华侨大学本科考试卷
2017 —2018 学年 第 二 学期（A 卷）
学院 信息科学与工程学院 课程名称 微电子器件与电路 考试日期
姓名 专 业 集成电路与集成系统 学 号
题号 1 2 3 4 5 6 7 8 合计 分值 8 8 8 8 12 25 15 16 100 得分
常用物理量：
Si 本征载流子浓度1031.510i n cm ?=× 电子电荷量191.610q C ?=× 硅电子亲和能 4.01si q eV χ= 硅禁带宽度 1.12g E eV = 热电压 /26T V kT q mV == 真空介电常数1408.8510/F cm ε?=× 硅介电常数 011.7si εε= 二氧化硅介电常数 203.9siO εε= 金属铝的功函数为 4.28m q eV φ=
单位换算：369121510;10;10;10;10m n p f m ?????=====
1.[8%]已知T=300K 时，砷化镓半导体有效态密度为1734.710C
N cm ?=× 1837.010V
N cm ?=×，砷化镓的禁带宽度为 1.42g E eV = ，且禁带宽度不随温度变化。 (1)计算T=300K 时砷化镓的本征载流子浓度。【3%】 (2)计算T=400K 时砷化镓的本征载流子浓度。【3%】
(3)从半导体物理角度，定性解释为什么高温时，本征载流子浓度增加？【2%】
6. [25%] 一个MOS 晶体管制造在掺杂浓度为1631.510a
N cm ?=×的P 衬底上，氧化层厚度为10nm ，氧化层固定电荷密度Q SS 为1011#/cm -2
.MOS 电容面积为4210cm ??
(1)求栅氧化层单位面积电容Cox 【1%】
(2)当栅材料为金属铝时，试求金属半导体功函数差ms φ【2%】 (3)试求该MOS 结构的平带电压V FB 【2%】
(4)试求该MOS 结构在反型时最大耗尽层厚度x dTmax 【2%】 (5)试求该MOS 结构的阈值电压【5%】 (6)求平带时MOS 电容的电容值C FB 【3%】
(7)求该高频CV 特性测量中，反型点时MOS 电容具有最小电容C min 。【3%】 (8)画出该MOS 电容的高频CV 特性曲线，并标注关键点：需标注积累区和积累区电容，平带电压和平带电容，阈值电压和反型电容。【4%】
(9)如果需要将阈值电压调整到1.0V ，需要注入何种杂质？控制离子注入的剂量为多少(单位#/cm 2) 【3%】
7.[15%]在CMOS 工艺中，NMOS 和PMOS 的阈值电压V T 的绝对值接近相同，符号相反时性能最佳。为了达到这个V T 的对称性，PMOS 和NMOS 应有相同的衬底掺杂浓度以及对称的平带电压，也就是,,FB NMOS FB PMOS V V =?
(1)如果衬底掺杂浓度为163,510a d N cm ?=× ，且栅为N+多晶硅栅，分别计算NMOS 和PMOS 的平带电压，并判断平带电压是否对称？【3%】
(2) 如果衬底掺杂浓度为163,510a d N cm ?=× ，且栅为P+多晶硅栅，分别计算NMOS 和PMOS 的平带电压，并判断平带电压是否对称？【3%】
(3)如果工艺中只能选用一种栅材料，应该选取什么功函数的栅材料，以达到相同的|V T |。
【3%】 (4)如果允许使用N+栅和P+栅，会为NMOS 和PMOS 分别选取什么类型的栅？如果有多种方案，请判断哪种方案最好，并分析原因。【6%】
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子科技大学 2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总 ?111单独考试政治理论 ?241法语(二外) ?242德语(二外) ?243日语(二外) ?244英语(二外仅日语方向) ?288单独考试英语 ?601数学分析 ?602高等数学 ?613分子生物学 ?615日语水平测试 ?616公共管理综合 ?621英语水平测试 ?622心理学综合 ?623新闻传播理论 ?625宪法学 ?688单独考试高等数学 ?689西方行政史 ?690中国近现代史 ?691政治学原理 ?692数学物理基础?694生物学综合 ?694生物学综合 ?695口腔综合 ?804行政法与行政诉讼法学 ?805新闻传播实务 ?806行政管理综合 ?808金融学基础 ?809管理学原理 ?811大学物理 ?812地理信息系统基础 ?813电磁场与电磁波 ?814电力电子技术 ?815电路分析基础 ?818固体物理 ?820计算机专业基础 ?821经济学基础 ?824理论力学 ?825密码学基础与网络安全 ?830数字图像处理 ?831通信与信号系统 ?832微电子器件 ?834物理化学 ?835线性代数 ?836信号与系统和数字电路 ?839自动控制原理 ?840物理光学 ?845英美文学基础知识及运用 ?846英语语言学基础知识及运用 ?847日语专业基础知识及应用 ?852近代物理基础 ?853细胞生物学 ?854国际政治学 ?855辩证唯物主义和历史唯物主 义 ?856测控通信原理 ?857概率论与数理统计 ?858信号与系统 ?859测控通信基础 ?860软件工程学科基础综合
第一章 思考题： 1.1简单解释原子能级和晶体能带之间的联系和区别。 答：在孤立原子中，原子核外面的电子受到这个原子核所带正电荷的作用，按其能量的大小分布在不同的电子轨道上绕核运转。 原子中不同轨道上电子能量的大小 用彼此有一定间隔的横线段组成的 能级图来表示（见图1.1b）。能级的 位置越高，表示该能级上电子的能量 就越大。原子结合成晶体后，一个原 子核外的电子除了受到这个原子核 所带正电荷以及核外电子所带负电 荷的作用以外，还要受到这个原子周 围其它原子所带正负电荷的作用。也 就是说，晶体中的电子是在原子核的 正电荷形成的周期性势场中作如图 1.1（a）中箭头所示的共有化运动。 正因为如此，原来描述孤立原子中电 子能量大小的能级就被分裂成为一 系列彼此相距很近的准连续的能级， 其形状好似一条条反映电子能量大小的带子，故称之为能带，见图1.1（b）。 1.2以硅为例，解释什么是施主杂质和施主能级？什么是受主杂质和受主能级？ 答：以硅为例，见图1.2（a）， 如果在单晶硅中掺入Ⅴ族元素 的杂质磷（P+），磷原子()P将 取代Ⅳ族的硅(Si)原子的位置 而成为所谓的施主杂质。因为 磷原子外层有五个价电子，它 和周围的四个硅原子形成共价 键后还多出一个电子，这个多 余的电子受到磷原子核的微弱 束缚力而绕着该原子核做一定 半径的圆周运动，它只需要吸 收很小的能量（百分之几个电 子伏特）就能挣脱磷原子核的 束缚而成为可以在整个晶体中 运动的准自由电子，原来的磷 原子则成为了磷离子()+P，称 之为正电中心。从电子能量大小的观点来看，导带底能量E C表示导带中速度为零的电子所
