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奥普士OPTEX普通光电传感器Y系列

一、奥普士OPTEX普通光电传感器Y系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点YT-1180N/P 0 -30m

0.5ms以下 DC10-30V

（±10％）

20mA以下

NPN或PNP

输出型号选择

IP 67

对射式

M18螺纹和方形支架

两种安装方式，便于

安装长距离距离限

定式检测，不受背影

干扰

YR-140N/P 0.05-3.5m

30mA以下镜反射式

YD-15N/P 0-400mm 漫反射式

YD-L2N/P 0-43mm 距离限定式

YD-L1N/P 0-16mm 距离限定式

YR-Q39N/P 0.15-1m 透明体检测型

BGS-Y8N/P 0-200mm 背景抑制型

●奥普士OPTEX普通光电传感器Y系列型号：YT-1180N YT-1180P

YR-140N YR-140P YD-15N YD-15P YD-L2NP YD-L2P YD-L1N YD-L1P YR-Q39N YR-Q39P BGS-Y8N BGS-Y8P

二、奥普士OPTEX普通光电传感器E系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点ET-500N/P 0-500mm

0.5ms以下 DC12-24V

（±10％）

16mA以下

NPN或PNP输

出型号选择

IP 67

对射式

超薄设计，厚度仅为3.5mm

超薄对射型长距离检测

独有的2m电缆自带M8接头

重约20g

ET-S500N/P 0-500mm

ED-100N/P 0-100mm

20mA以下漫反射式

ED-S30N/P 0-30mm

EL-30N/P 5-30mm

距离限定式

EL-15N/P 2-15mm

●奥普士OPTEX普通光电传感器E系列型号：ET-500N ET-500P

ET-S500N ET-S500P ED-100N ED-100P ED-S30N ED-S30P EL-30N EL-30P EL-15N EL-15P

三、奥普士OPTEX普通光电传感器C系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点CTD-1500N/P 0-15m

1.5ms以下 DC10-30V

（±10％）

40mA以下

NPN或PNP输

出型号选择

IP 66

对射式金属外壳

可检测透明体

M18mm安装螺纹

重约40g

CRD-300N/P 0.05-3mm

30mA以下镜反射式

CDD-11N/P 0-110mm

漫反射式CDD-40N/P 0-400mm

●奥普士OPTEX普通光电传感器C系列型号：CTD-1500N

CTD-1500P CRD-300N CRD-300P CDD-11N CDD-11P CDD-40N CDD-40P

四、施克/奥普士SICK/OPTEX光电传感器J系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点JT-S/H1000N/P 0-10m

0.5 ms以下

DC10-30V

（±10％） 20mA

以下NPN或PNP

输出型号

选择

IP 67

对射式内部树脂填充构造，

超强的耐水、防油保

护

超小物体稳定检测

（Φ2mm@100mm）

超强的抗干扰性

JR-S/H300N/P 0-3m 镜反射式

JD-S/HR80N/P 0-800mm

漫反射式JD-S/HW80N/P 0-80mm

JD-S/HL03N/P 20-50mm 距离限定式

JR-S/HQ50N/PW 20-500mm 2.5ms/0.5ms 40mA

以下

透明体检测型

●奥普士OPTEX普通光电传感器J系列型号：JT-S1000N JT-S1000P JT- H1000N

JT-H1000P JR-S300N JR-S300P JR-H300N JR-H300P JD-SR80N JD-SR80P JD-HR80N

JD-HR80P JD-SW80N JD-SW80P JD-HW80N JD-HW80P JD-SL03N JD-SL03P JD-HL03N JD-HL03P JR-SQ50NW

JR-SQ50PW JR-HQ50NW JR-HQ50PW

五、奥普士OPTEX普通光电传感器J2系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点J2D-S/H10N/P 5-100mm

0.5 ms

以下 DC10-30V

（±10％） 40mA

以下

NPN或PNP

输出型号

选择

IP 67

漫反射式

内部树脂填充构造，超强的

耐水、防油保护

超小物体稳定检测（Φ

2mm@100mm）

J2D-S/H100N/P 0-1m

J2D-S/H70N/P 0-700mm

BGS-S/H15N/P 50-150mm 2.5ms

以下

45mA

以下

背景抑制型

●奥普士OPTEX普通光电传感器J2系列型号：J2D-S10N J2D-S10P J2D-H10N

J2D-H10P J2D-S100N J2D-S100P J2D-H100N J2D-H100P J2D-S70N J2D-S70P J2D-H70N J2D-H70P BGS-S15N

BGS-S15P BGS-H15N BGS-H15P

六、奥普士OPTEX普通光电传感器J3系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出防护等级检测方式显著特点J3M-GS/H01N/P 8-12mm

0.2 ms以下

DC10-30V（±10％）40mA

以下

NPN或PNP输

出型号选择

IP 67

漫反射式内部树脂填充

构造，超强的

耐水、防油保

护

超强的抗干扰

性

J3R-S/H100N/P 0.03-1m 镜反射式BGS-3JS/H05N/P 15-50mm 0.7 ms以下背景抑制型

●奥普士OPTEX普通光电传感器J3系列型号：J3M-GS01N

J3M-GS01P J3M-GH01N J3M-GH01P J3R-S100N J3R-S100P J3R-H100N J3R-H100P

BGS-3JS05N BGS-3JS05P BGS-3JH05N BGS-3JH05P

七、奥普士OPTEX 普通光电传感器K 系列型号

检测距离

响应时间电源电压

电流消耗控制输出防护等级检测方式

显著特点

KT-700N/P 0-7m 1 ms 以下

DC10-30V （±

10％）

35mA 以下

NPN 或PNP 输出型号选择

IP 67 对射式

金属外壳

超强防震、抗静电、抗磁场

干扰采用高亮度LED ，超强抗光性约重25g

KR-250N/P 0-2.5m 0.7 ms 以下

30mA 以下

镜反射式

KD-40N/P 0-400mm 漫反射式 KD-L09N/P 10-90mm 距离限定式 KR-Q300N/PW 0-2.5m 透明体检测型 KR-Q150N/PW 0-1.5m 透明体检测型 KR-Q50N/P （W ） 10-500mm

