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三极管2SC5859参数规格 TO-3PL封装 电路原理应用

三极管2SC5859参数规格 TO-3PL封装 电路原理应用
三极管2SC5859参数规格 TO-3PL封装 电路原理应用

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·High Breakdown Voltage-

:V (BR)CBO =1500V(Min)

APPLICATIONS

·Designed for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T a =25℃)

SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V CBO Collector-Base Voltage 1500V V CEO Collector-Emitter Voltage 800V V EBO Emitter-Base Voltage 6V I C Collector Current-Continuous 25A I CM Collector Current-Pulse 50A P C Collector Power Dissipation @T C =25℃250W T J Junction Temperature 150℃T stg Storage Temperature Range -55~150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T C=25℃unless otherwise specified

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP.MAX UNIT V CEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining Voltage I C=10mA;I B=0800V V CE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C=20A;I B=5A 5.0V V BE(sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C=20A;I B=5A 1.5V

I CBO Collector Cutoff Current V CB=800V;I E=010μA

I CES Collector Cutoff Current V CE=1500V;R BE=0 1.0mA

I EBO Emitter Cutoff Current V EB=4V;I C=0 1.0mA

h FE-1DC Current Gain I C=1A;V CE=5V830

h FE-2DC Current Gain I C=20A;V CE=5V48

3.0μs

t stg Storage Time

I C=12A,I B1=2.4A;I B2=-4.8A

t f Fall Time0.2μs

三极管的封装及引脚识别

三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数,也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面,三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式;结构方面,三极管的封装为TO×××,×××表示三极管的外形;装配方式有通孔插装(通孔式)、表面安装(贴片式)和直接安装;引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-3、TO-220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格,其外形结构和规格分别用字母和数字表示,如TO-162、TO-92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 (1)B型:B型分为B-1、B-2、…、B-6共6种规格,主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管,其中B-1、B-3型最为常用。引脚排列:管底面对自己,由管键起,按顺时针方向依次为E、B、C、D(接地极)。其封装外形如图2(a)所示。 (2)C型:引脚排列与B型相同,主要用于小功率。其封装外形如图2(b)所示。 (3)D型:外形结构与B型相同。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(c)所示。 (4)E型:引脚排列与D型相同,封装外形如图3(d)所示。 (5)F型:该型分为F-0、F-1~F-4共5种规格,各规格外形相同而尺寸不同,主要用于低频大功率管封装,使用最多的是F-2型封装。引脚排列:管底面对自己,小等腰三角形的庵面朝下,左为E,右为B,两固定孔为C。其封装外形如图2(e)所示。¨ (6)G型:分为G-1~G-6共6种规格,主要用于低频大功率晶体管封装,使用最多的是G-3、G-4型。其中G-1、G-2为圆形引出线,G-3~G-6为扁形引出线。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(f)所示。 2.塑料封装 (1)S-1型、S-2型、S-4型:用于封装小功率三极管,其中以S-1型应用最为普遍。S-1、S-2、S-3型管的封装外形如图2(g)、(h)、(i)所示。引脚排列:平面朝外,半圆形朝内,引脚朝上时从左到右为E、B、C。 (2)S-5型:主要用于大功率三极管。引脚排列:平面朝外,半圆形朝内,引脚朝上时从左到右为E、B、C。S-5型的封装外形如图2(j)所示。 (3)S-6lA、S-6B、S-7、S-8型:主要用于大功率三极管,其中以S-7型最为常用。S-6A 引脚排列:切角面面对自己,引脚朝下,从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12(k)、(l)、(m)、(n)所示。 (4)常见进口管的外形封装结构:TO-92与部标S-1相似,TO-92L与部标S-4相似,TO126与S-5相似,TO-202与部标S-7相似。

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

多谐振荡器双闪灯电路设计与制作

多谐振荡器双闪灯电路设计与制作 南昌理工学院张呈张海峰 我们主张,电子初学者要采用万能板焊接电子制作作品,因为这种电子制作方法,不仅能培养电子爱好者的焊接技术,还能提高他们识别电路图和分析原理图的能力,为日后维修、设计电子产品打下坚实的基础。 上一篇文章《电路模型设计与制作》我们重点介绍了电路模型的概念以及电流、电压、电阻、发光二极管、轻触开关等基本知识,并完成了电路模型的设计与制作,通过成功调试与测试产品参数,进一步掌握了电子基础知识。 本文将通过设计与制作多谐振荡器双闪灯,掌握识别与检测电阻、电容、二极管、三极管。掌握识别简单的电路原理图,能够将原理图上的符号与实际元件一一对应,能准确判断上述元件的属性、极性。

一、多谐振荡器双闪灯电路功能介绍 图1 多谐振荡器双闪灯成品图

多谐振荡器双闪灯电路,来源于汽车的双闪灯电路,是经典的互推互挽电路,通电后LED1和LED2交替闪烁,也就是两个发光二极管轮流导通。 完成本作品的目的是为了掌握识别与检测电阻、电容、二极管、三极管。掌握识别简单的电路原理图,能够将原理图上的符号与实际元件一一对应,能准确判断上述元件的属性、极性。。 该电路是一个典型的自激多谐振荡电路,电路设计简单、易懂、趣味性强、理论知识丰富,特别适合初学者制作。 二、原理图 图2 多谐振荡器双闪灯原理图 三、工作原理 本电路由电阻、电容、发光二极管、三极管构成典型的自激多谐振荡电路。在上篇文章中介绍了电阻、和发光二极管,本文只介绍电容和三极管。 1、电容器的识别

电容器,简称电容,用字母C表示,国际单位是法拉,简称法,用F表示,在实际应用中,电容器的电容量往往比1法拉小得多,常用较小的单位,如微法(μF)、皮法(pF)等,它们的关系是: 1法拉(F)=1000000微法(μF),1微法(μF)=1000000皮法(pF)。 本的套件中使用了2个10μF的电解电容,引脚长的为正,短的为负;旁边有一条白色的为负,另一引脚为正。电容上标有耐压值上25V,容量是10μF。 2、三极管的识别 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅值较大的电信号, 也用作无触点开关,俗称开关管。套件中使用的是NPN型的三极管9013,当把有字的面向自己,引脚朝下,总左往右排列是发射极E,基极B,集电极C。如图3所示。 图3 三极管的引脚图 晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态: (1)截止状态 当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

2SA935三极管封装TO-92L

A,Dec,2010 2. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA935 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Switching Application MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -50μA,I E = 0 -80 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-2mA,I B = 0 -80 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-50μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V,I E = 0 -0.5 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-4V,I C = 0 -0.5 μA DC current gain h FE V CE =-3V, I C =-100mA 82 390 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA,I B =-50mA -0.4 V Collector output capacitance C ob V CB =-10V,I E =0, f=1MHz 20 pF Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-50mA 100 MHz CLASSIFICATION OF h FE RANK P Q R RANGE 82-180 120-270 180-390 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -80 V V CEO Collector-Emitter Voltage -80 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -0.7 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.doczj.com/doc/ca3761258.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按:这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

贴片三极管代码查找贴片,三极管资料及其封装

JX SOT23 BAV170 B dual cc Si diode low Ir JY SOT23 BAV199 dioda-2x JY SOT23 BAV199 D dual series Si diode lowIr JZ SOT23 BAW 156 JZ SOT23 BAW156 A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY52-02W I UHF varicap 1.75-1.25pF K SOD323 BAT68-03W I BAT68 Schottky K SOT23 2SK211 JFET K SOT323 MRF917 N npn RF fT 6GHz K0 SOT23 HSMP-3830 C gp pin diode HP3830 K1 SOT23 BCW71 NPN K1 SOT23 BCW71 N BC107A K1 SOT23 HSMP-3831 K gp pin diode HP3830 K14 DTA114G N pnp sw 50V 100mA w. b-eres K15 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K1p SOT23 BCW71 N BC107A K1t SOT23 BCW71 N BC107A K1X SOT23 KSC3265 NPN K2 SOT23 BCW72 NPN K2 SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300 K2 SOT23 HSMP-3832 D dual HP3830 pin diode K24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eres K25 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K2p SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300

三极管的封装形式

三极管的封装形式 是指三极管的外形参数,也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面,三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式;结构方面,三极管的封装为TO×××,×××表示三极管的外形;装配方式有通孔插装(通孔式)、表面安装(贴片式)和直接安装;引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-3、TO-220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格,其外形结构和规格分别用字母和数字表示,如TO-162、TO-92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。

图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 (1)B型:B型分为B-1、B-2、…、B-6共6种规格,主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管,其中B-1、B-3型最为常用。引脚排列:管底面对自己,由管键起,按顺时针方向依次为E、B、C、D(接地极)。其封装外形如图2(a)所示。 (2)C型:引脚排列与B型相同,主要用于小功率。其封装外形如图2(b)所示。 (3)D型:外形结构与B型相同。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(c)所示。 (4)E型:引脚排列与D型相同,封装外形如图3(d)所示。 (5)F型:该型分为F-0、F-1~F-4共5种规格,各规格外形相同而尺寸不同,主要用于低频大功率管封装,使用最多的是F-2型封装。引脚排列:管底面对自己,小等腰三角形的庵面朝下,左为E,右为B,两固定孔为C。其封装外形如图2(e)所示。¨ (6)G型:分为G-1~G-6共6种规格,主要用于低频大功率晶体管封装,使用最多的是G-3、G-4型。其中G-1、G-2为圆形引出线,G-3~G-6为扁形引出线。引脚排列:管底面对自己,等腰三角形的底面朝下,按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2(f)所示。 2.塑料封装