2019温州大学建筑工程学院硕士研究生拟录取名单 639 103519214200058 金 洲 洲 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 380 94.1 83.2 1 专硕 全日 制 640 103519214200054 应 秉 哲 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 378 84.6 79.2 1 专硕 全日 制 641 103519214200079 戴鸣 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 380 83.7 79.1 1 专硕 全日 制 642 103519214200012 陈 建 鹏 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 377 84.4 79.0 1 专硕 全日 制 643 103519214200020 吕 金 晶 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 375 83.9 78.6 1 专硕 全日 制 644 103519214200035 苏 文 祥 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 368 84.5 78.0 1 专硕 全日 制 645 103519214200082 孙龙 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 371 81.8 77.2 1 专硕 全日 制 646 103519214200045 俞 宝 江 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 357 85.1 76.9 1 专硕 全日 制 647 103519214200010 沈颜 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 342 88.7 76.5 1 专硕 全日 制 648 103519214200037 邢 子 君 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 353 84.8 76.3 1 专硕 全日 制 649 103519214200053 刘 毅 杰 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 340 88.5 76.2 1 专硕 全日 制 650 103519214200059 余 忆 彬 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 353 84.7 76.2 1 专硕 全日 制 651 103519214200086 林 香 行 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 345 86.4 76.0 1 专硕 全日 制 652 103519214200034 施旷 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 346 86.1 76.0 1 专硕 全日 制 653 103519214200017 王 林 伟 建筑工程学 院 085213 建筑与土木工程 361 79.6 75.2 1 专硕 全日 制
发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest 标题: 微电子器件 发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内 填空： 一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系） 二.bjtA和bjtB。一个集电极是N－，一个集电极是N＋ 问： 哪个饱和压降大___， 那个early电压大___ 那个容易电流集边___. 哪个容易穿通电压大_____ 哪个容易击穿BVCBO.____, 三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响 简答： 1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。请解释原因 2.总结一下NN+结的作用。 大题： 1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。 2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef.... 求IB，Ic， 求π模型参数，gm，go，gu.. 3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图 总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！ 发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest 标题: 半导体器件-张莉 发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内 A卷 1。以下那些是由热载流子效应引起的。。。 。。。6个选项，待补充。。。 2。何谓准静态近似 3。为了加快电路开关时间参数应如何选取 。。。参数，电容，fT,beita,待补充 4。CE律的参数变化， Vt,xSiO2,N,结深 按照参数的变化规律下列效应将如何变化 （1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。。。//sigh,我把N弄反了，5个空全错
考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷） 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN结空间电荷区的形成
4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图 7）PN结的少子分布图 8) PN结的直流伏安特性 9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点
11）大注入效应 12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN结的交流小信号参数与等效电路 15）PN结的开关特性与少子存储效应
2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的特点 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图
9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算
13）晶体管的小信号参数 14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素