透明体检测型

●奥普士OPTEX 普通光电传感器K 系列型号：KT-700N KT-700P

KR-250N KR-250P KD-40N KD-40P KD-L09N KD-L09P KR-Q300NW KR-Q300PW KR-Q150NW KR-Q150PW KR-Q50N KR-Q50NW KR-Q50P KR-Q50W

八、施克/奥普士SICK/OPTEX 普通光电传感器BGS-Z 系列型号检测距离响应时间电源电压

电流消耗控制输出防护等

级

检测方式

显著特点

BGS-Z10N/P 5-100mm 0.5 ms 以下 DC10-30V （±10％）

30mA

以下

NPN 或PNP

IP 67 背景抑制型达到0.25ms

BGS-Z30N/P 10-300mm

●奥普士OPTEX 普通光电传感器BGS-Z 系列型号：BGS-Z10N BGS-Z10P BGS-Z30N BGS-Z30P

九、奥普士OPTEX 普通光电传感器D 系列型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输出

防护等级检测方式显著特点

DT-4000N/P 0-40m 0.5 ms 以下

DC10-30V

（±10％）

30mA

以下

NPN 或PNP 输出型号选择

IP 67

对射式

同轴激光光源，

安装更方便，定位更精确

数位显示，操作更方便

具有自动感度调整约20g

DR-500N/P 0-4.5m 镜反射式 DR-Q150TN/P 0-1.5m 0.7 ms 以下透明体检测型

DR-Q400TN/P 0-4m BGS-DL10TN/P 40-100mm 1.5 ms 以下 35mA 以下

背景抑制型 BGS-DL25TN/P 100-250mm

●奥普士OPTEX 普通光电传感器D 系列型号：DT-4000N DT-4000P

DR-500N DR-500P DR-Q150TN DR-Q150TP DR-Q400TN DR-Q400TP BGS-DL10TN BGS-DL10TP BGS-DL25TN BGS-DL25TP

十、奥普士OPTEX 普通光电传感器V 系列型号

检测距离

响应时间

电源电压

电流消耗

控制输出防护等级检测方式

显著特点

VT-4000（T ） 0-40m 20 ms 以下 DC12-240V 或

AC24-240V （±

10％）

5VA

继电器输出

IP 67

对射式红色LED 实现，长距离检出自由选择供给电源继电器输出或晶体管输出自由选择

VR-1000（T ） 0-10m 镜反射式 VD-130（T ） 0-1.3m 漫反射式 VD-300（T ） 0-3m VT-3000N/P 0-30m 1.5 ms 以下

DC10-30V （±

10％）

35mA 以下

NPN 或PNP 输出型号选择

对射式 VR-800N/P 0-8m 镜反射式 VD-100N/P 0-1m 漫反射式

VD-250N/P 0-2.5m

●奥普士OPTEX 普通光电传感器V 系列型号：VT-4000 VT-4000T

VR-1000 VR-1000T VD-130 VD-130T VD-300 VD-300T VT-3000N VT-3000P VR-800N VR-800P VD-100N VD-100P VD-250N VD-250P

十一、施克/奥普士SICK/OPTEX 普通光电传感器V2系列型号

检测距离

响应时间电源电压

电流消耗

控制输出

防护等级检测方式显著特点

V2T-2000-3A 0-20m 15 ms 以下 DC12-240V 或

AC24-240V （±

10％）

5VA

继电器输出

IP 67

对射式红色LED 实现，长距离检出自由选择供

给电源

继电器输出或晶体管输出自由选择

V2R-800-3A 0-8m 镜反射式

BGS-V80 250-800mm 背景抑制型

BGS-V50 150-500mm BGS-V30 100-300mm V2T-2000N/P 0-20m 1 ms 以下 DC10-30V （±

10％）

35mA 以下 NPN 或

PNP 输出

型号选择

对射式

V2R-800N/P 0-8m 0.7 ms 以下

镜反射式 BGS-V80N/P 250-800mm 3 ms 以下背景抑制型 BGS-V50N/P 150-500mm 2 ms 以下 BGS-V30N/P 100-300mm BGS-30N/P 100-300mm BGS-10N/P 40-100mm

奥普士OPTEX 普通光电传感器V2系列型号：V2T-2000-3A

V2R-800-3A BGS-V80 BGS-V50 BGS-V30 V2T-2000N V2T-2000P V2R-800N V2R-800P BGS-V80N BGS-V80P BGS-V50N BGS-V50P BGS-V30N BGS-V30P BGS-30N BGS-30P BGS-10N BGS-10P

