micron镁光nand命名规则
Standard NAND Flash Part Numbering System
Micron's part numbering system is available at Standard NAND Flash*
MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A
Micron Technology Design Revision (shrink)
A = 1st design revision
1. Single-Supply Flash
29F = Single-Supply NAND Flash Production Status
29H = High Speed NAND Blank = Production
ES = Engineering samples
2. Density QS = Qualification samples
1G = 1Gb MS = Mechanical samples
2G = 2Gb
4G = 4Gb Operating Temperature Range
8G = 8Gb Blank = Co mmercial (0°C to +70°C)
16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C)
32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C)
64G = 64Gb
128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)
256G = 256Gb Blank = Standard device
3. Device Width Flash Performance
08 = 8 bits Blank = Full specification
16 = 16 bits
4. Speed Grade (MT29H Only)
Classification 15 = 133 MT/s
12 = 166 MT/s
5. Mark Bit/cell Die RnB
A SLC 1 1 Package Code
B SL
C 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)
C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)
D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0
E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2
F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0
G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)
J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65
K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)
C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)
M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)
N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)
P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)
Q MLC 2 2
R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature Set
T MLC 4 2 A = 1st set of device features
U MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)
V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different) W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)
Y MLC 8 4 etc.
6. Operating Voltage Range
A = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V)
B = 1.8V (1.70–1.95V)
C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V)
*Contact Micron for help differentiating between standard and
next-generation NAND offerings
元器件封装及基本管脚定义说明 以下收录说明的元件为常规元件 A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。包括了实际元件的外型尺寸，所占空间位置，各管脚之间的间距等，是纯粹的空间概念。因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装. 普通的元件封装有针脚式封装(DIP与表面贴片式封装(SMD两大类. (像电阻，有传统的针脚式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD ）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。 元件按电气性能分类为:电阻, 电容(有极性, 无极性, 电感, 晶体管(二极管, 三极管, 集成电路IC, 端口(输入输出端口, 连接器, 插槽, 开关系列, 晶振,OTHER(显示器件, 蜂鸣器, 传感器, 扬声器, 受话器 1. 电阻: I.直插式 [1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W] AXIAL0.3 0.4 II. 贴片式 [0201 0402 0603 0805 1206] 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系 但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W
0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 III. 整合式 [0402 0603 4合一或8合一排阻] IIII. 可调式[VR1~VR5] 2. 电容: I.无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225] II. 有极性电容分两种: 电解电容 [一般为铝电解电容, 分为DIP 与SMD 两种] 钽电容 [为SMD 型: A TYPE (3216 10V B TYPE (3528 16V C TYPE (6032 25V D TYP E (7343 35V] 3. 电感: I.DIP型电感 II.SMD 型电感
ARM系统定制 以下是个人理解，经过看PPT，查课本，pdf，还有上网查阅总结得来，仅作参考。 简述： 系统定制的本质就是为新开发的硬件（开发板）定制软件系统。共分两大部分： 一：系统裁剪 二：系统移植 1、先说系统裁剪，首先ARM开发板本身的体系结构决定了，不同系列不同版本的ARM 可以共用（兼容）大部分的boot和内核代码，所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了，当然，如果整个软件系统打算亲手写的话，那就可以无视系统裁剪这个环节了（老师说这个基本上没有人写得出来）。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植，就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系，arm的总线结构，arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。 第一章：系统裁剪 1、系统裁剪之前，我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统，开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是：boot （uboot），kernel （内核），fs（文件系统,也在内核中），驱动程序（动态加载到内核，部分也已在内核中编译好）。 一、首先是uBoot流程分两个阶段（uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下，其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中，第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中，有兴趣的可以去看一看） 第一阶段：为自身准备（配置）硬件环境。主要操作有：(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗（W ATCHDOG），就是把WTCON寄存器写0。 （ldr r0, =pWTCON，mov r1, #0x0，str r1, [r0]）。 2、关中断，配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ，通过cpsr寄存器设置。（代码不列出来了，后面的代码都可以在starts.s文件中去看） 3、设置CPU的时钟频率（时钟分频），配置FCLK（cpu的频率）,HCLK（内部AHB 总线频率）,PCLK（外围APB总线频率）, 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM，为本身准备内存空间。配置内存空间（页表），设置堆栈。（通过调用）（通过调用lowlevel_init 函数，函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中） 5、配置NAND/NOR flash驱动，主要是nand_read ，nand_write的实现。 第二阶段：为内核准备（配置）环境。（代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中） 1、初始化本阶段的硬件设备：关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。
51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。
在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。 后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。 后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200 1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200
2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 4）贴片电阻的特性 ·体积小，重量轻； ·适应再流焊与波峰焊； ·电性能稳定，可靠性高； ·装配成本低，并与自动装贴设备匹配； ·机械强度高、高频特性优越。 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
1
1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
-1-
Part Number Decoder
1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.doczj.com/doc/c84345506.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.doczj.com/doc/c84345506.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写 如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量 再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头） 接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
常用SMT贴片元件封装说明 SMT是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的“明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC 类零件详细阐述。 标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 一、零件规格: 贴片电阻尺寸图
贴片电容尺寸图
含义1206/3216 L:1.2inch(3.2mm) W:0.6inch(1.6mm) 0805/2125 L:0.8inch(2.0mm) W:0.5inch(1.25mm) 0603/1608 L:0.6inch(1.6mm) W:0.3inch(0.8mm) 0402/1005 L:0.4inch(1.0mm) W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注：A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 贴片电阻 贴片排阻 2）电阻的命名方法
三星F L A S H命名规则
Samsung nand flash ID spec 三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下： 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。 2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 ： 目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting
pcb封装库命名规则 PCB封装库命名规则 1、集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2 、集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 3、电阻 3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号
如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 4、电容 4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 5、二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 7、晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 8、电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 9、光电器件 9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管 9.3 数码管使用器件自有名称命名 10、接插 10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种:2mm，2.54mm
三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M
Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面 标题栏主工具栏文档选项卡 工具箱 舞 属性面板编辑栏库面板
舞台：进行创作的主要工作区域。 标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。 场景概念： 时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具 动画播放控制器面板 属性窗口：设置对象属性 动作窗口：编写动作脚本 浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。 （二）Flash动画的制作原理 在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。
（三）重要概念 图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。 元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。 图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。 帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。 关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。 空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈； 普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。 帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
protel99se常用元件封装总结 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR （变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P 沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列， 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap; 封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi; 封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0
系列产品命名规则 图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51
和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀 下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示
89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器 在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开 后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装 后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准