就那些，变化不大。但是后面做题压题得跟着肖秀荣。 四、专业课 专业课的复习也不需要过早，7月中旬开始就可以了，武汉理工大学的专业课分为三个不同的方向1无机非金属材料，2金属材料，3高分子材料。在学习专业课的时候要在靠谱的机构那里，让老师指点哪些重点章节主要是历年真题，这里插一句，我专业的话报的新祥旭一对一，如果基础不太好的同学可以尝试报班。 我选择的方向是无机非金属材料，初试科目是材料科学与基础（武汉理工大学出版），简称材科基。 进行复习时先以每章为单位，先看下资料里的笔记，看完后可以对某一章节有一定的把握，知道哪里是自己的弱项，然后再翻看书本，在书本中找出笔记对应的内容认真阅读并理解，当 武汉理工大学考试试题纸（ A 卷） 课程名称普通化学专业班级09 一、（选择题，每题2分，共20分） 1.下列化合物中( )是配合物。 A.(NH 4) 2 SO 4 ·FeSO 4 ·6H 2 O B.KCl·MgCl 2 ·6H 2 O C.K 2PtCl 6 D.Cu(OOCCH 3 ) 2 2.298.15K时由下列三个反应的△r H m 数据可求的△f H m （CH4,g）的数值为（） C(石墨) + O2 (g) = CO2 (g) △r H m = -393.5 kJ·mol-1 H2(g) +1/2O2 (g) = H2O (l ) △r H m = -285.8 kJ·mol-1 CH4(g) + 2O2(g) = CO2(g) + 2H2O (l ) △r H m = -890.3 kJ·mol-1 A.-74.8 kJ·mol-1 B.211.0 kJ·mol-1 C.890 kJ·mol-1 D.无法确定 3.描述核外电子运动状态的下列各组量子数中，不可能存在的是( ) A.3,0,-1,- 1/2 B. 3,2, 2,+1/2 C.2,1,1,- 1/2 D.2,1,0,- 1/2 4.已知FeO (s)+C(s) =CO(g) + Fe(s) 反应的△r H m 为正，△r S m 为正（假定△r H m 和△r S m 不随温度而变），下列说法正确的是（） A.低温下自发过程，高温下非自发过程 B.高温下自发过程，低温下非自发过程 C.任何温度下均为自发过程 D.任何温度下均为非自发过程 5.在一定条件下，如果某反应的△r G m (298.15K)为零，则该反应，（） A.能自发进行 B.不能自发进行 C.处于平衡状态 D.属于何种情况（自发或平衡）难以判别 6.已知标准氯电极的电势为 1.358V，则当氯离子浓度减少到0.1mol·L-1，氯气分压减少到 0.1×100kPa时，该电极的电极电势应为（） A.1.358V B.1.328 V C.1.387V D.1.417V 1.4 武汉理工历年复试真题 2003年材料学院复试笔试题目 适用专业：材料学、材料物理与化学、材料加工工程 1、简述材料科学与工程的定义、材料的分类以及材料在国民经济建设中的地位和作用。 2、结合自己所学专业，叙述二个本专业的研究热点问题。 3、简述你所熟悉的几种有关材料的测试技术，并写出其中一种测试技术的原理及解析方法。 4、针对你拟选报的研究方向，做一个三年的研究计划。 5、目前，用于材料的合成与制备有许多新方法，请你列举二种方法并加以较详细说明。 2004年材料学院复试笔试题目 第一题： 计算机基础30分,今年考了很多计算机基础知识,总之要看书，难度相当于计算机基础的难度。 第二题： 1.简述材料科学与工程的定义，材料的分类以及材料在国民经意建设中的地位和作用。（15 分） 2.简述两种现代测试分析方法，并举例说明每种方法可分析的内容。（20分） 3.结合自己所学专业，叙述两个本专业的研究热点问题。（15分） 4.目前，用于材料的合成与制备有许多新方法，请你列举其中一种方法并加以说明。（10 分） 5.根据你拟选报的研究方向，写一份课题研究计划。（10分） 第一题： 听力20分（有选择有填空） 第二题： 计算机基础(20分) (一).填空题 1.一个完整的计算机系统包括( )和( ). 2.微型计算机系统的总线包括( )总线、( )总线和( )总线. 3. ( 内存)中保存的数据,一经切断电源,其中的数据将完全消失. 4.WINDOWS98中进入中文输入法按( )键,改变中文输入法按( )键. 5.Excel中的基本数据文件是( ). 6.Internet是全球最大的计算机网络,它的基础协议是( ). (二).单选题 1.内存中每个基本单位都被赋予一个唯一的序号,称为: A.地址 B.字节 C.编号 D.代码 2.计算机的存储容量以KB为单位时,这里1KB表示: A.1000个字节 B.1024个字节 C.1000个2进制位 D.1024个2进制位 3.把计算机的数据存到磁盘上,这种操作叫做: A.输出 B.读盘 C.写盘 D.输入 4.操作系统是_______的接口: A.