十二、奥普士OPTEX普通光电传感器V3/V4系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输

出

防护等级检测方式显著特点V3T-4000 0-40m

20ms以下DC12-240V或

AC24-240V（±

10％）

对射式

9.5VA；其他

5VA

继电器

输出

IP66

对射式

V3系列

电缆式

V3R-1000 0-10m 镜反射式

V3D-130 0-1.3m 漫反射式

V4T-4000 0-40m 对射式

V4系列

端子式V4R-1000 0-10m 镜反射式

V4D-130 0-1.3m 漫反射式

●奥普士OPTEX普通光电传感器V3/V4系列型号：V3T-4000V3R-1000 V3D-130

V4T-4000 V4R-1000 V4D-130

十三、奥普士OPTEX普通光电传感器Z系列

型号检测距离响应时间电源电压电流消耗控制输

出

防护等级检测方式显著特点ZT-1200N/P 0-12m

0.5ms以下

DC10-30V（±10％）20mA以下

NPN或

PNP输出

型号选

择

IP67

对射式

0.5ms以下

高速应答

照度实验报告

照度实验报告一、背景作业场所的合理采光与照明，对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作场所设计中的重要项目，无论是天然采光还是人工照明，其主要目的都是给人们的生活和生产提供必需的视觉条件。适当的照度设计应遵循工效学的原则，使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉，有利于辨认物体的高低，深浅，前后远近及相对位置，有利于眼睛的辨色能力，有利于大视野，降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉，从而提高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时，会降低工作效率。此外，利用照明设计对人的情绪的影响，根据场所功能的需求，可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在绿色照明理念的指导下，人工照明应考虑节能和环保的要求。二、实验目的正确熟悉和使用照度计，采集光环境数据，并通过分析数据来判断光环境的照度是否合理，假如不合理则提出合理的改善措施。三、实验场所上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室（室外）四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性，并提出改善措施五、分析 1、主观分析（1）、主观评价调查数据（2）、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中，s（n）为第n个项目的评分 p（m）为第m个状态的分值，其中，p（1）=0，p（2）=10，p（3）=50，p（4）=100， v （n,m）为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以： s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中，w（n）为第n个评价项目权值，设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论，本实验的光环境质量等级为3，含义是：问题较大 2、客观分析（照度数据采集及分析）（1）、照度采集现场在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间，光照十分充足，因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。图书馆二楼自习室现场

光电传感器实验

光电传感器实验研究电气信息学院摘要：本实验通过研究光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池的伏安特性和光照特性曲线和光纤通讯基本原理，从而掌握光电传感器的原理。这样可以丰富自己的物理知识，使自己感受物理的魅力，并学会运用物理知识解决生活中的实际问题。关键词：光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池，光纤光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。本实验目的：1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。一、光敏传感器的基本特性及实验原理 1、伏安特性光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一组伏安特性曲线，它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。某种光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管的伏安特性曲线如图1、图2、图3、图4所示。

光电计数器实验报告

光电计数器实验报告学生姓名李志学号081244115 专业名称光信息科学与技术指导教师易煦农时间日期2011-10-19 摘要 21世纪是信息时代，是获取信息，处理信息，运用信息的时代。传感与检测技术的重要性在于它是获得信息并对信息进行必要处理的基础技术，是获取信息和处理加工信息的手段，无法获取信息则无法运用信息。光电式传感器是将光信号转化为电信号的一种传感器。它的理论基础是光电效应。这类效应大致可分为三类。第一类是外光电效应，即在光照射下，能使电子逸出物体表面。利用这种效应所做成的器件有真空光电管、光电倍增管等。第二类是内光电效应，即在光线照射下，能使物质的电阻率改变。这类器件包括各类半导体光敏电阻。第三类是光生伏特效应，即在光线作用下，物体内产生电动势的现象，此电动势称为光生电动势。这类器件包括光电池、光电晶体管等。光电效应都是利用光电元件受光照后，电特性发生变化。敏感的光波长是在可见光附近，包括红外波长和紫外波长。数字式电子计数器有直观和计数精确的优点，目前已在各种行业中普遍使用。数字式电子计

数器有多种计数触发方式，它是由实际使用条件和环境决定的。有采用机械方式的接触式触发的，有采用电子传感器的非接触式触发的，光电式传感器是其中之一，它是一种非接触式电子传感器。采用光电传感器制作的光电式电子计数器。这种计数器在工厂的生产流水线上作产品统计，有着其他计数器不可取代的优点。【关键词】光电效应光电传感器光电计数器 ABSTRACT The 21st century is the age of information, it is the access to information, treatment information, use of the information age. Sensing and detection technology is important because it is the access to information and the information necessary to deal with the underlying technology, is access to information and means of processing information, unable to get information you won't be able to use information. Photoelectric sensor is a light signal into an electric signal of the sensor. It is the theoretical basis of the photoelectric effect. These effects can be broadly divided into three categories. The first type is outside of the photoelectric effect, namely, in daylight, can make the tungsten surface. Use this effect caused by device with vacuum photocell, photomultiplier tubes, etc. The second category is the photoelectric effect, i.e., in the light, can make the electrical resistivity of the material change. Such devices include various types of photosensitive semiconductor. The third category is photo voltaic effect, in the light, the objects within the EMF EMF, this is called light-induced electromotive force. This class of

北航_仪器光电综合实验报告_彩色线阵CCD传感器系列实验

2012/4/29

彩色线阵CCD传感器系列实验实验时间：2012年4月27日星期五（一）实验目的： 1．了解并学习CCD的使用、驱动原理和功能特性等。（二）实验内容： 1．本实验共分为以下四个实验部分，主要内容为: 1）线阵原理及驱动 2）特性测量实验 3）输出信号二值化 4）线阵CCD的AD数据采集（三）实验仪器： 1．双踪迹同步示波器（带宽50MHz以上）一台， 2．彩色线阵CCD多功能实验仪YHCCD－IV一台 3．实验用PC计算机及A/D数据采集基本软件（四）实验结果及数据分析：一、线阵原理及驱动 1）驱动频率与周期表格 1 驱动频率与周期实验结果

由于对不同驱动频率示值，对应不同驱动频率，当显示数值为0时，f=1Mhz；为1时，f=500Khz；为2时，f=250Khz；为3时，f=125Khz；对应F1，F2频率始终是驱动信号的8分之一，而RS则为F1，F2频率的2倍；现象及数据分析：由上图可知，在同一频率档位上，随着积分时间档位的增长，FC周期逐渐增加；对于同一积分档位，考虑到驱动频率间的关系，FC周期恰好成倍数关系； 2）积分时间测量表格 2 积分时间测量结果现象及数据分析：由上图可知，在同一频率档位上，随着积分时间档位的增长，FC周期逐渐增加；对于同一积分档位，考虑到驱动频率间的关系，FC周期恰好成倍数关系；二、特性测量实验表格 3 输出信号幅度与积分时间的关系0档