微电子前沿复习提纲 看一些微电子技术发展的知识 1.请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文： CPLD: Complex Programmable Logic Device复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL:generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table 显示查找表 IP: Intellectual Property 知识产权 SoC: System on Chip 片上系统 2.试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么 AGC BJT的工作频率范围受限? AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） ? AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理：当输入增加时，输出会同时增加，我们 可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益， 使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 ?工作频率范围受限原因： 1) 、自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件 的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求 宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 、实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基 区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3.为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET结构如图： 1) 、双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 、它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则 提高了频率。 4.为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163 A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒 电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为 （0.8）伏特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒 高度会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒 高度会（增高）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关 系可表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和（势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正 向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电 压较高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩 散长度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。
《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构： 填空题40分，40个空，每空1分， 选择题30分，15道题，每题2分， 问答题30分，5道题，每题6分 填空题 1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。 2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。 3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。 4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。 5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。 7.根据不同的击穿机理，PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。 8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。 9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。 11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。 12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线， 13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。 14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。 15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。 17. 在N 型半导体中电子是多子，空穴是少子； 18. 在P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。 21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极
第八组达标测试卷 一、基础达标。(共43分) 1．在加点字的正确读音下画“——”。(6分) 潜．入深海(qián qiǎn) 筛．选(shān shāi) 烹． 调(pēng hēng) 例．如(lì liè) 盐碱．(jiǎn xián) 储． 存(cǔ chǔ) 崭．新(zhǎn zhàn) 船舶．(bō bó) 凌． 空(lín líng) 提供．(gōng gòng) 奇迹．(jī jì) 楷模． (mú mó) 2．比一比，再组词。(4分) ?????赖（ ）懒（ ） ?????辐（ ）副（ ） ?????舶（ ）泊（ ） ?????综（ ）棕（ ） 3．正确书写词语。(8分) 4．连一连。(8分) 5．还原下面广告中的成语，找出改动的字画圈，把正确的字写在括
号里。(3分) 服装广告：百衣百顺()蚊香广告：默默无蚊() 磁化杯广告：有杯无患() 摩托车广告：骑乐无穷() 淋浴器广告：湿出有名() 软件广告：无网不胜() 6．用正确的关联词填空。(4分) (1)科学家们提出，鸟类()和恐龙有亲缘关系，()很可能 就是一种小型恐龙的后裔。 (2)()食用，太空归来的这些特殊乘客()有很多用武之地 呢！ (3)电脑根据这些气象资料，为主人提供一个()节能()舒 适的家居环境。 (4)()太空蔬菜走进了千家万户，()我们餐桌上的菜肴更 丰富了。 7．句子训练。(10分) (1)我国科学家在辽宁西部首次发现了保存有羽毛印痕的恐龙化石。 (缩句) ________________________________________________________ (2)靠什么呼风唤雨呢？靠的是现代科学技术。(仿写) ________________________________________________________ (3)满天的星星在夜空中闪烁着光芒。(改为比喻句) ________________________________________________________ (4)我走上阳台。我去看爸爸养的金鱼。(合成一句话)
