装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地;
电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。 漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5」GBT,GTR,GTO 和电力MOSFET 勺驱动电路各有什么特点?
答: IGBT 驱动电路的特点是： 驱动电路具有较小的输出电阻, 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲， 这样可加速开通过程， 减小开通损耗，
关断时， 驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动 电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
第一章复习题
1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答： (1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流， 持电流。 即维
( 2)若要使已导通的晶闸管关断， 只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电 流降到接近于零的某一数值以下， 即降到维持电流以下， 便可使导通的晶闸管关断。 3.GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 吉构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能? 答：(1) GTO 在设计时，a2较大，这样晶体管 v2控制灵敏，易于 GTO 关断; (2) GTO 导通时a1+a2的更接近于1,普通晶闸管a1+a2> 1.5，而GTO 则为约等于 GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；
1.05 ， (3)多元集成结构每个 GTC 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 p2
4.如何防止电力 MOSFE 因静电感应引起的损坏? 答：
( 1 )
一般在不用时将其三个电极短接;
IGBT 是电压驱动型器件, IGBT
GTO 驱动电路的特点是：GTC 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡 度，且一般需要在整个导通期间施加正
门极电流，
关断需施加负门极电流， 幅值和陡度要求
更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFE 驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻, 单。
答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压, 减小器件的开关损耗。
RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，
Cs 经Rs 放电，Rs 起到限制放电电流的作
用；关断时，负载电流经
VDs 从Cs 分流，使du/dt 减小，抑制过电压。
试说明和电力 各自的优缺点。
（第7题答案）
1请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管_GTR 功率场效应晶体管 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 IGBT 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是
要有足够的驱动功率
幅值要高 ____________ 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
驱动功率小且电路简
6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析
RCD 缓冲电路中各元件的作用。
du/dt 或过电流和 di/dt ，
;可关断晶闸管GTO ； ；IGBT 是
MOSFET
触发脉冲前沿要陡
7、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，
通常在管子阳极电压降为 0之后，加一段时间 反
向电压。
8、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 9、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 10、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是阳极
氧化物压敏电阻 。
16、在电力晶闸管电路中， 常用的过电流保护措施有 入直流快速开关 、过电流继电器。（写出四种即可）
17、给晶闸管阳极加上一定的正向电压在门极加上正向电压, 管才能导
通。
11、普通晶闸管的图形符号是：
三个电极分别是阳极 A 阴极K 和门极G 晶闸
管的导通条件是承受正向电压，仅在门极有触发电流的情况下，关断条件 外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接
利用外加电压和
K
GID
RDSTEI
13、绝缘栅双极晶体管是 G 作为栅极 E 作为发射极与集电极
C 复合而成。
14、1、双向晶闸管的图形符号是
，三个电极分别是
第一阳极T ，第二阳极
15
、
和 门极G ；双向晶闸管的的触发方式有
、IIL 土、 JU
______________ .
。
般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压,
经常使用的保护方法是 RC 过电压抑制电路
而对于能量较大的过电压还需要设置非线性电阻保护,
目前常用的方法有雪崩二极管和金属
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 器。
均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗
4、在电力晶闸管电路中， 常用的过电流保护措施有 入直流快
速开关 、过电流继电器。（写出四种即可）
快速熔断器、串进线电抗器、接
5、晶闸管是硅晶体闸流管的简称， 常用的有普通晶闸管与门极可断晶闸管。
6、电力电子器件一般都工作在开关
状态。
2-3倍，使其有一定的电压裕量。
1.5-2 倍。
快速熔断器、串进线电抗器、接
并形成足够的门极电流， 晶体
18、对变流电路实施过电压保护时，过电压保护用到的主要原件有：电阻、电容、二极管、电感。
第二章复习题
初列利仝Sfi懒屈日眦解帥聃懂Ml M当恥阡此OiUjidd^ivTiW
②Ud, Id. lilT刑気分别咖卜
M 乜34112 ⑼ a =2.34 X luiO X
cosf)0°=117(V)
【归Ud/R二11 加二23.4(A)
[nvT=Id/3^23.4/3=7.8(A)
2
1
t
.
1
-
I
+
1
1,￡
1
1、双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要不同?
答：双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比, 反星形电路的输出
电流可大一倍。
2、指出造成逆变失败的几种主要原因?
