北京交通大学考试试题及参考答案
课程名称：模拟电子技术2006-2007学年第二学出题教师：集体
班级：学生姓名_________学号_________
一、填空（20分）
1.环境温度变低低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数变__________。
2.当设计要求输出功率为20W的乙类推挽功放时，应选取P CM至少为
__________W的功率管。
3.在构成多级放大电路时，每级放大器之间的级间耦合方式主要有
_______、_______、_______。如果要传送变化缓慢的信号，应采取_______耦合方式。
4.在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、改善负载能力的目的，应
该给放大器接入_______反馈。
5.在放大电路中，为了减小从信号源索取的电流，应引用_______反馈。
6._______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电
阻小。
7.对于差分放大电路，主要功能是放大差模信号、抑制共模信号，单端输
出时要提高共模抑制比，应该______________。
8.放大电路中对不同频率的信号的响应是不同的，影响放大器高频频率响
应的主要原因是______________；影响放大器低频频率响应的主要原因是______________。
9.测得放大电路中三只晶体三极管三个电极的直流电位如图一所示。试分
别判断它们的管型、管脚、所用材料及工作状态。图一（a）为
______________、图一（b）为______________、图一（c）为______________。
图一
10.E/E型NMOS放大器与E/D型NMOS放大器相比，电压增益较________，
输出电阻较________。
11.NMOS管的衬底是_________型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位
________的电位上。
答：
1.变小
2.4W
3.直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。直接耦合
4.电压串联负反馈
5.串联负
6.同相、反相
7.增大射极电阻，如采用有源负载
8.结电容、耦合电容和旁路电容
9.图一解（a）是锗型PNP管，放大状态；图一解（b）是锗型PNP管，放大
状态；图一解（c）是硅型NPN管，放大状态。
管脚如图一解所示。
图一解
1.小；小
11．P；低
二、（5分）判断下列说法是否正确
1．双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。( )
2．若放大器没接负载，说明放大器工作在开环状态。( )
3．在运算电路中，集成运放中的反相输入端为虚地。( )
4．若放大器的增益稳定，则引入的反馈一定是负反馈。( )
5．集成运放构成的放大电路中，输入电阻都趋近∞。( )
答：
1对、2错、3错、4错、5错
三、简答题（10分）
1．简述在大规模的集成电路中，为什么多采用MOS管作为基本单元，而不用双极型三极管。
2．简述互补对称功率放大器工作在何种状态？此状态的特点是什么？
解答：
1．MOS器件每个单元所占的芯片面积小，功耗低，输入阻抗高，电压输入范围宽，MOS工艺也比三极管工艺简单，成本低，因而在集成电路中，特别在大规模和超大规模集成电路中，多采用MOS管作为基本单元，而不用双极型三极管。
2．互补对称功率放大器工作在乙类或甲乙类工作状态。该状态的工作效率较高，一般采用双电源供电，信号动态范围较大。乙类功率放大器存在交越失真。
四、计算题
1．（15分）如图2所示放大电路，已知晶体管的β
1 =β
2
= 50，对于T1和T2
均有U BE = 0.7V，I C >> I B
(1) 试估算放大电路的静态工作点;
(2) 求放大器的总电压增益A Us;
(3) 输入电阻R i′和输出电阻R o′
图2解：
(1)静态工作点
解法一：
因为有I C >> I B，所以
解法二：
当不能确定两个三极管的集电极电流和基极电流之间的关系时，根据电路可以列写下面电路方程
(2) 微变等效模型如图2（a）所示。
图2（a）
总电压增益：
(3) 输入电阻R i′和输出电阻R o′：
2．（10分）电路如图3所示，集成运放为双电源供电，电源电压为12V，已知
u
= 10mV，u I2 = 20mV。求R W的滑动端在最上端和最下端时，分别求出输出电I1
压u O = ?
