模拟电子技术基础试题
一、选择题：
1、当NPN 型BJT 的V CE > V BE 且V BE >0.5V 时，则BJT 工作在（ ）。 A 、截止区 B 、放大区 C 、饱和区 D 、击穿区
2、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i
o
F X X A =为（ ）。
A 、100
B 、10
C 、90
D 、0.09
3、电路如下所示，A 为理想运放，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。 A 、1与3相接，2与4相接 B 、 1与4相接，2与3相接 C 、 1与3相接，2与5相接 D 、2与3相接，1与5相接
4、下图所示电路，二个稳压管的正向导通压降均为0.7V ，稳定电压均为5.3V 。图中A 为理想运算放大器，所用电源电压为±12V 。若v i =0.5V ，则输出电压v o =( )。 A 、-12V B 、12V C 、6V D 、-6V
X
o 5
v o ＋ －
5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，出现交越失真的原因是（ ）。 A 、两个BJT 不对称 B 、输入信号过大
C 、输出信号过大
D 、两个BJT 的发射结偏置为零 6、BJT 放大电路增益在高频段下降的主要原因是（ ）。 A 、耦合电容的影响 B 、滤波电感的影响 C 、BJT 的结电容的影响 D 、滤波电容的影响 7、下图所示电路实现（ ）运算。
A 、积分
B 、对数
C 、微分
D 、反对数
8、若希望抑制500Hz 以下的信号，应采用（ ）类型的滤波电路。 A 、低通 B 、带通 C 、带阻 D 、高通 9、下列电路中，能实现交流放大的是（ ）。
A 、（a ）图
B 、(b)图
C 、(c)图
D 、(d)图
(a)
(b)
v o ＋ －
o v o
10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压（）。
A．大小相等、极性相反
B．大小相等、极性相同
C．大小不等、极性相同
D．大小不等、极性相反
11．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A): 掺入杂质的浓度、(B): 材料、(C): 温度
12．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A): 放大状态、(B): 饱和状态、(C): 截止状态
13．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍、(B): 约为原来的2倍、(C): 基本不变
14．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( )
(A): 输入信号过大、(B):晶体管输入特性的非线性、(C):电路中有电容
15．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( )
(A): 提高差模电压增益、(B):提高共模输入电压范围、
(C): 提高共模抑制比
16．若A+B=A+C，则（）
(A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C
17．同步计数器中的同步是指（）
（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；
（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制
18．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）
（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真
19．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）
（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子
20．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）
（A）增加（B）减少（C）不变
21．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）
A、输入电阻高
B、输出电阻低
C、共模抑制比大
D、电压放大倍数大
22入失调电压UIO 是（）
A、两个输入端电压之差
B、输入端都为零时的输出电压
C.出端为零时输入端的等效补偿电压。
23抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路
A、差放
B、正弦
C、数字
24对于钟控RS触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS信号（）
A、RS=X0
B、RS=0X
C、RS=X1
二、填空题：
1、在P型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。
2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管处于__________状态，电流I D=__________。
3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。
4、两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合，其复合管的β值约为__________。
5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则
