micron镁光nand命名规则
Standard NAND Flash Part Numbering System
Micron's part numbering system is available at Standard NAND Flash*
MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A
Micron Technology Design Revision (shrink)
A = 1st design revision
1. Single-Supply Flash
29F = Single-Supply NAND Flash Production Status
29H = High Speed NAND Blank = Production
ES = Engineering samples
2. Density QS = Qualification samples
1G = 1Gb MS = Mechanical samples
2G = 2Gb
4G = 4Gb Operating Temperature Range
8G = 8Gb Blank = Co mmercial (0°C to +70°C)
16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C)
32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C)
64G = 64Gb
128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)
256G = 256Gb Blank = Standard device
3. Device Width Flash Performance
08 = 8 bits Blank = Full specification
16 = 16 bits
4. Speed Grade (MT29H Only)
Classification 15 = 133 MT/s
12 = 166 MT/s
5. Mark Bit/cell Die RnB
A SLC 1 1 Package Code
B SL
C 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)
C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)
D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0
E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2
F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0
G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)
J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65
K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)
C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)
M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)
N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)
P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)
Q MLC 2 2
R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature Set
T MLC 4 2 A = 1st set of device features
U MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)
V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different) W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)
Y MLC 8 4 etc.
6. Operating Voltage Range
A = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V)
B = 1.8V (1.70–1.95V)
C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V)
*Contact Micron for help differentiating between standard and
next-generation NAND offerings
ARM系统定制 以下是个人理解，经过看PPT，查课本，pdf，还有上网查阅总结得来，仅作参考。 简述： 系统定制的本质就是为新开发的硬件（开发板）定制软件系统。共分两大部分： 一：系统裁剪 二：系统移植 1、先说系统裁剪，首先ARM开发板本身的体系结构决定了，不同系列不同版本的ARM 可以共用（兼容）大部分的boot和内核代码，所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了，当然，如果整个软件系统打算亲手写的话，那就可以无视系统裁剪这个环节了（老师说这个基本上没有人写得出来）。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植，就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系，arm的总线结构，arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。 第一章：系统裁剪 1、系统裁剪之前，我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统，开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是：boot （uboot），kernel （内核），fs（文件系统,也在内核中），驱动程序（动态加载到内核，部分也已在内核中编译好）。 一、首先是uBoot流程分两个阶段（uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下，其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中，第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中，有兴趣的可以去看一看） 第一阶段：为自身准备（配置）硬件环境。主要操作有：(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗（W ATCHDOG），就是把WTCON寄存器写0。 （ldr r0, =pWTCON，mov r1, #0x0，str r1, [r0]）。 2、关中断，配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ，通过cpsr寄存器设置。（代码不列出来了，后面的代码都可以在starts.s文件中去看） 3、设置CPU的时钟频率（时钟分频），配置FCLK（cpu的频率）,HCLK（内部AHB 总线频率）,PCLK（外围APB总线频率）, 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM，为本身准备内存空间。配置内存空间（页表），设置堆栈。（通过调用）（通过调用lowlevel_init 函数，函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中） 5、配置NAND/NOR flash驱动，主要是nand_read ，nand_write的实现。 第二阶段：为内核准备（配置）环境。（代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中） 1、初始化本阶段的硬件设备：关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。
深圳市佳华利道新技术开发有限公司 产品命名编码规则 修定日期：2014/08/21 批准审核修订 文件标题产品命名编 码规则 文件编号 UP201408210 1 版本 A 修订部门总经办修订日期2014-08-21 页次 4
目录 一、目的 (2) 二、造用范围 (2) 三、物料编码的组成 (2) 四、编号规则说明 (2) 4.1 一级分类 (3) 4.2 二级分类 (3) 4.3 序号 (4) 4.4 版本号 (4)
