当前位置:文档之家› 0dB音频基准电平 资料整理

0dB音频基准电平 资料整理

0dB音频基准电平 资料整理
0dB音频基准电平 资料整理

1KHz,0dB的含义,不是一两句话可以说清楚,1KHz就比较容易理解了,就是说信号的频率是1KHz,0dB的含义就要涉及到音频信号的采样值的量化方面的知识了,对于CD音频,进行的是16位量化,每一个采样值都用16位二进制来表示,对于正弦信号,可以有很多种方式来表示,但不同的方式得出来的幅度大小不一样,当正弦信号的波峰对应的采样值量化的二进制值刚好用16二进制1来表示时,即波峰的采样值的量化值为1111 1111 1111 1111时,即用完了16位二进制来表示波峰的采样值了,这样的正弦信号就是0dB的正弦信号,至于它经过D/A转换成模拟信号的幅度是多少或者说CD机的读碟后输出的幅度是多少还要看CD机采用的D/A 转换器的基准电压及放大电路的情况.如果正弦信号波峰的采样值的量化值小于111111111111,那么它就不是0dB信号了,而是负多少dB信号了.所以说0dB信号是CD机或DVD等数码音频播放器能输出的最大信号,当播放音乐时,通常是不能达到这个强度的.

https://www.doczj.com/doc/d211914248.html,/69/gdcl/guangdian.html

模拟系统或设备技术参数要求

主要技术参数要求

给出待进行测定系统或设备的性能参数及指标值。它将随不同系统或设备有所不同。但均包括以下内容:

系统或设备输入及满足一定条件下的输入、输出特性

如某设备的此项参数要求写法为:输入电平-6dBu下,输出电平+4dBu(1kHz、负载600Ω、失真度≤0.5%)

输入特性

(1)输入电平

设备满足一定条件(如规定的信号失真度、负载值等)时,额定输出(电压或功率)时输入端口所需要的信号电平,称之为输入电平。

电平与电压不同,前者指两个相同电量的比值取对数后用分贝(dB)表示;而电压是用电压度量单位kV、V、mV、μv标注。

在无线电技术中常引用分贝(dB)。分贝(dB)值是两个相同电学参数的比值再取以10为底的对数的20倍或10倍值。分为电压分贝值(L V)、电流分贝值(L I)、和功率分贝值(L w),其式见:

L V(dB)=20lgU2/U1

L I(dB)=20lgI2/I1

L W(dB)=10lgP2/P1

?对于音频信号:

一个语言或音乐信号在电路上的音量级用在600Ω电阻上供给1mW的1000Hz正弦电压的有效值作为基准,电压值等于0.775V(有效值)。基准量写为:0dBm (0dBm.600Ω/0.775V)或0dBu(0dBu=0.775V)。因此音频电压以0dBu=

0.775V为基准量,用×dBu表示音频电压电平值。对应于6dBu折算为电压有效

值为:

6dB=20lg (U/0.775)

U=2×0.775=1.55V

依照上面运算,又可得出-6dBu相应的电压有效值为0.3875V或387.5mV。?对于射频电压:

如有线电视网传输的射频电压是以0dBμV=1μV为基准量。对于终端端口70dBμV电平,而实际射频电压为:

70=20lg( U/1μV)

3.5=lg (U/1μV)

U=3162μV=3.162mV

?对于功率:

又以0dBmW=1mW、0dBw=1W为基准量。于是设备输出端标以10dBmW 即输出10mW。

目前常用的基准量有:

0dBμv=1μv有效值,用于电缆电视网络端口场强度量。

0dBm=1mW,音频系统(特性阻抗600Ω)可换算为0dBu=0.775V有效值,作为音频电平度量。射频(特性阻抗50Ω) 可换算为0dBu=0.224V有效值,作为射频电平度量。

从上面的论述可以看出,分贝是两个相同电量间的相对关系;当dB带有下标时增添了另一层含意,即在给出0dB的确定值下可得出该分贝量的实际值。

分贝概念很重要,在无线电技术中是常用的表示法。

设备输入电平可用信号具有的自身值(V、W)以及带有下标的分贝值表示。

设备输入端的电平表示法,除用标称输入电平之外,有的还给出一个范围或最大电平。所给出的范围表明设备能够适应信号源变化范围的能力,它是通过输入端安置的衰减器调整到标称输入电平。

(2)输入阻抗

信号从信号源向负载传输,希望负载能从信号源获得尽可能大的功率。当负载电阻等于信号源具有的内电阻,负载将从信号源获取最大功率,称这一条件的实现为负载与电源的最大功率匹配。在用传输线连接信号源与负载之间,进行信号传输时,负载获得最大功率还应考虑传输线终端负载值等于传输线特性阻抗Zc的传输匹配,尤其在较高频率下利用传输线传送信号。实现传输匹配以及负载与信号源最大功率匹配,则要求设备输入阻抗、传输线特性阻抗和信号源内阻三者均为同-数值。用该数值定为设备输入阻抗的标称值。但音频具有特殊之处。

