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电子技术习题1

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第一章习题

一、简答题

1.半导体导电和金属导电有什么不同?

答:半导体材料在外加电压作用下所形成的电流是由自由电子和空穴两种载流子的运动形成的。这是但半导体导电和导体导电机理的本质区别。

2.简要说明半导体的热敏特性和光敏特性。

答:半导体结构中,原子与原子之间成形成了共价键结构,在绝对零度(T=0K)时,电子被共价键束缚得很紧,不能自由移动,因此不能导电。

当电子受到一定能量的外界激发,如受热、受光,这时电子动能增加,就能挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时形成空穴运动而形成电流。

所以当环境温度变化时,半导体中自由电子和空穴数量发生变化,导电性能也发生变化,称半导体导电能力具有热敏特性。

当受到外界光照时,半导体中自由电子和空穴数量增加,导电性能增强,称半导体导电能力具有光敏特性。

3.影响杂质半导体中多子和少子数量的主要因素是什么?

答:掺杂后的半导体的导电能力显著增强,并可以人为控制。

在杂质半导体中,多子的浓度主要取决于杂质的含量;少子的浓度主要与本征激发有关,对温度的变化非常敏感,其大小随温度的升高基本上按指数规律增大。

4.稳压二极管的主要参数有哪些?选择稳压二极管时应怎样考虑?

答:稳压二极管的主要参数有:稳定电压,稳定电流,动态电阻,温度系数,最大耗散功率。

选择稳压二极管时,首先考虑稳定电压和最大耗散功率,在考虑其他参数。

5.画出单相桥式整流电路及电容滤波单相桥式整流电路。并说明工作原理。

答:单相桥式整流电路:整流电路中的二极管是作为开关运用,具有单向导电性。

图单相桥式整流电路

当正半周时二极管D1、D3导通,在负载电阻上得到正弦波的正半周。

当负半周时二极管D2、D4导通,在负载电阻上得到正弦波的负半周。

在负载电阻上正负半周经过合成,得到的是同一个方向的单向脉动电压。

单相桥式整流电路的波形图见上图。

电容滤波单相桥式整流电路:

图电容滤波单相桥式整流电路

若电路处于正半周,二极管D1、D3导通,变压器次端电压v2给电容器C充电。此时C相当于并联在v2上,所以输出波形同v2 ,是正弦形。

在刚过90°时,正弦曲线下降的速率很慢。所以刚过90°时二极管仍然导通。在超过90°后的某个点,正弦曲线下降的速率越来越快,当刚超过指数曲线起始放电速率时,二极管关断。所以,在t1到t2时刻,二极管导电,C充电,v C=v L按正弦规律变化;t2到t3时刻二极管关断,v C=v L按指数曲线下降,放电时间常数为R L C。

电容滤波过程见上图。

6.单相桥式整流电路中,若某一整流管发生开路、短路或反接三种情况,电路将会发生什么问题?

图单相桥式整流电路

答:电路如上题图。

(1)电路处于正半周,二极管D1、D3应导通,但D1开路,回路不通,负载电阻上得不到正弦波的正半周。当负半周时二极管D2、D4导通,在负载电阻上只得到正弦波的负半周。

(2)若D1短路,电路处于正半周,二极管D1、D3应导通,负载电阻上得正弦波的正半周。当负半周时二极管D1、D2、D4导通,变压器次边被短接,可能烧毁,负载电阻上得不到正弦波的负半周。(3)若D1反接,正半周不通,负半周短接。

7.整流电路、滤波电路的作用是什么?

答:蒸流电路:将交流电变换为单向脉冲直流电。

滤波电路:滤去整流输出中的交流分量,即减小波纹,以得到较平滑的直流输出。

二、填空题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(杂质的含量),而少数载流子的浓度则与(温度)有很大关系。

2.当温度升高后,二极管的正向压降将(减小),反向电流将(增大)。

3.半导体二极管正偏时,形成的正向电流较大,称之为(导通)状态;反偏时,形成的反向电流很小,称之为(截止)状态。

4.直流稳压电源一般由(电源变压器)、(整流电路)、(滤波电路)和(稳压电路)四部分组成。

三、选择题

1.常温下硅管的死区电压是(B)。

(A)0.1V;(B)0.5V

2.常温下锗管的正向导通电压是(A)。

(A)0.3V;(B)0.7V

3.稳压二极管应工作在(B)电压下。

(A)正向;(B)反向

4.光敏二极管应工作在(B)电压下。

(A)正向;(B)反向

5.在PN结不加外部电压时,扩散电流(C)漂移电流,[(A)小于;(B)大于;(C)等于]因而PN 结中的电流(C)。[(A)只从P区流向N区;(B)只从N区流向P区;(C)等于零]