文件编号：UP20140821001 深圳市佳华利道新技术开发有限公司 物料编码规范文件版本：01 文件页码：共 4 页 生效日期：2014-8-21 一.目的： 保证公司的物料编码规范化，便于物料接收、检验、储存、请购、盘点、账目、使用 及维护等作业,及确保产品在形成的各阶段都有唯一的标示，并具有可追溯性。 二..适用范围： 公司运作中涉及的所有物料，不包含办公用品等。 三..物料编码的组成：（先分大类，在分小类） 物料编码共9位阿拉伯数字组成，分为一级分类（2位），二级分类（2位），序号 3位），版本（2位）其组成形式为： 物料名称 1 0 0 0 1 0 1 0 1 一级分类二级分类序号版本 （大类）（小类） 四．编号规则说明： 如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推（实验用材料除外）。
4.1 一级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 10 ：电池箱组件 20 ：电机 30 ：动力系统控制器 40 ：低压元件零件 50 ：高压零部件 60 ：电子零部件 70 ：普通材料 80 ：杂类 4.2 二级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 物料类别（10-90）零件属性代码 （01-99） 序号 （001-999） 版本 （01-99） 10 电池箱组件01 电池芯001 3.2V/25Ah 02 电池模块 03 电池箱 001 箱体构件01 002 箱体构件02 003 箱体构件02 004 左侧构件 005 右侧构件 006 滚轮支撑板01 007 滚轮支撑板02 008 支承滚轮 009 固定块01 010 固定块02 011 顶盖 012 塑料卡扣6×3 013 塑料卡扣6×2 014 拉紧扣带 015锁紧扣 016 桥接片01 017 桥接片02 018 前汇流铜片 019 后汇流铜片 020负极连接片01 021 负极连接片02 022 负极连接片03 023 负极连接片04 024 正极连接片
51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。
在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。 后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。 后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机
NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder
1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.doczj.com/doc/f62259273.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.doczj.com/doc/f62259273.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写 如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量 再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头） 接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name
三星F L A S H命名规则
Samsung nand flash ID spec 三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下： 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8
绝缘子型号的含义 绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2 表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝
Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。 2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 ： 目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting
三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M
Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面 标题栏主工具栏文档选项卡 工具箱 舞 属性面板编辑栏库面板
舞台：进行创作的主要工作区域。 标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。 场景概念： 时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具 动画播放控制器面板 属性窗口：设置对象属性 动作窗口：编写动作脚本 浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。 （二）Flash动画的制作原理 在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。
（三）重要概念 图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。 元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。 图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。 帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。 关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。 空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈； 普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。 帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。
系列产品命名规则 图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51
和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀 下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示
89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器 在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开 后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装 后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位. Memory (K) 第2位. NAND Flash : 9 第3位. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Bl ock) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 第4~5位. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G
OK335x产品规格书
目录 第一章产品说明 (3) 1.1产品总述 (3) 1.2应用领域 (4) 第二章OK335xD产品 (5) 2.1产品概述 (5) 2.1.1FET335xD概述 (5) 2.1.2OK335xD概述 (7) 2.2产品参数 (8) 2.2.1FET335xD硬件参数 (8) 2.2.2FET335xD软件参数 (8) 2.2.3OK335xD接口说明 (10) 2.3FET335xD尺寸说明 (11) 第三章OK335xS产品 (12) 3.1产品概述 (12) 3.1.1FET335xS概述 (12) 3.1.2OK335xS概述 (13) 3.2产品参数 (14) 3.2.1FET335xS硬件参数 (14) 3.2.2FET335xS软件参数 (14) 3.2.3OK335xS接口说明 (16) 第四章附加说明 (17)