音频频段传输线特性阻抗为600Ω,视频传输线为75Ω,而射频传输线有50Ω

及75Ω两种规格。

衡量设备实际的输入阻抗是用偏离标称值的程度的大小来表示,而在视、射频范围给出反射损失(dB)。

信号由信号源经传输线向负载传送,传输不匹配(负载值不等于所用传输线特性阻抗)会使负载仅吸收信号源提供的一部分能量,其余的能量将反射回

信号源。这种现象可用驻波比表示,但考虑到仪器测量的简便性,目前常用反

射损失(dB)描绘,它表明反射量的大小。当反射损失为无穷大时,意味着信号源传送的能量巳被负载全部吸收,即达到传输匹配,此时设备输入阻抗等于标称

值。若反射损失等于零,说明负载-点没吸收,传输的能量又全部反射回信号

源,即失配中的最严重状况,称之全反射,此时设备输入端会呈现开路或短路。

反射损失在无穷大和零之间,同样表明失配,但负载还是能吸收到一定量的能

量,设备输入阻抗将偏离标称值。

反射损失用dB标出。

反射损失与反射系数p之间的关系为:反射损失(dB)=20lg1/p

?反射损失0dB,传送的能量全部反射回信号源,设备输入端会呈现开路或短路。

?反射损失∞dB,传送的能量全部被负载吸收,设备输入阻抗为标称值。

可看出反射损失dB值越大,表明负载得到的能量越大,设备输入阻抗趋向于标称值。

输出特性

?输出量标注

输出量依据设备功能,分为电平和功率两种标注。如+4dBu、+20dBu 或100mW、1kW。在一定条件下标注的电平或功率值才具备实际价值。

以音频功率放大器为例,输出音频功率100W (频率响应100Hz~16000Hz 、

±1dB、失真度<1%)。对于广播、通讯发送设备,需要标出的条件要多些。

?输出负载

输出负载指在达到标注的输出量条件下,设备输出端应连接的电阻值。

?最大频率误差

指广播、通讯发送设备在规定的极限使用条件(如气候、电源、振动、冲击等)范围内最恶劣的组合状态下,经规定的预热时间后,实测载波频率和标称

频率的偏差程度。

常用电平及接口电平

常用电平及接口电平

目录 一.常用逻辑电平标准 (3) 1.1 COMS电平 (4) 1.2 LVCOMS电平 (5) 2.1 TTL电平 (5) 2.2 LVTTL电平 (5) 3.1 LVDS电平 (6) 4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平 (7) 5.1 CML电平 (7) 6.1 VML电平 (7) 7.1 HSTL电平 (8) 7.2 SSTL电平 (8) 二.常用接口电平标准 (9) 1. RS232、RS485、 RS422 (9) 2 DDR1 ,DDR2,DDR3 (10) 3 PCIE2. 0、PCIE3.0 (11) 4 USB2.0, USB3.0 (13) 5 SATA2.0, SATA3.0 (14) 6 GTX高速接口 (14)

一.常用逻辑电平标准 附图1: 附图2:

附图3: 附图4: 1.1 COMS电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 5.5 5 4.5 V 输入高压(VIH) 3.5 V 输入低压(VIL) 1.5 V 输出高压(VOH) 4.44 V 输出低压(VOL)0.5 V 共模电压(VT) 2.5 V

传输延迟时间(25-50ns) 最高速率 耦合方式 1.2 LVCOMS电平 LVCOMS电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 3.6 3.3 2.7 V 输入高压(VIH)0.7VCC V 输入低压(VIL) 0.2VCC V 输出高压(VOH) VCC-0.1 V 输出低压(VOL)0.1 V 共模电压(VT)0.5VCC V 最高速率 耦合方式 2.1 TTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 5.5 5 4.5 V 输入高压(VIH) 2 V 输入低压(VIL) 0.8 V 输出高压(VOH) 2.4 V 输出低压(VOL)0.5 V 共模电压(VT) 1.5 V 传输延迟时间(5-10ns), 最高速率 耦合方式 2.2 LVTTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注