答：（1）触发电路工作不可靠，不能适时、准确地给各晶体管分配脉冲，如脉冲丢失、脉 冲延时等，致使晶闸管不能正常换相，使交流电源电压和直流电动势顺向串联，形成短路。
（2）晶闸管发生故障，在应该阻断期间，器件失去阻断能力，或在应该导通期间，器 件不能导通，造成逆
变失败。
（3）在逆变工作时，交流电源发生缺相或突然消失，由于直流电动势 Em 的存在，晶闸 管仍可导通，此时
交流器的交流侧由于失去了同直流电动势极性相反的交流电压， 因此直流 电动势将通过晶闸管使电路短路。
（4）换相的裕量角不足，引起换相失败，应考虑变压器漏抗引起重叠角对逆变电路换 相的影响。
3、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件?
答：（1）要有直流电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流 侧的平均电压。
（2）要求晶闸管的控制角 a > n /2，使Ud 为负值。
4、晶闸管触发的触发脉冲需要满足哪几项基本要求?
答：、A:触发信号应有足够的功率。
B:触发脉冲应有一定的宽度，脉冲前沿尽可能陡，使元件在触发导通后，阳极电流 能迅速上升超过掣住电
流而维持导通。
C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，
脉冲移相范围必须满足电路要求。
5、实现正确触发的同步定相的方法步骤有哪些?
答：A 根据不同触发电路与脉冲移相范围的要求，确定同步信号电压 极电压之间的相位关系。
B :根据整流变压器 TS 的接法与钟点数，以电网某线电压作参考矢量，画出整流变压 器二次侧也就是晶闸
管阳极电压的矢量。再根据
A 确定同步信号U S 与晶闸管阳极电压的相
位关系，画出对应的同步相电压矢量和同步线电压的矢量。
C :根据同步变压器二次线电压矢量位置，定出同步变压器
TS 的钟点数和接法。只需
把同步变压器二次电压
Usu 、Usv 、Usw 分别接到VT1,VT3,VT5管的触发电路；Us （-U ）、Us （-
v ）、
在采用相同晶闸管的条件下，双 us 与对应晶闸管阳
Us(-w)分别接到VT4 VT6、VT2的触发电路，与主电路的各个符号完全对应，
即能保证触发
脉冲与主电路同步。
画出：负载电压 U d 、晶闸管VT1电压U VT1、整流二极管 VD2电压U VD2,在一周期内的电压波 形图
ler
7、晶闸管对触发电路有哪些要求?
跻必须右足够fKj 输出功率；
脏炭脉沖必须?；.4；创路也源电压ftiWI 町步： 触发牀沖?初一宦的啦度，U 牀冲丽沿塑吐： 圣
发脉冲的移和范m 应能满足土壯路的翌求;
8、三相半波整流电路，将整流变压器的二次绕组均分为两段，每段的电动势相同，接成两 折接法，其分段布置及矢
量图如图所示， 问变压器铁心是否被直流磁化，
为什么？
解：三相半波可控整流电路，当变压器二次绕组分成两组，按本题图示曲折接线，及矢量 图所示。变压器二次绕组中，同一相的两个绕阻的电流，
方向相反大小相等，因而形成的磁
通，方向也相反、磁通量大小也会相等。 这样变压器铁心中就不会存在直流磁通，
会被直流磁化了。
9、什么是逆变失败？逆变失败后有什么后果？形成的原因是什么?
解：逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败，该关断的器件末关断，该导通 的器件末导通。从而使逆变桥进入整流状态，
造成两电源顺向联接，形成短路。逆变失败后
果是严重的，会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流，
损坏开关器件。产生逆变失败的
原因：一是逆变角太小；二是出现触发脉冲丢失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等。
6、单相桥式半控整流电路，电阻性负载。当控制角 a =900时,
I8. A. C> n.