对应曲线：图表 1 输出信号幅度与积分时间的关系0档表格 4 输出信号幅度与积分时间的关系 1档

图表 2 输出信号幅度与积分时间的关系1档表格 5 输出信号幅度与积分时间的关系2档

光电传感器特性分析

光电传感器特性分析摘要：随着科技的发展，人类越来越注重信息和自动化，在日常的生产学习过程中，人们常常要进行自动筛选、自动传送，而为了实现这些，光电传感发挥了不可磨灭的作用。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性因受到光的照射而发生变化。关键词：光电效应、光电传感器、光敏材料一、理论基础——光电效应光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应，大多数光电控制应用的传感器，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都属于内光电效应类传感器。 1.外光电效应光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大，电子会克服束缚逸出表面，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。根据爱因斯坦的光电子效应，光子是运动着的粒子流，每种光子的能量为hv(v 为光波频率，h 为普朗克常数)，由此可见不同频率的光子具有不同的能量，光波频率越高，光子能量越大。假设光子的全部能量交给光子，电子能量将会增加，增加的能量一部分用于克服正离子的束缚，另一部分转换成电子能量。根据能量守恒定律：式中，m 为电子质量,v 为电子逸出的初速度,w 为逸出功。由上式可知，要使光电子逸出阴极表面的必要条件是hv>w 。由于不同材料具有不同的逸出功，因此对每一种阴极材料，入射光都有一个确定的频率限，当入射光的频率低于此频率限时，不论光强多大，都不会产生光电子发射，此频率限称为“红限”。相应的波长为式中，c 为光速，w 为逸出功。 2.内光电效应当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg 。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体 w hv -=2mv 2 1 w hc K = λ

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告班级：08050341X 学号：28 姓名：宫鑫

实验一光敏电阻特性实验实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。图（2）几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。

传感器测速实验报告(第一组)

传感器测速实验报告院系：班级：、小组：组员：日期：2013年4月20日

实验二十霍尔转速传感器测速实验一、实验目的了解霍尔转速传感器的应用。二、基本原理利用霍尔效应表达式：U H=K H IB，当被测圆盘上装有N只磁性体时，圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化，输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。本实验采用3144E开关型霍尔传感器，当转盘上的磁钢转到传感器正下方时，传感器输出低电平，反之输出高电平三、需用器件与单元霍尔转速传感器、直流电源+5V，转动源2~24V、转动源电源、转速测量部分。四、实验步骤 1、根据下图所示，将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上，调节探头对准转盘内的磁钢。图9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端，红（+）、黑（），不能接错。 3、将霍尔传感器的输出端插入数显单元F，用来测它的转速。 4、将转速调解中的转速电源引到转动源的电源插孔。 5、将数显表上的转速/频率表波段开关拨到转速档，此时数显表指示电机的转速。 6、调节电压使转速变化，观察数显表转速显示的变化，并记录此刻的转速值。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计输出频率数值如下表所示：电压（V) 4 5 8 10 15 20 转速（转/分）0 544 930 1245 1810 2264 由以上数据可得：电压的值越大，电机的转速就越快。六、思考题 1、利用霍尔元件测转速，在测量上是否有所限制？答：有，测量速度不能过慢，因为磁感应强度发生变化的周期过长，大于读取脉冲信号的电路的工作周期，就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了十二只磁钢，能否只用一只磁钢？答：如果霍尔是单极的，可以只用一只磁钢，但可靠性和精度会差一些；如果霍尔是双极的，那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它，那么至少要两只磁钢。

传感器实验参考资料

光电传感器测转速实验实验指导书

简介一、本实验装置的设计宗旨：本实验装置具有设计性、趣味性、开放性和拓展性，实验中大量重复的接线、调试和后续数据处理、分析、可以加深学生对实验仪器构造和原理的理解，有利于培养学生耐心仔细的实验习惯和严谨的实验态度。非常适合大中专院校开设开放性实验。本实验装置采用了性能比较稳定，品质较高的敏感器件，同时采用布局较为合理且十分成熟的电路设计。二、光电传感器测转速实验实验装置 1．传感器实验台部分 2．九孔实验板接口平台部分：九孔实验板作为开放式和设计性实验的一个桥梁（平台）； 3．JK-19型直流恒压电源部分：提供实验时所必须的电源； 4．处理电路模块部分：差动放大器、电压放大器、调零、增益、移相等模块组成。三、主要技术参数、性能及说明：（1）光电传感器：由一只红外发射管与接收管组成。（2）差动放大器：通频带kHz 10~0可接成同相、反相、差动结构，增益为100~1倍的直流放大器。（3）电压放大器：增益约为5位，同相输入，通频带kHz 10~0。（4）19JK -型直流恒压电源部分：直流V 15±，主要提供给各芯片电源： V 6 ,V 4 ,V 2±±±分三档输出，提供给实验时的直流激励源；V 12~0：A 1ax Im =作为电机电源或作其它电源。光电传感器测转速实验【实验原理】如图所示：光电传感器由红外发射二极管、红外接收管、达林顿出管及波形整形组成。

发射管发射红外光经电机转动叶片间隙，接收管接收到反射信号，经放大，波形整形输出方波，再经转换测出其频率，。图1 【实验目的】了解光电传感器测转速的基本原理及运用。【实验仪器】如图所示，光电式传感器、JK-19型直流恒压电源、示波器、差动放大器、电压放大器、频率计和九孔实验板接口平台。图2 图3 【实验步骤】 1．先将差动放大器调零，按图1接线；

自动化传感器实验报告十三光电转速传感器测速实验

广东技术师范学院实验报告学院：自动化专业：自动化班级： 08自动化成绩：姓名：学号：组别：组员：实验地点：实验日期：指导教师签名：实验十二项目名称：光电转速传感器测速实验一、实验目的了解光电转速传感器测量转速的原理及方法。二、基本原理光电式转速转速传感器有反射型和透射型两种，本实验装置是透射型的，传感器端部有发光管和光电管，发光管发出的光源通过转盘上开的孔透射后由光电二极管接受转换成电信号，由于转盘上有相间的6个孔，转动时将获得与转速及孔数有关的脉冲，将电脉冲计数处理即可得到转速值。三、需用器件与单元光电转速传感器、直流电源5V、转动源及2~24V直流电源、智能转速表。四、实验步骤 1．光电转速传感器已经安装在传感器实验箱（二）上。 2．将+5V直流源加于光电转速传感器的电源端。 3．将光电转速传感器的输出接到面板上的智能转速表。 4．将面板上的0~30V稳压电源调节到5 V，接入传感器实验箱（二）上的转动电源处。 5．调节转动源的输入电压，使转盘的速度发生变化，观察转速表上转速的变化。电压(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 频率（HZ) 45 60 78 95 113 130 150 169 6．调节转动源的输入电压，使转盘的转速发生变化，把界面切换到示波器状态，观察传感器输出波形的变化。电压越大，波形越窄。五、注意事项 1．转动源的正负输入端不能接反，否则可能击穿电机里面的晶体管。 2．转动源的输入电压不可超过24V，否则容易烧毁电机。 3．转动源的输入电压不可低于2V，否则由于电机转矩不够大，不能带动转盘，长时间