公司资料档案整理方案

XX公司资料档案整理方案 为了公司资料方便查找,不遗失,特制定该方案。 一、分类 1.1档案设置六个大类,即:文件档案类、人事档案类、会计档案类、经营档案类、工程档案类、综合档案类。 1.2根据职能活动和档案形成的特点,每个大类下设置若干个二级类目,不设置三级类目(详见附表)。 1.3录音、录像、照片、计算机软盘和其它非纸质载体形式的档案,其形成和反映的内容、作用与纸质载体档案有不可分割的联系,不单独设置类目,视其内容特征同纸质档案对应分类编号。 二、分类标识方法 2.1档案标识符号采用英文字母顺序标识一级类目(大类);采用阿拉伯数字“双位制”标识二级类目(属类)。 2.2档案排架和编号要反映六个基本大类,从实际出发,做到科学合理,经济实用,保证利用档案的系统性、有效性。 2.2.1文件档案类(A):分为外部文件类、内部文件类两类,一年度一属类进行排列,不区分保管期限特征(但同一属类内按照永久、长期、短期顺序排列),案卷顺序号按大类流水编号,流水号编制到“999”时,重新从“1”另行编号,并用案卷目录加以区别。 2.2.2人事档案类(B):分为人事管理类、考试类、培训类三类,一年度一属类进行排列,不区分保管期限特征(但同一属类内按照永久、

长期、短期顺序排列),案卷顺序号按大类流水编号,流水号编制到“999”时,重新从“1”另行编号,并用案卷目录加以区别。 2.2.3会计档案类(C):原则上由财务部保管,如需有资料放到资料室的,按年度一属类进行排列。 2.2.4经营档案类(D):分为招标文件类、投标文件类、合同协议书类、相关影像类四类,一年度一属类进行排列,不区分保管期限特征(但同一属类内按照永久、长期、短期顺序排列),案卷顺序号按大类流水编号,流水号编制到“999”时,重新从“1”另行编号,并用案卷目录加以区别。 2.2.5工程档案类(E):工程竣工验收资料类,以工程类别分类归档,一个工程项目的所有资料归为一类,不能拆分,其编制代号规则为:取类别拼音首字进行编号。该档案类全部属永久保存。案卷顺序号按大类流水编号,流水号编制到“999”时,重新从“1”另行编号,并用案卷目录加以区别。 2.2.6综合档案类(F):统计报表类、审计报告类、资质相关资料类、重合同守信用证件类、其它类五类,一年度一属类进行排列,不区分保管期限特征(但同一属类内按照永久、长期、短期顺序排列),案卷顺序号按大类流水编号,流水号编制到“999”时,重新从“1”另行编号,并用案卷目录加以区别。 三、归档案卷的质量要求 总的质量要求:遵循文件材料的形成的规律和特点,保持文件之间的有机联系,区别不同价值,便于保管和利用。具体应做到以下几点。

档案整理工作报告范本

Record the situation and lessons learned, find out the existing problems and form future countermeasures. 姓名:___________________ 单位:___________________ 时间:___________________ 档案整理工作报告

编号:FS-DY-20656 档案整理工作报告 档案整理工作已接近尾声,现从以下四方面对自己工作做总结汇报: 一、近两个月来做了哪些工作 二、在整理过程中存在哪些问题,是如何解决的 三、分析问题产生的原因,探索人事档案工作将来如何开展 四、本次档案整理工作的意义 从XX年3月1日来总部报到,至今已历时50天时间,期间在张志英同志的倾力协助、支持、关心下,我们把公司本部人员、漳电分公司、河津分公司、宁夏、华泽等单位副处以上人员的档案共计72本进行了审核、补充、整理归档。 同时,对其它单位的档案管理人员进行了培训、指导、具体帮带、辅助整理等工作。受培训人员达10多人,培训时间贯穿整个整理过程,随来随培训。

在整理过程中,每份档案都有不同程度的缺短材料,我们补充完善了1200多份材料,复印800多件原件,补做《干部任免审批表》400多份,在作表时查找相关文件资料400多件,补盖公章1200多个。(审批表、复印件需加盖公章,张工亲自多次去北京或到原单位补盖,或找人顺带等等,千方百计做这些工作)。 在补充完善了归档材料后,通过准确分类、裁剪修补、认真书写分类号和页码,打印目录、整齐装订,使近80份档案完美上架。一份档案,不经过10次以上的反复是上不了架的,我们就利用周末或晚上加班,使工作时间有了保障。 在整理过程中发现存在共性的问题有以下7个方面: 1、年龄出现多个版本,随意更改; 2、姓名随意更改,多用同音字; 3、《干部履历表》多年不填写,填写了的缺照片,缺本人签字,缺机关盖章,不规范; 4、在应审计的岗位上工作过的干部,没有审计报告或结论性的审计材料(普遍没有归档); 5、挂职人员、培训人员、出国人员所需的鉴定、成绩、

电平标准

一些电平标准 下面总结一下各电平标准,和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻; TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。 ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。 速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。 PECL:Pseudo/Positive ECL Vcc=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V LVPELC:Low Voltage PECL