图3
解：
a)R W的滑动端在最上端时
解法一：
解法二：
2) R W的滑动端在最下端时，A1处于开环状态，工作在非线性工作状态。
此时
3．（15分）如图4所示电路，判断：
（1）有哪些反馈网络，指明反馈元件，并分别为何种组态；
（2）说明哪个是主反馈；
（3）写出负反馈放大器深度负反馈下的电压增益表达式。
图4
解：
(1) R f1、R f2、C为级间直流电压并联负反馈
R
为级间交直流电流串联负反馈
E1
R
为本级交直流电流串联负反馈
E2
(2) 主反馈为R E1级间交直流电流串联负反馈
(3)
4．（15分）由理想运放构成的电路如图5所示，求电路的电压增益。并画出电路幅频特性的波特示意图。
图5
解：
(1)电压增益函数计算
(2)
令、，
系统增益函数表达式为：
幅频特性的渐进线波特图如图5（a）所示。
图5（a）幅频特性波特图
5．（10分）电路如图6所示，设h fe1 = h fe2 = h fe3 = h fe，三个管子的h ie1 = h ie2 = h ie3 = h ie。写出电压增益A U、输入电阻R i′和输出电阻R o′的表达式。
图6
解：
北京交通大学考试试题及参考答案
课程名称：模拟电子技术 2007-2008学年第二学期出题教师：集体
班级：学生姓名_________学号_________
一、填空（15分）
1.变容二极管在利用其变容特性工作时，应使变容二极管工作在
_____________工作状态。
2.MOS管是______________器件，小信号工作时可以等效成______________
源。
3._______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻
小。
4.NMOS管的衬底是_______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位
_______的电位上。
5.二极管的V-A特性和工作范围如图1所示，工作点在Q，试求二极管的直流
电阻R be的电阻值是______________和交流电阻r be的电阻值是
______________。
图1
1.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流
的是_______，不能放大电压、可以放大电流的是_______，输入电阻最小的是_______，输出电阻最小的是_______。
2.结型场效应管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS
管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大。
解答：
1.反向偏置；或反向电压工作。
2.电压控制；电压控制电流源。
3.同相；反相。
4.P；低。
5.367欧姆；100欧姆
6.共基；共集；共基；共集
7.反向；反向
二、选择填空（10分）
1.如图2所示单级共射放大电路及输出特性曲线，图中MN为直流负载线。
(a) (b)
图2
(1) 要将静态工作点由Q1点调整到Q2，应__________；
(2) 要将静态工作点由Q1点调整到Q3，应__________。
A．增大R B B．减小R B C．增大R C D．减小R C E．增大U CC F．减小U
CC
2. 如图3是低频功率放大器，请回答下列问题。
(1) 最大输出功率近似为______W。
(2) 级间负反馈元件________。
(3) 电路的反馈类型是____________。引入此反馈可使输入电阻
____________。
(4) 要大幅度增加共模抑制比，应将此电路中的_____________改变为
____________。
(5) 在没有交越失真的情况下，A、B两点间电压约为____________V。此功率放大器是______类工作状态。
图3
解答：
1．(1) B
，虽然直流负载线向左边平移，I B
(2) C （注意：F不对，因为如果减小U
CC
也将减小）
2. (1) 9W。
(2) R10
(3) 电压串联负反馈；提高
(4) R6；恒流源
(5) 2.8V；甲乙类
三、判断题（5分）
1.单级放大电路只要接负反馈，就一定稳定增益。（）
2.既然电压负反馈稳定输出电压，那么必然稳定输出电流。（）
3.在放大电路中采用复合管后，使电流增益提高，那么电压增益也一定能提
高。（）
4.同相加法器和同相型运放一样，各输入电阻均为无穷大。（）
5.放大电路负载开路因此没有反馈作用。（）
解答：对；错；错；错；错
四、计算、简答题（60分）
1.（8分）如图4所示电路，已知电路输入电压波形，画输出电压波形。
图4
解：输出电压波形如图4（a）所示。
图4（a）
2.（10分）运放电路如图5所示，是一个电压——电流变换电路。试求I L
表达式；并求输出U o与U i关系式。
图5
解答：，
3.（15分）如图6所示放大电路，已知场效应管的U GS,off、I DSS、g m以及双极型
三极管h fe和电路参数，求：
（1）写出静态工作点的表达式；
（2）画出微变等效电路；
（3）写出放大器的电压增益A U、输入电阻R i′和输出电阻R o′的表达式。
图6
解答：
（1）静态工作点的计算表达式
的静态工作点：
场效应管VT
1
三极管VT
的静态工作点：
2
（2）微变等效电路如图6（a）所示。
图6（a）
（3）
4.（15分）如图7所示电路，已知U CC = 18V，R L = 16Ω，R4 = 10kΩ，R5 =
150kΩ，T1和T2的饱和管压降|U CES| = 0.7V。
（1）电路有哪几部分构成；
（2）电源电压不变，此电路要降低管子的损耗应改变电路中的何种参数值？
（3）此电路引入了何种反馈？深度负反馈下的电压增益为多少？
（4）要改成电压并联反馈应如何改动电路？
图7
解答：
（1）第一级电路是由运放构成的反馈放大器；第二级电路是OCL甲乙类功率放大器。
（2）提高R L。
（3）电压串联负反馈。
（4）电压并联负反馈电路图如图7（a）所示。
图7（a）
5.（12分）已知电压增益函数为
（1）画出幅频特性的渐近线波特图；
（2）求中频电压增益A U(dB)、低频截频f L和高频截频f H。解答：
解：
（1）根据系统电压增益函数，可得系统频率响应函数为
其标准形式为
系统幅频特性的渐进线波特图如8图所示。
图8
（2）由图8可知：
中频电压增益A U为60dB。
低频截频f L为15.9Hz。