自然就不
CK
%
Um
10、实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？(
6 分）
答1、
实现有源逆变必须外接一直流电源，其方向与晶闸管电流方向相同，其数值要稍
大于逆变桥电压，才能提供逆变能量。另外变流器必须工作在
3 <900, ( a >90o )区域，使
L d <0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
11、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并 简述其控制原理。
答： 第一种调制方式为：保持开关周期不变，改变开关导通时间 t on 称为脉宽调制。简称
“ PWM 调制。第二种调制方式为：保持开关导通时间 t on 不变，改变开关周期，称为频率调
制。简称为“ PFM 调制。第三种调制方式为：同时改变周期 T 与导通时间t on 。使占空比改
变，称为混合调制。
12、对直流斩波电路的控制方式通常有哪几种？画出不同控制方式的输出电压波形。
13、一台工业炉原由额定电压为单相交流 220 V 供电，额定功率为 10千瓦。现改用双向晶 闸管组成的单相交流
调压电源供电，如果正常工作时负载只需要
5千瓦。试问双向晶闸管
的触发角a 应为多少度？试求此时的电流有效值， 以及电源侧的功率因数值。
三相桥式全控整流电路，
Lfc=100V ,带电阻电感性负载，R=5Q, L 值极大。
当控
a =60o 时，求：
ud
VT6 VT2 三相挤式全控整蹄电路」 带阴感性负载时的电跻图A
J ----- --- ?
L
! -------------------------------
■1卜
-J>
------------------------ -----------------------
20.直流饼波黠的控制方式右址频调宽控制*迟贲矚频控制.谓宽剛址控制二种"
*
------ >
n /2
32.1A ;
0.707 ;
14、
制角
A 、 画出 U d 、i d 、i VT1、 的波形。
B 、
计算负载平均电压 U 、平均电流I d 、流过晶闸管平均电流
I dVT 和有效电流I VT 的值。
VJL 云寳T5 vid
VT3 L-r'rT>
VT4
宁波工程学院 2013--2014 学年第 2 学期 《电工电子技术Ⅰ》课程期末考试A 卷 考试时间：100分钟 考试形式：闭卷 一、 在图1所示电路图中，E=5V ，u i =10sin ωt V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。（10分） + o (a)+ o (b) 图1 答： 班级： 姓名： 学号：
二、 电路如图2，U C C =12V ，R C =2K Ω,R E =2 K Ω，R B =300 K Ω，晶 体管的β=50。电路有2个输出端。试求：（1）电压放大倍数 o1 u1A i U U =和o2u2A i U U =；（2）输出电阻r o1和r o2。（15分） - + - +U CC U o1. 题2图 答：
三．如图3所示，已知：u i1 = 2V， u i2 = 4V， u i3 = 6V， u i4 = 8V， R1 = R2 = 2kΩ， R3 = R4 = R F = 1kΩ，求u o。（15分） 图3 答:u+ = (u i3/R3+u i4/R4)÷(1/R3+1/R4) = 7 =（1+1）7-1/2×2-1/2×4=11V
四．如图4所示，分析图的逻辑功能，要求（1）写出逻辑表达式，并化简；（2）列出逻辑状态表；（3）分析逻辑功能。（15分） 图4 （1） B C A = A + + Y+ C B C B A C A B （2） （3）三变量奇偶检验器。
五、某同学参加四门课程考试，规定如下： (1)课程A 及格得1分，不及格得0分； (2)课程B 及格得2分，不及格得0分； (3)课程C 及格得4分，不及格得0分； (4)课程D 及格得5分，不及格得0分。 若总得分大于8分(含8分)，就可结业。试用与非门实现上述要 求的逻辑电路。（ 15分）
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库
第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
XXXXX职业技术学校 2015－2016学年度第一学期 《电工基础》期末考试 命题：XX 校对：XX 考试时间：90分钟 使用年级、专业：2015级XXX专业 （请考生务必将每题答案转入答题卡，成绩以答题卡答案为准） 一、选择题（每题2分，共25题，共50分） 1、电荷的基本单位是（）。 A．安秒B．安培C．库仑 2、产生串联谐振的条件是（）。 A．XL＞Xc B．XL＜Xc C．XL＝Xc 3、两只额定电压相同的电阻串联接在电路中,其阻值较大的电阻发热 （）。 A．相同B．较大C．较小 4、电路主要由负载、线路、电源、（）组成。 A．变压器B．开关C．发电机 5、电流是由电子的定向移动形成的,习惯上把（）定向移动的方向作为电流的方向。 A．左手定则B．负电荷C．正电荷 6、交流电的三要素是指最大值、频率、（）。 A．相位B．角度C．初相角 7、正弦交流电的最大值是有效值的（）。 A．1/3 B．1/2 C．根号2倍 8、阻值不随外加电压或电流的大小而改变的电阻叫（）。 A．固定电阻B．可变电阻C．线性电阻 9、两根平行导线通过同向电流时,导体之间相互( )。 A．排斥B吸引C．产生涡流 10、感应电流所产生的磁通总是企图( )原有磁通的变化。 A．阻止B．增强C．衰减 11、电容器上的电压升高过程是电容器中电场建立的过程, 在此过程中,它从( )吸取能量。 A．电容B．高次谐波C．电源 12、串联谐振是指电路呈纯( )性。 A．电阻B．电容C．电感 13、电容器在直流稳态电路中相当于( )。 A．短路B．开路C．低通滤波器 14、串联电路中,电压的分配与电阻成( )。 A．正比B．