档案归档文件整理的基本方法

归档文件整理的基本方法 一、装订 1、件的区分 件是指归档文件的整理单位。一般以每份文件为一件,文件正本与定稿为一件,正文与附件为一件,定件与复制件为一件,转发文与被转发文为一件,报表、名册、图册等一册(本)为一件,来文与复文为一件;一次会议或活动的文件可为一件或两件;会议记录、简报、信息均可为一件或两件;介绍信、存根经白纸托裱各满30张为一件。“为一件”是指在实体上装订在一起,编目时也只体现为一条条目。 2、装订方法 每“件”文件材料的具体排列顺序如下:正文在前,定稿在后;正文在前,附件在后;原件在前,复件在后;转文在前,被转发文在后;复文在前,来文在后。 每件的装订主要采取的左上角装订法,具体操作将文件的左、上侧对齐,并在左上角按包角纸大小四面涂上浆糊,用包角纸套在左上侧,压紧即可;文件超过40页以上,采用左侧三孔一线装订法。 二、分类 1、分类方法 根据实际情况,我们选择以下分类方法

保管期限-年度分类法 这种方法适用于内部机构虽有变化但不复杂的立档单位。主要是设置简单的基层单位或小机关,或每年形成的文件数量少的机关。如:长久:2001年、2002年、2003年…… 定期:2001年、2002年、2003年…… 2、编制分类方案 分类方案一般有引言、类别序号、类目名称组成,必要时可对类目所指的范围和归类方法等加以说明。 (1)引言,提示分类方法。如按保管期限-年度,还是按其它分类方法。 (2)类别序号,是最低一级类目(机构或问题)的序号 (3)类目名称,按机构分类的,机关内部第一层机构名称就是类名,如,办公室、业务处;按问题分类的加“类”字,如党务类、综合类等。 采用两级分类的也应编制分类方案,以相对固定一个单位归档文件的排列顺序。 3、文件按照其自身的内容、形式、时间、来源等方面,根据编制分类方案,分门别类地组放在一起,使所有文件构成一个有机整体。 三、归档文件排列

档案整理工作报告总结

第一篇:学校档案整理工作 我校档案室筹建工作是从今年上半年开始整理,今年八月全面启动,是按区教育局xx(xx)xx号文件要求,在区教育局和区档案馆有关领导指导下进行的,到今年11月中旬初步结束。 一、以前档案状况说明 我校创建于2002年,是一所专门招收外来民工子弟的民办学校,建校至今已8年,2002年至2004年我校处于筹建阶段各项工作不规范,对档案工作不了解,所以未能收集档案资料,只留存一些教师业务和照片资料。2005年杭州市xx区新民学校成立后,,档案资料收集也不完整,整理不规范。逐年积累了学校的档案资料。由于学校在档案管理上缺乏经验和标准要求,在类别的保管期限上模糊不清,不分主次地一概收集、整理、组卷,没有组卷的散乱成堆,对上级文件也是如此,不分保存价值,一律收集,永久保管,而且按学年装订成册。 2009年2月xxx校长参观了xxx实验学校、xxx学校档案工作后,看到学校档案工作的瘫痪现状,十分着急,先后几次召开班子会议进行研究,并把档案工作列入学校的议事日程,安排以余春千为分管领导,组织力量进行全面的收集、整理、立卷工作。 二、整理后档案的分类及要求 1、从原来的三大类到目前的九大类:党群类,目录号1号;行政类,目录号2号;教学管理类,目录号3号;学生学籍类,目录号4号;教师业务类,目录号5号;基建类,目录号6号;设备类,目录号7号;会计类,目录号8号;特种载体类,目录号9号。 2、以“件”的形式整理装订 (1)把建校以来所有原先不分保管年限的各级各类文件以年度为单位分为永久、长期、短期三类进行归档装订。 (2)把建校以来所有的教学管理类材料,以学年为单位,按问题排列分为永久、长期、短期三类进行归档装订。 (3)基建类、设备类、照片类从文书档案中抽出单独编目录号。 (4)完善和充实教师业务类、特种载体类。 三、体会 1、认真领会有关文件精神,熟悉档案业务知识,对我校2005年来的档案资料进行重新整理,使我校现有档案更加规范化、标准化。目前的档案根据不同的类别,编写目录号,分柜安放,改变以前封面标题的随意性,注重作者、时间、内容、文体四要素完备。 2、学校领导的重视,教师的支持和上级主管业务部门的指导是搞好档案工作的保证。在这次档案工作的达标过程中,学校领导充分认识档案工作的重要性,并召开会议成立档案领导小组,校长任组长,副校长任主管,制订,专人整理,增添设备,并提出高层次的要求。

CMOS TTL电平标准

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 电路的电源。 6,COMS电路的使用注意事项 1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 2)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出