光电传感器实验报告

实验报告2 ――光电传感器测距功能测试 1．实验目的：了解光电传感器测距的特性曲线；掌握LEGO基本模型的搭建；熟练掌握ROBOLAB软件； 2．实验要求：能够用LEGO积木搭建小车模式，并在车头安置光电传感器。能在光电传感器紧贴红板，以垂直红板的方向作匀速直线倒车运动过程中进行光强值采集，绘制出时间－光强曲线，然后推导出位移－光强曲线及方程。 3．程序设计：编写程序流程图并写出程序，如下所示：

ROBOLAB程序设计： 4．实验步骤： 1)搭建小车模型，参考附录步骤或自行设计（创新可加分）。 2)用ROBOLAB编写上述程序。 3)将小车与电脑用USB数据线连接，并打开NXT的电源。点击ROBOLAB 的RUN按钮，传送程序。 4)取一红颜色的纸板（或其他红板）竖直摆放，并在桌面平面与纸板垂直方向放置直尺，用于记录小车行走的位移。 5)将小车的光电传感器紧贴红板放置，用电脑或NXT的红色按钮启动小车，进行光强信号的采样。从直尺上读取小车的位移。 6)待小车发出音乐后，点击ROBOLAB的数据采集按钮，进行数据采集，将数据放入红色容器。共进行四次数据采集。 7)点击ROBOLAB的计算按钮，分别对四次采集的数据进行同时显示、平均线及拟和线处理。 8)利用数据处理结果及图表，得出时间同光强的对应关系。再利用小车位移同时间的关系（近似为匀速直线运动），推导出小车位移同光强的关系表达式。 5．调试与分析 a)采样次数设为24，采样间隔为0.05s，共运行1.2s。采得数据如下所示。

b)在ROBOLAB的数据计算工具中得到平均后的光电传感器特性曲线，如图所示： c)对上述平均值曲线进行线性拟合，得到的光强与时间的线性拟合函数：

实验光电传感器实验

实验光电传感器实验实验项目编码：实验项目时数：2 实验项目类型：综合性（）设计性（）验证性（√）一、实验目的通过本次实验过程，了解透射式、反射式光电开关组成原理及应用。掌握工程实践中的使用方法。二、实验内容及基本原理（一）实验内容 1．透射式光电开关实验 2．反射式红外光电接近开关实验 3．光电传感器测转速实验（二）实验原理光电式转速传感器有反射型和透射型二种。 1．光电开关可以由一个光发射管和一个接收管组成（光耦、光断续器）。当发射管和接收管之间无遮挡时，接收管有光电流产生，一旦此光路中有物体阻挡时光电流中断，利用这种特性可制成光电开关用来工业零件计数、控制等。 2．反射式红外光电接近开关由一个红外光发射管和一个接收管组装成一体。当发射管发射红外光被接近物反射到接收管时，接收管有光电流产生，一旦接近物离开时接收管接收不到红外光光电流中断，利用这种特性可制成光电开关用来计数、控制等。 3．转动源装置中安装的是透射型的(光电断续器也称光耦)，传感器端部二内侧分别装有发光管和光电管，发光管发出的光源透过转盘上通孔后由光电管接收转换成电信号，由于转盘上有均匀间隔的 6 个孔，转动时将获得与转速有关的脉冲数，脉冲经处理由频率表显示ｆ，即可得到转速ｎ=10f。实验原理框图如图1所示。图1 光耦测转速实验原理框图三、实验用仪器与设备 1．主机箱中的±2V～±10V 步进可调直流稳压电源 2．光电器件实验模块（一）、发光二极管(或红外二极管)、光敏三(或二)极管 3．光电开关实验模块、反射式光耦(光电接近开关) 4．频率\转速表、电压表

5．光电转速传感器—光电断续器(已装在转动源上) 6．转动源四、实验方法与步骤（一）透射式光电开关实验 1．将主机箱中的±2V～±10V 步进可调直流稳压电源调节到±10V 档，按图2示意安装接线，注意接线孔颜色（极性）相对应。图2 透射式光电开关实验接线示意图 2．开启主机箱电源，观察遮挡与不遮挡光路时模板上指示发光二极管的亮暗变化情况，由此形成了开关功能。（二）反射式红外光电接近开关实验 1、将主机箱中的±2V～±10V步进可调直流稳压电源调节到±10V 档，按图3示意安装接线，注意接线孔颜色（极性）相对应。图3 透射式光电开关实验 2、开启主机箱电源，接近物接近与远离时模板上指示发光二极管的亮暗变化情况，由此形成了开关功能。

传感器设计实验―光电测转速

光电式传感器测转速实验报告 ——传感器与检测技术班级：1321202 专业：测控技术与仪器学号：201320120209 姓名：林建宇

1.实验目的： 1）掌握利用光电传感器进行非接触式转速测量的方法； 2）掌握测量和显示电路的设计方法； 3）了解光电式传感器以及示波器的使用方法。 2.实验基本原理：光电式转速传感器有反射型和透射型二种，本实验装置是透射型的(光电断续器也称光耦)，传感器端部二内侧分别装有发光管和光电管，发光管发出的光源透过转盘上通孔后由光电管接收转换成电信号，由于转盘上有均匀间隔的6个孔，转动时将获得与转速有关的脉冲数，脉冲经处理由频率表显示ｆ，即可得到转速ｎ=10f。实验原理框图如下图所示。光耦测转速实验原理框图 3.需用器件与单元：主机箱中的直流稳压电源、示波器、电压表、频率\转速表；转动源、光电转速传感器—光电断续器(已装在转动源上)。 4.实验步骤：（1）、按图1所示接线，并且接上示波器，将直流稳压电源调到10V档。