三极管型号及参数

这些虽不能涵盖所有的三极管型号,例如3DD系列等,但是都是极其常用的型号,例如901系列,简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告,找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管,放大倍数分为六级,在三极管上有标识: D级:64-91 E级:78-112 F级:96-135 G级:112-166 H级:144-220 I级:190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25/200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26/70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ

双三极管多谐振荡器电路工作原理

双三极管多谐振荡器电路工作原理 双三极管多谐振荡器 电路工作原理 多谐振荡器电路是一种矩形波产生电路.这种电路不需要外加触发信号,便能连续地, 周期性地自行产生矩形脉冲.该脉冲是由基波和多次谐波构成,因此称为多谐振 荡器电路. 电路结构 1.路图 2.把双稳态触发器电路的两支电阻耦合支路改为电容耦合支路.那么电路就没有稳 定状态,而成为无稳电路 3.开机:由于电路参数的微小差异,和正反馈使一支管子饱和另一支截止.出现一个暂 稳态.设Q1饱和,Q2截止. 工作原理 正反馈: Q1饱和瞬间,VC1由+VCC 突变到接近于零,迫使Q2的基极电位VB2瞬间下 降到接近 —VCC,于是Q2可靠截止. 注:为什么Q2的基极产生负压,因为Q1导通使Q1 集电极的电压瞬间接近于零,电容C1的

正极也接近于零,由于电容两边电压不能突变使得电容的负端为—VCC。 2.第一个暂稳态: C1放电: C2充电: 3.翻转:当VB2随着C1放电而升高到+0.5V时,Q2开始导通,通过正反馈使Q1截止,Q2饱和. 正反馈: 4.第二个暂稳态: C2放电: C1充电: 5.不断循环往复,便形成了自激振荡 6.振荡周期: T=T1+T2=0.7(R2*C1+R1*C2)=1.4R2*C 7.振荡频率: F=1/T=0.7/R2*C 8..波形的改善: 可以同单稳态电路,采用校正二极管电路 下面我们来做一个实验:如图 振荡周期: T=1.4R2*C=1.4*10000Ω*0.00001F=0.14s=140ms 此图利用Multisim仿真软件去求出时间与实际的偏差 数据测量图:此图测量了Q2的基极和集电极极,集电极的波形相当于图的矩形波,基极波形相当于图的锯齿波。

三极管无稳态多谐振荡器电路

课题一、三极管无稳态多谐振荡器电路 一、设计课题 《三极管无稳态多谐振荡器电路》 二、设计要求 1、不上电,灯不亮。 2、上电后,两颜色灯亮交替闪亮(一直亮)。 3、设计时请注意提高抗干扰性,以免误动作。亮灯时间可通过RC调节。 4、为了方便检查,用黄色LED和红色LED代替电灯 三、原理分析 三极管无稳态多谐振荡器电路工作原理如下: 此电路之输出并不会固定在某一稳定状态,其输出会在两个稳态(饱和或截止)之间交替变换,因此输出波形似近一方波。 如图2即为无稳态多谐震荡器电路,图中两个三极管Q1、Q2在“Q1饱和/Q2截止”和“Q1截止/Q2饱和”,二种状态周期性的互换,其工作原理如下:

图3 当VCC通电瞬间 图4 C2放电,C1充电回路 (1)如图3当VCC接上瞬间,Q1、Q2分别由RB1、RB2获得正向偏压,同时C1、C2亦分别经RC1、RC2充电。 (2)由于Q1、Q2的特性无法百分之百相同,假设某一三极管Q1之电流增益比另一个三极管Q2高,则Q1会比Q2先进入饱和(ON)状态,而当Q1饱和时,C2由Q1 CE极经VCC、RB2放电,在Q2 BE极形成一逆向偏压,促使Q2截止。同时C1经Rc2及Q1的BE极于短时间内完成充电至VCC,如图4所示。 图5 C1放电,C2充电回路 (3) Q1 ON、Q2 OFF的情形并不侍定的,当C2放电完后(T2=0.7 RB2 C2秒),C2由VCC经RB2、Q1C-E极反向充电,当充到0.7V时,此时Q2获得偏压而进入饱和(ON),C1由Q2 CE 极,Vcc、RB1放电,同样地,造成Q1 BE极逆偏压。Q1截止(OFF),C2经RC1及Q2B-E 极于短时间充至VCC,如图5所示。