软件和硬件 B.计算机和外设 C.用户和计算机 D.高级语言和机器语言 5.下面全是高级语言的一组是: A.汇编语言,C,PASCAL B.汇编语言,C,BASIC C.机器语言,C,BASIC D.BASIC,C,PASCAL 6.Word的默认文档扩展名是___ ___;Excel的默认文档扩展名是_____. A.IDX B.DOC C.TXT D.DBF E.XLS 7.一个IP地址由网络地址和___ __两部分构成. A.广播地址 B.多址地址 C.主机地址 D.子网掩码 8.E-MAIL的地址格式是: A. 用户名@邮件主机域名 B. @用户名邮件主机域名 C. 用户名@域名邮件主机 9.一张干净的软盘带上写保护后: A.只能预防已知病毒 B.可以预防所有病毒 C.不能预防病毒 第三题： 专业基础（60分） (任选四题回答) 1.结合你对材料科学与工程的认识与理解,谈谈报考材料类研究生的理由?(15分) 2.介绍一种现代测试技术方法,并举例说明其可分析的内容?(15分) 3.结合自己所学专业，叙述二个本专业的研究热点问题.(15分) 4.结合可持续发展的角度,谈谈产业与能源,环境之间的关系.(15分) 5.目前,用于材料的合成与制备有许多新方法,请你列举二种方法并加以较详细说明.(15分) 6.结合你拟报的研究方向,提出一个研究课题并列出主要研究内容?(15分) 单选题 1. 就每一特定市场而言，最佳市场营销组合只能是_____的结果。 (A) 市场细分 (B) 精心策划 (C) 综合平衡 (D) 统筹兼顾 难度：较易分值：2.0 2. 市场营销学作为一门独立的经济管理学科诞生于20世纪的 (A) 美国(B) 日本(C) 中国(D) 欧洲 难度：较易分值：2.0 3. 一部正在畅销的小说被作者、编剧改编成电视连续剧，并投入制作，搬上荧屏，这是信息 的____特征。 (A) 可检索性 (B) 可共享性 (C) 可转换性 (D) 可存储性 难度：较易分值：1.5 4. 运用科学的方法，有目的地收集、整理和分析研究有关市场营销方面的信息，提出解决问 题的建议，供营销人员了解营销环境，发现机会与问题，作为市场预测与营销决策的依据，我们把它称之为 (A) 营销信息系统 (B) 市场调研 (C) 市场预测 (D) 决策支持系统 难度：较易分值：2.0 5. 产品组合的宽度是指产品组合中所拥有_____的数目。 (A) 产品项目 (B) 产品线 (C) 产品种类 (D) 产品品牌 难度：较易分值：2.0 6. 准确地计算产品所提供的全部市场认知价值是_____的关键。 (A) 认知价值定价法 (B) 反向定价法 (C) 需求差异定价法 (D) 成本导向定价法 难度：较易分值：1.5 7. “市场同合化”的理论，主张从______的比较出发适度细分市场。 (A) 成本和收益 (B) 需求的差异性和一致性 (C) 利润和市场占有率 (D) 企业自身与竞争者资源条件 难度：较易分值：2.0 8. 区分战略经营单位的主要依据是多项业务之间是否存在共同的 (A) 经营目标 (B) 经营方针 (C) 经营主线 (D) 经营利益 难度：较易分值：1.5 武汉理工大学考试试题（A 卷） 课程名称：高等数学A （下） 专业班级：2009级理工科专业 题号 一 二 三 四 五 六 七 总分 题分 15 15 24 16 16 8 6 100 备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）应按顺序答在答题纸上。 一、单项选择题（35?=15分） 1. 设线性无关的函数123(),(),()y x y x y x 均是二阶非齐次线性微分方程 ()()()y p x y q x y f x '''++=的解，12,c c 是任意常数，则该方程的通解是（ ）. A ．1122123(1)y c y c y c c y =++-- B ．11223y c y c y y =++ C ．1122123(1)y c y c y c c y =+--- D ．1122123()y c y c y c c y =+-+ 2. 曲线23,,x t y t z t ===在点(1,1,1)处的法平面方程为（ ）. A ．236x y z +-= B ．236x y z ++= C ．236x y z --= D ．236x y z -+= 3.设有三元方程ln 1xz xy z y e -+=，根据隐函数存在定理，存在点()0,1,1的一个邻域，在该邻域内该方程只能确定（ ）. A ．一个具有连续偏导数的隐函数(,)z z x y = B ．两个具有连续偏导数的隐函数(,)x x y z =和(,)z z x y = C ．两个具有连续偏导数的隐函数(,)x x y z =和(,)y y x z = D ．