6.二极管正向电压从0.7V增大15%,流过的电流增大(B)。[(A)15%;(B)大于15%;(C)小于15%]随着正向电流的增大,二极管的直流电阻(B),交流电阻(B)。[(A)增大;(B)减小;(C)不变]

7.利用二极管的(B)可组成整流电路。[(A)正向特性;(B)单向导电性;(C)反向击穿特性]稳压二极管工作在(C)状态下,能够稳定电压。[(A)正向导通;(B)反向截止;(C)反向击穿]

四、判断题

1.由于PN结内部存在内电场,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。(×)

2.PN结外加正向偏置电压时,扩散电流大于漂移电流。(√)

3.用万用表不同欧姆档测量同一只二极管时,所测得的阻值是不同的。(√)

4.用指针式万用表测量二极管时,如果测得的电阻值较小,则黑表笔所接触的一端是二极管的阳极。(√)

5.在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。(×)

6.PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。(×)

7.在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器次级的交流电压为40V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36V。(√)

五、解答题

1.在图1-29中,直流电源电压U 1=-U 2,交流信号u i 为正弦信号,其幅值大于直流电源电压。二极管为理想二极管,分析电路的功能和工作原理。

+-+

-+

-+

-R

VD1

VD2

U 1

U 2

u i

u o

图1-29 第五题第1小题图

解:对于图示电路,输出电压u o 为:2211U U U U u u u VD VD R i o -=+=-=

当1U u i ≥时,二极管VD1承受正向电压导通,二极管VD2承受反向电压截止,01=VD U ,1U u o =;

当2U u i -≤时,二极管VD2承受正向电压导通,二极管VD1承受反向电压截止,02=VD U ,2U u o -=;

2.在图1-30个电路图中,E =5V ,u i =100sin ωt V ,二极管正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u o 的波形。

+-+

-+

-R

VD

E

u i

u o

+-+

-+

-R

VD

E u i

u o +-+

-+

-R

VD

E

u i

u o

(a)

(b)

(c)

+-+

-+

-R

VD

E u i

u o (d)

图1-30 第五题第2小题图

解:(a )图所示电路,输出电压u o 为:E U u u u VD R i o +=-= 当V u i 5≥时,二极管VD 承受正向电压导通,0=VD U ,V u o 5=;

当5i u V <时,二极管VD 承受反向电压截止,电阻R 中无电流,0=R u ,i o u u =。

(b )图所示电路,输出电压u o 为:E u U u u R VD i o +=-=

当5i u V <时,二极管VD 承受正向电压导通,0=VD U ,i o u u =;

当V u i 5≥时,二极管VD 承受反向电压截止,电阻R 中无电流,0=R u ,V u o 5=。

(c )图所示电路,输出电压u o 为:E U u u u VD R i o +=-= 当5i u V <时,二极管VD 承受正向电压导通,0=VD U ,V u o 5=;

当V u i 5≥时,二极管VD 承受反向电压截止,电阻R 中无电流,0=R u ,i o u u =。

(d )图所示电路,输出电压u o 为:E u U u u R VD i o +=-= 当V u i 5≥时,二极管VD 承受正向电压导通,0=VD U ,i o u u =;

当5i u V <时,二极管VD 承受反向电压截止,电阻R 中无电流,0=R u ,V u o 5=。

3.有两个稳压管VD1和VD2,其稳压值分别为5.5V和8.5V ,正向压降都是0.5V。如果要得到0.5V、3V、6V、9V和14V几种稳定电压,这两个稳压管(还有限流电阻)应该如何联接?画出各个电路。

解:按如图所示的各个电路连接,可分别得到上述几种不同的稳定电压,图中的电阻均为限流电阻。

R

VD1

+

-0.5V

VD1

VD2

R1

R2

+

-3V

R

VD2

+-

6V

VD1R

VD2

+-

9V VD1R

VD2

+

-14V

VD1

4.在图1-31中,试求下列几种情况下输出端Y的电位VY 及各元件(R ,VD A ,VD B )中通过的电流。 (1)V A =V B =0V;

(2)V A =0V;V B =3V。二极管的正向压降忽略不计。

A

B

VD A

VD B

+12V

R

3.9k Ω

Y

图1-31 第五题第4小题图

解:(1)因为V A =V B =0V,而+U CC =+12V ,所以两个二极管承受同样大的正向电压,都处于导通状态,均视为短路,输出端Y 的电位VY 为:VY =V A =V B =0V 电阻中的电流为:)(39