常用发射三极管的参数

常用发射三极管的参数 型号功率增益电压频率工作状态封装123脚 2N3375 10W 5dB 28V 400MHz FM/AM/SSB TO-60 2N3553 2.5W 10dB 28V 175MHz FM/AM TO-39 CBE 2N3632 20W 7dB 28V 175MHz FM TO-60 2N3866 5W 10dB 28V 400MHz WINTransceiver TO-39 CBE 2N3924 4W 6dB 13.6V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N4427 2W 10dB 12V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5108 1W 5dB 24V 1200MHz WINTransceiver TO-39 2N5109 3.5W 11dB 15V 200MHz WINTransceiver TO-39 2N5421 3W 9dB 13.5V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5913 2W 7dB 12.5V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39 2SC730 0.8W 10dB 13.5V 175MHz FM TO-39 CBE 2SC1096 10W 60MHz FM TO-220 2SC1173 10W 100MHz FM/AM/SSB TO-220 2SC1306 16W 30MHz FM/AM/SSB TO-220 BCE 2SC1307 16W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 BCE 2SC1590 5W 10dB 12.5V 136-174MHz FM TO-220 BEC 2SC1591 14W 7.5dB 12.5V 136-174MHz FM TO-220 BEC 2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 BCE 2SC1728 8W 80MHz WINTransceiver TO-202 EBC 2SC1729 14W 10dB 13.5V 175MHz FM T-31E 2SC1909 10W 14.5dB 13.5V 50MHz FM/AM/SSB TO-220 BCE 2SC1944 13W 11.1dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-220 BCE 2SC1945 16W 14.5dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 BEC 2SC1946 25W 6.7dB 13.5V 175MHz FM T-31E 2SC1946A 30W 10dB 13.5V 175MHz FM T-31E 2SC1947 3W 10dB 13.5V 175MHz FM TO-39 CBE 2SC1957 1.8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 ECB 2SC1966 3W 7.8dB 13.5V 470MHz FM T-31E 2SC1967 7W 6.7dB 13.5V 470MHz FM T-31E 2SC1968 14W 3.7dB 13.5V 470MHz FM T-31E 2SC1968A 14W 5.4dB 13.5V 470MHz FM T-31E 2SC1969 18W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 BCE 2SC1970 1.5W 10dB 13.5V 175MHz WINTransceiver TO-220 BEC 2SC1971 7W 10dB 13.5V 175MHz WINTransceiver TO-220 BEC 2SC1972 14W 10dB 13.5V 175MHz WINTransceiver TO-220 BEC 2SC1973 1W 50MHz WINTransceiver TO-92L BCE 2SC1974 13W 10dB 13.5V 30MHz WINTransceiver TO-220 BCE 2SC1975 4W 10dB 13.5V 30MHz WINTransceiver TO-220 BCE

通用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号:大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在,大屏幕彩色电视大都是数字高清,原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点,所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度,即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行,这样就会使行扫描的频率提高一倍,自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加,普通的行输出管已经不能胜任,要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有:C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等,这些行输出管的耐压都在1500V以上,电流多大于20A,但是由于其功耗比较大,损坏率还是比较高。归纳起来,其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足,行管不能迅速截止与饱和,导致行管内阻变大,将造成行输出电路的功耗增加,引起行输出管发烫,一旦超过行管功耗的极限值,便会使行管烧坏。 在海信高清电视中,行振荡方波信号是由数字变频解码板输出,经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后,送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态,故障率相对较高,损坏后就会造成行激励不足,损坏行输出管,对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外,行管基极的限流电阻阻值一般为0.1Ω,与行管的发射极串联,再与行激励变压器并联,若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障,且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高

在行逆程期间,偏转线圈会对逆程电容充电,逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小,充电时间越短,充电电压越高,因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以,当行一旦超过行管的耐压值,就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时,一般是测量电容的直流参数,而一些ESR等交流参数无法测量,所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降,产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善,则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善,所以这种情况不多见,表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的,电源设计比较合理,保护功能全,不像以前的老式电源电路,电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现,但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高,最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻,如果采用普通行管,发射结并联电阻的阻值比较小,会造成基极驱动电流小,激励不足,行电流过大(正常高清行电流在500mA~600mA)而再次损坏。更换行管后测量行电流,如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的,可将电阻阻值增大,甚至拿掉;如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的,可减小该电阻阻值,再次测量行电流,如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