两个具有连续偏导数的隐函数(,)y y x z =和(,)z z x y = 4. 设(,)f x y 为连续函数，则二次积分1 40 (cos ,sin )d f r r rdr πθθθ??=（ ）. A ．2 212 (,)x x dx f x y dy -? ? B ．2 212 (,)x dx f x y dy -?? C ．2 212 (,)y dy f x y dx -? ? D ． 2 212 (,)y y dy f x y dx -? ? 5. 级数3 1 sin n n n α ∞ =∑ 的收敛情况是（ ）. A ．绝对收敛 B ．收敛性与α有关 C ．发散 D ．条件收敛 …………装订 线……………… 装订线内不要答题，不要填写信息………………装订线………… 武汉理工大学考试试题答案（A卷）2014 ~2015 学年2 学期普通化学课程 一、选择题（共20分，每小题2分） 1. B; 2. B; 3. D; 4. D; 5. C; 6. A(或D或者AD); 7. B; 8. C; 9. C; 10. C 二、填空题（共20分，每空1分） 11. 1s22s22p63s23p63d104s1（注：写成[Ar]3d104s1也得分）； 4 12. (注：未写出cθ也得分) 13. sp；sp2；sp3；不等性sp3 14. Br2；I- 15. -3211；正（或右） 16. ； 1.09×1017 17. 7.45×10-7；7.87 18. 增大；减小 19. [Cu(NH3)4]SO4 20. HSO- 4 >HAc>H2S > HCO--2---2 三、是非题（共10分，每小题2分） 21. ×; 22. ×; 23. √; 24. ×; 25. × 四、问答题（共10分，每小题5分） 26. 答： ) O H (2 2 kc v=( 3分) 一级反应( 2分) 27.答： 选用BaCl2为沉淀SO42-的试剂，生成溶度积很小的BaSO4，利于SO42-沉淀完全，达到除杂的要求。( 2分) 过量的Ba2+，用Na2CO3(aq)作为沉淀试剂，生成BaCO3沉淀。( 2分) 过量的CO32-，可采用加HCl生CO2除之；并控制溶液pH值接近6~7。 在上述除杂过程中所引进的Cl-，Na+，恰是食盐的基本组成。( 1分) {}{} {}{}2θ eq 4 θ eq θ 2 eq θ 2 eq θ Cl H Cl M n c c c c p p c c K ) ( ) ( ) ( ) ( - + + = 武汉理工大学考试试题 （A 卷） 课程名称 模拟电子技术基础B 专业班级 软件工程0601 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分 20 20 12 8 12 16 12 备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题） 一. 填空题：（每空1分，共20分） 1.在P 型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。 P 型半导体主要靠（ ）导电。 2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（ ）状态。 3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他 们的导电过程仅仅取决于（ ）的运动。 4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（ ）偏置和集电结电压应为（ ）偏置。 5.共射放大电路有（ ）电压增益，（ ）电流增益，温度升高时，其增益均会（ ）。 6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（ ）组态电路。 7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。 二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（ ）。 ① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体 2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（ ）。 ①. I S e U ②. T U U I e S ③. )1e (S －T U U I 3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。 ① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏 4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。 ① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时 5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ） 。 ①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管 6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。 ① BQ I ；② BE U ；③ CQ I ：④ CEQ U 7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ， 那么它的β约为（ ）。 ①. 83 ②. 91 ③. 100 1、武汉理工大学最有优势的特色专业 武汉理工大学是一所工科类重点本科院校，拥有共14个最好专业（特色专业）。武汉理工大学动画、通信工程、材料科 学与工程、车辆工程、矿物加工工程、工业设计、机械工程及 自动化、轮机工程、船舶与海洋工程、车辆工程、国际经济与 贸易、土木工程、物流工程、工程力学等专业可以说是武汉理 工大学最有优势的特色专业了，这些专业为同类型高校相关专 业和本校的专业建设与改革起到示范带动作用。 2、哈尔滨理工大学优势专业排名 高分子材料与工程 机械设计制造及其自动化 信息与计算科学 金属材料工程 测控技术与仪器 计算机科学与技术 3、华东理工大学最有优势的特色专业 华东理工大学是一所工科类重点本科院校，拥有共12个最好专业（特色专业）。华东理工大学应用化学、过程装备与控制工程、化学工程与工艺、制药工程、高分子材料与工程、生物工程、社会工作、自动化、环境工程、信息管理与信息系统、新能源材料与器件、资源循环科学与工程等专业可以说是华东理工大学最有优势的 特色专业了，这些专业为同类型高校相关专业和本校的专业建设与改革起到示范带动作用。 昆明理工大学最有优势的特色专业 昆明理工大学是一所工科类普通本科院校，拥有共8个最好专业（特色专业）。 昆明理工大学冶金工程、建筑学、机械工程及自动化、矿物加工工程、信息管理与信息系统、电气工程及其自动化、水利水电工程、环境工程等专业可以说是昆明理工大学最有优势的特色专业了，这些专业为同类型高校相关专业和本校的专业建设与改革起到示范带动作用。 兰州理工大学优势专业排名 热能与动力工程 材料成型及控制工程 机械设计制造及其自动化 过程装备与控制工程 土木工程 自动化 北京理工大学优势专业排名 软件工程（设3个专业方向） 安全工程 地面武器机动工程 车辆工程 信息对抗技术 机械工程及自动化 武器系统与发射工程 毕业设计指导书 （适用：网络学院机械设计工程及自动化专业专升本） 一、毕业设计的目的 毕业设计是机自专业最重要的实践环节之一，学生在学习完《机械制造技术基础》、《机电传动器控制》、《单片机应用系统设计》、《机械制造装备设计》等专业基础课和专业课后所进行的最后一个实践性教学环节，其基本目的是： 1. 熟悉和掌握根据毕业设计课题进行调查研究、收集设计资料的方法和途 径; 2. 综合运用机械设计以及机电控制等各种课程的理论及实践知识，去分析 和解决一般工程项目的技术设计问题，掌握一般机械工程师所必需掌握 的设计方法和技能,并使所学知识得到进一步的学习和应用。 二、毕业设计的内容和要求 毕业设计分两个阶段进行：毕业实习阶段和毕业设计阶段： （一）毕业实习 1．毕业实习目的和要求 学生通过毕业实习实践环节,结合毕业设计课题作实地调查研究,了解国内外与设计课题有关的技术现状,收集毕业设计有关信息和资料, 为毕业设计作准备. 2．实习地点 就近安排到各函授站的厂矿企业或机械研究所实习.如经济条件允许,指导教师可安排学生到外地实习. 3．实习内容和要求 1）．学生到生产现场作实际调查研究,了解并收集与毕业设计课题有关的技术信息和资料.学生必须认真做好生产现场实习笔记;尽可能详细地记录与设计课题有关的设备的结构布局、外形尺寸、重要部件的工作原理、结构形状与尺寸，以及设备的主要动力参数和运动参数，如：各电机的型号、功率及转速、主运动速度、进给速度等。这些资料，对毕业设计有重要的参考价值。 2）．学生到图书馆收集有关毕业设计的图书资料,了解国内外有关设备的技术资料，并做好读书笔记; 3）. 实习期间,学生必须做到一切行动听指挥,自觉遵守实习纪律和实习厂规章制度;切实做到人身安全和设备安全.指导教师应联系安排厂方有关人员对学生进行安全教育。 4）.