.30

12mA R V U I Y CC R ≈-=-=

两个二极管VD A ,VD B 中的电流为:)(5.12

1

mA I I I R DB DA ≈=

= (2)因为V A =0V;V B =3V,而+U CC =+12V ,所以二极管VD A 承受的正向电压最高,处于导通状态,可视为短路,输出端Y 的电位VY 为:VY =V A =0V 电阻中的电流为:)(39

.30

12mA R V U I Y CC R ≈-=-=

二极管VD A 导通后,VD B 上加的是反向电压,因而截止。 所以两个二极管中的电流为:)(0;)

(3mA I mA I I DB R DA =≈=

5.图1-32中,试求下列几种情况下输出电位VY 及各元件中通过的电流。 (1)V A =+0V;V B =0V; (2)V A =+5V;V B =0V;

(3)V A =5V;V B =5V。设二极管的正向电阻为零,反向电阻为无穷大。

V A V B

VD A VD B

R 9k Ω

V Y

1k Ω1k Ω

图1-32 第五题第5小题图

解:(1)因为V A =+0V;V B =0V,所以两个二极管上的电压均为0,都处于截止状态,电阻R 中无电流,故:)(0mA I I I R DB DA ===;输出端Y 的电位VY 为:)(0V R I U V R R Y ===

(2))因为V A =+5V;V B =0V,所以二极管VD A 承受的正向电压最高,处于导通状态,可视为短路,输出端Y 的电位VY 为:VY =0.9V A =+4.5V;电阻中的电流为:)(5.0mA R

V I Y

R == 二极管VD A 导通后,VD B 上加的是反向电压,因而截止。 所以两个二极管中的电流为:)(0;)

(5.0mA I mA I I DB R DA ===

(3)因为V A =5V;V B =5V,所以两个二极管承受同样大的正向电压,都处于导通状态,均视为短路,输出端Y 的电位VY 为:

9

11Y

Y B Y A V V V V V =

-+-,VY =4.74V; 电阻中的电流为:)(526.0mA R

V I Y

R ==

两个二极管VD A ,VD B 中的电流为:)(263.02

1

mA I I I R DB DA ===

6.有一单相桥式整流电路如图1-13(a)所示,变压器副边电压有效值为U 2=20V ,负载R L =100Ω,试求电路的输出电压平均值、负载上流过的电流平均值以及各二极管所承受的最大反向电压。

图1-13(a) 单相桥式整流电路

解:单相桥式整流电路的输出电压平均值为:29.0U U o ≈=18(V ), 负载R L 上流过的电流平均值为:L

L o o R U R U I 2

9.0==

=180(mA ), 流过各个二极管的电流平均值为:o D I I 2

1

=

=90(mA )

, 各二极管所承受的最大反向电压为:22U U DRM =

=28(V )。

7.图1-33中所示的电容滤波桥式整流电路中,已知R L =40Ω,C=1000μF ,用交流表量得U 2=20V (有

效值),现在用直流电压测量R L 两端的电压,在以下几种情况下,测得的值各为多少? (1)C断开;(2)R L 断开;(3)电路完好;(4)VD1断开。

图1-33 第五题第7小题图

解:(1)断开C ,为单相桥式整流电路:29.0U U o ==18V ; (2)R L

断开,没有放电回路:

o U 2==28.28V ; (3)电路完好,C 起滤波作用:22.1U U o ==24V ;

(4)VD1断开,为半波整流滤波:2o U U ==20V 。

8.一半导体收音机需+6V 直流电源,试用三端固定式集成稳压器组成+6V 稳压源,画出该电源的电路图。

解:选用CW78系列输出电压值为6V 等级的三端集成稳压器CW7806,电路图如图所示:

输入为220V 、50HZ 交流电源,输出直流电压为+6V 。

CW7806+-U I C I

1

C

9.采用三端固定输出集成稳压器的直流稳压电源电路如图1-34所示。 (1)写出应选用的稳压器芯片的型号名称。

(2)当芯片输入与输出端电压降为5V 时,其输入电压U 1应取多大? (3)此时桥式整流电路输入端的交流电压有效值U 2应取多大?