RS232、RS485、RS422电平-及常见逻辑电平标准

RS232、RS485、RS422电平,及常见逻辑电平标准 RS232电平或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口(RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以他们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~+6v 1 -2 ~-6v 0 接收端 AB间的电压差 大于+200mv 1 小于-200mv 0 定义逻辑1为B>A的状态 定义逻辑0为A>B的状态 AB之间的电压差不小于200mv 一对一的接头的情况下 RS232 可做到双向传输,全双工通讯最高传输速率 20kbps 422 只能做到单向传输,半双工通讯,最高传输速率10Mbps 485 双向传输,半双工通讯, 最高传输速率10Mbps

常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

档案整理工作方案

2017年归档文件整理工作方案 年度归档文件整理工作就是档案资政服务的基础,也就是档案管理工作资源建设的核心组成部分,为了更好地做好年度归档文件整理工作,根据《归档文件整理规则》与市档案局相关工作要求,特制定本方案如下: 一、指导思想 按照分工负责、各司其职、各负其责、齐全完整、应归尽归的原则,强化组织领导,加强业务知识学习,严格按照国家档案局第8号令《机关文件材料归档范围与文书档案保管期限规定》的要求,遵循文件的形成规律,保持文件之间的有机联系,区分不同价值,便于保管与利用的目的,在规定时间内保质保量完成归档文件整理工作。 二、时间要求 归档文件整理工作从4月1日起——5月27日指导整理结束;7月31日前归档文件目录按标准打印完毕,原生电子文件与电子档案目录报市档案局。 三、工作标准

(一)文件材料的收集工作 文件材料的收集就是归档工作的起点,直接决定归档的质量,务必高度重视,认真负责。只有及时广泛收集,才能保证文件材料的齐全、准确、完整、有效。收集工作与年度评优评先挂钩,档案员务必将本机关的各种红头文件,黑头文件、会议材料、各种会议记录;重大活动资料、工作汇报、简报、专题报告、调研报告;工作计划、总结、小结;规章制度(规定)、干部(职工)登记表、花名册、各类统计报表(组织、人事、工资、业务报表等);协议、合同等收集齐全、完整,确保应归尽归。同时注意收集本机关及行业有保存价值的图书、报刊、资料、声像等,集中移交市档案局。 (二)文件材料的整理工作 1、档案员要按照《归档文件整理规则》与国家档案局第8号令《机关文件材料归档范围与文书档案保管期限规定》的要求,认真指导各单位归档文件整理工作。 2、对上级业务部门有标准规定的按照行业标准整理。如:电业局(按件整理,划分为永久、长期、短期3个保管期限,按机构分类);邮政局、电信局(按企业分类整理);银行(按机构问题分类整理),各组要按其标准指导她们进行整理。

档案资料整理、组卷要求

档案资料整理、组卷要求 一、档案资料整理、组卷标准 建设工程的档案资料进行整理、组卷要求按水利部水办【1997】275号文执行。 二、档案资料排列顺序及组成内容 1.工程基建档案由五大部分组成 (1)·建设单位组卷资料 (2)·质量监督部门组卷资料 (3)·监理公司组卷资料 (4)·设计单位组卷资料 (5)·施工单位组卷资料 2.英文大写字母排列顺序 根据顺序,各单位资料第一个字母用英文大写字母作代表。 例: ·A—建设单位组卷资料 ·B—质量监督部门组卷资料 ·C—监理单位资料 ·D—设计单位资料 ·E—施工单位资料 三、该项目基建档案主要组成内容 1.可行性研究、任务书(由建设单位立卷汇总) 2.设计基础资料(由勘察单位立卷,建设单位汇总) 3.设计文件(由设计单位立卷,建设单位汇总) 4.工程管理文件(由建设单位立卷汇总) 5.施工文件(由施工单位立卷,建设单位汇总) 6.监理文件(由监理单位立卷,建设单位汇总) 7.竣工文件(由建设单位立卷、汇总) 8.财务器材管理(由建设单位、立卷) 四、归档组卷 整理工作包括组成案卷和编目两个过程。根据基建档案主要立卷内容,归档范围的顺序归档组卷;保管期限见附表。 1·组卷的要求 组卷的必须遵循文件材料的自然形成规律,保持卷内文件内容之间的系统联系。由文件材料的主要形成单位负责立卷;组成的案卷要便于利用和保管。 2.组卷的步骤和方法 归类、初排、补缺,保证文件齐全完整,缺少的应设法追回补齐、鉴别、挑选、补救;保证案卷质量。 归挡的文件材料必须达到以下质量要求: (1)归档文件材料内容真实;必须是该项工程在建设过程中直接形成的。 (2)归档文件材料准确、有效。文件材料记载的内容与实际相符、图物相符。按规定已通过了一定的审批、检查、验收程序,负有责任的各方在文件指定位置上签署意见、签名、盖章、注明日期。 (3)归档文件材料必须耐久、易读。所使用的笔墨纸张、胶片、相纸、磁带记录材料等必须质量优良。直接书写的文件;不得使用普通圆珠笔、各种铅笔、红色和纯蓝墨水等易退色的材料,文件材料中的字体端正、图像音质清晰易辩。

华为逻辑电平接口设计规范

Q/DKBA 深圳市华为技术有限公司技术规范 错误!未定义书签。Q/DKBA0.200.035-2000 逻辑电平接口设计规范

2000-06-20发布 2000-06-20实施深圳市华为技术有限公司发布

本规范起草单位:各业务部、研究技术管理处硬件工程室。 本规范主要起草人如下:赵光耀、钱民、蔡常天、容庆安、朱志明,方光祥、王云飞。 在规范的起草过程中,李东原、陈卫中、梅泽良、邢小昱、李德、梁军、何其慧、甘云慧等提出了很好的建议。在此,表示感谢! 本规范批准人:周代琪 本规范解释权属于华为技术有限公司研究技术管理处硬件工程室。 本规范修改记录:

目录 1、目的 5 2、范围 5 3、名词定义 5 4、引用标准和参考资料 6 5、TTL器件和CMOS器件的逻辑电平8 5.1:逻辑电平的一些概念8 5.2:常用的逻辑电平9 5.3:TTL和CMOS器件的原理和输入输出特 性9 5.4:TTL和CMOS的逻辑电平关系10 6、TTL和CMOS逻辑器件12 6.1:TTL和CMOS器件的功能分类12 6.2:TTL和MOS逻辑器件的工艺分类特点13 6.3:TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点13 6.4:包含特殊功能的逻辑器件14 6.5:TTL和CMOS逻辑器件的选择15 6.6:逻辑器件的使用指南15 7、TTL、CMOS器件的互连17 7.1:器件的互连总则17 7.2:5V TTL门作驱动源20 7.3:3.3V TTL/CMOS门作驱动源20 7.4:5V CMOS门作驱动源20 7.5:2.5V CMOS逻辑电平的互连20 8、EPLD和FPGA器件的逻辑电平21 8.1:概述21 8.2:各类可编程器件接口电平要求21 8.3:各类可编程器件接口电平要求21 8.3.1:EPLD/CPLD的接口电平21 8.3.2:FPGA接口电平25 9、ECL器件的原理和特点35 9.1:ECL器件的原理35 9.2:ECL电路的特性36 9.3:PECL/LVPECL器件的原理和特点37 9.4:ECL器件的互连38 9.4.1:ECL器件和TTL器件的互连38 9.4.2:ECL器件和其他器件的互连39 9.5:ECL器件的匹配方式39 9.6:ECL器件的使用举例41 9.6.1:SYS100E111的设计41 9.6.2:SY100E57的设计42 9.1:ECL电路的器件选择43 9.2:ECL器件的使用原则43

几种常用逻辑电平电路的特点及应用

几种常用逻辑电平电路的特点及应用 2007-08-13 来源: 作者: LVDS(Low Voltage Differential Signal)低电压差分信号、ECL(EmitterCoupled Logic)即射极耦合逻辑、CML电平等各种逻辑电平的特点以及接口应用。 在通用的电子器件设备中,TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂,传输的数据量越来越大,实时性要求越来越高,传输距离越来越长的发展趋势,掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 1 几种常用高速逻辑电平 1.1LVDS电平 LVDS(Low V oltage Differential Signal)即低电压差分信号,LVDS接口又称RS644总线接口,是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。 LVDS的典型工作原理如图1所示。最基本的LVDS器件就是LVDS驱动器和接收器。LVDS的驱动器由驱动差分线对的电流源组成,电流通常为3.5 mA。LVDS 接收器具有很高的输入阻抗,因此驱动器输出的大部分电流都流过100 Ω的匹配电阻,并在接收器的输入端产生大约350 mV的电压。当驱动器翻转时,它改变流经电阻的电流方向,因此产生有效的逻辑“1”和逻辑“0”状态。 图1LVDS驱动器与接收器互连示意 LVDS技术在两个标准中被定义:ANSI/TIA/EIA644 (1995年11月通过)和IEEE P1596.3 (1996年3月通过)。这两个标准中都着重定义了LVDS的电特性,包括:①低摆幅(约为350 mV)。低电流驱动模式意味着可实现高速传输。ANSI/TIA/EIA644建议了655 Mb/s的最大速率和1.923 Gb/s的无失真通道上的理论极限速率。 ②低压摆幅。恒流源电流驱动,把输出电流限制到约为3.5 mA左右,使跳变期间的尖峰干扰最小,因而产生的功耗非常小。这允许集成电路密度的进一步提高,即提高了PCB板的效能,减少了成本。 ③具有相对较慢的边缘速率(dV/dt约为0.300 V/0.3 ns,即为1 V/ns),同时采用差