实习结束后,学生必须认真整理生产现场收集的设计资料和读书笔记 第15章习题参考答案 15.1 (1) 谷氨酰胺(2)亮氨酸(3)赖氨酸(4)谷氨酸(5) 色氨酸(6) 组氨酸 15.2 COOH CH 2COOH H H 2N COOH 2SH H H 2N COOH H H 2N H CH 3C 2H 5 R C H 2 H 3N C O O H + H 3N C O O H + C H 2S H 酪氨酸 半胱氨酸 S-天门冬氨酸 S-半胱氨酸 （2S,3S ）异亮氨酸 S-酪氨酸 15.3 COO -NH 3+H OH H 3 COO -+ H 3N HO CH 3 COO -+ H 3N OH H CH 3 COO -NH 3+H HO 3 I II III VI 结构式I 为L-苏氨酸，手性标记为 (2S, 3R)。 15.4 (1) N a + C l - N O O H H 过量H C l 过量N aOH N O O -H N O O H H H Pro, 色氨酸 (2) C l - H O C H 2C H C O O N H 2 过量N aOH H O C H 2C H C O O H N H 3+ T yr, 酪氨酸 N a + N a +O - C H 2C H C O O -N H 2 (3) Cl - N a + H O CH 2CH CO O H N H 2过量H C l 过量N aOH H O C H 2C H CO O - N H 2 H O C H 2CH C O O H N H 3+Ser, 丝氨酸 (4) C l -H O O C C H 2C H C O O H N H 3+ 过量H C l 过量N aOH H O O C C H 2C H C O O H N H 2 A sp, 天门冬氨酸 a +N a + -OO C C H 2C H C O O -N H 2 15.5 加入水合茚三酮，氨基酸有显色反应 15.6苯丙氨酸含一氨基一羧基，为中性氨基酸，其水溶液呈弱酸性。因其等电点pI=5.84,故：pH=3.0时带正电荷：在pH=5.8时净电荷为零，为两性离子：在pH=10.0时带负电荷： 15.7 (提示：考虑为什么杂环N 在Trp 中不是碱性的。) Lys 的结构为： H 2N C H 2C H 2C H 2C H 2C H C O O H N H 2 ，其分子中有两个氨基，在水溶液均可电离，必须加 第一章 一、基本概念 1．塑性形变及其形式：塑性形变是指一种在外力移去后不能恢复的形变。晶体中的塑性形变有两种基本方式：滑移和孪晶。 2．蠕变：当对粘弹性体施加恒定压力σ0时，其应变随时间而增加，这种现象叫做蠕变。弛豫：当对粘弹性体施加恒定应变ε0时，其应力将随时间而减小，这种现象叫弛豫。 3．粘弹性：一些非晶体，有时甚至多晶体在比较小的应力时可以同时表现出弹性和粘性，称为粘弹性，所有聚合物差不多都表现出这种粘弹性。 4．滞弹性：对于理想的弹性固体，作用应力会立即引起弹性应变，一旦应力消除，应变也随之消除，但对于实际固体这种弹性应变的产生与消除需要有限时间，无机固体和金属这种与时间有关的弹性称为滞弹性。 二、基本理论 1．金属材料和无机非金属材料的塑性变形机理：○1产生滑移机会的多少取决于晶体中的滑移系统数量。○2对于金属，金属键没有方向性，滑移系统多，所以易于滑移而产生塑性形变。对于无机非材料，离子键和共价键有明显的方向性，同号离子相遇，斥力极大，只有个别滑移系统才能满足几何条件与静电作用条件。晶体结构越复杂，满足这种条件就越困难，所以不易产生滑移。○3滑移反映出来的宏观上的塑性形变是位错运动的结果，无机材料不易形成位错，位错运动也很困难，也就难以产生塑性形变，材料易脆断。 金属与非金属晶体滑移难易的对比 金属非金属 由一种离子组成组成复杂 金属键物方向性共价键或离子键有方向性 结果简单结构复杂 滑移系统多滑移系统少 2．无机材料高温蠕变的三个理论 ○1高温蠕变的位错运动理论：无机材料中晶相的位错在低温下受到障碍难以发生运动，在高温下原子热运动加剧，可以使位错从障碍中解放出来，引起蠕变。当温度增加时，位错运动加快，除位错运动产生滑移外，位错攀移也能产生宏观上的形变。热运动有助于使位错从障碍中解放出来，并使位错运动加速。当受阻碍较小时，容易运动的位错解放出来完成蠕变后，蠕变速率就会降低，这就解释了蠕变减速阶段的特点。如果继续增加温度或延长时间，受阻碍较大的位错也能进一步解放出来，引起最后的加速蠕变阶段。 ○2扩散蠕变理论：高温下的蠕变现象和晶体中的扩散现象类似，并且把蠕变过程看成是外力作用下沿应力作用方向扩散的一种形式。 ○3晶界蠕变理论：多晶陶瓷中存在着大量晶界，当晶界位向差大时，可以把晶界看成是非晶体，因此在温度较高时，晶界粘度迅速下降，外力导致晶界粘滞流动，发生蠕变。 第二章 一、基本概念 1．裂纹的亚临界生长：裂纹除快速失稳扩展外，还会在使用应力下，随着时间的推移而缓慢扩展，这种缓慢扩展也叫亚临界生长，或称为静态疲劳。 2．裂纹扩展动力：物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能，反之，前者小于后者，则裂纹不会扩展。