三极管无稳态多谐振荡器电路_

三极管无稳态多谐振荡器电路 此电路之输出并不会固定在某一稳定状态,其输出会在两个稳态(饱和或截止)之间交替变换,因此输出波形似近一方波。 如图2即为无稳态多谐震荡器电路,图中两个三极管Q1、Q2在“Q1饱和/Q2截止”和“Q1截止/Q2饱和”,二种状态周期性的互换,其工作原理如下: 图2 (1)如图3当VCC接上瞬间,Q1、Q2分别由RB1、RB2获得正向偏压,同时C1、C2亦分 别经RC1、RC2充电。 图3 当VCC通电瞬间

(2)由于Q1、Q2的特性无法百分之百相同,假设某一三极管Q1之电流增益比另一个三极 管Q2高,则Q1会比Q2先进入饱和(ON)状态,而当Q1饱和时,C2由Q1 CE极经VCC、RB2放电,在Q2 BE极形成一逆向偏压,促使Q2截止Q1导通,由于c、e极之间此时是通的,所以c极处电位接近于负极(我们的图中是接地,就是接近于0V),由于电容C2的耦合作用,Q2基极电压接近于负极→不会产生基极电流,即Ib=0A→则Q1 e、c 之间断开(开关作用)同时C1经Rc2及Q1的BE极于短时间内完成充电至VCC,如图4所示。 图4 C2放电,C1充电回路 (3)Q1 ON、Q2 OFF的情形并不是稳定的,当C2放电完后(T2=0.7 RB2 C。C2由VCC经 RB2、Q1C-E极反向充电,当充到0.7V时,此时Q2获得偏压而进入饱和(ON),C1由Q2 CE极,Vcc、RB1放电,同样地,造成Q1 BE极逆偏压。Q1截止(OFF),C2经RC1及Q2B-E极于短时间充至 图5 C1放电,C2充电回路

(4)同理,C1放完电后(T=0.7 RB2 C1秒),Q1经RB1获得偏压而导通,Q2 OFF 如此反覆循环下去。如图6所示波形。 周期 T=T1+T2=0.7 RB1 C1+0.7 RB2 C2 若 RB1= RB2=RB 、 C2=C1=C 则 T=1.4RBC f= 图6 如果将RC1、RC2换成两个发光二极管,发光二极管一亮一暗,不断交替。也就是说,两个三极管中,一个饱和,另一个截止,而且不断交换。这种电路没有一个稳定的状态,叫做无稳态电路,无稳态电路的用途也很广,如汽车的转弯灯等。

MMST4403贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST4403规格参数

A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST4403 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary To MMST4401 ● Small Surface Mount Package MARKING:K3T MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 200 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V, I E =0 -100 nA Collector cut-off current I CEO V CE =-35V, I B =0 -500 nA V CE =-1V, I C =-100μA 30 V CE =-1V, I C =-1mA 60 V CE =-1V, I C =-10mA 100 V CE =-2V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE V CE =-2V, I C =-500mA 20 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -0.75 V I C =-150mA, I B =-15mA -0.75 -0.95 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.3 V Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA , f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8.5 pF https://www.doczj.com/doc/ca3761258.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

部分常见三极管参数大全

部分常见三极管参数大全[1] 晶体管型号反压Vbe0电流IC m功率PCM放大系数特征频率管子类型2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SC752G 40V 0.2A 0.2W * * NPN 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA933S 50V 0.1A 0.9W * * PNP BF324 30V 0.26A 0.25W * * PNP BD941F 120V 3A 19W * * NPN BC636 45V 1A 0.8W * * PNP 2SD1480 80V 4A 25W * * NPN 2SC3271 300V 0.1A 5W * * NPN 2SC2688 300V 0.2A 10W * * NPN 2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SD1138C 150V 2A 30W * * NPN 2SB882 60V - 1.7W * * PNP 2SC2377 20V 0.015A 0.2W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IR FP G42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型

常见贴片二、三极管的封装

www.mccsemi .com PACKAGE OUTLINES Note: Drawings Are Not To Scale C DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .166 ----- 4.20 B ----- .079 ----- 2.00 ? C ----- .020 ----- 0.52 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-35 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .028 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-41 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .021 .025 .53 .64 ? D 1.000 --- 25.40 --- A-405 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .230 .300 5.80 7.60 B .104 .140 2.60 3.60 ? C .026 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-15 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .300 ----- 7.62 B ----- .107 ----- 2.72 ? C .018 .022 0.46 0.56 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-7 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .370 ----- 9.50 B ----- .250 ----- 6.40 ? C .048 .052 1.20 1.30 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-201AD

三极管参数表

|常用三极管参数表 下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [

TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ¥

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