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率和波矢 k 建立联系的，即 E h h p n k c 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率和波矢k。 1.2量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量 的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用r , t 表示粒子的德布洛意 r ,t 2 r , t 表示波的强度，那么，t 时刻在 r 附近的小体积元 波的振幅，以r ,t x y z 中检测到粒子的概率正比于 2 r ,t x y z 。 1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图 1.3 所示，从能带的观点来看，半导体和 绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV) ，室温下本征激发的载流子近乎为零，所 以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小， 只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价 带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的 导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在 一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有 良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，n0 p0 n i。对于某一确定 的半导体材料，其本征载流子浓度为 2 n0 p0 N C N V e E g kT n i 式中， N C，N V以及 Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。
技术指标确认书 1市政 道桥 工程 仿真 教学 实训 平台 1. 技术要求 道桥工程仿真教学实训平台，要求能模拟道路与桥梁工程施工环节 的建造过程，按施工过程分部分项划分任务设置实训模块。 每个实训子模块中均包含对应本工程的施工场景、施工工艺操作、 项目管理过程中的资料库、工具库，可以生成施工方案并可以进行 方案设计计算、配套生成资料管理表单等过程资料；内置国家规范、 图集等内容。 （1）要求该软件模拟真实施工现场环境，现场可以进行三维漫游， 具备地图热点跳转功能。 （2）符合道路桥梁工程国家、行业相关规范标准。 （3）菜单形式显示施工任务流程，该任务过程中任意跳转。 （4）实现施工管理流程与施工工艺流程同步仿真，比如路基工程施 工任务模块：施工准备（工程图纸、交底、工作记录、施工方案、 资料管理、规范图集）→测量放样→基底处理→路堤填筑→路床施 工→修整养护→验收。 （5）具备资料库功能，仿真项目实施过程中所涉及到的图纸、施工 方案、各种记录以及其他文件资料。 （6）视角切换功能（可以在根据施工的不同程度，多方位、多视角 查看施工情况）。 （7）系统具有文字、智能语音提示功能。 （8）系统包含教学、仿真、考评三种模式，各个模式之间可自由切 换。 （9）有斜拉桥和悬索桥两种典型桥梁工程的案例，能模拟其施工全 过程，呈现完整的施工工艺流程和施工方法。 （10）要求软件包含北方寒区施工。 （11）考评模式包含理论考试和实务操作考核两部分，系统自动记 录成绩。 2．软件须具有的模块和任务（共47项） （1）识图（1项）：桥梁工程识图，要求内置一套完整路桥施工图， 和三维模型一一对应构造解析、识图教学学习。 （2）路桥测量工程（4项）：桩基础施工平面定位放样、墩台模板 施工高程放样、全站仪放样带有圆曲线的道路中线、极坐标法放样 桥梁轴线。要求包含测量仪器使用及测量方法应用。 ▲（3）桥梁工程施工，包含4个分部工程，10项任务模块，具体 如下： ①基础施工分部工程（4项）：桩基础、桥梁扩大基础、桥墩大 体积混凝土、桥墩施工。 套 1
工业工程开设院校及排名 本专业毕业生能力被评为A+等级的学校有： 清华大学上海交通大学浙江大学西安交通大学 本专业毕业生能力被评为A等级的学校有： 四川大学同济大学天津大学华中科技大学 重庆大学北京理工大学湖南大学东南大学 合肥工业大学郑州航空工业管理学院 本专业毕业生能力被评为B+等级的学校有： 南京大学山东大学南开大学哈尔滨工业大学 东北大学西北工业大学北京科技大学新疆大学 贵州大学燕山大学南京航空航天大学浙江工业大学 武汉理工大学西南交通大学东北大学秦皇岛分校北京交通大学 郑州大学中国矿业大学(北京) 中国矿业大学成都理工大学 苏州大学天津工业大学江苏大学中北大学 昆明理工大学北京工业大学上海理工大学江南大学 南京工业大学石河子大学宁波大学辽宁工程技术大学 太原科技大学兰州理工大学华北电力大学（保定）浙江理工大学西安理工大学西南科技大学河北工业大学西华大学 兰州交通大学武汉科技大学西安工程大学西安科技大学 陕西科技大学湖北工业大学西安工业大学内蒙古工业大学 三峡大学长春工业大学沈阳理工大学南京工程学院 天津理工大学天津城市建设学院 本专业毕业生能力被评为B 等级的学校有： 南京理工大学电子科技大学西安电子科技大学南京农业大学 济南大学青岛大学天津科技大学四川师范大学 上海海事大学河南科技大学云南农业大学上海海洋大学 上海工程技术大学河北科技大学东北林业大学东北农业大学 沈阳工业大学杭州电子科技大学桂林电子科技大学湖南科技大学哈尔滨商业大学南京财经大学温州大学中国民航大学 上海第二工业大学华南农业大学河北理工大学上海电机学院 河南理工大学广东工业大学福建农林大学山东理工大学 南昌航空大学华东交通大学辽宁工业大学中原工学院 华北水利水电学院福建工程学院青岛科技大学沈阳航空工业学院山东建筑大学广东海洋大学山东科技大学安徽工业大学 安徽建筑工业学院大连工业大学浙江科技学院大连水产学院 北京联合大学江西理工大学东莞理工学院山东工商学院 陕西理工学院西安财经学院西安邮电学院北京信息科技大学 大连交通大学沈阳工程学院江苏科技大学沈阳大学
电子科技大学 2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：832 微电子器件 注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题（共48分，每空1.5分） 1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的 （）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。 2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流 为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为 （）。 3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越 （）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”） 4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输 出电阻越（）。（填“大”或“小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理 意义为（），因此τb/τB可以表示 （）。 6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”） 7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 微电子器件试题共6页，第1页