将上述理论用于有裂纹的物体，物体内储存的弹性应变能的降低（或释放）就是裂纹扩展动力。 武汉理工大学网络学院试卷 课程名称：计算机基础专业班级：入学复习题 备注: 学生不得在试题纸上答题(含填空题、选择题等客观题) 一、选择题（本题共40道小题，每小题1分，共40分）从每小题的四个备选答案中，选出—个正确的答案。 1、个人计算机属于＿＿。 A)微型计算机B)小型计算机C)中型计算机D)小巨型计算机 2、下列四项中，不属于多媒体所包括的媒体类型的是＿＿。 A) 图像B) X光C)音频D) 视频 3、下列软件中，属于系统软件的是＿＿。 A）用FORTAN语言编写的计算弹道的程序 B）FORTRAN语言的编译程序 C）交通管理和定位系统 D）计算机集成制造系统 4、CPU处理的数据基本单位为字,一个字的字长＿＿。 A) 为8个二进制位B) 为16个二进制位 C) 为32个二进制位D) 与CPU芯片的型号有关 5、邮局利用计算机对信件进行自动分捡的技术是＿＿。 A）机器翻译B）自然语言理解C) 过程控制D) 模式识别 6、Windows 的资源管理器窗口分为左、右两个部分，其中＿＿。 A）左边显示指定目录里的文件信息，右边显示磁盘上的树形目录结构 B）左边显示磁盘上的树形目录结构，右边显示指定目录里的文件信息 C）左边显示磁盘上的文件目录，右边显示指定文件的具体内容 D）两边都可以显示磁盘上的树形目录结构或指定目录里的文件信息，由用户决定 7、对于演示文稿中不准备放映的幻灯片，可以用＿＿下拉菜单中的“隐藏幻灯片”命令隐藏。 A）编辑 B）工具 C）视图 D）幻灯片放映 8、利用Outlook Express书写电子邮件是，在“抄送”栏应填入抄送人的＿＿。 A) 电话号码 B) 邮政编码 C) 家庭住址 D) E-mail地址 9、下列程序属于附件的是＿＿。 A) 我的电脑B) WORD C) 网上邻居D) 画笔 10、计算机病毒不可以＿＿。 A）破坏计算机硬件B）抢占系统资源，影响计算机运行速度 C) 破坏计算机中的数据D) 使用户感染病毒而生病 11、在Excel中，用户在工作表中输入日期，＿＿形式不符合日期格式。 A) '20-02-2000' B) 02-OCT-2000 C) 2000-10-01 D) 2000/10/01 12、多任务机制是指操作系统可以控制＿＿时间分配，让计算机同时执行多个应用程序。 A) 控制器B) 运算器C) 存储器D) CPU 13、在使用Windows过程中，不使用鼠标，可以打开“开始”菜单的操作是＿＿。 武汉理工大学考试试题 课程：知识产权B卷 班级姓名 一、简述题（每小题8分，共计24分） 1、简述著作权的内容。 2、简述知识产权的范围。 3、简述商业秘密的构成要件。 二、论述题（16分） 4、论述获得专利权的实质条件。 三、案例分析题（5小题，20分；6小题，30分，共计60分） 5、原告广州冲击波音像实业有限公司，住所地广东省广州市天河区体育东路羊城国际贸易中心西塔1101室。 被告河北纪元光电有限公司，住所地河北省石家庄市高新区海河道29号。 被告山东文化音像出版社，住所地山东省济南市历城区山大北路27号。 被告湖南王一实业集团精彩生活超市有限公司，住所地湖南省长沙市晚报大道218号。 原告冲击波公司诉称，原告系《神秘园》（《Secret Garden》）系列曲目的著作权人环球唱片有限公司授权在中国大陆的唯一合法版权享有者，享有《神秘园》（《Secret Garden》）系列曲目在中国大陆的独家复制、出版、发行权，该权利已经国家版权局审核登记，并获得文化部批准。2006年10月16日，原告在被告精彩生活超市发现并购买一套音像制品，外包装盒面标有“神秘园”、“山东文化音像出版社”、“ISRC CN-E26-05-377-00/A.J6”字样，该音像制品的SID码为ifpiG420。经查，该侵权光碟由被告纪元光电公司接受被告山东文化音像出版社委托复制。原告认为上述三被告的行为侵犯了原告的合法权益，给原告造成了巨大的经济损失，特诉至人民法院，请求依法判令：1、三被告立即停止侵权行为；2、被告纪元光电公司、山东文化音像出版社连带赔偿原告经 济损失50万元；3、被告纪元光电公司、山东文化音像出版社连带赔偿原告为制止侵权行为发生的合理费用5000元；4、被告纪元光电公司、山东文化音像出版社承担本案的诉讼费用。 被告纪元光电公司辩称：1、原告对《神秘园》作品没有合法授权，无权主张任何权利，原告提交的证据，无法证明其有《神秘园》的著作权，反而证明《神秘园》作品的合法权利人是辽宁文化艺术音像出版社，而不是原告；2、我公司不侵权，亦没有任何过错，不应承担任何责任。我公司是根据山东文化音像出版社的委托制作《神秘园》光碟，不负责该光碟的出版、销售，即使侵权，也应该由委托方山东文化音像出版社承担责任。