图1、光电传感器测速实验接线示意图（2）、检查接线无误后，合上主机箱电源开关，调节电机控制旋钮，F/V表以及示波器就会显示相应的频率f，计算转速为n=10f。实验完毕，关闭主、副电源。 5、实验结论与总结组数 1 2 3 4 5 6 仪器频率108 133 166 186 232 373 示波器频率106.083 134.913 167.949 188.170 232.125 373.892 转速1080 1330 1660 1860 2320 3730 （注：转速单位为转/分钟）平均误差?△=∑△i/6 (i=6) ?△≈0.855 σ≈1.070 总结：通过计算可知标准差较小，仪器准确率较高。由仪器和示波器所测的两种频率，其中示波器所显示的为标准值。根据上面实验观察到的波形，由于孔所占比例小，所以方波的高电平比低电平要宽。光电式传感器测转速方法简单，易于实现。

光电传感器实验心得

竭诚为您提供优质文档/双击可除光电传感器实验心得篇一：光电传感器实验 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置（实验指导书）实验讲义请勿带走杭州大华科教仪器研究所杭州大华仪器制造有限公司 Dh-sJ3光电传感器物理设计性实验装置光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光

敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应。大多数光电控制应用的传感器，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光电效应类传感器。当然近年来新的光敏器件不断涌现，如：具有高速响应和放大功能的ApD雪崩式光电二极管，半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、ccD图像传感器等，为光电传感器的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。一、实验目的 1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。 2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线

光电探测实验报告

光电探测技术实验报告班级：10050341 学号：05 姓名：解娴

实验一光敏电阻特性实验一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型； 2.了解光敏电阻的基本特性； 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流，并作出V/A曲线。二、实验原理伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时，光敏电阻的光电流没有饱和现象，因此，它的灵敏度正比于外加电压。光敏电阻与外光电效应光电元件不同，具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。大多数场合证明，各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为式中，K为比例系数；是永远小于1的分数。光电流的增长落后于光通量的增长，即当光通量增加时，光敏电阻的积分灵敏度下降。这样的光照特性，使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样，它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大，最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A／lm，这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120，000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流按照图1接线，电源可从+2V～+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线，分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流，并尝试高照度光源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并做出V/I曲线。图1光敏电阻的测量电路偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据实验数据记录如下：光电流： E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流：0.5uA 实验数据处理：

北航_仪器光电综合实验报告_彩色线阵CCD传感器系列实验

2012/4/29 彩色线阵ccD专感器系列实验实验时间：2012年4月27日星期五（一）实验目的： 1.了解并学习CCD勺使用、驱动原理和功能特性等。（二）实验内容： 1. 本实验共分为以下四个实验部分，主要内容为： 1）线阵原理及驱动 2）特性测量实验 3）输出信号二值化 4）线阵CCD勺AD数据采集（三）实验仪器： 1.双踪迹同步示波器（带宽50MH以上）一台， 2.彩色线阵CC多功能实验仪YHCC B IV—台 3.实验用PC十算机及A/D数据采集基本软件

（四）实验结果及数据分析：一、线阵原理及驱动 1）驱动频率与周期

由于对不同驱动频率示值，对应不同驱动频率，当显示数值为0时，f=1Mhz ;为1时, f=500Khz ;为2时，f=250Khz ;为3时，f=125Khz ；对应F1, F2频率始终是驱动信号的8分之一，而RS则为F1, F2频率的2倍；现象及数据分析：由上图可知，在同一频率档位上，随着积分时间档位的增长，FC周期逐渐增加；对于同一积分档位，考虑到驱动频率间的关系，FC周期恰好成倍数关系； 2）积分时间测量现象及数据分析：由上图可知，在同一频率档位上，随着积分时间档位的增长，FC周期逐渐增加；对于同一积分档位，考虑到驱动频率间的关系，FC周期恰好成倍数关系；二、特性测量实验

积分时间（档）FC时间 ms 幅度（H）幅度（L）Vh-VI 0 11.78 7.2 -1.2 8.4 2 13.82 10.8 -0.8 11.6 4 15.88 17.2 -0.8 18 6 17.92 21.2 -0.8 22 8 19.98 25.6 -0.8 26.4 10 22.02 30.8 -1.6 32.4 对应曲线：表格驱动频率1档输出信号U 幅度积分时间（档）FC时间 ms 幅度（H）幅度（L）Vh-VI 0 23.56 36.4 -2 38.4 2 27.64 44.8 -0.8 45.6 4 31.76 48.8 -0.8 49.6 6 35.84 48.8 -0.8 49.6 8 39.94 48.8 -0.8 49.6 图表1 输出信号幅度与积分时间的关系0档 U14 祝号1丁視,mi 13 3QJ 14 ■ Q _ tf 曲 ?