高频截频f H为1.59104Hz。
五、设计题（10分）
已知μA741(LM324)运算放大器（通用型运算放大器）的增益带宽积为1MHz，试利用μA741(LM324)运算放大器设计一个增益为60dB的音频放大器（带宽为20kHz）。
要求：
（1）画出电路图，标明参数；
（2）求出实际带宽。
解法一：
（1）增益20lg|A U| = 60dB ,即 A U = 1000。设计电路图如图9所示。
. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1
一、选择题(本大题共15小题，每题只有一个正确答案，请将其序号填在答题卡 上，每小题5分，满分75分) 1、已知全集U ＝R ，M={x|x 21+≤,x ∈R}，N ＝{1,2,3,4}，则C U M ∩N= ( ) A. {4} B. {3,4} C. {2,3,4} D. {1,2,3,4} 2、“G ＝ab ±”是“a,G,b 成等比数列”的 ( ) A. 充分不必要条件 B. 必要不充分条件 C. 充要条件 D. 既不充分也不必要条件 3、函数y=)32(log 3-x 的定义域为区间 ( ) A. ),23(+∞ B. ),23 [+∞ C. ),2(+∞ D. ),2[+∞ 4、函数y=sin3xcos3x 是 ( ) A. 周期为3π的奇函数 B. 周期为3π 的偶函数 C. 周期为32π的奇函数 D. 周期为32π 的偶函数 5、已知平面向量与的夹角为90°,且＝(k,1)，＝(2,6)，则k 的值为 ( ) A. -31 B. 3 1 C. -3 D. 3 6、在等差数列{a n }中，若S 9=45，则a 5= ( ) A. 4 B. 5 C. 8 D. 10 7、已知抛物线y=mx 2的准线方程为y=-1，则m ＝ ( ) A. -4 B. 4 C. 41 D. -4 1 8、在△ABC 中，内角A 、B 所对的边分别是a 、b ，且bcosA=acosB ，则△ABC 是( ) A. 等腰三角形 B. 直角三角形 C. 等边三角形 D. 等腰直角三角形 9、过原点的直线与圆x 2+y 2+4x+3=0相切，若切点在第二象限，则该直线的方程是 ( ) A. y=x 3 B. y=-x 3 C. y=x 33 D. y=-x 3 3 10．下列命题中正确的是（ ） A ．平行于同一平面的两直线平行 B.垂直于同一直线的两直线平行 C.与同一平面所成的角相等的两直线平行D.垂直于同一平面的两直线平行 11、已知tan α=5，则sin α·cos α= ( )
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。
泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟） 一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值，分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4， 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。 二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。
3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算： 、 和 。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.doczj.com/doc/e42692559.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。
---精品文档欢迎来主页下载 2018高职高考数学模拟试卷120分钟。小题，满分150分。考试时间本试题卷共24注意事项：、答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、1铅笔将试卷类型填涂在答题卡试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除”铅笔把答题纸上对应题目的答案标号用2B2、选择题每小题选出答案后，涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。A 试卷类型：75分）小题，每小题5分，共一、单项选择题（本大题共15在 每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。错涂、多 涂或未涂均无分。????5,44N?,3M?,0,1,23,）1.已知集合，,则下列结论正确的是（ ????MM?NN?52,0,1?N?,3,4?MN?M D. C. A. B. log(x?1)2?x)f(的定义域是（2 、函数）x?2A B C D ),??(((??,0)1,2]2)21(,log2?log31a?0?”的（”是“）3.“aa A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . 7lg7?lg B. A. 1lg3?lg7?3lg3lg37?7lg D. C. 37lg3lg?3lg7?????????xcb??1,02,a?4,5x? ( ，). 5. 设向量,，且满足与，垂直则cba?11? C. D. A. B. 2?222 3x?1?2的解集是（）6.不等式 精品文档． 欢迎来主页下载---精品文档 11???? B. C.（－1，3） D.（1，3） A.?1，，1????33????. ）x+y-5=0的直线方程是（7、过点A（2，3），且垂直于直线2 2x+y-7=0 x-y-1=0 D、x-2y+4=0 B、y -2 x +4=0 C、2A、). 函数的最大 值是( 8. )?4sinxcosx(x?Rf(x) D. C. B. A. 8412k??），则9．已知角的值是（终边上的一点?cos,?4),P(3k41216 D．A．C．． B ?3?4?55?. ）平移后的图象对应的函数为（的图象按向量10、函数,1)?a=(x2y?sin6??B、A、1)?y?sin(2y?sin(2x?)?1x? 63??D、、 C1y?sin(2x??x?)y)?1?sin(236n???a).
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：
4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．
2018年高职高考数学模拟试题一 数 学 本试卷共4页，24小题，满分150分。考试用时120分钟。 注意事项：1．答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座 位号填写在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型(A)填涂在答题卡相应位置上。将条形 码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴处”。 2．选择题每小题选出答案后，用2B 铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信息点涂黑， 如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案，答案不能答在试卷上。 3．非选择题必须用黑色字迹钢笔或签字笔作答，答案必须写在答题卡各题目指定区域 内相应位置上;如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案;不准使用铅笔和 涂改液。不按以上要求作答的答案无效。 4．考生必须保持答题卡的整洁。考试结束后，将试卷和答题卡一并交回。 一．选择题（共15题，每小题5分，共75分） 1. 设集合{}2,0,1M =-，{}1,0,2N =-,则=M N I ( ). A.{}0 B. {}1 C. {}0,1,2 D. {}1,0,1,2- 2．设x 是实数，则 “0>x ”是“0||>x ”的（ ） A ．充分而不必要条件 B ．必要而不充分条件 C ．充要条件 D ．既不充分也不必要条件 3．若sin 0α<且tan 0α>是，则α是（ ） A ．第一象限角 B ． 第二象限角 C ． 第三象限角 D ． 第四象限角
4．函数21 )1lg(-+-=x x y 的定义域为（ ） A ． B. C. D. 5．已知点)33,1(),3,1(-B A ，则直线AB 的倾斜角是（ ） A ．3π B ．6 π C ．32π D ． 65π 6．双曲线22 1102 x y -=的焦距为（ ） A ． B ． C ． D ． 7．设函数()???≤+->=0 , 10 ,x log 2x x x x f ，则()[]=1f f （ ） A ．5 B ．1 C ．2 D ．2- 8．在等差数列{n a }中，已知2054321=++++a a a a a ，那么3a 等于（ ） A ．4 B ．5 C ．6 D ．7 9．已知过点),2(m A -和)4,(m B 的直线与直线012=-+y x 平行，则m 的值为（ ） A ．0 B ．－8 C ． 2 D ． 10 10. 函数x x cos sin 4y =是 （ ） (A) 周期为π2的奇函数 (B)周期为π2的偶函数 (C) 周期为π的奇函数 (D) 周期为π的偶函数 11、设向量a ρ=(2,-1), b ρ=(x,3)且a ρ⊥b ρ则x=（ ） A. 21 B.3 C. 2 3 D.-2 12. 某公司有员工150人，其中50岁以上的有15人，35~49岁的有45人，不到35岁的有90人.为了调查 员工的身体健康状况，采用分层抽样方法从中抽取30名员工，则各年龄段人数分别为（ ） （A ）5,10,15 (B) 5,9,16 (C)3,9,18 (D) 3,10,17 13．已知01a << ，log log a a x =1log 52 a y = ，log log a a z =- ） A ．x y z >> B ．z y x >> C ．y x z >> D ．z x y >> 14. 过点P(1,2)且与直线013=+-y x 垂直的直线是（ ） }2|{≤x x }12|{≠≤x x x 且}2|{>x x } 12|{≠-≥x x x 且
电力电子技术 试题（A ） 注：卷面 85分，平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。（8分） 选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶 闸管的额定电压是700V 。（ ） 第 1 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名：
（2） 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。（ ） （3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势” 负载，已知60β=o ，2100U V =， 50E V =,电路处于可逆变状态。 （ ） 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。（6分） 第 2 页 （共 8 页） 试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：
二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下， 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图 （要标明反电势极性）。（5分） 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。（5分） 第 3 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名： u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连 续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。（5分） i VT10
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用 （一）二极管的符号及伏安特性曲线： （二）二极管的特性：单向导电性 （三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型
（四）典型习题 1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。 （a）（b）（c） 2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。 （a）（b） 3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。 （a）（b）（c） 4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。 （a）（b）