故请求人民法院依法驳回原告的诉讼请求。 被告精彩生活超市辩称，我公司出售的是经合法授权的《神秘园》光碟，不侵权。我公司的供货商是长沙振雄音像公司，该公司得到了原告冲击波公司的授权。 被告精彩生活超市以三份证据证明其购进和经营《神秘园》音像制品的渠道是合法的。 2005年6月，被告山东文化音像出版社作为委托方，被告纪元光电公司作为受托方，共同签订了《录音录像制品复制委托书》（No.0522918），其主要内容为：山东文化音像出版社委托纪元光电公司复制《神秘园》CD两万张。 2006年10月16日，原告工作人员在被告精彩生活超市购得被控侵权CD《神秘园》，一套三张，共计54首乐曲，其中包含了原告请求保护的51首曲目，并取得销售发票（发票号：143010520431）。该CD外包装盒上标有“神秘园Secret Garden、山东文化音像出版社、ISRC CN-E26-05-377-00/A.J6”字样，其中A、B、C三张光盘均刻有激光数码储存片来源识别码（SID码）“ifpiG420”。经查，该SID码属于河北纪元光电有限公司。此外，原告工作人员还在北京、衡阳等地发现并购买了被控侵权CD《神秘园》。 另查明，原告冲击波公司为调查、制止涉案三被告的侵权行为所发生的合理费用为2504元。 问题： ………… 试卷装订线……………… 装订线内不要答题，不要填写考生信息………………试卷装订线………… 试卷装订线……………… 装订线内不要答题，不要填写考生信息………………试卷装订线 ………… ………… 装订线……………… 装订线内不要答题，不要填写信息………………装订线………… 武汉理工大学考试试题答案（B卷）2011 ~2012 学年 1 学期普通化学课程 一、选择题（共20分，每小题2分） 1. A; 2. C; 3. A; 4. D; 5. C; 6. A; 7. D; 8. B; 9. B; 10. B 二、填空题（共20分，每空1分） 11. 1s22s22p63s23p63d104s1； 4 ；ds 12. 色散力；诱导力；取向力13. -3211；正（或右） 14. 2 ；4f 15. 直线形；（平面）正三角形；正四面体；V形 16. Ag2CrO4(s) + 2Cl-(aq) 2AgCl(s) + CrO42-(aq) ； 3.4×107 17. 3.74×10-5；0.075 % 18. 增大；减小 三、是非题（共10分，每小题1分） 19. ×; 20. ×; 21. √; 22. ×; 23. √; 24. ×; 25. ×; 26. ×; 27. ×; 28. √ 四、问答题（共10分，每小题5分） 29. 解： 选用BaCl2为沉淀SO42-的试剂，生成溶度积很小的BaSO4，利于SO42-沉淀完全，达到除杂的要求。( 2分) 过量的Ba2+，用Na2CO3(aq)作为沉淀试剂，生成BaCO3沉淀。( 3分) 过量的CO32-，可采用加HCl生CO2除之；并控制溶液pH值接近6~7。( 4分) 在上述除杂过程中所引进的Cl-，Na+，恰是食盐的基本组成。( 5分) 30. 解： 酸：HS-, H2PO4-, H2S, HCl, H2O ( 2分) 碱：HS-, CO32-, H2PO4-, NH3, NO2-, Ac-, OH-, H2O ( 4分) 既是酸又是碱：HS-, H2PO4-, H2O ( 5分) （在水溶液中，液氨应为碱，由于液氨也能离解为NH4+和NH2-, 部分学生将NH3写成既是酸又是碱也认为是正确的）， 目录 1.原理电路的设计 (1) 1.1总体方案设计 (1) 1.1.1简单原理叙述 (1) 1.1.2设计方案选择 (1) 1.2单元电路的设计 (3) 1.2.1温度信号的采集与转化单元——温度传感器 (3) 1.2.2电压信号的处理单元——运算放大器 (4) 1.2.3电压表征温度单元 (5) 1.2.4电压控制单元——迟滞比较器 (6) 1.2.5驱动单元——继电器 (7) 1.2.6 制冷部分——Tec半导体制冷片 (8) 1.3完整电路图 (10) 2.仿真结果分析 (11) 3 实物展示 (13) 3.1 实物焊接效果图 (13) 3.2 实物性能测试数据 (14) 3.2.1制冷测试 (14) 3.2.2制热测试 (18) 3.3.3性能测试数据分析 (20) 4总结、收获与体会 (21) 附录一元件清单 (22) 附录二参考文献. (23) 摘要 本课程设计以温度传感器LM35、运算放大器UA741、NE5532P及电压比较器LM339N 为电路系统的主要组成元件，扩展适当的接口电路，制作一个温度控制系统，通过室温的变化和改变设定的温度，来改变电压传感器上两个输入端电压的大小，通过三极管开关电路控制继电器的通断，来控制Tec制冷片的工作。这样循环往复执行这样一个周期性的动作，从而把温度控制在一定范围内。