光电、磁电传感器测量转速实验报告

广东技术师范学院实验报告学院：机电学院专业：机械电子工程（师范）班级： 10机电师成绩：姓名：章烁斌学号： 15 组别：组员：实验地点： 607 实验日期： 2013.05 指导教师签名：实验（1）项目名称：光电传感器、磁电传感器测量转速实验 1.实验项目名称光电传感器、磁电传感器测量转速实验 2.实验目的和要求（1）了解和掌握采用光电传感器测量的原理和方法（2）了解和掌握采用磁电传感器测量的原理和方法（3）了解和掌握转速测量的基本方法 3.实验原理（1）光电传感器的结构和工作原理光电传感器在工业上的应用可归纳为吸收式、遮光式、反射式、辐射式四种基本形式。本实验采用的是反射式光电传感器。反射式光电传感器的工作原理见图1，主要由被测旋转部件、反光片（或反光贴纸）、反射式光电传感器组成，在可以进行精确定位的情况下，在被测部件上对称安装多个反光片或反光贴纸会取得较好的测量效果。在本实验中，由于测试距离近且测试要求不高，仅在被测部件上只安装了一片反光贴纸，因此，当旋转部件上的反光贴纸通过光电传感器前时，光电传感器的输出就会跳变一次。通过测出这个跳变频率f ，就可以知道转速n 。n=f 图1 反射式光电传感器测转速的工作图

如果在被测部件上对称安装多个反光片或反光贴纸，那么，n=f/N。N-反光片或反光贴纸的数量。（2）磁电传感器的结构和工作原理磁电传感器的内部结构请参考图2，它的核心部件有衔铁、磁钢、线圈几个部分，衔铁的后部与磁性很强的磁钢详解，衔铁的前端有固定片，其材料是黄铜，不导磁。线圈缠绕在骨架上并固定在传感器内部。为了传感器的可靠性，在传感器的后部填入了环氧树脂以固定引线和内部结构。图2 磁电传感器的内部结构使用时，磁电转速传感器是和测速（发讯）齿轮配合使用的，如图3。测速齿轮的材料是导磁的软磁材料，如钢、铁、镍等金属或者合金。测速齿轮的齿顶与传感器的距离d比较小，通常按照传感器的安装要求，d约为1mm。齿轮的齿数为定值（通常为60齿）。这样，当测速齿轮随被测旋转轴同步旋转的时候，齿轮的齿顶和齿根会均匀的经过传感器的表面，引起磁隙变化。在探头线圈中产生感应电动势，在一定的转速范围内，其幅度与转速成正比，转速越高输出的电压越高，输出频率与转速成正比。图3 直射式光电传感器的工作方式那么，在已知发讯齿轮齿数的情况下，测得脉冲的频率就可以计算出测速齿轮的转

光电传感器实验平台软件设计

光电传感器实验平台软件设计摘要：此光电传感器实验平台软件设计包括光电转换、测量计算、输入输出三部分，光源信号作用于各光电传感器，由模数转换ADC0809采集光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池的输出信号，透射式光电开关、热释电红外器件的输出信号为开关量，不需要经过模数转换ADC0809，把采集到的数据经单片机测量编程测量计算，将传感器主要特征参数实时显示出来。我们用按键选择要进行的实验项目。测量计算的核心器件为单片机，单片机系统实时测算并显示出传感器元件的主要参数。关键字：传感器；转换模块；单片机第1章引言我国理工科院校现有的大学实验教学仪器都属于单一模式的仪器，即光学工程类、模电类、数电类、传感器类等单一功能的实验教学方法和仪器。这些实验教学仪器虽然能够进行本学科的单科教学实验，但不能进行多学科综合性的实验教学，更无法培养学生的综合实验技能。此光电传感器实验平台由光源、光电转换、测量计算、输入输出部分组成。可以完成光电传感器的原理性实验，同时可进行应用性实验；整体结构紧凑，功能完整，实验平台即构成完整的光电传感器系统。所有器件均在同一侧，有利于对具体的光电元件和转换电路的感性认识，深刻理解具体电路的参数与组成。通过更换光源器件可以进行光谱特性的初步测量。单片机系统对光电传感器信号进行处理是传感器系统的重要应用方向。第2章方案设计

本设计由光源、光电转换、测量计算、输入输出部分组成。可以完成光电传感器的原理性实验，同时可进行应用性实验，以实验平台构成完整的光电传感器系统。安装不同的光源，通过调节电路改变光强，经过光电转换部分得到合适的处理信号，用ADC0809来采集。测量计算部分包括AD转换和单片机，采用ADC0809作为模数转换控制器，单片机采用51单片机,且支持在线调试，学生可以充分理解软件框架与控制流程；可以对实验软件做自主性的修改。进行模数转换的器件都有一定的电压输入范围，当传感器信号经调理过程进入模数转换器时电压量也应保持在两成范围内。接入模数转换控制器的信号有两路，第一路信号为光源电路中的电压信号，第二路信号为光电传感器输出经信号调理电路调整后的电压信号。51单片机将第二路信号经电路模型和算法处理，得出光电传感器元件的主要参数送驶入输出部分。输入输出部分包括LCD显示器，小键盘和执行部件。显示器件为字符型液晶显示器，显示光源信号值和光电传感器主要参数；小键盘包括0～9的数字键和“确定”、“返回”，共12个按键，实现实验项目的选择；电子音响和LED作为执行部件，在光电传感器应用系统中根据传感器的信号做出不同执行动作。可以进行各种光电传感器的原理与应用实验，基本光电传感器包括：光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、透射式光电开关、热释电红外器件。 2.1光电传感器实验平台模块分布图2 2.2光电传感器实验平台的硬件结构[1] （1）光源通过调节电路改变光强，不同的实验给出不同的光强。（2）在实验平台上用遮光板盖住光源和光敏电阻，入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。（3）在实验平台上用遮光板盖住光源和光敏二极管，当有光照的时候，光敏二极管的暗电流增大，无光照的时候，其暗电流很小。（4）在实验平台上用遮光板盖住光源和光敏三极管，其测试电路就有暗电流，取走遮光板时即有光电流。（5）在实验平台上当有光入射到光电池表面时，电路中产生光电流。（6）在实验平台上安装好光源和接收器，用遮光板盖住光源和接收器，测试透射式光电开关接收器的信号量。（7）在实验平台上安装好光源和接收器，用遮光板盖住或移开光源和接收器，观察热释电红外传感器信号的变化。将以上试验测得数据，通过ADC0809的采集，送到单片机通过相应的公式计算得出要测得参数，并显示出来。