8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度， 从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si材料的双极 型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”） 11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的 （），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。 12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离 子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。 13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|V BS|增加时，PMOS的阈值电压绝对值 将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小” 或“不变”） 二、简答与作图题(共57分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为N D的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分） （1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动） （2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？ 微电子器件试题共6页，第2页
微电子技术前沿复习提纲 1.请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文： CPLD: Complex Programmable Logic Device复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL:generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table 显示查找表 IP: Intellectual Property 知识产权 SoC: System on Chip 片上系统 2.试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么 AGC BJT的工作频率范围受限? AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） ? AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理：当输入增加时，输出会同时增加，我们 可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益， 使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 ?工作频率范围受限原因： 1) 、自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件 的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求 宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 、实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基 区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3.为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET结构如图： 1) 、双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 、它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则 提高了频率。 4.为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现 源漏自对准的目的是什么？
微电子器件基础题
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电 荷。内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就 越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（0.8）伏 特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度 会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度 会（增高）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可 表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173 A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平 衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和 （势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的 反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简 化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电压较 高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩散长 度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的 （平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的 （平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。
温州大学20XX级本科学生转专业考核要求及安排 教师教育学院小学教育(师范)专业转专业考核办法 一、学院成立转专业考核工作小组。 二、考核时间：20XX-20XX学年第二学期第二周左右，具体时间地点届时通知。 三、转入教师教育学院小学教育（师范）专业的学生要进行面试考核。面试考核内容和方法： 1、语音表达能力（共40分）：现场抽选材料，用普通话口头表达。 （1）语音面貌（20分） 考核要素：咬字、音准。 （2）表达技巧（20分） 考核要素：声音控制、重音、语速、语调、流畅度及感情表达等。 2、思维品质及仪表（共50分）：现场回答考核评委问题。 （1）思维品质（35分） 考核要素：理解能力，思维敏捷度、清晰度、流畅度，应变能力，沟通意识等。 （2）仪表形象（15分） 考核要素：仪表、态势语。 3、其他（共10分）：根据现场沟通情况及有关部门提供的材料。 考核要素：专业认知、班团干部经历、获奖情况等。 四、成绩公布： 成绩计算方法：总分以百分制形式，上学期课程绩点成绩占60%，面试成绩占40%，总分公布后择优录取。 教师教育学院学前教育(师范)专业转专业考核办法 一、学院成立转专业考核工作小组。 二、考核时间：20XX-20XX学年第二学期第二周左右，具体时间地点届时通知。 三、转入教师教育学院学前教育（师范）专业的学生要进行面试，面试的形式有： 1、唱歌：要求考生自己准备一首儿童歌曲进行清唱。 （1）音准20分； （2）节奏20分； （3）表现力10分。 2、讲故事：自选一个幼儿故事，运用普通话进行讲述。 （1）普通话准确20分；
（2）语言的流畅度20分； （3）语气、表情生动性10分。 四、评分后公布，择优录取。 人文学院汉语言文学(师范)专业转专业考核办法 一、学院成立转专业考核工作小组。 二、考核时间：20XX-20XX学年第二学期第二周左右，具体时间和地点届时另行通知。 三、考试形式 由汉语言文学专业负责人组织面试，了解学生的文学兴趣与基础，简单考核学生的文学素养（针对理科生）；考查学生的文学理解与语言表达能力，以及作为教师的发展潜质。 四、评分标准及成绩公布 面试成绩取考核小组成员平均成绩，于当天公布，择优录取。 人文学院广告学专业转专业考核办法 一、学院成立转专业考核工作小组。 二、考核时间：20XX-20XX学年第二学期第二周左右，具体时间和地点届时另行通知。 三、考试形式 由广告学专业负责人组织对学生基本情况进行审核，考察其对广告学专业的兴趣、学习态度和专业发展的潜质。 四、评分标准及成绩公布 面试成绩取考核小组成员平均成绩，于当天公布，择优录取。 人文学院历史学(师范)专业转专业考核办法 一、学院成立转专业考核工作小组。 二、考核时间：20XX-20XX学年第二学期第二周左右，具体时间和地点届时另行通知。 三、考试形式 由历史学专业负责人组织对学生基本情况进行审核，简单考核学生对历史的兴趣及中学历史学教师发展的潜力考核，其他如历史古文方面的基础。 四、评分标准及成绩公布 面试成绩取考核小组成员平均成绩，于当天公布，择优录取。
一、填空题 1．突变PN 结低掺杂侧的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越 小 ，建电场的最 大值越 大 ，建电势V bi 就越 大 ，反向饱和电流I 0就越 小 ， 势垒电容C T 就越 大 ，雪崩击穿电压就越 小 。P27 2．在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带 负 电荷，N 区一侧带 正 电 荷。建电场的方向是从 N 区指向 P 区。 3．当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为 。由此方程可以看出，掺 杂浓度越高，则建电场的斜率越 大 。 4．若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为183A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平 衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为 和 。 5．某硅突变PN 结的153D N 1.510cm -=?，31810.51N -?=cm A ，则室温下n0n0p0n p p 、、和p0n 的分别为 、 、 和 ， 当外加0.5V 正向电压时的p p ()n x -和 n n ()p x 分别为 、 ，建电 势为 。 6．当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓 度 大 ；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处 的平衡少子浓度 小 。 7．PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是 多子 ；PN 结的反向电 流很小，是因为反向电流的电荷来源是 少子 。 8．PN 结的正向电流由 空穴扩散电流 电流、 电子扩散电流 电流和 势垒区复和电流 电流三部分所组成。 9．PN 结的直流电流电压方程的分布为 。 10．薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于 该区的少子扩散长 度 。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为 线性 ；薄基区二极 管相对厚基区二极管来说，其它参数都相同，则PN 结电流会 大的多 。 11．小注入条件是指注入某区边界附近的 非平衡少子 浓度远小于该区的 平衡多子 浓度。 12．大注入条件是指注入某区边界附近的 非平衡少子 浓度远大于该区的 平衡多子 浓度。 13．势垒电容反映的是PN 结的 微分 电荷随外加电压的变化率。PN 结的掺杂浓 度越高，则势垒电容就越 大 ；外加反向电压越高，则势垒电容就越 小 。 14．扩散电容的物理含义为中性区中 非平衡载流子 随外加电压的变化率；外加 正向电压越高，则势垒电容就越 大 。
温州大学瓯江学院2010—2011学年第二学期期末试卷 分院 班级 学号 姓名 序号 一、填空题（每空1分，共10分） 1. 四边支承板按弹性理论分析时，当L 2/L 1≥3时为______________；当L 2/L 1≤2时为______________ 。 2. 整体单向板肋梁楼盖中，连续主、次梁按正截面承载力计算配筋时跨中按 截面计算，支座按 截面计算。 3. 偏心受压构件，当截面为大偏心受压时，如果ηM 不变，则N_____________时，所需的钢筋愈多。当截面为小偏心受压时，如果ηM 不变，则N_____________时，所需的钢筋愈多。 4. 单层厂房中的_________________________是主要承重结构。 5. 单层厂房柱的牛腿的破坏形态有剪弯破坏， 和 。 6. 框架梁端负弯矩的调幅系数，对于现浇框架可取___________________ 。 二、单选题（每题2分，共30分） 1.对于两跨连续梁，（ ）。 A.活荷载两跨满布时，各跨跨中正弯矩最大； B.活荷载两跨满布时，各跨跨中负弯矩最大； C.活荷载单跨布置时，中间支座处负弯矩最大； D.活荷载单跨布置时，另一跨跨中负弯矩最大。 2.整浇肋梁楼盖中的单向板，中间区格板的弯矩可折减20%，主要是因考虑（ ）。 A 板的内拱作用； B 板上荷载实际上也向长跨方向传递一部分； C 板上活载满布的可能性较小； D 节约材料； 3. 框架结构设计时，板上荷载双向传递时，传至长边梁上的荷载形式为（ ） A 三角形； B 梯形； -------------------------------- ----------------------------装 - ------------------------------- ------------- 订 -------- ------------------------ --------------线 ---------------------------------------------------------------------