学会查询文献资料，撰写论文的方法，并提交课程设计报告和实验成品。 关键词：温度；测量；控制。 Abstract This course is designed to a temperature sensor LM35, an operational amplifier UA741， NE5532P and a voltage comparator LM339N circuit system of the main components. Extending the appropriate interface circuit, make a temperature control system. By changing the temperature changes and set the temperature to change the size of the two input ends of the voltage on the voltage sensor, an audion tube switch circuit to control the on-off relay to control Tec cooling piece work. This cycle of performing such a periodic motion, thus controlling the temperature in a certain range. Learn to query the literature, writing papers, and submitted to the curriculum design report and experimental products. Key words: temperature ; measure ;control 071301：材料物理专业 培养目标、就业前景、开设该专业的学校名单、 专业排名及相关评价 转载本站中国大学专业评价资料，请注明“本资料来自好生源高考志愿填报系统” 专业级别：本科所属专业门类：材料科学类报读热度：★★★ 培养目标：本专业培养较系统地掌握材料科学的基本理论与技术，具备材料物理相关的基本知识和基本技能，能在材料科学与工程及与其相关的领域从事研究、教学、科技开发及相关管理工作的材料物理高级专门人才。 培养要求：本专业学生主要学习材料科学方面的基本理论、基本知识和基本技能，受到科学思维与科学实验方面的基本训练，具有运用物理学和材料物理的基础理论、基本知识和实验技能进行材料研究和技术开发的基本能力。 毕业生应获得的知识与能力： 1．掌握数学、物理、化学等方面的基本理论和基本知识； 2．掌握材料制备（或合成）、材料加工、材料结构与性能测定及材料应用等方面的基础知识、基本原理和基本实验技能； 3．了解相近专业的一般原理和知识； 4．熟悉国家关于材料科学与工程研究、科技开发及相关产业的政策，国内外知识产权等方面的法律法规； 5．了解材料物理的理论前沿、应用前景和最新发展动态，以及材料科学与工程产业的发展状况；6．掌握中外文资料查询、文献检索以及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；具有一定的实验设计，创造实验条件，归纳、整理、分析实验结果，撰写论文，参与学术交流的能力。 主要课程：基础物理、近代物理、固体物理、材料物理学等。 学业年限：四年 授予学位：理学或工学学士 职业方向：从事科研或在钢铁、有色金属、化工、军工、能源等相关企事业单位从事技术开发与管理。开设材料物理专业院校毕业生能力用人单位评价： 本专业毕业生能力被评为A+等级的学校有： 武汉大学西安交通大学中山大学北京科技大学 西北工业大学 本专业毕业生能力被评为A等级的学校有： 复旦大学南京大学四川大学中国科学技术大学 山东大学哈尔滨工业大学大连理工大学东北大学 兰州大学云南大学燕山大学武汉理工大学 华东理工大学湘潭大学西南科技大学河北工业大学 天津理工大学 本专业毕业生能力被评为B+等级的学校有： 南开大学东北师范大学哈尔滨工程大学贵州大学 华南师范大学南昌大学中国石油大学(华东)西南大学 合肥工业大学安徽大学济南大学青岛大学 上海大学南京信息工程大学浙江师范大学南京邮电大学 陕西科技大学西安理工大学武汉科技大学湖北大学 成都信息工程学院内蒙古工业大学西安石油大学江西理工大学 景德镇陶瓷学院武汉工程大学重庆交通大学江西科技师范学院 本专业毕业生能力被评为B等级的学校有： 太原理工大学上海应用技术学院哈尔滨理工大学中国民航大学 辽宁工业大学郑州轻工业学院青岛科技大学沈阳化工大学 台州学院淮北师范大学洛阳理工学院 本专业毕业生能力被评为C+等级的学校有： 九江学院宜春学院武汉理工大学考试试题纸
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