随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。
6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频
率。
7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为
____________________。
8、理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。
9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字或数学式子
描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。 10、
单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等
于__________。 11、
如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示，则可
知功放管__________工作不正常。
12、
下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定电路的
输出电__________。
13、 根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。
v o v i
CC (a)
ω t
(b)
v o
C
2
14、 场效应管是__________控制器件。BJT 是__________控制器件。
15、 下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流I DSS =__________。
16．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。
17．PN 结具有_________特性。
18．三极管具有放大作用的外部条件是________、_________。 19．集成运放的输入级一般采用__________放大电路。
20．正弦波振荡的相位平衡条件是_____________幅度平衡条件是_________。 21．电压串联负反馈可以稳定输出_______并能使输入电阻________。
22．多级放大器的极间耦合方式有_______________，_______________，______________。 23．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 24．功率管工作在甲乙类状态的目的是__________________。
25．在常温下，硅二极管的开启电压是__________V ，导通后在较大电流下时正向压降约_________V 。
26．RC 桥式振荡电路中，ω0=1/RC 时，Fu=________。
27．二极管的最主要特性是_________，它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的_________。
28．并联反馈的反馈量以_________形式馈入输入回路，和输入_________相比较而产生净输入量。 三、判断
1．稳压二极管稳压电路中，限流电阻可以取消。 （ ）
V GS (V)
2．半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的（）
3．反馈具有稳定输出量的作用。（）
4．在运算放大器的运用电路中，若存在反馈则运放工作在线性状态。（）
5．某放大器不带负载时的输出电压为1.5V，带上RL=5KΩ的负载后，测得输出电压下降为1V，则放大器的输出电阻RO=2.5KΩ。（）
6．差动放大电路中，恒流源的作用是提高共模抑制比（）
7．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合。（）8．放大电路的A<0，说明接入的一定是负反馈。（）
9．最小项是构成逻辑函数的最小单元。（）
10．TTL与非门多余的输入端不容许接地。（）
11．硅稳压管稳压是利用二极管的反向截止区。（）
12．负反馈电路是不可能产生自激振荡的。（）
13．双、单极型三级管都是电流控制元件。（）
14．三级管只要工作在线性放大区就有Vc>Vb>V e （）
15．三级管放大电路中，加入Re一定可稳定输出电流。（）
16．正弦波振荡电路的起振条件是|
.
A
.
F|=1。（）
17．TTL或门电路不使用的输入端可以接地。（）
18．CMOS逻辑与门电路，多余的输入端可以悬空。（）
19．CMOS传输门，具有双向传输特性。（）
20．在基本放大器的图解分析中，若负载断开时，则交流负载线和直流负载线重合（）四、简答题
1．已知三极管工作在线性放大区，各极对地电位如图所示：
1）试在图中补全三极管的符号，并标出b,c,e极；
2）三极管的材料为___________（硅管还是锗管）；
3）三极管的管型为___________（NPN还是PNP）。
2．已知下图中，二极管为理想器件，判断两个二极管是导通还
是截止。
3．判断反馈类型（正负反馈、串并联反馈、电压电流反馈、交直流反馈） （1）判断下图中反馈元件Rf 的反馈类型
（2）判断下图中R 的反馈类型
4、杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？
5、什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？
6、什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？
7、测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U 1、U 2、U 3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN 型还是PNP 型？并确定三个电极。