CW78×+C 21

C 1

U 2

~220V

+-

U O =15V C 1C C

图1-34 第五题第9小题图

解:(1)由于输出直流电压为15V ,所以选用三端集成稳压器的型号为CW7815型。 (2)三端稳压器的压降为5V ,所以桥式整流并经电容滤波的电压为:U 1=U O +5=20V 。 (3)U 1=1.2U 2,所以U 2应取16.67V 左右。

10.某稳压电源如图1-35所示,试问:①输出电压U o 的极性和大小如何?②电容器C1和C2的极性如何?它们的耐压应选多高?③负载电阻R L 的最小值约为多少?④如将稳压管VDz 接反,后果如何?⑤如果R=0Ω,又将如何?

~220V

U O

36V

2CP13×

图1-35 第五题第10小题图

解:(1)输出电压的极性上正下负,其大小为:)(150V U U VDZ ==。 (2)电容器C1和C2的极性都是上正下负,C1的耐压值V C1为: 212U V C =

≈ 50.91(V ),

V C1可选160V 。C2的耐压值V C2为:)(152V U V VDZ C ==, V C2可选50V 。 (3) 因为)(150V U U VDZ =≥,稳压管能工作时回路的电流为:

2400

15

2.12-U =11.75(mA )。

R L =15/11.75=1276(Ω),取1.3K Ω。

(4)如将稳压管VDz 接反,稳压管作为正常二极管来使用,起限幅的作用。U o 的极性上正下负,大小为0.7伏。

(5) 如果R=0Ω,负载短路,输出电压全部落在限流电阻上。

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电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

电子技术习题集-答案

第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中,E12V =, D为硅二极管,R10K =Ω,则二极管D和和电阻R上的电压各为多少?流过二极管的电流多大? 解:二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中, i u12sin tω =V,二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 (a)(b)(c) 解: 2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a)和(b)中的二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解:(a) D导通, AB U6V =-; (b)D1导通,D2截止; AB U0V =;

2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =,输入电压 i u12sin tω =V,画出输出 电压 o u波形图。 解: 2.2.2在下图所示的(a)和(b)分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。解:(a)由于稳压管的击穿电压各不相 同,击穿电压低的管子工作,而另一个 不工作。 (b)可以串联连接,输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =,波动范围10% ±;稳压管的稳定电压 Z U6V =,稳 定电流 Z I5mA =,最大耗散功率 ZM P180mW =;限流电阻R200Ω =;输出电流 o I20mA =。(1)求I U变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象? 解:输入电压波动范围: Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=

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专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。 1-2 、在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值U O(AV)=15V,负载电流平均值 I L(AV)=100mA。 (1)变压器副边电压有效值U2≈ (2)设电网电压波动范围为±10%。在选择二极管的参数时,其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示,变压器副边电压有效值为 2U2。 (1)画出u2、u D 1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)和输出电流平均值I L((3)二极管的平均电流I D(AV)和所承受的最大反向电压AV)的表达式;U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示,变压器副边电压有效值U21=50V,U22=20V。试问: (1)输出电压平均值U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (2)各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中,标出各电容两端电压的极性和数值,并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U=6V,稳定电流的最小值I Zmin = 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin=5mA,最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z=6V,最小稳定电流 I Zmax=25mA。 (1)分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值; (2)若U I= 35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 (1)分别标出u O1和u O2对地的极性; (2)u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 (3)当U21=U22= 20V 时,U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (4 )当U2 1= 18V ,U2 2= 22V 时,画出u O1、u O2的波形;并求出U O1(AV)和U O2(AV)各为多少

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

电子技术试题及答案(

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

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一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。 (b)令二极管断开,可得U P=6 V、U N=10 V,U PUp—

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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++=

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》(第二版)节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答: 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换;电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂,电路元件是理想的,电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向,但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说,某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出,因此在求解电路列写方程式时,各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向,方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时,参考方向下某电量前面取正号,即假定该电量的实际方向与参考方向一致,若参考方向下某电量前面取负号,则假定该电量的实际方向与参考方向相反;求解结果某电量为正值,说明该电量的实际方向与参考方向相同,求解结果某电量得负值,说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在,参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为:在图1-5中,五个二端元 件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出,在参考方向下通过测量得到:I 1=-2A ,I 2=6A ,I 3=4A ,U 1=80V ,U 2=-120V ,U 3=30V 。试判断哪些元 件是电源?哪些是负载? 解析:I 1与U 1为非关联参考方向,因此P 1=-I 1×U 1=-(-2)×80=160W ,元件1获得正功率,说明元件1是负载;I 2与U 2为关联参考方向,因此P 2=I 2×U 2=6×(-120)=-720W ,元件2获得负功率,说明元件2是电源;I 3与U 3为关联参考方向,因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ,元件3获得正功率,说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知,元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压,因此可得:U 4=40V ,左高右低;U 5=90V ,左低右高。则元件4上电压电流非关联,P 4=-40×(-2)=80W ,元件4是负载;元件5上电压电流关联,P 5=90×4=360W ,元件5是负载。 验证:P += P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P -= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率,符合功率平衡。 第16页检验题解答: 图1-5检验题4电路图 U 3