二. 三极管及场效应管的应用 （一）三极管的符号及伏安特性曲线： i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const 此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线 （二）三极管的电流控制作用：B C i i β= （三）三极管放大电路的直流通路和交流通路： （四）三极管的交流等效电路： （五）三极管放大电路的组态
（六）放大电路的分析方法 交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。 图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。 （七）放大电路的非线性失真 饱和失真：工作点位于饱和区 截止失真：工作点位于截止区 注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。 （八）放大电路静态工作点稳定问题 Q 点不合适， 的波形要失真； ，A u 与I B 有关。 在电路中引入直流负反馈。 be L c u r R //R A ）（?- =β o u
数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020
《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器
5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝
页脚内容1 2018高职高考数学模拟试卷 本试题卷共24小题，满分150分。考试时间120分钟。 注意事项： 1、答卷前，考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型填涂在答题卡相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除” 2、选择题每小题选出答案后，用2B 铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。 3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。 4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。 试卷类型：A 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题5分，共75分） 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。错涂、多涂或未涂均无分。 1.已知集合{}4,3,2,1,0=M ，{}5,4,3=N ,则下列结论正确的是（ ） A. N M ? B. M N ? C. {}4,3=?N M D. {}5,2,1,0=?N M 2、函数x x x f --=2) 1(log )(2的定义域是（ ） A )0,(-∞ B )2,1( C ]2,1( D ),2(+∞
页脚内容2 3.“01a <<”是“log 2log 3a a >”的（ ） A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . A. lg 7lg31+= B. 7 lg 7 lg 3lg 3= C. 3lg 3 lg 7lg 7= D. 7lg 37lg 3= 5. 设向量()4,5a =r ，()1,0b =r ，()2,c x =r ，且满足→→+b a 与→c 垂直,则x = ( ). A. 2- B. 1 2- C. 1 2 D. 2 6.不等式312x -<的解集是（ ） A.1 13??- ???， B.1 13?? ???， C.（－1，3） D.（1，3） 7、过点A （2，3），且垂直于直线2x +y -5=0的直线方程是（ ）. A 、 x -2y +4=0 B 、y -2 x +4=0 C 、2x -y -1=0 D 、 2x +y -7=0 8. 函数()4sin cos ()f x x x x R =∈的最大值是( ). A. 1 B. 2 C. 4 D. 8
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波
题型分布：填空题2*9=18、选择题3*4=12、逻辑函数化简6+7+7=20、画波形10、分析与设计15+25=40 一、填空题 1、与非门的逻辑功能为。 2、数字信号的特点是在上和上都是断续变化的，其高电平和低电平常用 和来表示。 3、三态门的“三态”指，和。 4、逻辑代数的三个重要规则是、、。 5、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器 受到外触发时进入态 6、计数器按增减趋势分有、和计数器。 7、一个触发器可以存放位二进制数。 8、优先编码器的编码输出为码，如编码输出A 2A 1 A =011，可知对输入的进 行编码。 9、逻辑函数的四种表示方法是、、、。 10、移位寄存器的移位方式有，和。 11、同步RS触发器中，R，S为电平有效，基本RS触发器中R，S为 电平有效。 12、常见的脉冲产生电路有 13、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 14、常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路 有、。 15、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两 类：、。 16、寄存器按照功能不同可分为两类：寄存器和寄 存器。 17、逻辑函数F== 18、触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态 为，0状态为，可见触发器的状态指的是端的状态。 19、一个触发器可以记忆位二进制代码，四个触发器可以记忆位二进 制代码。 20、主从JK触发器的特性方程。 21、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时 序电路和时序电路。 22、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触 发器受到外触发时进入态。 23、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 24、逻辑函数的化简有，两种方法。 25、组合逻辑电路没有功能。 26、主从JK触发器的特性方程，D触发器的特性方