反比C．1:1 15、并联电路中,电流的分配与电阻成( )。 A．正比B．反比C．1:1 16、在纯电感电路中,没有能量消耗, 只有能量( )。 A．变化B．增强C．交换 17、磁通的单位是( )。 A．MB B．WB C．T 18、串联电路具有以下特点( )。 A．串联电路中各电阻两端电压相等B．各电阻上分配的电压与各 自电阻的阻值成正比C．各电阻上电流不等 19、电容器并联电路有如下特点( )。 A．并联电路的等效电容量等于各个电容器的容量之和 B．每个电容两端的电流相等C．并联电路的总电量等于最 大电容器的电量 20、电场力在单位时间内所做的功称为( )。 A．功耗B．功率C．电功率 21、电力系统中以“kWh”作为（）的计量单位。 A．电压B．电能C．电功率 22、我国交流电的频率为50Hz，其周期为（）秒。 A．0．01 B．0．02 C．0．1 23、电路由（）和开关四部分组成。 A．电源、负载、连接导线B．发电机、电动机、母线 C．发电机、负载、架空线路 24、正弦交流电的幅值就是（）。 A．正弦交流电最大值的2倍B．正弦交流电最大值
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
《电工电子技术》期末考试卷专业年级姓名 一、单项选择题(每题4分，共40分) 1.任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是( ) A.一个理想电流源和一个电阻的并联电路 B.一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路 C.一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路 D.一个理想电压源和一个电阻的串联电路 2.图示电路中，所有输出功率的元件( ) A.仅有恒压源 B.仅有恒流源 C.有恒压源和恒流源 D.不能确定 3.某电路元件中，按关联方向电流) 10 i? - =A，两端电压t 2 90 sin( t 314 2 u=V，则此 220 314 sin 元件的无功功率Q为( ) A.-4400W B.-2200var C.2200var D.4400W 4.在负载为三角形连接的对称三相电路中，各线电流与相电流的关系是( ) A.大小、相位都相等 B.大小相等、线电流超前相应的相电流? 90 C.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流超前相应的相电流? 30 D.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流滞后相应的相电流? 30 5.在电路中用来对电气设备进行短路保护的电器是( ) A.交流接触器 B.热继电器 C.中间继电器 D.熔断器 6.制造普通变压器铁心的磁性材料是( ) A.碳钢 B.硅钢片 C.铝镍钴合金 D.硬磁铁氧体 7.通常用于扩大交流电流表测量量程的电流互感器，其副绕组的额定电流规定为( ) A.0.5A或2A B.1A或5A C.2A或10A D.3A或15A 8.一台三相异步电动机的磁极对数p=2，电源频率为50Hz，电动机转速n=1440r/min，其转差 率s为( ) A.1% B.2% C.3% D.4% 9.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时，电压放大倍数将( ) A.减少 B.增大 C.保持不变 D.大小不变，符号改变 10.在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压 U CC时，则该管工作状态为( ) A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定 二、图示对称三相电路中，R AB=R BC=R CA=100Ω，电源线电压为380V，求：(1)电压表和电流 表的读数是多少?(2)三相负载消耗的功率P是多少?（20分）
一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
1. 什么是电力电子技术？ 答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？ 答：对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？ 答：不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答： 开关电源： 优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源： 优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释：不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件，并举出代表 性器件的名称。 答： 不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件：电力二极管 导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。 关断条件：反向偏置，即承受反向电压。 半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其
在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件：晶闸管 全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。 典型器件：GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答：
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )