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中南大学考研大纲(电子技术)

中南大学考研大纲(电子技术)
中南大学考研大纲(电子技术)

中南大学2009年硕士研究生入学考试大纲

考试科目名称:电路与数字电子技术考试科目代码:[827]

一、考试要求

要求考生全面系统地掌握电路和数字电子技术的基本概念及基本定律,并且能灵活运用,具备较强的分析、设计与解决电路与数字电子电路问题的能力。

二、考试内容

(一)电路部分(60%)

1 直流电路

(1)基本概念和电路元件:参考方向,电功率和电能量,基尔霍夫定律。电阻、电容、

电感、电压源、电流源和受控源,理想变压器、互感等元件的特性及其电压电流关

系。

(2)星-三角等效变换,支路电流法,回路电流法,节点电压法。

(3)叠加定理,齐性定理,戴维南和诺顿定理,最大功率传输定理,特勒根定理。

2 交流电路

(1)正弦电路中有效值、瞬时值,正弦量的相量,相量图,电路元件电压电流关系的相

量形式、阻抗和导纳,正弦电流电路的分析计算,含互感电路的计算(互感电压、

同名端、串联、并联、互感消去),有功功率、无功功率和复功率,功率表的使用,

最大功率传输定理。

(2)非正弦周期量的有效值,平均功率, 非正弦周期电流电路的计算。

(3)串联谐振和并联谐振条件、特点,谐振电路的分析计算。

(4)三相电路的连接方式,对称三相电路线电压、线电流、相电压、相电流及功率的计

算, 简单不对称三相电路的计算。

3 暂态电路

(1)线性电路的时域分析:换路定则,阶跃函数和冲激函数,零输入响应,零状态响应

和全响应,用三要素法求一阶电路的全响应,一阶电路的冲激响应的计算。

(2)线性电路的复频域分析:复频域中的电路模型,用拉氏变换求解电路暂态过程,复

频域中的网络函数。

4 二端口网络:

(1)二端口网络(包括有载二端口、有源二端口)及其四种参数方程和参数的计算。

(2)二端口网络的T型和 型等效电路,二端口网络的联接。

(二)数字电子技术部分(40%)

1 逻辑函数化简与变换

(1)逻辑代数中的基本概念:逻辑电平、双值逻辑、逻辑变量、逻辑运算和逻辑函数等;

(2)逻辑代数的基本定律、形式定理和基本规则;

(3)最小项与最大项的定义、性质,与或标准型;

(4)逻辑函数的逻辑式、真值表、逻辑图和卡诺图表示法;

(5)采用代数法和卡诺图法化简逻辑函数。

2 集成逻辑门

(1)TTL 与非门结构、功能和电气特性;

(2)集电极开路门(OC门)电路结构、原理及应用;

(3)三态门电路结构、原理和应用;

(4)CMOS反相器的结构、工作原理及特性;

(5)CMOS传输门的结构、工作原理及特性;

(6)CMOS门与TTL门的比较。

3 组合数字电路

(1)组合数字电路的定义;

(2)组合数字电路的分析;

(3)组合数字电路的设计;

(4)逻辑函数式的最佳化问题;

(5)中规模组合数字电路(译码器、编码器、全加器、数据选择器和数码比较器)的原

理、功能和应用;

(6)组合数字电路中的瞬态现象—竞争冒险。

4 触发器和定时器

(1)触发器的分类;

(2)基本RS触发器;

(3)时钟触发器的逻辑功能和表示方法,包括逻辑符号、真值表、激励表、状态转换图、

特征方程式;

(4)555定时器的应用,包括单稳态触发器、多谐振荡器、施密特触发器和压控振荡器。

5 时序数字电路

(1)时序数字电路的分析和设计方法;

(2)时序数字电路的表示方法:真值表、状态转换图、状态方程和波形图;

(3)寄存器、计数器分析与设计;

(4)常用集成时序逻辑器件的逻辑功能及应用。

三.试卷结构

1 题型结构

(1)电路:计算题

(2)数字电子技术:填空与选择;简答题;分析题;设计题。

2 内容结构

(1)电路

直流电路:18%;交流电路:21%;暂态电路:15%,二端口网络:6%。

(2)数字电子技术

逻辑函数化简与变换:4%;集成逻辑门5%;组合数字电路11%;触发器和定时器8%;

时序数字电路12%。

四.参考书目

1 电路

(1)教材:

陈希有,《电路理论基础(第三版)》,高教出版社,2004年

邱关源,《电路(第四版)》,高教出版社,2000年

(2)参考书:

孙立山,《电路考研大串讲》,科学出版社,2006年

孙立山,《电路名师大课堂》,科学出版社,2006年

2 数字电子技术些

以下三套,任选一套。

(1)阎石,《数字电子技术基础(第四版)》,高等教育出版社,2003年

(2)康华光,《数字电子技术基础(第四版,数字部分)》,高等教育出版社,2002年

(3)蔡惟铮,《基础电子技术》,高等教育出版社,2004年

蔡惟铮,《集成电子技术》,高等教育出版社,2004年

王淑娟,《数字电子技术基础学习指导与考研指南》,高等教育出版社,2008年

中南大学往届电子技术试卷及答案

---○---○--- ---○---○--- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 一、 选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。

二、简答题(24分) 1.写出下图电路输出逻辑表达式。 2.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路 (1)说明该电路的功能; (2)试画出电路的电压传输特性曲线。 4.下图电路中,变压器副边电压有效值为2U2。 (1)画出u2、u D1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)

2015上海大学912模拟电子技术(专)考试大纲

考试科目:912模拟电子技术(专) 重点:二极管伏安特性;二极管理想模型;二极管典型应用电路;稳压二极管应用电路 2、双极性晶体三极管和场效应管 双极性晶体三极管和场效应管的结构特点、特性曲线、主要参数及工作原理;晶体三极管的三个工作区—放大区、饱和区、截止区以及安全工作区;场效应管的三个工作区及安全工作区。 重点:双极性晶体三极管和场效应管的特性曲线、工作区判断。 3、放大电路基础 放大电路的基本分析方法-静态估算和图解法分析(求静态工作点)以及交流等效电路分析法求解放大器的性能指标;利用图解法确定放大器的最大不失真输出信号范围的方法;三种基本放大电路性能及比较;多级放大电路分析。 重点:共发射极(共栅极)电路工作原理;电路交、直流分析;电压放大倍数、输入输出电阻;共集、共基电路分析;多级放大电路分析求解。 4、集成运算放大电路 集成运算放大器特点;集成运放内部电路组成及作用;电流源电路、差分放大器、输出级电路。 重点:集成运算放大器电路组成及主要性能指标;掌握差动放大电路的特点及性能分析计算;掌握常用电流源电路的分析。 5、放大器频率响应 失真概念及不失真条件;晶体管高频等效电路及频率特性;单级放大器高频响应;级联放大器的频率响应;放大器的低频响应。 重点:掌握系统渐近幅频、相频波特图;掌握用晶体管高频等效电路分析单级共射(共栅)电路的中频增益A UI及上限角频率ωΗ;了解基本放大电路频率特性;了解多级放大器频率特性的一般分析方法;掌握常用组合电路分析计算。 6、负反馈放大器 反馈基本概念;负反馈放大电路四种基本类型及其判断方法;各类负反馈对放大电路性能的影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的频率响应。 重点:负反馈电路的分类判断;负反馈对放大电路性能影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的稳定性与频率特性。 7、集成运算放大器及其应用 集成运算放大器基本特性;集成运放的基本运算电路;集成运算放大器构成有源滤波器;集成运算放大器构成精密检测电路和波形变换与波形产生电路。 重点:掌握集成运算放大器理想化的条件、掌握理想运算放大器工作在线性区和非线性区时的分析特点;掌握反相与同相负反馈运算放大器基本电路的分析计算;掌握集成运算放大器用作:比例、加、减运算功能,熟悉用作:微分、积分、对数、反对数运算功能;熟悉集成运算

中南大学模电试卷及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

中南大学往届电子技术试卷及答案

¥ ---○---○--- ~ 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 】 二 三 四 五 六 七 八 合 计 ; 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 < 100 得 分 — 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 《 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 | C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )得 分 …

二、简答题(24分) 1.写出下图电路输出逻辑表达式。 2.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路 (1)说明该电路的功能; (2)试画出电路的电压传输特性曲线。 4.下图电路中,变压器副边电压有效值为2U2。 (1)画出u2、u D1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV) 得分 评卷人

中南大学模拟电子技术试卷全四套

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 … … … … 评卷 密 封 线 … … … … …… 密 封线 内不 要答 题 ,密封 线外 不 准 填写 考 生信 息, 违 者 考试 成 绩 按0 分 处理 … … … ……… 评 卷 密封 线 … …… … 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

中南大学模电试卷及答案分解

中南大学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。 3.在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是放大器,A u2是放大器,A u3是放大器。 4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR =。 5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为200 1 200 f j A + = & ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。 6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D为理想元件,已知u i = 5sinωt V ,试对应u i画出u o的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

中南大学往届电子技术试卷及答案

. ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

2017年西安理工大学820模拟电子技术基础考研大纲硕士研究生入学考试大纲

西安理工大学研究生招生入学考试 《模拟电子技术基础》考试大纲 科目代码:820 科目名称:模拟电子技术基础 第一部分课程目标与基本要求 一、课程目标 本课程的目标是使考生获得模拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生的分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术某些领域中的内容、为后续课程、为电子技术工程中的应用打好基础。 二、基本要求 熟悉半导体器件——二极管、双极型晶体管、绝缘栅型晶体管(MOS管)的外特性和主要参数,正确理解它们的工作原理;熟悉基本电子电路的功能及有关概念、正确领会它们的工作原理;掌握分析模拟电子电路及其基本设计方法, 第二部分课程内容与考核目标 第一章半导体器件基础 1 半导体基础,要求达到“识记”层次 2 半导体二极管,要求达到“简单应用”层次 2.1 二极管的符号、伏安特性,单向导电性及主要参数;应用电路分析方法,限幅、整流电路波形分析及参数计算 2.2 稳压二极管使用的一般条件,主要参数,典型的电路结构,及其限流电阻的选择。 3 半导体晶体管,要求达到“领会”层次 3.1晶体管的结构和类型判别,电流分配关系。 3.2晶体管的伏安特性曲线,及其三个工作区各自的工作条件和特点、工作状态的判别。 3.3 交流微变等效模型的结构与使用方法。 4场效应管,要求达到“领会”层次 4.1 增强型MOS管的结构及工作原理 4.2 增强型MOS管转移特性和输出特性,三个区的划分,工作在恒流区的条件。 4.3 MOS管微变等效电路。 第二章放大电路及其分析方法 1 放大的概念及其一般分析方法,要求达到“识记”层次 1.1 放大的概念,放大电路的构成条件 1.2 放大电路的一般分析步骤及动态静态的叠加关系 2 晶体管基本放大电路,要求达到“综合应用”层次 2.2 固定偏置共射放大电路结构、静态图解分析法、近似估算法;动态图解分析、最大不失真输出幅度,动态微变等效电路法分析交流指标;直流通路、交流通路的画法; 2.2 分压式偏置共射放大电路的结构特点和工作原理;静态计算、动态交流指标计算,与分压式功能共射电路的比较;共射放大电路的一般特点。 2.3 基本共集电极放大电路结构特点,和工作原理;静态计算、动态交流指标计算,与共射放大电路的比较。共集电极放大电路的一般特点 2.4 基本共基极放大电路结构特点;交流通路特点,共基极放大电路的一般特点;三种基本放大电路的比较。2.5 增强型MOS管放大电路的结构特点和工作原理;静态计算、动态交流指标计算。 第三章多级放大电路 1 多级放大电路,要求达到“领会”层次 1.1 放大电路的直接耦合零漂的概念;不同的耦合方式对放大器静态动态参数的影响。 1.2 多级放大电路的动态分析基本方法。 1.3 放大电路的频率特性一般概念的正确理解。 2 差分放大电路,要求达到“综合应用”层次 2.1 差模输入、共模是输入、差模放大倍数、共模放大倍数等相关概念、动态与静态的关系。 2.2 长尾差分放大电路、恒流源差分放大电路的原理、直流通路、交流通路工作特点 2.3 差分的四种接法的结构特点,相互之间的关系,静态动态的分析计算 第四章放大电路的平率响应 1 放大电路的频响要求达到“领会”层次

中南大学电子技术2试卷及答案-第4套

---○---○ --- ---○---○ --- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 (4) 时间100分钟 20 ~20 学年 学期电子技术课程期末考试试题 80 学时,闭卷,总分100分,占总评成绩60 % 一、填空题(共20分,每空1分) 1、场效应管是( )控制元件,而双极型三极管 是( )控制元件。晶体管在模拟电路中工作在 ( )区; 在数字电路中工作在( )区。 2、在一个交流放大电路中,测出某双极型三极管三个管脚对地电位为: (1)端为1.5V (2)端为4V (3)端为2.1V 则(3)端为( )极; (3)该管子为( )型。 3、 若某一逻辑函数有n 个逻辑变量,则输入逻辑变量有( )种不同 取值的组合。 4、 一个逻辑函数全部最小项之和恒等于( )。 5、触发器按动作特点可分为基本型、同步型、( )和边沿型。 6、稳压管工作在( )区,一般要与( )串联使用。 7、已知某与非门的电压传输特性如图所示,由图可知: 输出高电平OH V = ; 输出低电平OL V = ; 阈值电平 TH V = ; 8、下列电路中,不属于组合逻辑 电路的是( )。 (A) 编码器; (B) 数据选择器; (C) 计数器。 9、集成运算放大器采用( )耦合方式,既可以放大( )信号,又可以放大( )信号。 10、七段LED 数码管的结构分为共阴极和( )两种。 11、可用于总线结构进行分时传输的门电路是( )。 (A) 异或门;(B) 同或门;(C) OC 门;(D) 三态门。

中南大学模电试卷及答案分解

1 + j A 中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第 1 套) 一、一、填空题(20 分,每空 1 分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工 作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知 A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为: A u1 是 放大器,A u2 是 放大器,A u3 是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极 R e 公共电阻对 信号 的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的 最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题 5 分,共 25 分) 1.如图所示电路中 D 为理想元件,已知 u i = 5sin ωt V ,试对应 u i 画出 u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100,r bb'=100Ω,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

模拟电子技术课程设计(Multisim仿真)

《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日

目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真(积分电路) (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真(三角波与方波发生器) (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法,培养学生的综合知识应用能力和实践能力,为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题,解决问题的能力,提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力,对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下,学习Multisim仿真软件的使用方法,分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后,学生应该达到以下要求: 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解; 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料; 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法; 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法; 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告,课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。

中南大学模拟电子技术试卷(第三套)

模拟电子技术试卷 一. 一. 填空题 (每空1分,共20分) (注:同一题中可能只给出部分“空”的选项) 1. 1. U GS = 0时,能够工作在恒流区的场效应管有: 。 A. JFET ; B.增强型MOSFET ; C.耗尽型MOSFET ; 2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V , V 2 =11.3V , V 3 =0V ,则该BJT 的基极电位等于 ,由 材料制成,管型为 。 3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A 均为 –100,将它们连成两级放大电路后,其电压放大倍数应 10000,且与级间耦合方式 。 A.大于; B. 等于; C.小于; E. 有关; F. 无关; 4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 , 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。 A.差; B.和; C.平均值; 5. 互补输出级通常采用 接法,是为了提高 。“互补”是指两个 类型三极管交替工作。 A. 负载能力; B.最大不失真输出电压; 6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式;适合于放大 频率信号;输入级一般为 放大器,其目的是为了 。 7. 恒流源在集成运放中有两个作用: 一是为各级提供 , 二是作为有源负载用来提高 。 8. 信号处理电路中,为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器, 应该选用 滤波器;欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号,应该选用 滤波器。 9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法,与BJT 的三种接法相比,共源放大器相当于 放大器。 二. 二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。设U BEQ =U CES = 0.7V 。 (10分) 1.用图解法确定静态工作点I CQ ,U CEQ ; 2.确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。

中南大学往届电子技术试卷及答案

. . . ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

兰州理工大学836模拟电子技术基础与电子技术基础2020年考研专业初试大纲

层次:硕士 考试科目代码:836 适用招生专业:控制理论与控制工程,检测技术与自动化装置,系统工程,模式识别与智能系统,电子信息 考试主要内容: 考试内容包括模拟电子技术基础及数字电子技术基础两部分,原则上两部分各占总分的50%。 模拟电子技术基础部分 1.半导体二极管及其应用电路①半导体及基本特性;②PN结及伏安特性;③二极管及伏安特性;④稳压二极管等半导体器件的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法;⑤半导体二极管应用电路的分析;⑥半导体二极管应用电路。 1.半导体二极管及其应用电路①半导体及基本特性;②PN结及伏安特性;③二极管及伏安特性;④二极管主要参数及使用方法;⑤稳压二极管等其他类型二极管的工作原理和特性;⑥半导体二极管应用电路的分析。 2.双极结型晶体管及其基本放大电路①双极型三极管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法;②放大的概念和放大电路的主要技术指标;③基本共射极放大电路的组成及工作原理;④小信号模型分析法;⑤图解分析法;⑥静态工作点的选择与稳定;⑦共集和共基极放大电路;○8组合放大电路。 2.双极结型晶体管及其基本放大电路①双极结型三极管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法;②放大的概念和放大电路的主要技术指标;③基本共射极放大电路的组成及工作原理;④小信号模型分析法;⑤图解分析法;⑥静态工作点的选择与稳定;⑦共集电极和共基极放大电路;○8组合放大电路。 3.场效应管及其放大电路①场效应管的结构、工作原理、特性、主要参数及使用方法;②场效应管放大电路的组成和分析方法。 4.放大电路的频率特性①放大电路频率特性概述;②三极管的高频等效电路;③放大电路的中频响应、高频响应和低频响应;④单管放大电路的频率特性;⑤多级放大器的频率特性。 5.功率放大电路①功率放大的一般问题;②互补功率放大电路;③功率放大电路的安全运行;④集成功率放大电路及其应用。

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中,是无权码的有()。[北京邮电大学2015研] A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码,两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值,常见的有8421BCD码、5421BCD码等;无权码的每一位不具有权值,整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1(10100011.11)2=()10=()8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为(),十六进制数为()。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111;27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111.1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421BCD=()2=()8=()10=()16。[山东大学2014研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。(1000 0111)8421BCD=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 111)2=(127)8。同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=()2=()8=()10=()8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二进制数与其权值相乘,然后再相加得到相应的十进制数,(0010 1011)2=(43)10;8421BCD码是一种二进制的数字编码形式,用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码,(43)10=(0100 0011)8421BCD。

中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

上海大学模拟与数字电路(复试科目)2018年考研专业课大纲

2019年上海大学考研专业课初试大纲 考试科目:模拟与数字电路(复试科目) 一、复习要求: 要求考生熟悉电子器件的性能,掌握模拟电子电路与数字电子电路的工作原理和基本分析方法,掌握各种电路主要技术指标的计算。 二、主要复习内容: 1、掌握二极管、三极管、场效应管等电子器件的外特性及分析方法;重点掌握基本放 大电路的三种组态及静态、动态技术指标的分析和计算;了解放大电路的图解分析 方法和放大电路频率响应的基本概念。 2、掌握负反馈放大电路的基本概念,正确判断四种反馈类型,重点掌握深度负反馈条 件下电压放大倍数的近似计算;了解负反馈对放大电路性能的改善。 3、掌握差分放大电路的工作原理,分析、计算不同输入、输出方式情况下静态、动态 性能指标;掌握用集成运算放大器构成的比例、求和、积分、微分、指数、乘法电 路的计算。 4、了解功率放大器的一般问题及甲、乙类功率放大电路的结构和工作原理;重点掌握 输出功率,效率等技术指标的计算;了解小功率整流滤波电路的构成,掌握串联反 馈式直流稳压电路的组成、工作原理及有关计算;了解三端集成稳压电路的应用。 5、理解正弦波振荡电路的振荡条件,应用此振荡条件分析RC、LC正弦波振荡电路; 了解比较器的工作原理;掌握方波、三角波产生电路的工作原理及振荡频率、幅度的计算。 6、了解数字逻辑基础的基本概念,理解数制、码制、逻辑函数的各种不同表示方法; 掌握各种基本逻辑门电路的性能及其应用。 7、理解组合逻辑电路分析、设计的一般方法;掌握中规模集成组合逻辑功能器件的应 用。 8、掌握各种触发器的逻辑功能、特性方程、状态图、波形图等描述方法;掌握常用的 时序逻辑电路的分析方法;掌握常用的中规模集成计数器的应用。 9、了解可编程逻辑器件(PLD)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)以及现场可编程门阵 列(FPGA)的结构和编程原理。 10、掌握555定时器电路结构、工作原理及其应用。 精都考研网(专业课精编资料、一对一辅导、视频网课)https://www.doczj.com/doc/ce9725650.html,

中南大学往届电子技术试卷及答案

- ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路) 这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

模拟电子技术电路设计

一、课程设计目的 1通过课程设计了解模拟电路基本设计方法以及对电路图进行仿真,加深对所学理论知识的理解。 2通过解决比较简单的电路图,巩固在课堂上所学的知识和实验技能。 3综合运用学过的知识,并查找资料,选择、论证方案,完成电路设计并进行仿真,分析结果,撰写报告等工作。 4 使学生初步掌握模拟电子技术电路设计的一般方法步骤,通过理论联系实际提高和培养学生分析、解决实际问题的能力和创新能力。 二、方案论证 2.1设计思路 一般来说,正弦波振荡电路应该具有以下四个组成部分: 1.放大电路 2.反馈网络 3.选频网络 4.稳幅环节 其中放大电路和反网络构成正反馈系统,共同满足条件1=? ? F A 选频网络的作用是实现单一频率的正弦波振荡。稳幅环节的作用是使振荡幅度达到稳定,通常可以利用放大元件的非线形特性来实现。 如果正弦波振荡电路的选频网络由电阻和电容元件组成,通常成为RC振荡电路。 2.2工作原理

1.电路组成 振荡电路的电路图如2.3原理图所示。其中集成运放A 工作在放大电路,RC 串并联网络是选频网络,而且,当 f f o = 时,它是一个接成正反馈的反馈 网络。另外,R f 和R ' 支路引入一个负反馈。由原理图可见 RC 串并联网络中的串联支路和并联支路,以及负反馈支路中的R F 和R ' ,正好组成一个电桥的四个臂,所以又称文氏电桥振荡电路。 2.振荡频率和起振条件 (1)振荡频率 为了判断电路是否满足产生振荡的相位平衡条件,可假设在集成运放的同相输入端将电路断开,并加上输入电压? Ui 。由于输入电压加在同相输入端,故集成运放的输出电压与输入电压同相,即0=A ?已经知道,当 f f o = 时,RC

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