档案整理工作流程

档案整理工作流程 (一)分类。根据《长沙师范学院归档范围和归类细则》把不同类别的档案区分开来。 (二)划分保管期限。鉴别每一份文件的保管期限,相同保管期限、相同类别的档案材料作为一个组卷单位,不同类别、不同保管期限资料不能混装在同一个档案盒中。 (三)组卷排序。排序采用年度—保管期限—分类的方法,同一保管期限的档案资料,同一责任者的档案资料按档案形成的时间先后排序;报告、请示件要同批示、批复一起组件,批复、批示在前,请示、报告在后;正件在前、附件在后;正本在前,定稿在后;转发件在前,被转发件在后;重大活动资料可装订成册,作为一件。在组卷过程中,去掉重复的档案材料,同类文件较少的可以立薄卷。 (四)去钉书针。 (五)装不锈钢钉。 (六)编页号。卷内文件无论单面或双面只要有书写文字,均应一面编写一个页号;空白页不计数,页号的位置在每面材料非装订一侧的下角,每件档案的页号均从“1”开始编流水号。 (七)盖章编号。在保存的每一件档案的右上角空白处盖归档章并如实填写,如图: 说明: 1、责任者:文件形成单位,比如湖南省政府、湖南省教育厅、长沙师范学院等, 联合发文填主办者和“我”(我指我院)。如有多个责任者,可写前三个,后加“等” 字,未署责任者的文件,应考证清楚再填写。 2、年度:档案形成的年度,按自然年度算,如2009、2011等。不同年度的文件 不得混淆,一份文件有多个时间特征的,分年度时,以文件签发日期(成文日期)为准,据以判定文件所属年度。 3、档案分类:根据学院档案分类填写,如党群综合(DQ11)、行政人事(XZ12) 等。

4、保管期限:永久、定期(30年或者10年)。 5、件号:归档文件的排列顺序号,同一分类、同一保管期限的档案从“1”开始编流水号。 (八)编目。即编写卷内归档文件目录,如图 归档文件目录 说明: 1、件号:与归档章上注明的件号一致。 2、责任者:文件形成单位。 3、文号:文件相对应的文号,如湘教通[2013]XX号,长师字[2013]XX号等,如果没有就不需要填写,文号栏内不得填写刊物名称、期次、文件材料的件次。 4、日期:文件的形成日期,没有标明落款日期的文件材料.应通过对照等手段考证文件的准确日期或推断近似日期。 5、题名:即文件标题,一般应照实抄录。没有标题或标题不能说明文件内容的文件,可自拟标题,外加“[ ]”号。 6、页数:既每份文件的页数。 7、备注:对文件的说明,比如附件,列表,图片等。 2

各种逻辑电平标准

各种逻辑电平标准 在通用的电子器件设备中,TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂,传输的数据量越来越大,实时性要求越来越高,传输距离越来越长的发展趋势,掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为LVTTL电平。·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入 常用电平标准 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻; TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

档案整理工作总结

档案整理工作已接近尾声,现从以下四方面对自己工作做总结汇报: 一、近两个月来做了哪些工作 二、在整理过程中存在哪些问题,是如何解决的 三、分析问题产生的原因,探索人事档案工作将来如何开展 四、本次档案整理工作的意义 从2014年4月1日来总部报到,至今已历时50天时间,期间在张志英同志的倾力协助、支持、关心下,我们把公司本部人员、漳电分公司、河津分公司、宁夏、华泽等单位副处以上人员的档案共计72本进行了审核、补充、整理归档。 同时,对其它单位的档案管理人员进行了培训、指导、具体帮带、辅助整理等工作。受培训人员达10多人,培训时间贯穿整个整理过程,随来随培训。 在整理过程中,每份档案都有不同程度的缺短材料,我们补充完善了1200多份材料,复印800多件原件,补做《干部任免审批表》400多份,在作表时查找相关文件资料400多件,补盖公章1200多个。(审批表、复印件需加盖公章,张工亲自多次去北京或到原单位补盖,或找人顺带等等,千方百计做这些工作)。 在补充完善了归档材料后,通过准确分类、裁剪修补、认真书写分类号和页码,打印目录、整齐装订,使近80份档案完美上架。一份档案,不经过10次以上的反复是上不了架的,我们就利用周末或晚上加班,使工作时间有了保障。 在整理过程中发现存在共性的问题有以下7个方面:

1、年龄出现多个版本,随意更改; 2、姓名随意更改,多用同音字; 3、《干部履历表》多年不填写,填写了的缺照片,缺本人签字,缺机关盖章,不规范; 4、在应审计的岗位上工作过的干部,没有审计报告或结论性的审计材料(普遍没有归档); 5、挂职人员、培训人员、出国人员所需的鉴定、成绩、审查表等普遍缺少归档; 6、受奖干部缺少登记表、审批表,只是提供了奖状复印件; 7、《干部任免审批表》缺的程度很严重,有的干部已是副处甚至以上,竟没有一张任免表,有的离开原来单位十多年了,职位多次变动,任免表还停留在原单位仅有的几张。 对以上存在的问题我们是怎么解决的? ①、对年龄的确认,我们依据档案里最早出现年龄的那份材料(一般是《入团志愿书》),再参考本人身份证,如若相差不过2个月,就与其身份证保持一致,尽量不给其以后的生活造成麻烦。对于相差一年或两年的,严格依据最早的那份材料来确认。 ②、对姓名中出现多音字的,请其出示“更改姓名证明”,或不曾更改的,只是自己随意写,就在档案目录前填写《档案中存在的问题》。 ③、对于《干部履历表》短缺的,已无法重新组织填写的,只能成为遗憾。缺照片、本人签字的,我们尽量找本人索要相近时代的照片补贴上去,需补盖审查机关公章的,去原单位补盖。并指导规范填写

常用逻辑电平标准总结归纳

常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL:Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL: Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL: Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS: Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS: Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。 CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。 ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

档案归档整理流程

文书档案(归档文件)整理流程 第一步:收集文件材料; 第二步:分年度; 第三步:确定归档范围; 第四步:整理单位“件”的确定; 第五步:“件”的装订; 第六步:划分保管期限; 第七步:归档文件的排列; 第八步:盖归档章和编号; 第九步:归档文件的编目; 第十步:装盒、填写备考表与上架。

会计档案整理流程 (会计凭证档案整理流程) 第一步:收集会计凭证档案材料; 第二步:分年度; 第三步:组卷并装订(含包角) 第四步:案卷的排列; 第五步:加盖归档章。在每本凭证封面上方加盖归档章和保管期限章; 第六步:编案卷号。按照分类编号方案编制案卷号,并填入归档章。 第七步:编制案卷目录; 第八步:装盒并上架。

会计档案整理流程 (会计账簿、报表、其它档案整理流程) 第一步:收集会计账簿、报表、其它档案材料; 第二步:分年度。将每类材料按年度分开。 第三步:组卷 1、每本自然形成的表、账、册为一卷; 2、编页码。以每卷为单位,在有效页面上从1开始编写流水号,直至一卷编写结束。 3、填写案卷封面和卷内备考表; 4、装订,以案卷为单位,将案卷封面、档案实体、卷内备考表合在一起进行装订。 第四步:案卷的排列;按总分或保管期限类型相对集中进行排列。 第六步:编案卷号。按照分类编号方案编制案卷号。 第七步:编制案卷目录; 第八步:装盒并上架。

业务档案整理流程 第一步:收集业务资料; 第二步:分业务档案类型; 第三步:分年度; 第四步:确定归档范围; 第五步:划分保管期限; 第六步:编页码。以每卷为单位,在有效页面上从1开始编写流水号,直至一卷编写结束。 第七步:编卷内目录; 第八步:填写案卷封面和备考表; 第九步:装订,以案卷为单位,将案卷封面、档案实体、卷内备考表合在一起进行装订。 第十步:归档上架。

常用逻辑电平简介讲解学习

常用逻辑电平简介(转载) 逻辑电平有:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP;RS232、RS422、RS485等。 图1-1:常用逻辑系列器件 TTL:Transistor-Transistor Logic CMOS:Complementary Metal Oxide Semicondutor LVTTL:Low Voltage TTL LVCMOS:Low Voltage CMOS ECL:Emitter Coupled Logic, PECL:Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic LVDS:Low Voltage Differential Signaling GTL:Gunning Transceiver Logic BTL:Backplane Transceiver Logic ETL:enhanced transceiver logic GTLP:Gunning Transceiver Logic Plus TI的逻辑器件系列有:74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等 S - Schottky Logic LS - Low-Power Schottky Logic CD4000 - CMOS Logic 4000 AS - Advanced Schottky Logic 74F - Fast Logic ALS - Advanced Low-Power Schottky Logic HC/HCT - High-Speed CMOS Logic BCT - BiCMOS Technology AC/ACT - Advanced CMOS Logic FCT - Fast CMOS Technology ABT - Advanced BiCMOS Technology LVT - Low-Voltage BiCMOS Technology LVC - Low Voltage CMOS Technology LV - Low-Voltage CBT - Crossbar Technology ALVC - Advanced Low-Voltage CMOS Technology AHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOS CBTLV - Low-Voltage Crossbar Technology ALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology AVC - Advanced Very-Low-Voltage CMOS Logic TTL器件和CMOS器件的逻辑电平 :逻辑电平的一些概念 要了解逻辑电平的内容,首先要知道以下几个概念的含义: 1:输入高电平(Vih):保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于Vih时,则认为输入电平为高电平。 2:输入低电平(Vil):保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,

相关主题
相关文档 最新文档