(a)
(b)
(a)
O
A
(1) U1=2.5V U2=6V U3=1.8V
(2) U1=2.5V U2=-6V U3=1.8V
(3) U1=-6V U2=-3V U3=-2.8V
(4) U1=-4.8V U2=-5V U3=0V
8、如何用万用表的电阻挡判断某一个三极管是NPN型还是PNP型？如何确定它们的三个电极e、b、c？
9、解释什么是共模信号、差模信号？
10、什么叫"虚短"、"虚地"？什么叫"虚断"？在什么情况下存在"虚地"？
五、计算
1．电路如下图所示，已知U CC＝12V，R C＝3k ，β＝40 且忽略U BE，若要使静态时U CE＝9V，则R B应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？
2、如下图所示为NPN型晶体三极管组成的单管放大电路，已知U CC＝12V，R B＝400kΩ，R C ＝4kΩ，晶体管的β＝40。
⑴若晶体管的β＝40，求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ的值（U BE忽略不计）；
⑵若将原三极管换成β＝90的另一只同类型三极管，问电路能否正常工作？
3、出图示电路中v O 与v i 1与v i 2的关系式。
4、理想运放和BJT 组成的稳压电路如图示，要求： 1) 标出电路中运放两个输入端的极性
2) 设BJT 的V BE ≈0V ，计算本电路的输出电压V O
3) 若运放最大输出电流为10mA ，BJT 的β=200，求输出最大电流I Omax 4) 当负载R L 减小（即I O 增加）时，试说明稳压过程
5、在下图所示的差分式放大电路中，设两个BJT 完全对称，V BE =0.7V ，r bb’ =200Ω，β=50,
要求：
1) 估算T 1管的静态值I C1、I B1、V CE1
2) 求双端输入、单端输出（从
T 2管的集电极输出）时的差模电压增益A VD2=i2
i12v v v o -
3) 双端输入时的差模输入电阻r id
o
R 1 1V o
i2
6、分析下图电路中R F1和R F2引入反馈的类型，并说明这些反馈对放大器性能有何影响。
7、下图所示为共射极基本放大电路，若三极管的U CC＝12V，R C＝3ΚΩ，U BE忽略不计
(1) 若R B＝400kΩ，β＝50，试求静态工作点。
(2) 若要把U CEQ调到2.4V，R B应调到多大阻值？
(3) 若要把I CQ调到1.6mA，R B应调到多大阻值？
8、下图所示为应用运算放大器测量电阻的原理电路，输出端接电压表，当电压表指示5V时，试计算被测电阻R x的阻值。
9、在下图中，已知R f = 2R 1，u i = -2V 。试求输出电压u o 。
10、用公式法化简下列函数 （1）ABC C AB C B A C B A F +++= （2）C AB ABC BC A C B A F +++= （3）C B BC C B A BCD A A F ++++= （4）C B AC C B A F +++= （5）))((D CD A C A A F +++= 答案 一、单选题
1、B
2、B
3、A
4、C
5、D
6、C
7、C
8、D
9、B 10、B 11、A 12、C 13、B 14、C 15、C 16、A 17、C 18、A 19、C 20、A 21、C 22、C 23、A 24、B 二、填空题 1、空穴，自由电子
2、导通，2.75mA
3、|AF|=1，|AF|>1
4、β1β2
5、截止，饱和
1）
6、0.707（或
2
7、频率失真(线性失真)
8、∞，∞
9、|Ad/Ac|，∞
10、9V
11、T1
12、电流串联负反馈，13、能
14、电压，电流
15、3mA
16、电容、短路
17、单向导电18、发射结正偏、集电结反偏19、差动21、电压、增大22、直接耦合、阻容耦合、光电耦合和变压器耦合23、0、无穷大25、0.7、0.3
三、判断题×√√×√√×√√×√××××√√√√×
四、简答题
1、1）v-c、0.3v-e、0v-b 2）锗管3）PNP型
2、D1截止、D2导通
3、（1）a电压并联负反馈b电流串联负反馈（2）a电压并联负反馈b电压串联负反馈
4、答；半导体有P型半导体和N半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
5、答；P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。PN结最基本的特性是单向导电性。
6、答；因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。
7、答：（1）NPN 型硅管1-B ，2-C ，3-E ；（2）PNP 型硅管1-E ，2-C ，3-B ；（3）PNP 型锗管1-C ，2-B ，3-E ；（4）NPN 型锗管1-B ，2-E ，3-C 。
8、答．采用万用表K 1R ?或100R ?挡进行测试，具体测试方法如下： 第一步 假设三个管脚中任一管脚为基极，判断基极
把万用表的一个表笔接假设的基极，另一表笔分别接另外两个管脚。 若测得的电阻：
1）都很小或都很大，把万用表的两个表笔调换一下重新测试。若原来都很小，调换表笔后测得都很大，或原来都很大，调换表笔后测得都很小，则假设的基极是正确的。 2）一大一小，则假设是错误的，需重新假设进行测试。 第二步 判断管型
若以测得阻值都很小为准，若黑表笔接的是基极，则该管为NPN 型，否则为PNP 型。 第三步 假设剩余的两个管脚中其中一个是集电极，判断集电极
若为NPN 型管，用手同时捏住基极和假设的集电极（但两管脚不能接触），黑表笔接假设的集电极，红表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。若为PNP 型管，红表笔接假设的集电极，黑表笔接基极，如果指针摆动较大，则假设的集电极是正确的，否则不正确。