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术习题册答案

第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=

(2) )( AB Y D C B C ABD +++= D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4.根据下列各逻辑式, 画出逻辑图。 ①Y=(A+B )C ; ②Y=AB+BC ; ③Y=(A+B )(A+C ); 5.试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。

6.如果“与”门的两个输入端中, A为信号输入端, B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时,输入信号端A的波形如图所示,试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端,则输出端Y的波形又如何?总结上述四种门电路的控制作用。

第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式,列出真值表,然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=: ①列出逻辑真值表,说明其逻辑功能; ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图; ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图; ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图; ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器

参考答案-《电工与电子技术基础(第三版)习题册》-A06-3760

第一章直流电路 一、填空题 1.电源、负载、导线和控制装置 2.通路、断路、和短路短路 3.定向移动 I A mA μA 4.某点参考点有无 5. 20V -50V -30V 6. b指向a a指向b 1.5 V 7.阻碍 R 欧姆(Ω) 8.正比反比 I=U/R 9.5A 10.0.4A 11.电能其他电功 W 焦耳 12.2 13.单位时间 14.1 15.导体发热电烙铁电吹风电熨斗 16.0.45484 17.50Ω 2Ω 18.1:2 1:1 1:1 2:1 19.4 6 7 3 20.6A 21.短路 二、判断题 1.√ 2. √ 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. ×9. √ 10. × 11. √ 12. × 三、选择题 1.C 2.C 3.C 4. C 5. A 6. B 7. D 8. B 9. C 10. C 11.A 12. A 四、问答题 1.答:电流热效应的利:利用电流热效应可以制成很多电器设备,如:电烙铁、电饭煲、电熨斗等。 电流热效应的弊:元器件和电气设备发热过多,不仅消耗电能,而且会加速绝缘材料的老化,严重时还会引起电气火灾。

2. “220V ”表示这个灯泡的额定电压 “40W ”表示这个灯泡的额定功率 3.答:(1)对交、直流电流应分别使用交流电流表和直流电流表测量。 (2)电流表必须串接到被测量的电路中。 (3)电流必须从电流表的正端流入负端流出。 (4)选择合适的量程。 五、计算题 1.解:(1)C 为参考点,则 U A =-3V-5V=-8V U B =-5V U C =0V U AB = U A - U B =-8V-(-5V)=-3V U BC = U B - U C =-5V U AC = U A - U C =-8V (2)以B 为参考点,则U A =-3V=-3V U B =0V U C =5V U AB = U A - U B =-3V U BC = U B - U C =0-(5)=-5V U AC = U A - U C =-3-(5)=-8V (3)从上面的结果可知:电位随着参考点的改变而改变; 电压不随参考点的改变而改变。 2.解:假设电流方向如图所示 12+103 4.510AB U IR E E I V =?=×+?=?

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

最新电子技术试题及答案

电子技术基础 参考答案 一、填空题 1、电子电路中的信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是连续的信号,称为模拟信号;另一类在时间和幅度上都是离散的信号,称为_数字信号(脉冲信号)_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,它具有_热敏性,杂敏性,光敏性等特殊性质,利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器,它的电压放大倍数接近于1,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出电压,并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。 9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB= O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平,接地,与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号,应选用 D / A转换器 。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。

电子技术基础习题答案

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第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对)

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

电工电子技术试题(含答案)

一选择题: 1、理想二极管的反向电阻为( B )。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间,下列各项中除( B )不能跃变外,其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法 正确的是( D )。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω,则相电压=C u ( D )。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω (d )2202sin(30)t ω+ 6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下,此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。 (a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ2 7.一负载电阻为RL ,经变压器接到内阻R0=800Ω的电源上,变压器 原、副绕组的额定电流为2A /20A ,若使从变压器原绕组看进去的等 效负载电阻RL ′=R0时,则RL 等于( B )

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流,试问电阻两端的电压是( D )。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻,其额定电流为( D )。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W,如将它接到110V 的电源上,则取用的功率为( B )W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用,是利用它的( D )。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W,消耗的无功功率为400var,则 该负载的视在功率为( c )。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了( B ) A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

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