实验一.光电传感器实验

实验一光电传感器实验 1-1 PSD光电位置传感器——位移测量一．实验目的：１．了解PSD光电位置传感器的结构。 2.掌握PSD光电位置传感器的工作原理。二.实验原理：光电位置敏感器件（PSD）是基于光伏器件的横向效应的器件，是一种对入射到光敏面上的光电位置敏感的光电器件。因此，称其为光电位置敏感器件（Position Sensitive Detector，简称为PSD），如图1所示为PIN型PSD器件的结构示意图，它由三层构成，上面为P型层，中间位I型层，下面为N型层。在上面的P型层上设置有两个电极，两电极间的P型层除具有接受入射光的功能外还具有横向分布电阻的特性。即P型层不但为光敏层，而且还是一个均匀的电阻层。当光束入射到PSD器件光敏层上距中心点得距离为xA时，在入射位置上产生与入射辐射成正比的信号电荷，此电荷形成的光电流通过电阻P型层分别由电极1和2输出，设P 型层的电阻是均匀的，两电极间的距离为2L，流过两电极的电流分别为I1和I2，则流过N 型层上电极的电流I0为I1和I2之和，即I0=I1+I2。若以PSD器件的几何中心点O为原点，光斑中心距原点O的距离为xA，则利用上式即可测出光斑能量中心对于器件中心的位置xA，它只与电流I1和I2的和、差及其比值有关，而与总电流无关。图1 图2 PSD器件已被广泛地应用于激光自准直、光点位移量和振动的测量、平板平行度的检测和二维位置测量等领域。目前，PSD器件已有一维和二维两种PSD器件。本仪器用的是一维PSD

器件，主要用来测量光斑在一维方向上的位置或移动量的装置，图2为一维PSD器件的原理图，其中①和②为信号电极，③为公共电极。它的光敏面为细长的矩形条。图3为其等效电路，它由电流源Ip、理想二极管VD、结电容Cj、横向分布电阻RD和并联电阻Rsh组成， PSD器件属于特种光伏器件，它的基本特性与一般硅光伏器件基本相同，如光谱响应、时间响应和温度响应等与前面讲述的PN结光伏器件相同。作为位置传感器PSD有其独特特性，即位置检测特性，PSD的位置检测特性近似于直线，图4所示为一维PSD位置检测误差特性曲线，由曲线可知，越接近中心位置测量误差越小，因此，利用PSD来检测光斑位置时，尽量使光点靠近器件中心。图3 图4 三．实验所需器件： PSD组件(器件已装在基座上)、固体激光器、反射体、PSD光电位置单元、数字电压表四．实验步骤：１．通过PSD基座上端圆孔观察PSD器件及在基座上的安装位置,PSD光电位置传感器的“I1” 和“I2”两端对应接入PSD光电位置单元的“I1”和“I2”两输入端，输出端V o接数字电压表20V档。２．确认接线无误后，开启仪器电源，此时因无光源照射，PSD器件前端的聚焦透镜也无光照射而形成的光点照射在PSD器件上，Vo输出的为环境光的噪声电压，试用一块遮光片将观察圆孔盖上，观察光噪声对输出电压的变化。３．将激光器电源插头插入“激光电源”插口，激光器安装在基座圆孔中并固定。注意激光束照射到反射面上时的情况，光束应与反射面垂直。激光束照射到反射面后PSD组件上的透镜将漫反射的激光光线聚焦到PSD器件表面，旋转激光器角度，调节激光光点，（必要时也可旋转调节PSD前的透镜）使光点尽可能集中在PSD器件上。４．从原点开始，位移平台分别向前和向后位移，因为PSD器件对光点位置的变化非常敏感，故每次螺旋测微仪旋转10格（1/10mm），并将位移值（mm）与输出电压值（U0）

红外光电计数器实验报告(DOC)

信息与电气工程学院课程设计说明书（2015 /2016 学年第1 学期）课程名称：小型数据设计题目：红外线计数器专业班级：计算机1401 学生姓名：何亚茹赵君王中昆学号：140210122 140210107 140210121 指导教师：生龙设计周数：二周设计成绩： 2016年01月08日

目录 1 程序设计 (1) 2 课程设的主要内容 (1) 2.1设计的要求.............. . (1) 2.2创新方案及原理分析 (1) 2.3方案论证与选择 (2) 2.4软件的设计 (3) 3主要芯片设计 (4) 3.1介绍 (4) 3.2 51 单片机的特点 (5) 3.3数码管 (7) 4系统设计 (8) 4.1单片机最小设计系统 (8) 4.2红外线检测电路 (9) 4.3计数显示部分 (10) 4.4蜂鸣器报警电路 (10) 4.5按键控制电路 (11) 5 红外计数器程序设计 (11) 5.1主程序设计 (11) 5.2子程序设计 (13) 6总结 (15) 7参考文献 (16)

1、程设计目的课利用AT89C51单片机来制作一个手动计数器。通过具体的项目设计包括确定控制任务、系统总体方案设计、硬件系统设计、控制程序的设计等，以便掌握单片机系统设计的总体思路和方法，掌握基于单片机控制的电子产品开发的技术方法,培养个人的创新意识和动手能力。 2、课程设计的主要内容 2.1设计的要求 1.利用AT89C51单片机来制作一个红外线计数器。有物体经过红外对管时计数一次。计数的范围是0~99, 计数满时，又从零开始计数。 2.整个系统有较强的抗干扰能力，具有报警能力。 3.将计数值准确显示出来。 2.2创新方案及原理分析总体电路是由AT89C51单片机系统、红外光电管电路、蜂鸣器报警电路、数码管显示部分、复位电路部分组成，其结构如图2.1所示图 2.1 整体方框图红外传感器感受到外界信息时，产生高低电平，通过软件程序设置单片机内部寄存器，当传感器的高低脉冲被单片机接收到时，单片机产生中断，中断产生后进入中断服务程序，通过设置中断服务程序，进行计数。并通过P0 口将计数信息传送至数码管，数码管显示计数的个数。当电路断电后重新启动计数器时，系统自动复位（上电自动复位），以00开始重新计数。

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