9、答：共模信号：大小相等、极性相同的输入信号。 差模信号：大小相等、极性相反的输入信号。
10、答："虚短"是指集成运放两输入端电压相同；"虚断"是指集成运放两个输入端电流为零。"虚地"是指集成运放反相输入端电位与地相同，但反相输入端并未接地，反相输入端称为"虚地"，只有反相输入电路才有"虚地"的概念。
五、计算题 1、解：由
C
C CC CE R I U U -=知
mA
13
912C
CE
CC C =-=
-=
R U U I
mA
025.040
1C
B ==
=
β
I I
k Ω
480025
.012
B
CC B ==
=
I U R
Ω
≈Ω≈++≈++==k I r R E
be i 4.113661
26)
401(30026)1(300β
Ω
==k R R C
o
3
2、解：（1）
μA
30mA 03.0400
12B
CC BQ
===
≈
R
U
I
mA
2.10
3.040BQ
CQ
=?=≈I
I
β
V
2.742.112C
CQ
CC
CEQ
=?-=-
=R
I U
U
（2）mA
7.203.090BQ
CQ
=?=≈I
I
β
V
2.147.212C
CQ
CC
CEQ
=?-=-
=R
I U
U
由于电路的动态范围变小，若输入信号不变，易发生非线性失真。 3、
解：
对于第2个运放：
根据 得：
4、 1）“+”下“-”
2）
3）
1
11
11
1
1013
4)31
1()1(i i i f v v R R v R R v i
=
?+=?+
=1
22
2123o o o N i p v R R R v v v v v +?+-=
===?=?≈=∴≈?o o o A mA mA I V V V 220002*********
35
max β
)(44121
22
1
2i i o o o o i N
p v v v v R R v v v v v -=+?-=
≈
4）
5、1）静态时，v i1=v i2=0
2）、
3）Ω≈+?=+=K K r R r be b id 1.5)526.210(2)(2
6、答：R F1为电路引入了电压串联交直流负反馈。使输入电阻变大，输出电阻变小。 R F2为电路引入了电流并联直流负反馈。使输入电阻变小，输出电阻变大。
7、（1）μA
30400
12B
CC BQ ===
R U I mA
5.103.050BQ CQ =?==I I β
V
5.735.112C CQ CC EQ =?-=-=R I U U C
（2）
C
CQ CC CEQ R I U U -=
mA
2.33
4
.212C
Q
CE CC CQ =-=
-=
R U U I
mA
064.050
2.3CQ
BQ ==
=
βI I
Ω
==
=
k I U R BQ
CC B 5.187064
.012
（3）
mA
032.050
6.1CQ
BQ ==
=
β
I I
V
V K I I V mA I I mA
mA
I V I K I E c CE B C B K B B 712102101256.02.11502.110112.010512107.0120
1210)1(27.010********≈+?-?-==?====??+-=
=-?+++?∴ββ20)
526.210(210501010526.257
.02651200)
(222≈+?=∴==Ω
≈?+=+=
VD b C be be b C
VD A K
R K
R K r r R R A β
k Ω
375032
.012BQ
CC ==
=
I U R B
8、
10
1
?-
=R R u x o
Ω
=?=
M 5.010
5
1x R
9、一级是电压跟随器电路，后一级是反相比例运算电路，所以V
41
f 0=-
=i u R R u
10、（1）A （2）AB C A +（3）A+C （4）C B A ++（5）A+CD
电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V；若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模 输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情 况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小
C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压
坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。
模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9
第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
模拟电路测验试题10套 1 / 34
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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 1 / 34
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O
放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V， V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则 复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。
第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。 2