第一章产品说明 1.1产品总述 OK335x开发板是一款由飞凌自主设计、生产和发行销售的高性能开发平台。本开发板采用了TI公司的AM335X Cortex-A8处理器，运行主频高达1GHz，AM335X处理器集成了两个1000M网卡，集成了Can总线控制器，IIC控制器，LCD控制器，集成了PowerVR SGX530图形处理器，非常适合工业控制，多媒体终端等应用领域。 OK335X开发平台采用“核心板+底板”结构，这种分离设计是一种高效率，低成本的设计方式，核心板采用6层或者8层PCB，底板采用2层PCB，客户可以从我公司购买核心板，设计自己的底板，这样可以加速产品上市的时间，降低客户研发风险，为客户节约产品成本。 针对AM335X CPU的特性，飞凌公司开发了两款基于AM335X的开发平台，OK335xD和OK335xS，这两款产品的主要差别是核心板和底板的连接方式，OK335xD的核心板和底板采用200Pin的双排针插座，方便核心板与底板插拔，OK335xS核心板和底板采用136Pin的邮票孔连接方式，这种连接方式使核心板和底板连接更稳定，适用于对产品高度有要求的应用环境，除此外OK335xS有两个1000M网口，而Ok335xD有一个1000M网口，更详细的差别请看后面章节的详细介绍。 OK335xD和OK335xS开发板默认使用TI AM3354处理器，运行主频800MHz/720MHz，运行温度为-40℃~+90℃.，下面是两款产品的详细参数。
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 为规范本公司的产品，现将本公司现有产品的命名规则规范如下： 1.外置灯管：External Tube 例：GXLED-NS1-48-2-CW-C 即这个是24W系列灯管（一个电源2根灯管，1.2M长，色温5000K，透明罩。 型号单支功率灯珠 GXLED-NS1-48-2-XX-X 12 3528 GXLED-NS1-48-3-XX-X 18 3528 GXLED-NS1-96-1-XX-X 24 5730 GXLED-NS2-48-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS2-2U-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS3-48-2-XX-X 18 2835 2.内置灯管：Internal Tube 例：GXLED-NSN-48-3-3-CW-C 即常规系列1.2M长，277V 27W色温5000K，透明罩。
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 3.玉米灯Corn light 样例：GXT20-CW-1-E4即玉米灯20W 色温5000k 输入电压100-277Vac,E39/E40灯头的产品。 4.冰箱灯Refrigerator lamps 样例：GX-CS185070D即这个产品是1.8M的冰箱灯。 5.射灯spot light 样例：GXSL-M81-CW-2即MR16型的8W射灯，输入电压12V，色温5000K，发光角度20°。
编制 Writer 李长春 批准Approver 产品命名规则 6.面板灯 AXON LED Panel light 例：GXTF-A2-1-CW 即这个产品是600X600 110V 调光 5000K 色温面板灯。 7.NOVASTRIP （灯管替换类 灯板LED PCBA+电源DRIVE+PC COVER ） GXNP - X - XX - XX 8、SNOW MACHINE 雪花灯 DIG-HPS 15 NOVASTRI 灯板数 2:1拖2 功率24:24W 色温：SW=3000K WW=3500K 客户公司名 DIGICO IMAGING INC Happy 2015
SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史 飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。 市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支 持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测 试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。 备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得 到广泛应用，是未来的发展方向。 ------------------------------------------------------------------------------------------ 以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息，就在 网上查了一下。评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。 Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍 然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就 是Nand Flash。 Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell 的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数 据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小 的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价 格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。 2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 SLC闪存：即单层式储存(Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及 东芝都是此技术使用者 MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌 （Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell； MBC）。 除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术
一、目的及范围 统一规划产品开发中所涉及电路板型号命名，提供和识别产品具体信息内容及相关文档 的可控性，便于操作和统一管理，特此规范与说明。 作用范围包括环氧、铝基、瓷基、柔性、纸基等通用型线路板。 二、适用性 适用于xxxxxx硬件开发部。 三、公司产品开发思路 当前所发布的产品和公司的业务发展方向----向智能感知、物联网方向发展，因此，为保证产品开发进度，采用模块化产品开发模式，不同模块组合构成柔性的、可变的、多样化的产品，从而尽量缩短开发时间，同时减少商务、生产、测试的物流流转时间，为争取最快 的上市时间提供保障。实现“以不变（模块系列）应多变（用户需求）的产品开发模式。 模块化设计的基本方法： 新产品=不变部分（通用模块）+准通用部分（改型模块）+专用部分（新功能模块）从公司当前业务发展和及方向看，通用模块主要有（以后有新的需求再增加）： A：基于视频分析应用通用模块； B：基于物联网应用的通用模块； C：基于逻辑控制的通用模块； D：基于数据交换的通用模块。 因此线路板的命名分为通用模块线路板命名规则和专用功能接口线路板命名规则。 1、通用模块线路板命名规则 版本信息 附属信息 特征信息 业务应用类型 商标“HFC”
商标信息：固定为“HFC”； 业务应用类型（最多3位）： 基于视频分析应用通用模块：标识“A”； 基于物联网应用的通用模块：标识“M2M”； 基于逻辑运算控制类通用模块：标识“LOC”； 基于数据交换的通用模块：标识为“SW”。 *若后续有补充，可进行增添。 特征信息（最多3位）： 主要描述通用模块关键特征，利于区分相同业务应用类型模块之间差异。例如：交换机 有5以太网，则此位标识“5”，有8口，则此位标识“8”。如果没有，默认用“n”标识。 附属信息（最多4位，可数值也可文字） 主要表述核心芯片的信息，诸如，A8板采用TI Davinic DM6446芯片，则在附属信息 中“6446”用于标识； 版本信息（2位数值） 该标识位表示线路板的版本，用括号内数值代表，默认第一版用“(10)”（以版本号右移一位作为版本标识），若更改线路板相关内容，即改版打样，数值相应增加，如改过一次 大的，一次局部布局，并打样，最新版本为“(21)”。 2、专用部分线路板命名规则 在此之前的产品没有按此规则命名的，在改版后必须按以下命名规则执行。 版本信息 附属信息 用途信息 产品类型 商标“HFC” 商标信息：固定为“HFC”；
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：